JPH06188332A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH06188332A JPH06188332A JP33764492A JP33764492A JPH06188332A JP H06188332 A JPH06188332 A JP H06188332A JP 33764492 A JP33764492 A JP 33764492A JP 33764492 A JP33764492 A JP 33764492A JP H06188332 A JPH06188332 A JP H06188332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pattern
- resistor
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パターンにクラックを発生させない集積回路装
置を提供する。 【構成】基板１上に所定のパターンで形成される導体層
２ａ，２ｂと、その導体層２ａ，２ｂの熱膨張係数と近
似する熱膨張係数を有し、前記導体層２ａ，２ｂのパタ
ーンの表面が平坦になるように形成される形成される絶
縁体層４と、前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁体層４上に
所定のパターンで形成される抵抗体層５と備えた。従っ
て、集積回路装置が冷熱されても導体層２ａ，２ｂと絶
縁体層４とが同じように膨張・縮小するため、抵抗体層
５に対して応力集中が発生せず、クラックの発生を防止
する。又、抵抗体層５は平坦に形成されるため、応力集
中が発生する部分が無くなり、クラックの発生を防止す
る。
置を提供する。 【構成】基板１上に所定のパターンで形成される導体層
２ａ，２ｂと、その導体層２ａ，２ｂの熱膨張係数と近
似する熱膨張係数を有し、前記導体層２ａ，２ｂのパタ
ーンの表面が平坦になるように形成される形成される絶
縁体層４と、前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁体層４上に
所定のパターンで形成される抵抗体層５と備えた。従っ
て、集積回路装置が冷熱されても導体層２ａ，２ｂと絶
縁体層４とが同じように膨張・縮小するため、抵抗体層
５に対して応力集中が発生せず、クラックの発生を防止
する。又、抵抗体層５は平坦に形成されるため、応力集
中が発生する部分が無くなり、クラックの発生を防止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は集積回路装置に係り、
詳しくは集積回路装置のパターンにクラックを発生させ
ない集積回路装置に関するものである。
詳しくは集積回路装置のパターンにクラックを発生させ
ない集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積回路装置において、図６に示
すように、アルミナ等の絶縁基板１１上にＡｇ−Ｐｔ系
又はＡｇ−Ｐｄ系の導体パターン１２ａ，１２ｂを形成
し、その導体パターン１２ａ，１２ｂ間に酸化ルテニウ
ム（ＲｕＯ2 ）よりなる抵抗体パターン１３を形成する
ようにした回路パターンが多く用いられている。この回
路パターンは図５に示すように、基板１１にまず導体パ
ターン１２ａ，１２ｂを形成したのち、抵抗体パターン
１３をその両端が導体パターン１２ａ，１２ｂの端部と
重合するように基板１１に形成する。そして、このよう
に形成した回路パターンの上面に保護ガラス１４を形成
して終了する。
すように、アルミナ等の絶縁基板１１上にＡｇ−Ｐｔ系
又はＡｇ−Ｐｄ系の導体パターン１２ａ，１２ｂを形成
し、その導体パターン１２ａ，１２ｂ間に酸化ルテニウ
ム（ＲｕＯ2 ）よりなる抵抗体パターン１３を形成する
ようにした回路パターンが多く用いられている。この回
路パターンは図５に示すように、基板１１にまず導体パ
ターン１２ａ，１２ｂを形成したのち、抵抗体パターン
１３をその両端が導体パターン１２ａ，１２ｂの端部と
重合するように基板１１に形成する。そして、このよう
に形成した回路パターンの上面に保護ガラス１４を形成
して終了する。
【０００３】従って、抵抗体パターン１３と導体パター
ン１２ａ，１２ｂと重合する部分は抵抗体パターン１３
が導体パターン１２ａ，１２ｂに乗り上がった積層構造
で接合されていることになる。そのため、抵抗体パター
ン１３の端部上面には円弧状の折曲部１５が形成されて
いる。
ン１２ａ，１２ｂと重合する部分は抵抗体パターン１３
が導体パターン１２ａ，１２ｂに乗り上がった積層構造
で接合されていることになる。そのため、抵抗体パター
ン１３の端部上面には円弧状の折曲部１５が形成されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導体パ
ターン１２ａ，１２ｂと抵抗体パターン１３の熱膨張係
数は導体パターン１２ａ，１２ｂの方が大きいことか
ら、集積回路装置を温度変化の大きい環境下で使用した
場合に問題となる。
ターン１２ａ，１２ｂと抵抗体パターン１３の熱膨張係
数は導体パターン１２ａ，１２ｂの方が大きいことか
ら、集積回路装置を温度変化の大きい環境下で使用した
場合に問題となる。
【０００５】すなわち、温度変化の大きい環境下で使用
した場合に、導体パターン１２ａ，１２ｂの膨張・縮小
は大きく、抵抗体パターン１３の膨張・縮小は小さい。
従って、抵抗体パターン１３が導体パターン１２ａ，１
２ｂに乗り上がった折曲部１５はその導体パターン１２
ａ，１２ｂの大きな膨張・縮小に追従することができ
ず、応力が集中する。その結果、この応力によって抵抗
体パターン１３の折曲部１５にクラック１６が発生し、
抵抗体パターン１３の抵抗値が大きく変動したり、回路
パターンが切断されてしまうという問題があった。
した場合に、導体パターン１２ａ，１２ｂの膨張・縮小
は大きく、抵抗体パターン１３の膨張・縮小は小さい。
従って、抵抗体パターン１３が導体パターン１２ａ，１
２ｂに乗り上がった折曲部１５はその導体パターン１２
ａ，１２ｂの大きな膨張・縮小に追従することができ
ず、応力が集中する。その結果、この応力によって抵抗
体パターン１３の折曲部１５にクラック１６が発生し、
抵抗体パターン１３の抵抗値が大きく変動したり、回路
パターンが切断されてしまうという問題があった。
【０００６】この発明は前述した事情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、使用環境下の温度が変化し
ても各種のパターンにクラックが発生しないように防止
することができる集積回路装置を提供することにある。
ものであって、その目的は、使用環境下の温度が変化し
ても各種のパターンにクラックが発生しないように防止
することができる集積回路装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に所定のパターンで形成される
導体層と、その導体層の熱膨張係数と近似する熱膨張係
数を有し、前記パターンの表面が平坦になるように形成
される絶縁体層と、前記導体層及び絶縁体層上に所定の
パターンで形成される回路素子パターン層とを備えたこ
とをその要旨とする。
めに、本発明は、基板上に所定のパターンで形成される
導体層と、その導体層の熱膨張係数と近似する熱膨張係
数を有し、前記パターンの表面が平坦になるように形成
される絶縁体層と、前記導体層及び絶縁体層上に所定の
パターンで形成される回路素子パターン層とを備えたこ
とをその要旨とする。
【０００８】
【作用】上記の構成によれば、熱膨張係数が近似した導
体層と絶縁体層とによるパターンの表面が平坦になり、
その平坦面に回路素子パターン層が形成される。その結
果、集積回路装置が加熱されたり冷却されたりすると、
導体層及び絶縁体層が均一に伸縮動作を行う。そのた
め、導体層及び絶縁体層上に所定のパターンで形成され
る回路素子パターン層に対して応力集中が発生しない。
体層と絶縁体層とによるパターンの表面が平坦になり、
その平坦面に回路素子パターン層が形成される。その結
果、集積回路装置が加熱されたり冷却されたりすると、
導体層及び絶縁体層が均一に伸縮動作を行う。そのた
め、導体層及び絶縁体層上に所定のパターンで形成され
る回路素子パターン層に対して応力集中が発生しない。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の集積回路装置を具体化した
一実施例を図１〜図３に基づいて詳細に説明する。
一実施例を図１〜図３に基づいて詳細に説明する。
【００１０】図１に示すように、アルミナ基板１の上面
には離間部３が形成されるように銀−白金系（Ａｇ−Ｐ
ｔ系）の導体層２ａ，２ｂが形成されている。前記導体
層２ａ，２ｂ間における離間部３にはマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）の絶縁体層４が形成されている。そして、前記導体
層２ａ，２ｂ及び絶縁体層４とによって形成されるパタ
ーンＰの上面は平坦に形成されている。
には離間部３が形成されるように銀−白金系（Ａｇ−Ｐ
ｔ系）の導体層２ａ，２ｂが形成されている。前記導体
層２ａ，２ｂ間における離間部３にはマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）の絶縁体層４が形成されている。そして、前記導体
層２ａ，２ｂ及び絶縁体層４とによって形成されるパタ
ーンＰの上面は平坦に形成されている。
【００１１】前記パターンＰの上面には導体層２ａ，２
ｂの基端が重合し、かつ前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁
体層４の幅と略等しい酸化ルテニウム（ＲｕＯ2 ）の抵
抗体層５が形成されいている。従って、導体層２ａ，２
ｂは抵抗体層５を介して電気的に接続され、抵抗素子が
構成されている。又、これらの上面にはホウケイ酸ガラ
スによる保護膜６が形成されている。
ｂの基端が重合し、かつ前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁
体層４の幅と略等しい酸化ルテニウム（ＲｕＯ2 ）の抵
抗体層５が形成されいている。従って、導体層２ａ，２
ｂは抵抗体層５を介して電気的に接続され、抵抗素子が
構成されている。又、これらの上面にはホウケイ酸ガラ
スによる保護膜６が形成されている。
【００１２】次に、上記の集積回路装置の製造行程につ
いて説明する。図１，図２に示すように、アルミナ（９
６％）によって形成されたアルミナ基板１の上面には銀
−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）の導体ペーストを離間部３が
形成されるように所定の間隔を持って１０μｍの厚さで
印刷した後、焼き付けて導体層２ａ，２ｂを形成する。
いて説明する。図１，図２に示すように、アルミナ（９
６％）によって形成されたアルミナ基板１の上面には銀
−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）の導体ペーストを離間部３が
形成されるように所定の間隔を持って１０μｍの厚さで
印刷した後、焼き付けて導体層２ａ，２ｂを形成する。
【００１３】次に、前記離間部３にマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）の絶縁体ペーストを同じく１０μｍの厚さでパター
ン印刷した後、焼き付けて導体層２ａ，２ｂと厚さが等
しくなるように絶縁体層４を形成する。従って、導体層
２ａ，２ｂと離間部３に形成された絶縁体層４とにより
上面が平坦となるパターンＰが形成される。又、前記導
体層２ａ，２ｂとなる銀−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）の熱
膨張係数は約１８×１０ -6／Ｋである。そして、この銀
−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）の熱膨張係数と近似するマグ
ネシア（ＭｇＯ）を絶縁体層４に使用している。尚、マ
グネシア（ＭｇＯ）の熱膨張係数は約１３×１０-6／Ｋ
である。
Ｏ）の絶縁体ペーストを同じく１０μｍの厚さでパター
ン印刷した後、焼き付けて導体層２ａ，２ｂと厚さが等
しくなるように絶縁体層４を形成する。従って、導体層
２ａ，２ｂと離間部３に形成された絶縁体層４とにより
上面が平坦となるパターンＰが形成される。又、前記導
体層２ａ，２ｂとなる銀−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）の熱
膨張係数は約１８×１０ -6／Ｋである。そして、この銀
−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）の熱膨張係数と近似するマグ
ネシア（ＭｇＯ）を絶縁体層４に使用している。尚、マ
グネシア（ＭｇＯ）の熱膨張係数は約１３×１０-6／Ｋ
である。
【００１４】そして、前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁体
層４からなるパターンＰの上面に酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2 ）の抵抗体ペーストを同じく１０μｍの厚さで印刷
した後、焼き付けて抵抗体層５を形成する。従って、パ
ターンＰの導体層２ａ，２ｂ及び絶縁体層４が平坦とな
っているため、抵抗体層５には導体層２ａ，２ｂに対し
て従来のように円弧状の折曲部１５が形成されないよう
になっている。更に、これらの上面にはホウケイ酸ガラ
スのガラスペーストが同じく１０μｍの厚さで印刷され
た後、焼き付けられて保護膜６が形成されている。
層４からなるパターンＰの上面に酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2 ）の抵抗体ペーストを同じく１０μｍの厚さで印刷
した後、焼き付けて抵抗体層５を形成する。従って、パ
ターンＰの導体層２ａ，２ｂ及び絶縁体層４が平坦とな
っているため、抵抗体層５には導体層２ａ，２ｂに対し
て従来のように円弧状の折曲部１５が形成されないよう
になっている。更に、これらの上面にはホウケイ酸ガラ
スのガラスペーストが同じく１０μｍの厚さで印刷され
た後、焼き付けられて保護膜６が形成されている。
【００１５】尚、前記抵抗体層５となる酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2 ）の熱膨張係数は約８×１０-6／Ｋであり、
保護膜６となるホウケイ酸ガラスの熱膨張係数は約７×
１０ -6／Ｋである。更に、基板１となるアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）の熱膨張係数は約８×１０-6／Ｋとなる。
（ＲｕＯ2 ）の熱膨張係数は約８×１０-6／Ｋであり、
保護膜６となるホウケイ酸ガラスの熱膨張係数は約７×
１０ -6／Ｋである。更に、基板１となるアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）の熱膨張係数は約８×１０-6／Ｋとなる。
【００１６】さて、上記のように構成された集積回路装
置が冷却及び加熱されると、導体層２ａ，２ｂが上下方
向に伸縮動作を行う。又、導体層２ａ，２ｂ間における
離間部３の絶縁体層４も上下方向に伸縮動作を行う。こ
のとき、前記導体層２ａ，２ｂと絶縁体層４は熱膨張係
数が近似しているため、上下方向の伸縮率が同じにな
る。
置が冷却及び加熱されると、導体層２ａ，２ｂが上下方
向に伸縮動作を行う。又、導体層２ａ，２ｂ間における
離間部３の絶縁体層４も上下方向に伸縮動作を行う。こ
のとき、前記導体層２ａ，２ｂと絶縁体層４は熱膨張係
数が近似しているため、上下方向の伸縮率が同じにな
る。
【００１７】そのため、前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁
体層４が伸縮動作しても抵抗体層５は全体的に上下移動
する。つまり、導体層２ａ，２ｂの伸縮動作によって抵
抗体層５の両端が該抵抗体層５の中央より大きく上下移
動したり、絶縁体層４の伸縮動作によって抵抗体層５の
中央が該抵抗体層５の両端より大きく上下移動したりす
ることはない。
体層４が伸縮動作しても抵抗体層５は全体的に上下移動
する。つまり、導体層２ａ，２ｂの伸縮動作によって抵
抗体層５の両端が該抵抗体層５の中央より大きく上下移
動したり、絶縁体層４の伸縮動作によって抵抗体層５の
中央が該抵抗体層５の両端より大きく上下移動したりす
ることはない。
【００１８】従って、前記導体層２ａ，２ｂ及び絶縁体
層４の上下方向の伸縮動作による部分的な応力集中が抵
抗体層５に対して無くなるため、抵抗体層５に対してク
ラック１６が発生しないように防止することができる。
この結果、抵抗体層５の抵抗値の変化したり、回路パタ
ーンが切断したりしない安定した集積回路装置を製造す
ることができる。
層４の上下方向の伸縮動作による部分的な応力集中が抵
抗体層５に対して無くなるため、抵抗体層５に対してク
ラック１６が発生しないように防止することができる。
この結果、抵抗体層５の抵抗値の変化したり、回路パタ
ーンが切断したりしない安定した集積回路装置を製造す
ることができる。
【００１９】又、本実施例においては、抵抗体層５に対
して保護膜６が接触する円弧状の接触部７が形成されて
いるが、この場合、抵抗体層５と保護膜６との熱膨張係
数が同じであるため収縮率が同じとなる。そのため、保
護膜６の接触部７にクラック１６は発生しない。
して保護膜６が接触する円弧状の接触部７が形成されて
いるが、この場合、抵抗体層５と保護膜６との熱膨張係
数が同じであるため収縮率が同じとなる。そのため、保
護膜６の接触部７にクラック１６は発生しない。
【００２０】ここで、上記のように構成された本実施例
の集積回路装置及び従来の集積回路装置を冷熱サイクル
試験した。この冷熱サイクル試験は−５０°〜１５０°
の冷却及び加熱を繰り返し、各サイクル毎において集積
回路装置の抵抗値がどのように変化していくかを測定し
たものである。
の集積回路装置及び従来の集積回路装置を冷熱サイクル
試験した。この冷熱サイクル試験は−５０°〜１５０°
の冷却及び加熱を繰り返し、各サイクル毎において集積
回路装置の抵抗値がどのように変化していくかを測定し
たものである。
【００２１】その測定結果を図３に示す。この特性図か
ら１０００サイクル後において、従来の集積回路装置で
は抵抗値の変化が最高４．５％となるのに対し、本実施
例の集積回路装置では抵抗値の変化が０．５％以下であ
ることが分かる。
ら１０００サイクル後において、従来の集積回路装置で
は抵抗値の変化が最高４．５％となるのに対し、本実施
例の集積回路装置では抵抗値の変化が０．５％以下であ
ることが分かる。
【００２２】又、所定のサイクルを終了した従来の集積
回路装置及び本実施例の集積回路装置における抵抗体パ
ターン１３及び抵抗体層５の電子顕微鏡観察を行ったと
ころ、抵抗体パターン１３に対してはクラック１６の発
生が確認されたのに対し、抵抗体層５に対してはクラッ
ク１６の発生が確認されなかった。
回路装置及び本実施例の集積回路装置における抵抗体パ
ターン１３及び抵抗体層５の電子顕微鏡観察を行ったと
ころ、抵抗体パターン１３に対してはクラック１６の発
生が確認されたのに対し、抵抗体層５に対してはクラッ
ク１６の発生が確認されなかった。
【００２３】本実施例においては、導体層２ａ，２ｂに
は銀−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）、絶縁体層４にはマグネ
シア（ＭｇＯ）、抵抗体層５には酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2）を使用したが、絶縁体層５に熱膨張係数が８×１
０-6／Ｋとなるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、熱膨張係数が
６×１０-6／Ｋとなるチタニア（ＴｉＯ2 ）、熱膨張係
数が７×１０-6／Ｋとなるホウケイ酸ガラス及び熱膨張
係数が９×１０-6／Ｋとなるトリア（ＴｈＯ2 ）等を使
用することによっても抵抗体層５に応力集中が発生しな
いようにすることができる。この結果、抵抗体層５にク
ラック１６が発生せず、抵抗体層５に対する抵抗値の変
化を防止することができる。
は銀−白金系（Ａｇ−Ｐｔ系）、絶縁体層４にはマグネ
シア（ＭｇＯ）、抵抗体層５には酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ2）を使用したが、絶縁体層５に熱膨張係数が８×１
０-6／Ｋとなるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、熱膨張係数が
６×１０-6／Ｋとなるチタニア（ＴｉＯ2 ）、熱膨張係
数が７×１０-6／Ｋとなるホウケイ酸ガラス及び熱膨張
係数が９×１０-6／Ｋとなるトリア（ＴｈＯ2 ）等を使
用することによっても抵抗体層５に応力集中が発生しな
いようにすることができる。この結果、抵抗体層５にク
ラック１６が発生せず、抵抗体層５に対する抵抗値の変
化を防止することができる。
【００２４】尚、この発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一部
を適宜に変更して次のように実施することもできる。 （１）前記実施例では、導体層２ａ，２ｂには銀−白金
系（Ａｇ−Ｐｔ系）、絶縁体層４にはマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）を使用したが、この他に導体層２ａ，２ｂに熱膨張
係数が１４×１０-6／Ｋとなる金（Ａｕ）を使用したと
き、絶縁体層４には熱膨張係数が１３×１０-6／Ｋとな
るマグネシア（ＭｇＯ）、熱膨張係数が９×１０-6／Ｋ
となるトリア（ＴｈＯ2 ）、熱膨張係数が８×１０-6／
Ｋとなるフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）又は
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を使用することが最適である。
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一部
を適宜に変更して次のように実施することもできる。 （１）前記実施例では、導体層２ａ，２ｂには銀−白金
系（Ａｇ−Ｐｔ系）、絶縁体層４にはマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）を使用したが、この他に導体層２ａ，２ｂに熱膨張
係数が１４×１０-6／Ｋとなる金（Ａｕ）を使用したと
き、絶縁体層４には熱膨張係数が１３×１０-6／Ｋとな
るマグネシア（ＭｇＯ）、熱膨張係数が９×１０-6／Ｋ
となるトリア（ＴｈＯ2 ）、熱膨張係数が８×１０-6／
Ｋとなるフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）又は
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を使用することが最適である。
【００２５】又、導体層２ａ，２ｂに熱膨張係数が１４
×１０-6／Ｋとなる銅（Ｃｕ）を使用したとき、絶縁体
層４にはマグネシア（ＭｇＯ）、トリア（ＴｈＯ2 ）を
使用することが最適である。
×１０-6／Ｋとなる銅（Ｃｕ）を使用したとき、絶縁体
層４にはマグネシア（ＭｇＯ）、トリア（ＴｈＯ2 ）を
使用することが最適である。
【００２６】更に、導体層２ａ，２ｂに熱膨張係数が２
３×１０-6／Ｋとなるアルミニウム（Ａｌ）を使用した
とき、絶縁体層４にはマグネシア（ＭｇＯ）を使用する
ことが最適である。
３×１０-6／Ｋとなるアルミニウム（Ａｌ）を使用した
とき、絶縁体層４にはマグネシア（ＭｇＯ）を使用する
ことが最適である。
【００２７】又、本実施例においては、耐水性の高いホ
ウケイ酸ガラスによって保護膜６を形成したが、集積回
路装置の使用する環境下によってはポリミドによって保
護膜６を形成することも可能である。
ウケイ酸ガラスによって保護膜６を形成したが、集積回
路装置の使用する環境下によってはポリミドによって保
護膜６を形成することも可能である。
【００２８】（２）又、図４に示すように、集積回路装
置を多層構造にすることも可能である。尚、前記実施例
と同一部材に付いては同一番号を付してその詳細な説明
を省略する。
置を多層構造にすることも可能である。尚、前記実施例
と同一部材に付いては同一番号を付してその詳細な説明
を省略する。
【００２９】つまり、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2 ）から
なる抵抗体層５の両側には該抵抗体層５と近似する熱膨
張係数となるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）やフォルステライ
ト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）からなる第２の絶縁体層８を
形成し、抵抗体層５及び第２の絶縁体層８によって第２
のパターンＰ２を形成する。そして、前記抵抗体層５と
第２の絶縁体層８とによってその上面を平坦にする。こ
の第２のパターンＰ２の上面に予め定められた回路パタ
ーンを形成するようにしてもよい。
なる抵抗体層５の両側には該抵抗体層５と近似する熱膨
張係数となるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）やフォルステライ
ト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ）からなる第２の絶縁体層８を
形成し、抵抗体層５及び第２の絶縁体層８によって第２
のパターンＰ２を形成する。そして、前記抵抗体層５と
第２の絶縁体層８とによってその上面を平坦にする。こ
の第２のパターンＰ２の上面に予め定められた回路パタ
ーンを形成するようにしてもよい。
【００３０】従って、抵抗体層５と第２の絶縁体層８と
が上下方向に伸縮動作を行うので、その上部に形成され
る回路パターンに応力集中が発生せず、その回路パター
ンに対してクラック１６が発生することを防止すること
ができる。
が上下方向に伸縮動作を行うので、その上部に形成され
る回路パターンに応力集中が発生せず、その回路パター
ンに対してクラック１６が発生することを防止すること
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、導体層に対して近似した熱膨張係数を持つ絶縁体層
によりパターンの上面を平坦とするため、冷熱によって
導体層及び絶縁体層が上下方向に伸縮動作しても、回路
素子パターン層に応力集中が発生しないため、該回路素
子パターン層に対するクラックの発生を防止することが
できるという優れた効果を発揮する。
ば、導体層に対して近似した熱膨張係数を持つ絶縁体層
によりパターンの上面を平坦とするため、冷熱によって
導体層及び絶縁体層が上下方向に伸縮動作しても、回路
素子パターン層に応力集中が発生しないため、該回路素
子パターン層に対するクラックの発生を防止することが
できるという優れた効果を発揮する。
【図１】本発明に係る集積回路装置の断面図である。
【図２】本発明に係る集積回路装置の平面図である。
【図３】冷熱サイクルに対する抵抗体パターンの抵抗値
の変化を示す特性図である。
の変化を示す特性図である。
【図４】本発明の別例を示す集積回路装置の断面図であ
る。
る。
【図５】従来の集積回路装置の部分断面図である。
【図６】従来の集積回路装置の平面図である。
【図７】導体パターンが冷熱により膨張・縮小したとき
の状態を示す部分断面図である。
の状態を示す部分断面図である。
１…基板、２ａ，２ｂ…導体層、４…絶縁体層、５…回
路素子パターン層としての抵抗体層
路素子パターン層としての抵抗体層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に所定のパターンで形成される導
体層と、 その導体層の熱膨張係数と近似する熱膨張係数を有し、
前記パターンの表面が平坦になるように形成される絶縁
体層と、 前記導体層及び絶縁体層上に所定のパターンで形成され
る回路素子パターン層とを備えたことを特徴とする集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33764492A JPH06188332A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33764492A JPH06188332A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188332A true JPH06188332A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18310605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33764492A Pending JPH06188332A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5810083B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2015-11-11 | 日本碍子株式会社 | セラミックフィルタ |
| JP2018502454A (ja) * | 2014-12-23 | 2018-01-25 | ティーイー・コネクティビティ・コーポレイションＴＥ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 電子部品およびオーバーモールド方法 |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33764492A patent/JPH06188332A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5810083B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2015-11-11 | 日本碍子株式会社 | セラミックフィルタ |
| US9802143B2 (en) | 2010-07-14 | 2017-10-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic filter |
| JP2018502454A (ja) * | 2014-12-23 | 2018-01-25 | ティーイー・コネクティビティ・コーポレイションＴＥ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 電子部品およびオーバーモールド方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4336551A (en) | Thick-film printed circuit board and method for producing the same | |
| JPH02503969A (ja) | 金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法 | |
| CA1040746A (en) | Thin film resistance temperature detector | |
| US3602635A (en) | Micro-circuit device | |
| US3654580A (en) | Resistor structure | |
| JP2002043717A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| US3961155A (en) | Thermal printing element arrays | |
| JPH06188332A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2002140975A (ja) | ヒューズ素子及びその製造方法 | |
| JP3367495B2 (ja) | 測温抵抗体とその製造方法 | |
| JPH0653406A (ja) | 薄膜回路形成法 | |
| JPS6165465A (ja) | 厚膜多層基板における膜抵抗体の製造方法 | |
| JP2001351809A (ja) | 厚膜抵抗器 | |
| JPS62169301A (ja) | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 | |
| JP2000331590A (ja) | 回路保護素子及びその製造方法 | |
| JPS62265751A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH01289201A (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
| JPS63158861A (ja) | 高熱伝導性回路基板の製造方法 | |
| JPH04309286A (ja) | 厚膜多層配線基板の製造方法 | |
| JPH07201507A (ja) | チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JPH0338351A (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62292456A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPS603882A (ja) | 発熱板 | |
| JPH06204001A (ja) | 積層形チップ固定抵抗器 | |
| JPS5824040B2 (ja) | サ−マルヘッドにおけるクロスオ−バ配線部の絶縁層形成方法 |