JPS6366980A - 積層型圧電体 - Google Patents
積層型圧電体Info
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- JPS6366980A JPS6366980A JP61210734A JP21073486A JPS6366980A JP S6366980 A JPS6366980 A JP S6366980A JP 61210734 A JP61210734 A JP 61210734A JP 21073486 A JP21073486 A JP 21073486A JP S6366980 A JPS6366980 A JP S6366980A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
- H10N30/503—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal or circular in top view
- H10N30/505—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal or circular in top view the cross-section being annular
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は圧電素子を積層して構成し、アクチェータ等に
用いる積層型圧電体に関するものあである。
用いる積層型圧電体に関するものあである。
圧電セラミックスは、その極性が対向するように積層し
この積層体に電圧を印加するとそれ自体が伸縮し、低電
圧で大きな変位が得られる特性を有しており、さらに電
磁式のアクチェータに比べて応答性に優れ、発生荷重も
大きいという利点もあり、またミクロンオーダーで微小
変位を電気的に制御できるので、多方面の用途が考えら
れている。
この積層体に電圧を印加するとそれ自体が伸縮し、低電
圧で大きな変位が得られる特性を有しており、さらに電
磁式のアクチェータに比べて応答性に優れ、発生荷重も
大きいという利点もあり、またミクロンオーダーで微小
変位を電気的に制御できるので、多方面の用途が考えら
れている。
上記の積層型圧電体の用途として、超精密位置合わせ(
0,1〜1μm)用のアクチェータとして使用すること
が期待されるが、このような微小変位制御用アクチェー
タとして用いた場合、積層すべき圧電セラミックスには
印加電圧に対する歪み量のばらつきがあり、またこれら
圧電セラミックスの経時変化のために、積層型圧電体は
印加電圧に対して必らずしもその変位量が一定でない。
0,1〜1μm)用のアクチェータとして使用すること
が期待されるが、このような微小変位制御用アクチェー
タとして用いた場合、積層すべき圧電セラミックスには
印加電圧に対する歪み量のばらつきがあり、またこれら
圧電セラミックスの経時変化のために、積層型圧電体は
印加電圧に対して必らずしもその変位量が一定でない。
そのためこの変位量を制御することが必要となるが、こ
の制御のために変位量を検出する変位センサを積層型圧
電体の外部に取付けると、多くの場所を必要とし問題と
なる。
の制御のために変位量を検出する変位センサを積層型圧
電体の外部に取付けると、多くの場所を必要とし問題と
なる。
本発明によれば、上記の問題点は、圧電素子と電極板と
を多数積み重ねて積層体を形成し、該積層体に電源を接
続し、これに電圧を印加することにより前記圧電素子に
歪みを生じさせるようにした積層型圧電体において、前
記積層体の印加時における変位量を検出する変位センサ
を、該積層体内に設けたことを特徴とする積層型圧電体
によって、解決される。
を多数積み重ねて積層体を形成し、該積層体に電源を接
続し、これに電圧を印加することにより前記圧電素子に
歪みを生じさせるようにした積層型圧電体において、前
記積層体の印加時における変位量を検出する変位センサ
を、該積層体内に設けたことを特徴とする積層型圧電体
によって、解決される。
本発明において、前記変位センサは前記積層体を軸方向
に貫通するセンターバーに取付け、または積層体を覆う
カバーに取付ける。また前記変位センサとしては、歪み
ゲージを用い、またはギャップセンサを用いることがで
きる。
に貫通するセンターバーに取付け、または積層体を覆う
カバーに取付ける。また前記変位センサとしては、歪み
ゲージを用い、またはギャップセンサを用いることがで
きる。
本発明の実施例を図面を参照して以下に説明する。
第1図から第5図は本発明の第1の実施例を示す。
第1図は上記第1の実施例の全体構造を示し、積層型圧
電体1は、第2図に示す様に、圧力を加えると電圧を発
生し、電圧を印加すると歪みを生じる特徴を持った圧電
素子1aと金属製の非常に薄い電極板1bを交互に数1
0枚積層して形成した積層体構造を有している。また、
圧電素子1aと金属製電極板1bは、中央にセンターバ
ー3が通るのに十分大きな穴を持つ五円玉形状を有して
いる。圧電素子1aは、それぞれが電気的に並列になる
様に電極が取り出されている。(図に示していない)そ
して、数10枚の圧電素子1aと金属製電極板1bから
成る積層型圧電体1の両端に、絶縁物から成る圧電素子
1aと同形状の絶縁板2を介し、センターバー3とロッ
クナツト4を用いて、積層型圧電体1の圧電素子1aと
金属製電極板1bを押さえ込む様に、ある程度の荷重を
加えている。センターバー3は、円板3aの中央から丸
棒3bがつき出した形状をしており、棒3bの先端には
ねじ部が設けられている。センターバー3の材質は、金
属でも樹脂でもある程度の弾性変形が可能であれば何で
も良い。この棒部分3bが圧電セラミックス1aの中央
に設けられた穴を通り、センターバー3の円板3aとは
反対側で円板形状をした中央にめねじが設けられている
ロックナツト4に螺着されている。
電体1は、第2図に示す様に、圧力を加えると電圧を発
生し、電圧を印加すると歪みを生じる特徴を持った圧電
素子1aと金属製の非常に薄い電極板1bを交互に数1
0枚積層して形成した積層体構造を有している。また、
圧電素子1aと金属製電極板1bは、中央にセンターバ
ー3が通るのに十分大きな穴を持つ五円玉形状を有して
いる。圧電素子1aは、それぞれが電気的に並列になる
様に電極が取り出されている。(図に示していない)そ
して、数10枚の圧電素子1aと金属製電極板1bから
成る積層型圧電体1の両端に、絶縁物から成る圧電素子
1aと同形状の絶縁板2を介し、センターバー3とロッ
クナツト4を用いて、積層型圧電体1の圧電素子1aと
金属製電極板1bを押さえ込む様に、ある程度の荷重を
加えている。センターバー3は、円板3aの中央から丸
棒3bがつき出した形状をしており、棒3bの先端には
ねじ部が設けられている。センターバー3の材質は、金
属でも樹脂でもある程度の弾性変形が可能であれば何で
も良い。この棒部分3bが圧電セラミックス1aの中央
に設けられた穴を通り、センターバー3の円板3aとは
反対側で円板形状をした中央にめねじが設けられている
ロックナツト4に螺着されている。
このセンターバーの棒部分3bの一部を平面に加工し、
そこに、歪みが生じると電気抵抗が変化する歪みゲージ
6を貼り付ける(第3図)、また、センターバーの棒部
分3bの一部を平面に加工する時、他の部分と断面積が
等しくなる様に肉盛りを行なう、歪みゲージ6は、厚さ
をほとんど必要としないので、第1図に示す様にゲージ
のリード部6aが取り出せるくらいの逃しをセンターバ
ーの円板部3aに設けるだけで良く、場所を必要としな
い製作容易なセンサ内蔵の積層型圧電体が得られる。
そこに、歪みが生じると電気抵抗が変化する歪みゲージ
6を貼り付ける(第3図)、また、センターバーの棒部
分3bの一部を平面に加工する時、他の部分と断面積が
等しくなる様に肉盛りを行なう、歪みゲージ6は、厚さ
をほとんど必要としないので、第1図に示す様にゲージ
のリード部6aが取り出せるくらいの逃しをセンターバ
ーの円板部3aに設けるだけで良く、場所を必要としな
い製作容易なセンサ内蔵の積層型圧電体が得られる。
なお、センターバー3及びロックナツト4を金属製とし
た場合、積層型圧電体1とセンターバーの円板部3a及
びロックナツト4とは、絶縁板2によって絶縁を保つ。
た場合、積層型圧電体1とセンターバーの円板部3a及
びロックナツト4とは、絶縁板2によって絶縁を保つ。
また、センターバーの棒部分3bとは、圧電素子1aに
印刷されている電極を中央の穴よりも少し大きくして絶
縁を保つようにする。
印刷されている電極を中央の穴よりも少し大きくして絶
縁を保つようにする。
上記のように構成された積層型圧電体1は、圧電素子1
aと金属製電極板1bを交互に積層し電気的に並列に電
極が取り出されているので、リード線5より電圧(数1
00ボルト)を印加すると積層型圧電体1は約100μ
secの応答性で数10ミクロン伸びる。この時、積層
型圧電体1は、センターバー3とロックナツト4とで押
さえ付けであるので、センターバーの棒部分3bを引き
伸ばしながら伸びる。従って、センターバーの棒部分3
bには歪みが生じ、そこに貼り付けである歪みゲージ6
により変位を検出することができる。歪みゲージ6は1
0−6のオーダーの歪みまで検出できるので、積層型圧
電体1の微少変位を検出することができる。
aと金属製電極板1bを交互に積層し電気的に並列に電
極が取り出されているので、リード線5より電圧(数1
00ボルト)を印加すると積層型圧電体1は約100μ
secの応答性で数10ミクロン伸びる。この時、積層
型圧電体1は、センターバー3とロックナツト4とで押
さえ付けであるので、センターバーの棒部分3bを引き
伸ばしながら伸びる。従って、センターバーの棒部分3
bには歪みが生じ、そこに貼り付けである歪みゲージ6
により変位を検出することができる。歪みゲージ6は1
0−6のオーダーの歪みまで検出できるので、積層型圧
電体1の微少変位を検出することができる。
歪みゲージ6より検出した変位信号は、第4図に示す様
に基準信号として回路内に取りこみ、第5図のフローチ
ャートに示すように、そこで、設定(目標とする)した
変位よりも大きいか小さいかを判断し、大きいならぼ印
加電圧を減らす信号を出す。変位が小さい場合は、逆に
印加電圧を増やす。この時、積層型圧電体1の電圧−変
位の関係にバラツキがあってもこの積層体内に設けたセ
ンサ(歪みゲージ6)によって変位を検出するため、歪
みゲージ6のバラツキの範囲内で微少変位を制611す
ることが可能となる。
に基準信号として回路内に取りこみ、第5図のフローチ
ャートに示すように、そこで、設定(目標とする)した
変位よりも大きいか小さいかを判断し、大きいならぼ印
加電圧を減らす信号を出す。変位が小さい場合は、逆に
印加電圧を増やす。この時、積層型圧電体1の電圧−変
位の関係にバラツキがあってもこの積層体内に設けたセ
ンサ(歪みゲージ6)によって変位を検出するため、歪
みゲージ6のバラツキの範囲内で微少変位を制611す
ることが可能となる。
なお、上記実施例における各部品の材質、寸法などにつ
いて以下に一例を示す。
いて以下に一例を示す。
センターバーの材質は355CのIMt材とする。
この355Cのヤング率Eは20700 kg/+an
+2、引っ張り強さは約78.5 kg/mm”である
。
+2、引っ張り強さは約78.5 kg/mm”である
。
従って、繰り返し引っ張り荷重の疲労を考慮すると、疲
労限は28.2 kg/mm”となる。
労限は28.2 kg/mm”となる。
積層型圧電セラミックスの発生荷重を約300kgf、
センターバー3の径をφ3.8とするとセンターバー3
の応力はσ= 26.5 kg/1mm”となり、この
応力は前記疲労限28.2 kg/ mm”より小さい
。
センターバー3の径をφ3.8とするとセンターバー3
の応力はσ= 26.5 kg/1mm”となり、この
応力は前記疲労限28.2 kg/ mm”より小さい
。
このとき、積層型圧電体の歪み率をεとすると、σ=E
εよりε=1.280X10−3となる。
εよりε=1.280X10−3となる。
したがって、積層型圧電セラミックスは、長さが40m
mであると、その歪み量はεX 40 =51.2XI
O−’mmとなり、 約50μmまでの変位を検出することができる。
mであると、その歪み量はεX 40 =51.2XI
O−’mmとなり、 約50μmまでの変位を検出することができる。
以上より、センターバー3の径をφ3.8、材質を35
5C(調質材)とすると、許容応力内で積層型圧電体の
変位を得ることができる。
5C(調質材)とすると、許容応力内で積層型圧電体の
変位を得ることができる。
第6図から第7図に本発明の第2の実施例を示す。
本実施例は圧電素子の囲りをおおう筒体に歪みゲージを
設けた構造を有する。
設けた構造を有する。
第6図に示す様に、積層型圧電体1は、両端を絶縁板2
ではさみ込み、次に外周を絶縁チューブ7で包み込んで
他の部品との絶縁を保っている。
ではさみ込み、次に外周を絶縁チューブ7で包み込んで
他の部品との絶縁を保っている。
積層型圧電体1は、圧電素子と金属製電極板を数10枚
交互に積層させたものであるが、圧電素子、金属製電極
板は、第1実施例のような五円玉形状ではなく円板状で
ある。絶縁板2も同形状である。
交互に積層させたものであるが、圧電素子、金属製電極
板は、第1実施例のような五円玉形状ではなく円板状で
ある。絶縁板2も同形状である。
この積層型圧電体1を、前述の様に絶縁チューブ7と絶
縁板2で絶縁して、円筒形の壷形状をしたケース8の中
に挿入し、キャップ9を用いてふたをする。ケース8と
キャップ9にはねじ部10が設けであるので、積層型圧
電体1にある程度の荷重が加えられる様に押さえこみな
がら、キャップ9とケース8をねじ込んでいく。また、
ケース8の外周部のどこか1箇所に歪みゲージ6を貼り
付ける。
縁板2で絶縁して、円筒形の壷形状をしたケース8の中
に挿入し、キャップ9を用いてふたをする。ケース8と
キャップ9にはねじ部10が設けであるので、積層型圧
電体1にある程度の荷重が加えられる様に押さえこみな
がら、キャップ9とケース8をねじ込んでいく。また、
ケース8の外周部のどこか1箇所に歪みゲージ6を貼り
付ける。
従って、電圧を印加して積層型圧電体1を伸ばすと積層
型圧電体1は、キャップ9を持ち上げるのでケース8が
伸び、歪みゲージ6によりこの歪み(変位)を検知でき
る。したがって第1実施例と同様にして、積層型圧電体
lの変位量を制御することができる。
型圧電体1は、キャップ9を持ち上げるのでケース8が
伸び、歪みゲージ6によりこの歪み(変位)を検知でき
る。したがって第1実施例と同様にして、積層型圧電体
lの変位量を制御することができる。
なお、上記の実施例において、ケース8を第7図に示す
様な形状のものにすることができる。すなわち、ケース
8の円筒部分に数個の窓8aを作り、図に示す様に窓枠
部分8bに歪みゲージ6を貼り付ける。このようにする
と、ケース8の伸びのほとんどがこの窓枠部分8bに集
中する為、同変位に対して歪みが大きくなり、歪み(変
位量)が検出しやすくなる。
様な形状のものにすることができる。すなわち、ケース
8の円筒部分に数個の窓8aを作り、図に示す様に窓枠
部分8bに歪みゲージ6を貼り付ける。このようにする
と、ケース8の伸びのほとんどがこの窓枠部分8bに集
中する為、同変位に対して歪みが大きくなり、歪み(変
位量)が検出しやすくなる。
第8図から第10図は本発明の第3の実施例を示す。
本実施例は、歪みゲージに代えてギャップセンサを変位
検出用センサとして用いたものである。
検出用センサとして用いたものである。
第1実施例と同様に中央に穴のあいた積層型圧電体1の
中央の穴に、円板部3aと棒部分3bを有した金属製の
センターバー3を挿入し、反対側からその先端にギャッ
プセンサ11を取付けた第2のセンターバー12を挿入
スる。
中央の穴に、円板部3aと棒部分3bを有した金属製の
センターバー3を挿入し、反対側からその先端にギャッ
プセンサ11を取付けた第2のセンターバー12を挿入
スる。
第1のセンターバー3の先端(ギャップセンサ11と相
対する部分)は、ギャップセンサ11の先端部の面に対
して平行でなければならない。
対する部分)は、ギャップセンサ11の先端部の面に対
して平行でなければならない。
積層型圧電体1は、中央に穴のあいた絶縁板2と絶縁チ
ューブ7によって他の部品との絶縁を保っている。
ューブ7によって他の部品との絶縁を保っている。
そして、金属製の第1センターバー3とギャップセンサ
11を取付けた第2のセンターバー12を有し、絶縁板
2と絶縁チューブ7によって絶縁された積層型圧電体1
を、円筒形で壷形をしたカバーロウア13に挿入し、金
属カバーアッパ14で蓋をする。カバーアッパ14とカ
バーロウア13には、ねじ部15が設けであるので、そ
れを用いてそれぞれをねじ込んで固定する。また、セン
ターバーの円板部3aとカバーアッパエ4の間には、ワ
ッシャウェーブ16が設置されている為、積層型圧電体
1には、ある程度の荷重が加えられている。
11を取付けた第2のセンターバー12を有し、絶縁板
2と絶縁チューブ7によって絶縁された積層型圧電体1
を、円筒形で壷形をしたカバーロウア13に挿入し、金
属カバーアッパ14で蓋をする。カバーアッパ14とカ
バーロウア13には、ねじ部15が設けであるので、そ
れを用いてそれぞれをねじ込んで固定する。また、セン
ターバーの円板部3aとカバーアッパエ4の間には、ワ
ッシャウェーブ16が設置されている為、積層型圧電体
1には、ある程度の荷重が加えられている。
この積層型圧電体1に電圧を印加すると、ワッシャウェ
ーブ16を押さえ込みながら伸びる。この時、固定され
ているギャップセンサ11と、これに対向している第1
センターバー3の先端部との距離が変化する為、これを
変位量として検出することができる。そしてこの検知結
果に基づき、第1実施例と同様に積層型圧電体1の変位
を制御する。
ーブ16を押さえ込みながら伸びる。この時、固定され
ているギャップセンサ11と、これに対向している第1
センターバー3の先端部との距離が変化する為、これを
変位量として検出することができる。そしてこの検知結
果に基づき、第1実施例と同様に積層型圧電体1の変位
を制御する。
本発明は、積層型圧電体内にその変位量を検出する変位
センサを有しているので、圧電素子のばらつき及び経時
変化があっても常にその変位量を正しく制御することが
でき、しかもこの変位センサは外部センサとして接続す
るものでないため余分の空間を要しないものとなり、超
精密位置合わせ等に好適な、コンパクトの微小変位制御
用アクチェータが得られる。
センサを有しているので、圧電素子のばらつき及び経時
変化があっても常にその変位量を正しく制御することが
でき、しかもこの変位センサは外部センサとして接続す
るものでないため余分の空間を要しないものとなり、超
精密位置合わせ等に好適な、コンパクトの微小変位制御
用アクチェータが得られる。
第1図は本発明の第1実施例の一部切断正面図、第2図
は同上実施例の分解斜面図、第3図は第1図のA部の拡
大図、第4図は同上実施例の制御ブロック図、第5図は
同上実施例の制御作用を示すフローチャート図、第6図
は本発明の第2実施例の縦断正面図、第7図は同上第2
実施例におけるケースの変形例を示す斜面図、第8図は
本発明の第3実施例の縦断正面図、第9図は同上実施例
の分解斜面図、第10図は同上実施例の制御ブロック図
である。 1・・・積層型圧電体、1a・・・圧電セラミックス、
lb・・・電極板、 2・・・絶縁板、3・・・セン
ターバー、3a・・・円板部、3b・・・棒部分、
6・・・歪みゲージ、8・・・ケース、 8b・・
・窓枠部分、9・・・キャップ、 11・・・ギヤ
ツブセンサ、12・・・第2センターバー、 13・・・カバーロウア、14・・・カバーアッパ、1
6・・・ワッシャウェーブ。 1・・・積層型圧電体 1α・・・圧電セラミックス 1b・・・電極板 3・・・センターバー 30・・・円板部分 3b・・・棒部分 5・・・ リード線 6・・・歪みr−ジ 第3図 第5図 1・・・積層型圧電体 6・・・歪みr−シ フ・・・絶縁チー−ブ 8・・・ケース 8b・・・窓枠部 9・・・ キャップ ト・・積層型圧電体 3・・・ センターパー 11・・・ ギャップセンサ 12・・・ 第2センターパー 13・・・ カハンロウア
は同上実施例の分解斜面図、第3図は第1図のA部の拡
大図、第4図は同上実施例の制御ブロック図、第5図は
同上実施例の制御作用を示すフローチャート図、第6図
は本発明の第2実施例の縦断正面図、第7図は同上第2
実施例におけるケースの変形例を示す斜面図、第8図は
本発明の第3実施例の縦断正面図、第9図は同上実施例
の分解斜面図、第10図は同上実施例の制御ブロック図
である。 1・・・積層型圧電体、1a・・・圧電セラミックス、
lb・・・電極板、 2・・・絶縁板、3・・・セン
ターバー、3a・・・円板部、3b・・・棒部分、
6・・・歪みゲージ、8・・・ケース、 8b・・
・窓枠部分、9・・・キャップ、 11・・・ギヤ
ツブセンサ、12・・・第2センターバー、 13・・・カバーロウア、14・・・カバーアッパ、1
6・・・ワッシャウェーブ。 1・・・積層型圧電体 1α・・・圧電セラミックス 1b・・・電極板 3・・・センターバー 30・・・円板部分 3b・・・棒部分 5・・・ リード線 6・・・歪みr−ジ 第3図 第5図 1・・・積層型圧電体 6・・・歪みr−シ フ・・・絶縁チー−ブ 8・・・ケース 8b・・・窓枠部 9・・・ キャップ ト・・積層型圧電体 3・・・ センターパー 11・・・ ギャップセンサ 12・・・ 第2センターパー 13・・・ カハンロウア
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、圧電素子と電極板とを多数積み重ねて積層体を形成
し、該積層体に電源を接続し、これに電圧を印加するこ
とにより前記圧電素子に歪みを生じさせるようにした積
層型圧電体において、前記積層体の電圧印加時における
変位量を検出する変位センサを、該積層体内に設けたこ
とを特徴とする積層型圧電体。 2、前記変位センサを前記積層体の軸方向に貫通するセ
ンターバーに取付けた特許請求の範囲第1項記載の積層
型圧電体。 3、前記変位センサを前記積層体のカバーに取付けた特
許請求の範囲第1項記載の積層型圧電体。 4、前記変位センサとして歪みゲージを用いた特許請求
の範囲第2項又は第3項記載の積層型圧電体。 5、前記変位センサとしてギャップセンサを用いた特許
請求の範囲第2項記載の積層型圧電体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61210734A JPS6366980A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 積層型圧電体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61210734A JPS6366980A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 積層型圧電体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366980A true JPS6366980A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16594224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61210734A Pending JPS6366980A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 積層型圧電体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366980A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1986
- 1986-09-09 JP JP61210734A patent/JPS6366980A/ja active Pending
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