JPS62292456A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JPS62292456A JPS62292456A JP13663686A JP13663686A JPS62292456A JP S62292456 A JPS62292456 A JP S62292456A JP 13663686 A JP13663686 A JP 13663686A JP 13663686 A JP13663686 A JP 13663686A JP S62292456 A JPS62292456 A JP S62292456A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野〕
本発明は、絶Ｕ、！、ζ板上に蓄熱ガラス層と発熱抵抗
体および、発熱抵抗体に接続される配線導体を積層して
なるサーマルヘッドの製造方法に関する。
体および、発熱抵抗体に接続される配線導体を積層して
なるサーマルヘッドの製造方法に関する。
従来のサーマルヘッドでは、絶縁基板上に共通導体およ
び発熱体と導体配線列が接続されており、駆動回路によ
り選択された導体に共通導体より電流が流れ、発熱体の
温度上昇で、これに接触する記録紙を発色させて印字を
行っていた。
び発熱体と導体配線列が接続されており、駆動回路によ
り選択された導体に共通導体より電流が流れ、発熱体の
温度上昇で、これに接触する記録紙を発色させて印字を
行っていた。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した従来のサーマルヘッドでは、外部電源から駆動
用ＩＣの電源人力部までの配線抵抗値か問題となる。薄
膜配線導体の膜厚を厚くすることは成膜時間がかかるの
で、通常？「源氏線部は銀等の抵抗厚膜と薄膜との二重
構造とし配線抵抗値を下げる方法が用いられる。ところ
で、薄ＩＩＱのパターン化によく用いるフッ酸系のエッ
チャントはグレーズをエツチングするので、Ｊ！；Ｅ
１１５！形成後、耐エツチング性の高い酸化物薄膜等を
成膜した後に導体薄膜を成１摸するのが一般的である。
用ＩＣの電源人力部までの配線抵抗値か問題となる。薄
膜配線導体の膜厚を厚くすることは成膜時間がかかるの
で、通常？「源氏線部は銀等の抵抗厚膜と薄膜との二重
構造とし配線抵抗値を下げる方法が用いられる。ところ
で、薄ＩＩＱのパターン化によく用いるフッ酸系のエッ
チャントはグレーズをエツチングするので、Ｊ！；Ｅ
１１５！形成後、耐エツチング性の高い酸化物薄膜等を
成膜した後に導体薄膜を成１摸するのが一般的である。
ところが酸化物薄膜は厚膜と薄膜とのコンタクト抵抗を
上げる媒体となり、充分な低抵抗値が１５Ｉられない欠
点がある。従って、駆動用ＩＣの１“「源入力部が多く
、それぞれから基板上の電源外部端子までの距離に差が
ある場合、駆動用ＩＣの各電源入力部に対応する出力ト
ランジスタの動作７「圧に差を生じ、中間調の印字をム
ラなく得ることができなくなる。
上げる媒体となり、充分な低抵抗値が１５Ｉられない欠
点がある。従って、駆動用ＩＣの１“「源入力部が多く
、それぞれから基板上の電源外部端子までの距離に差が
ある場合、駆動用ＩＣの各電源入力部に対応する出力ト
ランジスタの動作７「圧に差を生じ、中間調の印字をム
ラなく得ることができなくなる。
本発明の薄＋１２サーマルヘッドの製造方法は、厚膜導
体を印刷する工程と、前記厚膜導体上に酸化物絶縁体、
発熱抵抗体、電極導電体の各薄膜を積層する工程と、前
記厚膜と前記薄膜の積層領域において薄膜の一部を除去
し、該薄膜を除去した厚膜部と薄１１ｑ部を含んだ領域
に導電性ペーストを印刷し、厚膜と薄膜を導通させる工
程を含む。
体を印刷する工程と、前記厚膜導体上に酸化物絶縁体、
発熱抵抗体、電極導電体の各薄膜を積層する工程と、前
記厚膜と前記薄膜の積層領域において薄膜の一部を除去
し、該薄膜を除去した厚膜部と薄１１ｑ部を含んだ領域
に導電性ペーストを印刷し、厚膜と薄膜を導通させる工
程を含む。
このように、厚膜導体上の薄ｎｒＡを一部除去し、導電
ペーストにより厚膜と導体用アルミニウム１漠を電気的
に接合することにより、電源配線部の配線抵抗値を下げ
、駆動用ＩＣの各電源入力端子間の電圧の差を許容範囲
内に入れることができ、ムラの無い中間調印字を得るこ
とができる。
ペーストにより厚膜と導体用アルミニウム１漠を電気的
に接合することにより、電源配線部の配線抵抗値を下げ
、駆動用ＩＣの各電源入力端子間の電圧の差を許容範囲
内に入れることができ、ムラの無い中間調印字を得るこ
とができる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図ないし第４図は本発明のサーマルヘッドの製造方
法の一実施例の各工程を示す、第５図Ａ−Ａ線断面図、
第５図は本発明のサーマルヘッドの配線部を拡大した図
である。
法の一実施例の各工程を示す、第５図Ａ−Ａ線断面図、
第５図は本発明のサーマルヘッドの配線部を拡大した図
である。
グレーズドセラミック基板１に外部端子用の厚膜金導体
３、および電源配線部に金導体３と接触させて銀−白金
厚＋１５！ ４をそれぞれ印刷焼成する。
３、および電源配線部に金導体３と接触させて銀−白金
厚＋１５！ ４をそれぞれ印刷焼成する。
そしてスパッタリング法で、エツチングの際にグレーズ
およびノアＩＩ！２導体を保護するための五酸化タンタ
ル層５を３０００人程度０厚さに成膜する。次に発熱体
用のタンタルシリコン膜６を２５００人の厚さに、配線
導体としてアルミニウム膜７を １．５μの厚さにスパ
ッタリングで連続成膜する（第１図）。この基板１を公
知のフォトレジスタ技術を用いて膜回路パターンと厚膜
と薄膜を接続するための窓あけ部９を形成する。最初に
アルミニウム膜７をリン酸系のエッチャントでエツチン
グし、次にタンタルシリコン膜６をフッ酸系のエッチャ
ントで連続的にエツチングする（第２図）。
およびノアＩＩ！２導体を保護するための五酸化タンタ
ル層５を３０００人程度０厚さに成膜する。次に発熱体
用のタンタルシリコン膜６を２５００人の厚さに、配線
導体としてアルミニウム膜７を １．５μの厚さにスパ
ッタリングで連続成膜する（第１図）。この基板１を公
知のフォトレジスタ技術を用いて膜回路パターンと厚膜
と薄膜を接続するための窓あけ部９を形成する。最初に
アルミニウム膜７をリン酸系のエッチャントでエツチン
グし、次にタンタルシリコン膜６をフッ酸系のエッチャ
ントで連続的にエツチングする（第２図）。
次に、窓あけ部９の領域と厚１摸金導体３上のみを残し
、基板１全面をレジストで覆い、窓あけ部９および厚膜
金導体３上の五酸化タンタル膜５をＣＦ４＋０２ガスに
よるドライエツチングで除去する。なお、厚膜金導体３
上の五酸化タンタルＩ！！２５を除去するのは外部回路
との電気的接合を得るためである。次にレジストを剥離
した後、同様のフォトレジスト法により部分グレーズ上
の発熱抵抗体パターンを形成するためリン酸系のエッチ
ャントでエツチングして第３図を得る。レジスト剥離後
発熱体１１上に耐摩耗層１０を形成する。その後窓あけ
部９の領域にスクリーン印刷法により還元性を有する導
電性銅ペースト８を印刷し、２００〜３００℃の低温に
て焼成する（第４図）。
、基板１全面をレジストで覆い、窓あけ部９および厚膜
金導体３上の五酸化タンタル膜５をＣＦ４＋０２ガスに
よるドライエツチングで除去する。なお、厚膜金導体３
上の五酸化タンタルＩ！！２５を除去するのは外部回路
との電気的接合を得るためである。次にレジストを剥離
した後、同様のフォトレジスト法により部分グレーズ上
の発熱抵抗体パターンを形成するためリン酸系のエッチ
ャントでエツチングして第３図を得る。レジスト剥離後
発熱体１１上に耐摩耗層１０を形成する。その後窓あけ
部９の領域にスクリーン印刷法により還元性を有する導
電性銅ペースト８を印刷し、２００〜３００℃の低温に
て焼成する（第４図）。
次に、配線導体部に絶縁樹脂で絶縁層を形成後駆動ＩＣ
をマウントし、ワイヤーボンディングで外交熱体１１と
接続する。そしてＩＣ部を保護樹脂で覆えばサーマルヘ
ッドができあがる。
をマウントし、ワイヤーボンディングで外交熱体１１と
接続する。そしてＩＣ部を保護樹脂で覆えばサーマルヘ
ッドができあがる。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明は、厚１１！２導体上に五酸
化タンタル、発熱体用抵抗体および導体用アルミニウム
ｌ漠を成＋１Ｑ Ｌ／、フォトレジスト法でパターンを
形成する際、厚膜導体上の薄膜を一部除去し、導電ペー
ストによりＦｉｌ摸と導体用アルミニウム膜を電気的に
接合することにより、電源配線部の配線抵抗値を下げ、
駆動用ＩＣの各電源入力端子間の電圧の差を許容範囲内
に入れることができ、ムラの無い中間調印字を得ること
ができる効果がある。
化タンタル、発熱体用抵抗体および導体用アルミニウム
ｌ漠を成＋１Ｑ Ｌ／、フォトレジスト法でパターンを
形成する際、厚膜導体上の薄膜を一部除去し、導電ペー
ストによりＦｉｌ摸と導体用アルミニウム膜を電気的に
接合することにより、電源配線部の配線抵抗値を下げ、
駆動用ＩＣの各電源入力端子間の電圧の差を許容範囲内
に入れることができ、ムラの無い中間調印字を得ること
ができる効果がある。
第１図ないし第４図は本発明のサーマルヘッドの製造方
法の一実施例の各工程を示す第５図のＡ−Ａ線断面図、
第５図は本発明のサーマルヘッドの配線部を拡大した図
である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・グレーズ層、
３・・・金ノ１Ｊ膜、 ４・・・銀−白金
Ｊｒ；膜、５・・・五酸化タンタル層、 ６・・・タンタルシリコン層、 ７・・・アルミニウム層、 ８・・・導電性銅ペースト ９・・・窓あけ部、１０
・・・耐摩耗層、 １１・・・発熱体。 第４図
法の一実施例の各工程を示す第５図のＡ−Ａ線断面図、
第５図は本発明のサーマルヘッドの配線部を拡大した図
である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・グレーズ層、
３・・・金ノ１Ｊ膜、 ４・・・銀−白金
Ｊｒ；膜、５・・・五酸化タンタル層、 ６・・・タンタルシリコン層、 ７・・・アルミニウム層、 ８・・・導電性銅ペースト ９・・・窓あけ部、１０
・・・耐摩耗層、 １１・・・発熱体。 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁基板上に蓄熱ガラス層と発熱抵抗体層と電極導電体
層を積層してなるサーマルヘッドの製造方法において、 厚膜導体を印刷する工程と、前記厚膜導体上に酸化物絶
縁体、発熱抵抗体、電極導電体の各薄膜を積層する工程
と、前記厚膜と前記薄膜の積層領域において薄膜の一部
を除去し、該薄膜を除去した厚膜部と薄膜部を含んだ領
域に導電性ペーストを印刷し、厚膜と薄膜を導通させる
工程を含むサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13663686A JPS62292456A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13663686A JPS62292456A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62292456A true JPS62292456A (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=15179941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13663686A Pending JPS62292456A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62292456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105984219A (zh) * | 2015-03-20 | 2016-10-05 | 精工爱普生株式会社 | 电子装置以及电子装置的制造方法 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP13663686A patent/JPS62292456A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105984219A (zh) * | 2015-03-20 | 2016-10-05 | 精工爱普生株式会社 | 电子装置以及电子装置的制造方法 |
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