JPH06184533A - 被覆蛍光体の製造方法 - Google Patents
被覆蛍光体の製造方法Info
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- JPH06184533A JPH06184533A JP4356790A JP35679092A JPH06184533A JP H06184533 A JPH06184533 A JP H06184533A JP 4356790 A JP4356790 A JP 4356790A JP 35679092 A JP35679092 A JP 35679092A JP H06184533 A JPH06184533 A JP H06184533A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蛍光体自体の熱劣化やプラズマによる損傷を
防止しつつコーティング膜を形成できて輝度や発光寿
命、ないしその維持性に優れる被覆蛍光体を得ること。 【構成】 原料ガス及び反応ガスを用いて蛍光体粉末上
に原料ガスの分解反応物からなるコーティング膜を形成
するにあたり、プラズマＣＶＤ方式で原料ガス又は／及
び反応ガスをプラズマ化したのちそれを蛍光体粉末上に
供給してコーティング膜を形成する被覆蛍光体の製造方
法。 【効果】 種々の目的に応じた多種類のコーティング膜
を付与できる。
防止しつつコーティング膜を形成できて輝度や発光寿
命、ないしその維持性に優れる被覆蛍光体を得ること。 【構成】 原料ガス及び反応ガスを用いて蛍光体粉末上
に原料ガスの分解反応物からなるコーティング膜を形成
するにあたり、プラズマＣＶＤ方式で原料ガス又は／及
び反応ガスをプラズマ化したのちそれを蛍光体粉末上に
供給してコーティング膜を形成する被覆蛍光体の製造方
法。 【効果】 種々の目的に応じた多種類のコーティング膜
を付与できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光体の劣化を防止し
た被覆蛍光体の製造方法に関し、得られた被覆蛍光体は
輝度や発光寿命、その維持性に優れて照明装置や表示装
置等の発光型装置などに好ましく用いうる。
た被覆蛍光体の製造方法に関し、得られた被覆蛍光体は
輝度や発光寿命、その維持性に優れて照明装置や表示装
置等の発光型装置などに好ましく用いうる。
【０００２】
【従来の技術】従来、蛍光ランプやＥＬ発光体等の照明
装置、電子装置用観察スクリーン等の表示装置などにお
ける発光部の形成に用いる蛍光体は、水分で劣化して発
光力や輝度が低下することから保護膜で被覆する対策が
採られており、かかる被覆蛍光体の製造方法として熱Ｃ
ＶＤ方式やゾル・ゲル方式でコーティング膜を形成する
方法が知られていた（特開昭６１−２３６７８号公
報）。
装置、電子装置用観察スクリーン等の表示装置などにお
ける発光部の形成に用いる蛍光体は、水分で劣化して発
光力や輝度が低下することから保護膜で被覆する対策が
採られており、かかる被覆蛍光体の製造方法として熱Ｃ
ＶＤ方式やゾル・ゲル方式でコーティング膜を形成する
方法が知られていた（特開昭６１−２３６７８号公
報）。
【０００３】しかしながら、コーティング膜形成時の加
熱反応で蛍光体自体が熱劣化し、コーティング膜で被覆
する前よりも輝度低下等の劣化速度が速くなって寿命が
より短縮化される致命的な問題点があった。
熱反応で蛍光体自体が熱劣化し、コーティング膜で被覆
する前よりも輝度低下等の劣化速度が速くなって寿命が
より短縮化される致命的な問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記に鑑みて本発明者
らは、原料ガスと反応ガスを蛍光体と共にプラズマ形成
雰囲気下に配置してプラズマ化しコーティング膜を形成
する方法を試みた。かかるプラズマＣＶＤ方式は加熱反
応を要しないので蛍光体自体の熱劣化を回避できる。し
かしながらこの場合にも、輝度低下等の劣化速度が速く
なり寿命がより短縮化される問題のあることが判明し
た。従って本発明は、蛍光体自体の劣化等を防止しつつ
コーティング膜を形成できて輝度や発光寿命、ないしそ
の維持性に優れる被覆蛍光体が得られる製造方法の開発
を課題とする。
らは、原料ガスと反応ガスを蛍光体と共にプラズマ形成
雰囲気下に配置してプラズマ化しコーティング膜を形成
する方法を試みた。かかるプラズマＣＶＤ方式は加熱反
応を要しないので蛍光体自体の熱劣化を回避できる。し
かしながらこの場合にも、輝度低下等の劣化速度が速く
なり寿命がより短縮化される問題のあることが判明し
た。従って本発明は、蛍光体自体の劣化等を防止しつつ
コーティング膜を形成できて輝度や発光寿命、ないしそ
の維持性に優れる被覆蛍光体が得られる製造方法の開発
を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料ガス及び
反応ガスを用いて蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物
からなるコーティング膜を形成するにあたり、プラズマ
ＣＶＤ方式で原料ガス又は／及び反応ガスをプラズマ化
したのちそれを蛍光体粉末上に供給してコーティング膜
を形成することを特徴とする被覆蛍光体の製造方法を提
供するものである。
反応ガスを用いて蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物
からなるコーティング膜を形成するにあたり、プラズマ
ＣＶＤ方式で原料ガス又は／及び反応ガスをプラズマ化
したのちそれを蛍光体粉末上に供給してコーティング膜
を形成することを特徴とする被覆蛍光体の製造方法を提
供するものである。
【０００６】
【作用】プラズマＣＶＤ方式で原料ガス等を予めプラズ
マ化して蛍光体粉末上に供給する上記の方法により、蛍
光体自体の劣化等を防止できて輝度低下等の劣化速度が
向上して寿命が短縮化することを回避でき、輝度や発光
寿命、ないしその維持性に優れる被覆蛍光体を得ること
ができる。これは、プラズマＣＶＤ方式により蛍光体自
体の熱劣化を防止できることに加えて、原料ガス等を予
めプラズマ化して蛍光体粉末上に供給することで蛍光体
自体がプラズマ形成雰囲気に曝されることを回避でき、
それによる蛍光体自体の損傷や劣化も防止できることに
よるものと考えられる。
マ化して蛍光体粉末上に供給する上記の方法により、蛍
光体自体の劣化等を防止できて輝度低下等の劣化速度が
向上して寿命が短縮化することを回避でき、輝度や発光
寿命、ないしその維持性に優れる被覆蛍光体を得ること
ができる。これは、プラズマＣＶＤ方式により蛍光体自
体の熱劣化を防止できることに加えて、原料ガス等を予
めプラズマ化して蛍光体粉末上に供給することで蛍光体
自体がプラズマ形成雰囲気に曝されることを回避でき、
それによる蛍光体自体の損傷や劣化も防止できることに
よるものと考えられる。
【０００７】
【実施例】本発明の製造方法は、原料ガス及び反応ガス
を用いて蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物からなる
コーティング膜を形成して被覆蛍光体を得るものであ
り、その場合に原料ガス又は／及び反応ガスをプラズマ
ＣＶＤ方式により予めプラズマ化してそれを蛍光体粉末
上に供給してコーティング膜を形成するものである。
を用いて蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物からなる
コーティング膜を形成して被覆蛍光体を得るものであ
り、その場合に原料ガス又は／及び反応ガスをプラズマ
ＣＶＤ方式により予めプラズマ化してそれを蛍光体粉末
上に供給してコーティング膜を形成するものである。
【０００８】図１に本発明の実施に用いる装置を例示し
た。この装置は、反応ガス及び原料ガスの供給系と密閉
型の反応管２を有してなる。反応ガスの供給系はボンベ
１と供給管１１からなり、反応管２は減圧ポンプ（図示
せず）に連通する排気管２１を有して減圧雰囲気の形成
と共に、反応管内のガスを排気できるようになってい
る。
た。この装置は、反応ガス及び原料ガスの供給系と密閉
型の反応管２を有してなる。反応ガスの供給系はボンベ
１と供給管１１からなり、反応管２は減圧ポンプ（図示
せず）に連通する排気管２１を有して減圧雰囲気の形成
と共に、反応管内のガスを排気できるようになってい
る。
【０００９】反応管２の外周には、反応管内部における
供給管１１に対応させて高周波コイル３が配置されてお
り、その配置はかかる高周波コイルの配置域からなるプ
ラズマ形成雰囲気の域外に蛍光体粉末を位置させうるよ
うに部分的なものとされている。なお供給管１１の開口
末端１２は、高周波コイル３の配置域を通過してその域
外に配置される蛍光体粉末４の配置部分に達している。
供給管１１に対応させて高周波コイル３が配置されてお
り、その配置はかかる高周波コイルの配置域からなるプ
ラズマ形成雰囲気の域外に蛍光体粉末を位置させうるよ
うに部分的なものとされている。なお供給管１１の開口
末端１２は、高周波コイル３の配置域を通過してその域
外に配置される蛍光体粉末４の配置部分に達している。
【００１０】原料ガスの供給系は、原料液５の貯蔵容器
６と供給管５１からなり、供給管５１はその一端５２が
貯蔵容器の密閉蓋６１の内部に開口すると共に、他端が
フィルター２２を介して反応管２の底部に連通してい
る。前記フィルター２２は、その上に蛍光体の粉末４を
保持するためのものである。
６と供給管５１からなり、供給管５１はその一端５２が
貯蔵容器の密閉蓋６１の内部に開口すると共に、他端が
フィルター２２を介して反応管２の底部に連通してい
る。前記フィルター２２は、その上に蛍光体の粉末４を
保持するためのものである。
【００１１】原料ガスはキャリアガスを介し移送され、
キャリアガスの供給系はボンベ７と供給管７１からな
る。キャリアガスは、かかる供給系を介して貯蔵容器６
の原料液中に供給される。なお反応管２の外周における
高周波コイル３の配置域の下部にはヒーター８が設けら
れており、必要に応じて蛍光体粉末４等を加熱できるよ
うになっている。
キャリアガスの供給系はボンベ７と供給管７１からな
る。キャリアガスは、かかる供給系を介して貯蔵容器６
の原料液中に供給される。なお反応管２の外周における
高周波コイル３の配置域の下部にはヒーター８が設けら
れており、必要に応じて蛍光体粉末４等を加熱できるよ
うになっている。
【００１２】前記装置による本発明の実施は、排気管２
１を介し反応管２内を０．０５〜５Ｔｏｒｒ程度の真空
度に維持しつつ供給管１１等を介し反応ガスを反応管内
に供給し、高周波コイル３の配置域を通過する際にそれ
をプラズマ化して開口末端１２より蛍光体粉末４の上に
供給する。
１を介し反応管２内を０．０５〜５Ｔｏｒｒ程度の真空
度に維持しつつ供給管１１等を介し反応ガスを反応管内
に供給し、高周波コイル３の配置域を通過する際にそれ
をプラズマ化して開口末端１２より蛍光体粉末４の上に
供給する。
【００１３】一方、供給管７１等を介し原料液６の内部
にキャリアガスを供給し気化した原料ガスと共に供給管
５１、フィルター２２を介して蛍光体粉末４の上に供給
する。これにより蛍光体粉末上で、反応ガスのプラズマ
化処理で生成したラジカルないしプラズマが原料ガスを
分解しつつ反応するプラズマＣＶＤ方式が達成されてコ
ーティング膜が形成され、蛍光体粉末が被覆される。
にキャリアガスを供給し気化した原料ガスと共に供給管
５１、フィルター２２を介して蛍光体粉末４の上に供給
する。これにより蛍光体粉末上で、反応ガスのプラズマ
化処理で生成したラジカルないしプラズマが原料ガスを
分解しつつ反応するプラズマＣＶＤ方式が達成されてコ
ーティング膜が形成され、蛍光体粉末が被覆される。
【００１４】本発明においてコーティング膜の形成に際
しては、蛍光体粉末４を浮遊させて流動層化することが
個々の蛍光体粉末の全表面に均一厚のコーティング膜を
安定に形成する点より好ましい。蛍光体粉末４の流動層
化は、原料ガス等の供給圧を介して行う方式などの適宜
な方式で行ってよく、必要に応じ撹拌羽根等の適宜な撹
拌手段を併用して蛍光体粉末の流動状態の良好化をはか
ることもできる。
しては、蛍光体粉末４を浮遊させて流動層化することが
個々の蛍光体粉末の全表面に均一厚のコーティング膜を
安定に形成する点より好ましい。蛍光体粉末４の流動層
化は、原料ガス等の供給圧を介して行う方式などの適宜
な方式で行ってよく、必要に応じ撹拌羽根等の適宜な撹
拌手段を併用して蛍光体粉末の流動状態の良好化をはか
ることもできる。
【００１５】また緻密なコーティング膜を形成する点よ
りは、前記図例のヒーター８を介するなどして蛍光体粉
末４を加熱することが好ましい。その加熱処理では蛍光
体粉末の熱劣化を防止する必要があり、従って蛍光体粉
末が熱劣化する温度以下の適宜な温度で加熱処理してよ
いが、一般には３００℃以下の温度で行われる。
りは、前記図例のヒーター８を介するなどして蛍光体粉
末４を加熱することが好ましい。その加熱処理では蛍光
体粉末の熱劣化を防止する必要があり、従って蛍光体粉
末が熱劣化する温度以下の適宜な温度で加熱処理してよ
いが、一般には３００℃以下の温度で行われる。
【００１６】本発明は、原料ガス及び反応ガスを用いて
少なくともその一方をプラズマ化するプラズマＣＶＤ方
式を利用して蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物から
なるコーティング膜を形成するものであるが、形成する
コーティング膜については蛍光体粉末の使用目的等に応
じて適宜に決定することができる。
少なくともその一方をプラズマ化するプラズマＣＶＤ方
式を利用して蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物から
なるコーティング膜を形成するものであるが、形成する
コーティング膜については蛍光体粉末の使用目的等に応
じて適宜に決定することができる。
【００１７】従ってコーティング膜を形成するための原
料、反応ガスとしては、プラズマＣＶＤ方式によるガス
状態の原料及び反応ガスの一方又は双方のプラズマ化を
介して原料ガスの分解反応物を形成できる適宜な形態の
ものを用いうる。特に原料については、上記実施例の如
き液体のほか固体、気体のいずれの形態でも用いうる。
なお固体、液体からなる原料の場合、加熱処理や減圧処
理等の適宜な方式でガス化して原料ガスを形成してよ
い。
料、反応ガスとしては、プラズマＣＶＤ方式によるガス
状態の原料及び反応ガスの一方又は双方のプラズマ化を
介して原料ガスの分解反応物を形成できる適宜な形態の
ものを用いうる。特に原料については、上記実施例の如
き液体のほか固体、気体のいずれの形態でも用いうる。
なお固体、液体からなる原料の場合、加熱処理や減圧処
理等の適宜な方式でガス化して原料ガスを形成してよ
い。
【００１８】原料ないし原料ガスの一般的な形態として
は、例えば金属等のコーティング膜形成成分の水素化
物、ハロゲン化物、アセチルアセトネート化物、アルコ
キシド化物、アルキル化物などがあげられる。また反応
ガスとしては、酸素ガス、アンモニアガスなどのコーテ
ィング膜形成成分、ないしかかる成分の含有物が用いら
れる。
は、例えば金属等のコーティング膜形成成分の水素化
物、ハロゲン化物、アセチルアセトネート化物、アルコ
キシド化物、アルキル化物などがあげられる。また反応
ガスとしては、酸素ガス、アンモニアガスなどのコーテ
ィング膜形成成分、ないしかかる成分の含有物が用いら
れる。
【００１９】本発明においては、原料ガス、反応ガスの
キャリアとして必要に応じキャリアガスが用いられる。
特に蛍光体粉末を流動層化する場合にはキャリアガスの
併用が好ましい。キャリアガスとしては、例えばアルゴ
ンガス、ヘリウムガス、ネオンガス、それらの混合ガス
などの反応に関与しにくい適宜なガスを用いてよい。
キャリアとして必要に応じキャリアガスが用いられる。
特に蛍光体粉末を流動層化する場合にはキャリアガスの
併用が好ましい。キャリアガスとしては、例えばアルゴ
ンガス、ヘリウムガス、ネオンガス、それらの混合ガス
などの反応に関与しにくい適宜なガスを用いてよい。
【００２０】前記の如く形成するコーティング膜の種類
は任意であるが、輝度の向上に有効なものとしては高誘
電体からなるコーティング膜などがあげられ、蛍光体の
水分劣化防止による長寿命化に有効なものとしては水分
遮蔽性のコーティング膜などがあげられる。
は任意であるが、輝度の向上に有効なものとしては高誘
電体からなるコーティング膜などがあげられ、蛍光体の
水分劣化防止による長寿命化に有効なものとしては水分
遮蔽性のコーティング膜などがあげられる。
【００２１】前記の高誘電体からなるコーティング膜の
例としては、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＢaＴiＯ3、ＰbＴi
Ｏ3、ＰＺＴ（ＰbＺrＯ3とＰbＴiＯ3の固溶体）、ＰＬ
ＺＴ（ＰＺＴのＬa添加物）、ＳrＴiＯ3などの高誘電率
で透光性の金属酸化物系化合物などからなるものがあげ
られる。
例としては、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＢaＴiＯ3、ＰbＴi
Ｏ3、ＰＺＴ（ＰbＺrＯ3とＰbＴiＯ3の固溶体）、ＰＬ
ＺＴ（ＰＺＴのＬa添加物）、ＳrＴiＯ3などの高誘電率
で透光性の金属酸化物系化合物などからなるものがあげ
られる。
【００２２】水分遮蔽性のコーティング膜の例として
は、ＳiＯ2、誘電率を高めたＴiＯ2−ＳiＯ2、ＺrＯ2−
ＳiＯ2の如きガラス系化合物や、アルミナ、窒化珪素な
どの水分が透過しにくいセラミックの如き透光性の非晶
質体などからなるものがあげられる。
は、ＳiＯ2、誘電率を高めたＴiＯ2−ＳiＯ2、ＺrＯ2−
ＳiＯ2の如きガラス系化合物や、アルミナ、窒化珪素な
どの水分が透過しにくいセラミックの如き透光性の非晶
質体などからなるものがあげられる。
【００２３】本発明においては１層又は２層以上のコー
ティング膜からなる被覆構造とすることができる。また
コーティング膜は、２種以上の化合物が混合してなる複
合層や傾斜機能層などとして形成することもできる。
ティング膜からなる被覆構造とすることができる。また
コーティング膜は、２種以上の化合物が混合してなる複
合層や傾斜機能層などとして形成することもできる。
【００２４】特に高誘電体層と水分遮蔽層を含むコーテ
ィング膜構造は、低電圧で高電界を形成できて蛍光体を
高輝度に発光させることができ、かつ蛍光体の発光特性
を低下させることなく耐水性を付与できて発光特性が低
下しにくい被覆蛍光体とすることができる。
ィング膜構造は、低電圧で高電界を形成できて蛍光体を
高輝度に発光させることができ、かつ蛍光体の発光特性
を低下させることなく耐水性を付与できて発光特性が低
下しにくい被覆蛍光体とすることができる。
【００２５】図２、図３に本発明による被覆蛍光体を例
示した。４が蛍光体粉末、４１，４２が別種のコーティ
ング膜である。各コーティング膜の厚さは適宜に決定し
てよいが、一般には３０μm以下、就中１０nm〜１μm程
度とされる。なお水分遮蔽層を含む２層以上のコーティ
ング膜を設ける場合、水分遮蔽層は外側に設けることが
長寿命化等の点より有利である。
示した。４が蛍光体粉末、４１，４２が別種のコーティ
ング膜である。各コーティング膜の厚さは適宜に決定し
てよいが、一般には３０μm以下、就中１０nm〜１μm程
度とされる。なお水分遮蔽層を含む２層以上のコーティ
ング膜を設ける場合、水分遮蔽層は外側に設けることが
長寿命化等の点より有利である。
【００２６】なお本発明による被覆対象の蛍光体粉末に
ついては特に限定はない。一般には、硫化亜鉛や硫化カ
ドミウム亜鉛を銅、マンガン、アルミニウム、銀、塩
素、ホウ素などで活性化したものや、希土類賦活酸化イ
ットリウム等の酸化物が用いられる。蛍光体粉末の粒径
についても任意であるが、一般には平均粒径に基づき１
μm以上、就中５〜５０μmが好ましい。
ついては特に限定はない。一般には、硫化亜鉛や硫化カ
ドミウム亜鉛を銅、マンガン、アルミニウム、銀、塩
素、ホウ素などで活性化したものや、希土類賦活酸化イ
ットリウム等の酸化物が用いられる。蛍光体粉末の粒径
についても任意であるが、一般には平均粒径に基づき１
μm以上、就中５〜５０μmが好ましい。
【００２７】実施例１ 図１に示した装置を用い、反応促進のため２５０℃に維
持した反応管内のガラスフィルター上に平均粒径２０μ
mのＺnＳを２０ｇ保持し、貯蔵容器に原料液としてＳi
（ＯＣ2Ｈ5）4を入れてそれにヘリウムガスを７３cc／
分の速度で供給しつつ発生した原料ガスと共にＺnＳ部
に供給して流動層とし、一方、反応ガスに酸素ガスを用
いてそれを１５０cc／分の速度で供給しつつ高周波コイ
ル域に５０Ｗの条件で１３．５６ＭＨzの高周波を印加
して酸素ガスをプラズマ化し、発生した酸素ラジカル、
ないし酸素プラズマを流動層化したＺnＳ部に供給する
操作を２時間続けて被覆ＺnＳを得た。得られた被覆Ｚn
Ｓにおけるコーティング膜は、厚さ０．２μmのＳiＯ2
層からなるものであった。
持した反応管内のガラスフィルター上に平均粒径２０μ
mのＺnＳを２０ｇ保持し、貯蔵容器に原料液としてＳi
（ＯＣ2Ｈ5）4を入れてそれにヘリウムガスを７３cc／
分の速度で供給しつつ発生した原料ガスと共にＺnＳ部
に供給して流動層とし、一方、反応ガスに酸素ガスを用
いてそれを１５０cc／分の速度で供給しつつ高周波コイ
ル域に５０Ｗの条件で１３．５６ＭＨzの高周波を印加
して酸素ガスをプラズマ化し、発生した酸素ラジカル、
ないし酸素プラズマを流動層化したＺnＳ部に供給する
操作を２時間続けて被覆ＺnＳを得た。得られた被覆Ｚn
Ｓにおけるコーティング膜は、厚さ０．２μmのＳiＯ2
層からなるものであった。
【００２８】比較例 高周波コイル域からなるプラズマ形成雰囲気にガラスフ
ィルターを介してＺnＳを保持し、それにヘリウムガス
を介しＳi（ＯＣ2Ｈ5）4ガスを供給して流動層としつつ
酸素ガスを供給し、高周波コイル域に１３．５６ＭＨz
の高周波を印加してＺnＳの存在下にＳi（ＯＣ2Ｈ5）4
ガスと酸素ガスをプラズマ化したほかは実施例１に準じ
て厚さ０．２μmのＳiＯ2コーティング膜を有する被覆
ＺnＳを得た。
ィルターを介してＺnＳを保持し、それにヘリウムガス
を介しＳi（ＯＣ2Ｈ5）4ガスを供給して流動層としつつ
酸素ガスを供給し、高周波コイル域に１３．５６ＭＨz
の高周波を印加してＺnＳの存在下にＳi（ＯＣ2Ｈ5）4
ガスと酸素ガスをプラズマ化したほかは実施例１に準じ
て厚さ０．２μmのＳiＯ2コーティング膜を有する被覆
ＺnＳを得た。
【００２９】評価試験 厚さ５０μmのポリエステルフィルムからなるベース基
板の片面に、銀粉含有の樹脂ペーストを部分塗布して幅
２mmの集電帯を形成後、ＩＴＯを分散含有させたフッ化
ビニリデン系共重合体の酢酸セロソルブ溶液からなる透
明導電塗料を塗布して厚さ約５μmの透明電極層（７０
０Ω／□）を形成し、その上にリード電極を付設後、実
施例１又は比較例で得た被覆蛍光体を分散含有するフッ
化ビニリデン系共重合体の酢酸セロソルブ溶液を塗布し
て厚さ約５０μmの発光層を形成した。
板の片面に、銀粉含有の樹脂ペーストを部分塗布して幅
２mmの集電帯を形成後、ＩＴＯを分散含有させたフッ化
ビニリデン系共重合体の酢酸セロソルブ溶液からなる透
明導電塗料を塗布して厚さ約５μmの透明電極層（７０
０Ω／□）を形成し、その上にリード電極を付設後、実
施例１又は比較例で得た被覆蛍光体を分散含有するフッ
化ビニリデン系共重合体の酢酸セロソルブ溶液を塗布し
て厚さ約５０μmの発光層を形成した。
【００３０】他方、前記と同じ材質のベース基板の片面
に銀粉含有の導電性塗料を塗布して厚さ約５μmの背面
電極層を形成してリード電極を付設し、前記で得たベー
ス基板と共にその層付設側を内側にして、チタン酸バリ
ウム含有のフッ化ビリニデン系共重合体の酢酸セロソル
ブ溶液からなる厚さ約３０μmの塗布層（絶縁層を兼ね
る接着層）を介して接着し、その接合体の上下に厚さ１
００μmのポリ塩化ビニリデンフィルムを配置し、その
周縁を接着して密封構造とし、ＥＬ発光体を得た。
に銀粉含有の導電性塗料を塗布して厚さ約５μmの背面
電極層を形成してリード電極を付設し、前記で得たベー
ス基板と共にその層付設側を内側にして、チタン酸バリ
ウム含有のフッ化ビリニデン系共重合体の酢酸セロソル
ブ溶液からなる厚さ約３０μmの塗布層（絶縁層を兼ね
る接着層）を介して接着し、その接合体の上下に厚さ１
００μmのポリ塩化ビニリデンフィルムを配置し、その
周縁を接着して密封構造とし、ＥＬ発光体を得た。
【００３１】前記のＥＬ発光体の輝度（駆動電圧：１０
０Ｖ）を測定後、それを４０℃、９０％ＲＨの雰囲気
下、かつ１００Ｖ、４００Hzによる駆動状態下に１００
時間放置したのち再び輝度を測定して輝度の維持率（初
期の輝度を１００とした場合の相対輝度）を調べた。前
記の結果、初期輝度は実施例１の場合１００nt、比較例
の場合８５ntで、輝度の維持率は実施例１の場合９５
％、比較例の場合６０％であった。
０Ｖ）を測定後、それを４０℃、９０％ＲＨの雰囲気
下、かつ１００Ｖ、４００Hzによる駆動状態下に１００
時間放置したのち再び輝度を測定して輝度の維持率（初
期の輝度を１００とした場合の相対輝度）を調べた。前
記の結果、初期輝度は実施例１の場合１００nt、比較例
の場合８５ntで、輝度の維持率は実施例１の場合９５
％、比較例の場合６０％であった。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光体自体の熱劣化や
プラズマによる損傷を防止できて輝度や発光寿命、ない
しその維持性に優れる被覆蛍光体を得ることができる。
また種々の目的に応じた多種類のコーティング膜を付与
することができる。
プラズマによる損傷を防止できて輝度や発光寿命、ない
しその維持性に優れる被覆蛍光体を得ることができる。
また種々の目的に応じた多種類のコーティング膜を付与
することができる。
【図１】製造装置の説明図。
【図２】被覆蛍光体の拡大断面図。
【図３】他の被覆蛍光体の拡大断面図。
２：反応管 １１：反応ガスの供給管 ３：高周波コイル ４：蛍光体粉末 ４１，４２：コーティング膜 ５：原料液 ５１：原料ガスの供給管
Claims (1)
- 【請求項１】 原料ガス及び反応ガスを用いて蛍光体粉
末上に原料ガスの分解反応物からなるコーティング膜を
形成するにあたり、プラズマＣＶＤ方式で原料ガス又は
／及び反応ガスをプラズマ化したのちそれを蛍光体粉末
上に供給してコーティング膜を形成することを特徴とす
る被覆蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4356790A JPH06184533A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 被覆蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4356790A JPH06184533A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 被覆蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184533A true JPH06184533A (ja) | 1994-07-05 |
Family
ID=18450786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4356790A Pending JPH06184533A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 被覆蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06184533A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6015597A (en) * | 1997-11-26 | 2000-01-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for coating diamond-like networks onto particles |
| US6265068B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-07-24 | 3M Innovative Properties Company | Diamond-like carbon coatings on inorganic phosphors |
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| US6878419B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-04-12 | 3M Innovative Properties Co. | Plasma treatment of porous materials |
| JP2020183541A (ja) * | 2015-11-25 | 2020-11-12 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 被覆された狭帯域赤色蛍光体 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP4356790A patent/JPH06184533A/ja active Pending
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| US6878419B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-04-12 | 3M Innovative Properties Co. | Plasma treatment of porous materials |
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| JP2020183541A (ja) * | 2015-11-25 | 2020-11-12 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 被覆された狭帯域赤色蛍光体 |
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