JPH06299146A - シリカ被覆蛍光体の製造方法 - Google Patents
シリカ被覆蛍光体の製造方法Info
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- JPH06299146A JPH06299146A JP11650093A JP11650093A JPH06299146A JP H06299146 A JPH06299146 A JP H06299146A JP 11650093 A JP11650093 A JP 11650093A JP 11650093 A JP11650093 A JP 11650093A JP H06299146 A JPH06299146 A JP H06299146A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蛍光体自体の劣化を防止しつつ遮水性に優れ
るシリカコーティング膜を形成できて輝度や発光寿命、
ないしその維持性に優れるシリカ被覆蛍光体が得られる
製造方法を開発すること。 【構成】 テトラメチルシランガス（５１）又は／及び
酸化ガス（１）をプラズマＣＶＤ方式によりプラズマ化
（２）したのち、それを蛍光体粉末（４）上に供給して
シリカからなるコーティング膜を形成するシリカ被覆蛍
光体の製造方法。 【効果】 水酸基不含有のシリカコーティング膜を形成
できて水酸基除去用の後処理を省略でき、シリカコーテ
ィング膜の成膜速度に優れて被覆蛍光体を効率よく製造
できる。またピンホール等の欠陥部の少ないシリカ膜を
形成でき、表面に凹凸のある蛍光体もカバレッジ性よく
滑らかな表面状態に被覆でき被覆状態が良好なシリカ被
覆蛍光体が得られる。
るシリカコーティング膜を形成できて輝度や発光寿命、
ないしその維持性に優れるシリカ被覆蛍光体が得られる
製造方法を開発すること。 【構成】 テトラメチルシランガス（５１）又は／及び
酸化ガス（１）をプラズマＣＶＤ方式によりプラズマ化
（２）したのち、それを蛍光体粉末（４）上に供給して
シリカからなるコーティング膜を形成するシリカ被覆蛍
光体の製造方法。 【効果】 水酸基不含有のシリカコーティング膜を形成
できて水酸基除去用の後処理を省略でき、シリカコーテ
ィング膜の成膜速度に優れて被覆蛍光体を効率よく製造
できる。またピンホール等の欠陥部の少ないシリカ膜を
形成でき、表面に凹凸のある蛍光体もカバレッジ性よく
滑らかな表面状態に被覆でき被覆状態が良好なシリカ被
覆蛍光体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光体の劣化を防止し
たシリカ被覆蛍光体の製造方法に関し、得られたシリカ
被覆蛍光体は輝度や発光寿命、その維持性に優れて照明
装置や表示装置等の発光型装置などに好ましく用いう
る。
たシリカ被覆蛍光体の製造方法に関し、得られたシリカ
被覆蛍光体は輝度や発光寿命、その維持性に優れて照明
装置や表示装置等の発光型装置などに好ましく用いう
る。
【０００２】
【従来及び先行の技術】従来、蛍光ランプやＥＬ発光体
等の照明装置、電子装置用観察スクリーン等の表示装置
などにおける発光部の形成に用いる蛍光体は、水分で劣
化して発光力や輝度が低下することからシリカ膜で被覆
する対策が採られており、かかるシリカ被覆蛍光体の製
造方法として熱ＣＶＤ方式やゾル・ゲル方式でシリカコ
ーティング膜を形成する方法が知られていた（特開昭６
１−２３６７８号公報）。
等の照明装置、電子装置用観察スクリーン等の表示装置
などにおける発光部の形成に用いる蛍光体は、水分で劣
化して発光力や輝度が低下することからシリカ膜で被覆
する対策が採られており、かかるシリカ被覆蛍光体の製
造方法として熱ＣＶＤ方式やゾル・ゲル方式でシリカコ
ーティング膜を形成する方法が知られていた（特開昭６
１−２３６７８号公報）。
【０００３】しかしながら、コーティング膜形成時の加
熱反応で蛍光体が熱劣化し、コーティング膜で被覆する
前よりも輝度等が低下したり、劣化速度も速くなって寿
命がより短縮化されるなどの致命的な問題点があった。
熱反応で蛍光体が熱劣化し、コーティング膜で被覆する
前よりも輝度等が低下したり、劣化速度も速くなって寿
命がより短縮化されるなどの致命的な問題点があった。
【０００４】前記に鑑みて本発明者らが属するグループ
は、テトラエトキシシランガス又は／及び酸化ガスをプ
ラズマ形成雰囲気下に配置してプラズマ化したのち、そ
れを蛍光体粉末上に供給してシリカからなるコーティン
グ膜を形成する方法を開発した。かかるプラズマＣＶＤ
方式によれば加熱反応を要しないので蛍光体自体の熱劣
化を回避することができる。しかしながら、形成される
シリカコーティング膜が遮水性に乏しいためか被覆蛍光
体が水分劣化しやすいことが判明した。
は、テトラエトキシシランガス又は／及び酸化ガスをプ
ラズマ形成雰囲気下に配置してプラズマ化したのち、そ
れを蛍光体粉末上に供給してシリカからなるコーティン
グ膜を形成する方法を開発した。かかるプラズマＣＶＤ
方式によれば加熱反応を要しないので蛍光体自体の熱劣
化を回避することができる。しかしながら、形成される
シリカコーティング膜が遮水性に乏しいためか被覆蛍光
体が水分劣化しやすいことが判明した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、蛍光
体自体の劣化を防止しつつ遮水性に優れるシリカコーテ
ィング膜を形成できて輝度や発光寿命、ないしその維持
性に優れるシリカ被覆蛍光体が得られる製造方法の開発
を課題とする。
体自体の劣化を防止しつつ遮水性に優れるシリカコーテ
ィング膜を形成できて輝度や発光寿命、ないしその維持
性に優れるシリカ被覆蛍光体が得られる製造方法の開発
を課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、テトラメチル
シランガス又は／及び酸化ガスをプラズマＣＶＤ方式に
よりプラズマ化したのち、それを蛍光体粉末上に供給し
てシリカからなるコーティング膜を形成することを特徴
とするシリカ被覆蛍光体の製造方法を提供するものであ
る。
シランガス又は／及び酸化ガスをプラズマＣＶＤ方式に
よりプラズマ化したのち、それを蛍光体粉末上に供給し
てシリカからなるコーティング膜を形成することを特徴
とするシリカ被覆蛍光体の製造方法を提供するものであ
る。
【０００７】
【作用】プラズマＣＶＤ方式で原料ガス等を予めプラズ
マ化して蛍光体粉末上に供給する上記の方法により、蛍
光体自体の熱劣化等を防止できて輝度の低下や寿命の短
縮化を回避でき、輝度や発光寿命、ないしその維持性に
優れるシリカ被覆蛍光体を得ることができる。
マ化して蛍光体粉末上に供給する上記の方法により、蛍
光体自体の熱劣化等を防止できて輝度の低下や寿命の短
縮化を回避でき、輝度や発光寿命、ないしその維持性に
優れるシリカ被覆蛍光体を得ることができる。
【０００８】また前記の場合に原料ガスとしてテトラメ
チルシランガスを用いることにより遮水性に優れるシリ
カコーティング膜を形成することができる。かかる結果
より、すなわち原料ガスにテトラメチルシランガスとテ
トラエトキシシランガスを用いた場合の相違より、原料
ガスの相違が形成シリカコーティング膜における水酸基
の含有割合や緻密性等の膜状態、あるいは成膜速度によ
る膜厚やピンホール等の被覆状態などが変化し、遮水性
に影響を及ぼすものと考えられる。
チルシランガスを用いることにより遮水性に優れるシリ
カコーティング膜を形成することができる。かかる結果
より、すなわち原料ガスにテトラメチルシランガスとテ
トラエトキシシランガスを用いた場合の相違より、原料
ガスの相違が形成シリカコーティング膜における水酸基
の含有割合や緻密性等の膜状態、あるいは成膜速度によ
る膜厚やピンホール等の被覆状態などが変化し、遮水性
に影響を及ぼすものと考えられる。
【０００９】
【実施例】本発明の製造方法は、原料ガス及び反応ガス
を用いて蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物からなる
コーティング膜を形成して被覆蛍光体を得るものであ
り、その場合に原料ガス又は／及び反応ガスをプラズマ
ＣＶＤ方式により予めプラズマ化してそれを蛍光体粉末
上に供給すると共に、原料ガスにテトラメチルシランガ
ス及び反応ガスに酸化ガスを用いてシリカからなるコー
ティング膜を形成するものである。
を用いて蛍光体粉末上に原料ガスの分解反応物からなる
コーティング膜を形成して被覆蛍光体を得るものであ
り、その場合に原料ガス又は／及び反応ガスをプラズマ
ＣＶＤ方式により予めプラズマ化してそれを蛍光体粉末
上に供給すると共に、原料ガスにテトラメチルシランガ
ス及び反応ガスに酸化ガスを用いてシリカからなるコー
ティング膜を形成するものである。
【００１０】図１に本発明実施用の装置を例示した。こ
の装置は、反応ガス及び原料ガスの供給系と密閉型の反
応管２を有してなる。反応ガスの供給系はボンベ１と供
給管１１からなり、反応管２は減圧ポンプ（図示せず）
に連通する排気管２１を有して減圧雰囲気の形成と共
に、反応管内のガスを排気できるようになっている。
の装置は、反応ガス及び原料ガスの供給系と密閉型の反
応管２を有してなる。反応ガスの供給系はボンベ１と供
給管１１からなり、反応管２は減圧ポンプ（図示せず）
に連通する排気管２１を有して減圧雰囲気の形成と共
に、反応管内のガスを排気できるようになっている。
【００１１】反応管２の外周には、反応管内部における
供給管１１に対応させて高周波コイル３が配置されてお
り、その配置はかかる高周波コイルの配置域からなるプ
ラズマ形成雰囲気の域外に蛍光体粉末を位置させうるよ
うに部分的なものとされている。なお供給管１１の開口
末端１２は、高周波コイル３の配置域を通過してその域
外に配置される蛍光体粉末４の配置部分に達している。
供給管１１に対応させて高周波コイル３が配置されてお
り、その配置はかかる高周波コイルの配置域からなるプ
ラズマ形成雰囲気の域外に蛍光体粉末を位置させうるよ
うに部分的なものとされている。なお供給管１１の開口
末端１２は、高周波コイル３の配置域を通過してその域
外に配置される蛍光体粉末４の配置部分に達している。
【００１２】原料ガスの供給系は、原料液５の貯蔵容器
６と供給管５１からなり、供給管５１はその一端５２が
貯蔵容器の密閉蓋６１の内部に開口すると共に、他端が
フィルター２２を介して反応管２の底部に連通してい
る。前記フィルター２２は、その上に蛍光体の粉末４を
保持するためのものである。
６と供給管５１からなり、供給管５１はその一端５２が
貯蔵容器の密閉蓋６１の内部に開口すると共に、他端が
フィルター２２を介して反応管２の底部に連通してい
る。前記フィルター２２は、その上に蛍光体の粉末４を
保持するためのものである。
【００１３】原料ガスはキャリアガスを介し移送され、
キャリアガスの供給系はボンベ７と供給管７１からな
る。キャリアガスは、かかる供給系を介して貯蔵容器６
の原料液中に供給される。なお反応管２の外周における
高周波コイル３の配置域の下部にはヒーター８が設けら
れており、必要に応じて蛍光体粉末４等を加熱できるよ
うになっている。
キャリアガスの供給系はボンベ７と供給管７１からな
る。キャリアガスは、かかる供給系を介して貯蔵容器６
の原料液中に供給される。なお反応管２の外周における
高周波コイル３の配置域の下部にはヒーター８が設けら
れており、必要に応じて蛍光体粉末４等を加熱できるよ
うになっている。
【００１４】前記装置による本発明の実施は、排気管２
１を介し反応管２内を０．０５〜５Ｔｏｒｒ程度の真空
度に維持しつつ供給管１１等を介し酸素ガスからなる反
応ガスを反応管内に供給し、高周波コイル３の配置域を
通過する際にそれをプラズマ化して開口末端１２より蛍
光体粉末４の上に供給する。
１を介し反応管２内を０．０５〜５Ｔｏｒｒ程度の真空
度に維持しつつ供給管１１等を介し酸素ガスからなる反
応ガスを反応管内に供給し、高周波コイル３の配置域を
通過する際にそれをプラズマ化して開口末端１２より蛍
光体粉末４の上に供給する。
【００１５】一方、供給管７１等を介しテトラメチルシ
ランからなる原料液６の内部にキャリアガスを供給し気
化したテトラメチルシランガスと共に供給管５１、フィ
ルター２２を介して蛍光体粉末４の上に供給する。これ
により蛍光体粉末上で、酸素ガスのプラズマ化処理で生
成した酸素ラジカルないし酸素プラズマがテトラメチル
シランガスを分解しつつ反応するプラズマＣＶＤ方式が
達成されてシリカからなるコーティング膜が形成され、
蛍光体粉末がシリカで被覆される。
ランからなる原料液６の内部にキャリアガスを供給し気
化したテトラメチルシランガスと共に供給管５１、フィ
ルター２２を介して蛍光体粉末４の上に供給する。これ
により蛍光体粉末上で、酸素ガスのプラズマ化処理で生
成した酸素ラジカルないし酸素プラズマがテトラメチル
シランガスを分解しつつ反応するプラズマＣＶＤ方式が
達成されてシリカからなるコーティング膜が形成され、
蛍光体粉末がシリカで被覆される。
【００１６】なお前記においてテトラメチルシランの沸
点は常温に近いことから、必要に応じ冷却手段を用いる
要のある液状体としてでなく、ボンベ等を介して直接ガ
ス状態で供給することもできる。
点は常温に近いことから、必要に応じ冷却手段を用いる
要のある液状体としてでなく、ボンベ等を介して直接ガ
ス状態で供給することもできる。
【００１７】本発明においてシリカコーティング膜の形
成に際しては、蛍光体粉末４を浮遊させて流動層化する
ことが個々の蛍光体粉末の全表面に均一厚のシリカコー
ティング膜を安定に形成する点より好ましい。蛍光体粉
末４の流動層化は、原料ガスやキャリアガス等の供給圧
を介して行う方式などの適宜な方式で行ってよく、必要
に応じ撹拌羽根等の適宜な撹拌手段を併用して蛍光体粉
末の流動状態の良好化をはかることもできる。
成に際しては、蛍光体粉末４を浮遊させて流動層化する
ことが個々の蛍光体粉末の全表面に均一厚のシリカコー
ティング膜を安定に形成する点より好ましい。蛍光体粉
末４の流動層化は、原料ガスやキャリアガス等の供給圧
を介して行う方式などの適宜な方式で行ってよく、必要
に応じ撹拌羽根等の適宜な撹拌手段を併用して蛍光体粉
末の流動状態の良好化をはかることもできる。
【００１８】また緻密なコーティング膜を形成する点よ
りは、前記図例のヒーター８を介するなどして蛍光体粉
末４を加熱することが好ましい。その加熱処理では蛍光
体粉末の熱劣化を防止する必要があり、従って蛍光体粉
末が熱劣化する温度以下の適宜な温度で加熱処理してよ
いが、一般には３００℃以下の温度で行われる。
りは、前記図例のヒーター８を介するなどして蛍光体粉
末４を加熱することが好ましい。その加熱処理では蛍光
体粉末の熱劣化を防止する必要があり、従って蛍光体粉
末が熱劣化する温度以下の適宜な温度で加熱処理してよ
いが、一般には３００℃以下の温度で行われる。
【００１９】本発明は、テトラメチルシランガス及び酸
化ガスを用いて少なくともその一方をプラズマ化するプ
ラズマＣＶＤ方式を利用して蛍光体粉末上にテトラメチ
ルシランガスの分解反応物からなるシリカコーティング
膜を形成するものであるが、最終目的物の被覆螢光体は
前記シリカコーティング膜以外のコーティング膜を有す
るものであってもよい。
化ガスを用いて少なくともその一方をプラズマ化するプ
ラズマＣＶＤ方式を利用して蛍光体粉末上にテトラメチ
ルシランガスの分解反応物からなるシリカコーティング
膜を形成するものであるが、最終目的物の被覆螢光体は
前記シリカコーティング膜以外のコーティング膜を有す
るものであってもよい。
【００２０】前記したシリカコーティング膜以外の必要
に応じて設けるコーティング膜については、蛍光体粉末
の使用目的等に応じて適宜に決定することができる。ま
たその形成は、上記シリカコーティング膜の形成方法に
準じたプラズマＣＶＤ方式による方法などの適宜な方法
で行ってよい。
に応じて設けるコーティング膜については、蛍光体粉末
の使用目的等に応じて適宜に決定することができる。ま
たその形成は、上記シリカコーティング膜の形成方法に
準じたプラズマＣＶＤ方式による方法などの適宜な方法
で行ってよい。
【００２１】従って、かかるコーティング膜を形成する
ための原料、反応ガスとしては、プラズマＣＶＤ方式に
よるガス状態の原料及び反応ガスの一方又は双方のプラ
ズマ化を介して原料ガスの分解反応物を形成できる適宜
な形態のものを用いうる。特に原料については、固体、
液体、気体のいずれの形態でも用いうる。なお固体、液
体からなる原料の場合、加熱処理や減圧処理、バブリン
グ等の適宜な方式でガス化して原料ガスを形成してよ
い。
ための原料、反応ガスとしては、プラズマＣＶＤ方式に
よるガス状態の原料及び反応ガスの一方又は双方のプラ
ズマ化を介して原料ガスの分解反応物を形成できる適宜
な形態のものを用いうる。特に原料については、固体、
液体、気体のいずれの形態でも用いうる。なお固体、液
体からなる原料の場合、加熱処理や減圧処理、バブリン
グ等の適宜な方式でガス化して原料ガスを形成してよ
い。
【００２２】前記の原料ないし原料ガスの一般的な形態
としては、例えば金属等のコーティング膜形成成分の水
素化物、ハロゲン化物、アセチルアセトネート化物、ア
ルコキシド化物、アルキル化物などがあげられる。また
反応ガスとしては、酸素ガス、オゾン、水蒸気、窒素ガ
スなどの酸化性のガスが用いられる。
としては、例えば金属等のコーティング膜形成成分の水
素化物、ハロゲン化物、アセチルアセトネート化物、ア
ルコキシド化物、アルキル化物などがあげられる。また
反応ガスとしては、酸素ガス、オゾン、水蒸気、窒素ガ
スなどの酸化性のガスが用いられる。
【００２３】本発明においては、テトラメチルシラン等
の原料ガス、酸素ガス等の酸化性反応ガスのキャリアと
して必要に応じキャリアガスが用いられる。特に蛍光体
粉末を流動層化する場合にはキャリアガスの併用が好ま
しい。キャリアガスとしては、例えばアルゴンガス、ヘ
リウムガス、ネオンガス、窒素ガス、それらの混合ガス
などの反応に関与しにくい適宜なガスを用いてよい。
の原料ガス、酸素ガス等の酸化性反応ガスのキャリアと
して必要に応じキャリアガスが用いられる。特に蛍光体
粉末を流動層化する場合にはキャリアガスの併用が好ま
しい。キャリアガスとしては、例えばアルゴンガス、ヘ
リウムガス、ネオンガス、窒素ガス、それらの混合ガス
などの反応に関与しにくい適宜なガスを用いてよい。
【００２４】前記の如くシリカコーティング膜以外の必
要に応じて設けるコーティング膜の種類は任意である
が、輝度の向上に有効なものとしては高誘電体からなる
コーティング膜などがあげられる。高誘電体層を含むコ
ーティング膜構造は、低電圧で高電界を形成できて蛍光
体を高輝度に発光させることができ、かつ蛍光体の発光
特性を低下させることなく耐水性を付与できて発光特性
が低下しにくいシリカ被覆蛍光体とすることができる。
なおコーティング膜は、２種以上の化合物が混合してな
る複合層や傾斜機能層などとして形成することもでき
る。
要に応じて設けるコーティング膜の種類は任意である
が、輝度の向上に有効なものとしては高誘電体からなる
コーティング膜などがあげられる。高誘電体層を含むコ
ーティング膜構造は、低電圧で高電界を形成できて蛍光
体を高輝度に発光させることができ、かつ蛍光体の発光
特性を低下させることなく耐水性を付与できて発光特性
が低下しにくいシリカ被覆蛍光体とすることができる。
なおコーティング膜は、２種以上の化合物が混合してな
る複合層や傾斜機能層などとして形成することもでき
る。
【００２５】前記の高誘電体からなるコーティング膜の
例としては、Ｔa2Ｏ5、Ａl2Ｏ3、ＺrＯ2、ＴiＯ2、Ｂa
ＴiＯ3、ＰbＴiＯ3、ＰＺＴ（ＰbＺrＯ3とＰbＴiＯ3の
固溶体）、ＰＬＺＴ（ＰＺＴのＬa添加物）、ＳrＴiＯ3
などの高誘電率で透光性の金属酸化物系化合物などから
なるものがあげられる。
例としては、Ｔa2Ｏ5、Ａl2Ｏ3、ＺrＯ2、ＴiＯ2、Ｂa
ＴiＯ3、ＰbＴiＯ3、ＰＺＴ（ＰbＺrＯ3とＰbＴiＯ3の
固溶体）、ＰＬＺＴ（ＰＺＴのＬa添加物）、ＳrＴiＯ3
などの高誘電率で透光性の金属酸化物系化合物などから
なるものがあげられる。
【００２６】なお必要に応じてシリカ以外の水分遮蔽性
のコーティング膜を設けることもでき、その例として
は、誘電率を高めたＴiＯ2−ＳiＯ2、ＺrＯ2−ＳiＯ2の
如きガラス系化合物や、アルミナ、窒化珪素などの水分
が透過しにくいセラミックの如き透光性の非晶質体など
からなるものがあげられる。
のコーティング膜を設けることもでき、その例として
は、誘電率を高めたＴiＯ2−ＳiＯ2、ＺrＯ2−ＳiＯ2の
如きガラス系化合物や、アルミナ、窒化珪素などの水分
が透過しにくいセラミックの如き透光性の非晶質体など
からなるものがあげられる。
【００２７】図２、図３に本発明によるシリカ被覆蛍光
体を例示した。４が蛍光体粉末、４１がシリカコーティ
ング膜、４２が他種のコーティング膜である。各コーテ
ィング膜の厚さは適宜に決定してよいが、一般には３０
μm以下、就中１０nm〜１μm程度とされる。なお２層以
上のコーティング膜を設ける場合、シリカコーティング
膜は、水分遮蔽による長寿命化等の点より外側に設ける
ことが有利である。
体を例示した。４が蛍光体粉末、４１がシリカコーティ
ング膜、４２が他種のコーティング膜である。各コーテ
ィング膜の厚さは適宜に決定してよいが、一般には３０
μm以下、就中１０nm〜１μm程度とされる。なお２層以
上のコーティング膜を設ける場合、シリカコーティング
膜は、水分遮蔽による長寿命化等の点より外側に設ける
ことが有利である。
【００２８】なお本発明によるシリカ被覆対象の蛍光体
粉末については特に限定はない。一般には、硫化亜鉛や
硫化カドミウム亜鉛を銅、マンガン、アルミニウム、
銀、塩素、ホウ素などで活性化したものや、希土類賦活
酸化イットリウム等の酸化物が用いられる。蛍光体粉末
の粒径についても任意であるが、一般には平均粒径に基
づき１μm以上、就中５〜５０μmが好ましい。シリカに
よる被覆対象の蛍光体粉末は、予め他種膜で被覆したも
のであってもよい。
粉末については特に限定はない。一般には、硫化亜鉛や
硫化カドミウム亜鉛を銅、マンガン、アルミニウム、
銀、塩素、ホウ素などで活性化したものや、希土類賦活
酸化イットリウム等の酸化物が用いられる。蛍光体粉末
の粒径についても任意であるが、一般には平均粒径に基
づき１μm以上、就中５〜５０μmが好ましい。シリカに
よる被覆対象の蛍光体粉末は、予め他種膜で被覆したも
のであってもよい。
【００２９】実施例１ 図１に示した装置を用い、反応促進のため２５０℃に維
持した反応管内のガラスフィルター上に平均粒径２０μ
mのＺnＳを２０ｇ保持し、それに貯蔵容器に原料液とし
てＳi（ＣＨ3）4を入れてそれにアルゴンガスを１０cc
／分の速度で供給しつつ発生した原料ガスと共にＺnＳ
部に供給して流動層とし、一方、反応ガスに酸素ガスを
用いてそれを１５０cc／分の速度で供給しつつ高周波コ
イル域に５０Ｗの条件で１３．５６ＭＨzの高周波を印
加して酸素ガスをプラズマ化し、発生した酸素ラジカ
ル、ないし酸素プラズマを流動層化したＺnＳ部に供給
する操作を約１０分間続けてシリカ被覆ＺnＳを得た。
得られたシリカ被覆ＺnＳにおけるシリカコーティング
膜は、厚さ０．２μmであった。
持した反応管内のガラスフィルター上に平均粒径２０μ
mのＺnＳを２０ｇ保持し、それに貯蔵容器に原料液とし
てＳi（ＣＨ3）4を入れてそれにアルゴンガスを１０cc
／分の速度で供給しつつ発生した原料ガスと共にＺnＳ
部に供給して流動層とし、一方、反応ガスに酸素ガスを
用いてそれを１５０cc／分の速度で供給しつつ高周波コ
イル域に５０Ｗの条件で１３．５６ＭＨzの高周波を印
加して酸素ガスをプラズマ化し、発生した酸素ラジカ
ル、ないし酸素プラズマを流動層化したＺnＳ部に供給
する操作を約１０分間続けてシリカ被覆ＺnＳを得た。
得られたシリカ被覆ＺnＳにおけるシリカコーティング
膜は、厚さ０．２μmであった。
【００３０】比較例１ 平均粒径２０μmのＺnＳをそのまま用いた。
【００３１】比較例２ Ｓi（ＣＨ3）4に代えてＳi（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4を用い、コー
ティング膜形成時間を２時間としたほかは実施例１に準
じて厚さ０．２μmのシリカコーティング膜を有するシ
リカ被覆ＺnＳを得た。
ティング膜形成時間を２時間としたほかは実施例１に準
じて厚さ０．２μmのシリカコーティング膜を有するシ
リカ被覆ＺnＳを得た。
【００３２】比較例３ 約６５０℃に加熱した平均粒径２０μmのＺnＳにＳi
（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4ガスと酸素ガスを供給して流動層としつ
つ反応させる熱ＣＶＤ方法で厚さ０．２μmのシリカコ
ーティング膜を有するシリカ被覆ＺnＳを得た。
（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4ガスと酸素ガスを供給して流動層としつ
つ反応させる熱ＣＶＤ方法で厚さ０．２μmのシリカコ
ーティング膜を有するシリカ被覆ＺnＳを得た。
【００３３】比較例４ 平均粒径２０μmのＺnＳをＳi（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4のエタノー
ル液にディップコーティングしそれを酸素雰囲気下に約
６５０℃に加熱する操作を繰返すゾル・ゲル方法で厚さ
０．２μmのシリカコーティング膜を有するシリカ被覆
ＺnＳを得た。
ル液にディップコーティングしそれを酸素雰囲気下に約
６５０℃に加熱する操作を繰返すゾル・ゲル方法で厚さ
０．２μmのシリカコーティング膜を有するシリカ被覆
ＺnＳを得た。
【００３４】評価試験 Ｓi-ＯＨ吸収 実施例１又は比較例２〜５で得たシリカ被覆ＺnＳの赤
外吸収スペクトルを調べ、Ｓi-ＯＨに基づく吸収スペク
トルを調べた。
外吸収スペクトルを調べ、Ｓi-ＯＨに基づく吸収スペク
トルを調べた。
【００３５】輝度特性 厚さ５０μmのポリエステルフィルムからなるベース基
板の片面に、銀粉含有の樹脂ペーストを部分塗布して幅
２mmの集電帯を形成後、ＩＴＯを分散含有させたフッ化
ビニリデン系共重合体の酢酸セロソルブ溶液からなる透
明導電塗料を塗布して厚さ約５μmの透明電極層（７０
０Ω／□）を形成し、その上にリード電極を付設後、実
施例１又は比較例１〜５で得たＺnＳ（シリカ被覆体を
含む）を分散含有するフッ化ビニリデン系共重合体の酢
酸セロソルブ溶液を塗布して厚さ約５０μmの発光層を
形成した。
板の片面に、銀粉含有の樹脂ペーストを部分塗布して幅
２mmの集電帯を形成後、ＩＴＯを分散含有させたフッ化
ビニリデン系共重合体の酢酸セロソルブ溶液からなる透
明導電塗料を塗布して厚さ約５μmの透明電極層（７０
０Ω／□）を形成し、その上にリード電極を付設後、実
施例１又は比較例１〜５で得たＺnＳ（シリカ被覆体を
含む）を分散含有するフッ化ビニリデン系共重合体の酢
酸セロソルブ溶液を塗布して厚さ約５０μmの発光層を
形成した。
【００３６】他方、前記と同じ材質のベース基板の片面
に銀粉含有の導電性塗料を塗布して厚さ約５μmの背面
電極層を形成してリード電極を付設し、前記で得たベー
ス基板と共にその層付設側を内側にして、チタン酸バリ
ウム含有のフッ化ビリニデン系共重合体の酢酸セロソル
ブ溶液からなる厚さ約３０μmの塗布層（絶縁層を兼ね
る接着層）を介して接着し、その接合体の上下に厚さ１
００μmのポリエステルフィルム（ＰＥＴ）又はポリク
ロロトリフルオロエチレンフィルム（ＰＣＴＦＥ）を配
置し、その周縁を接着して密封構造としＥＬ発光体を得
た。
に銀粉含有の導電性塗料を塗布して厚さ約５μmの背面
電極層を形成してリード電極を付設し、前記で得たベー
ス基板と共にその層付設側を内側にして、チタン酸バリ
ウム含有のフッ化ビリニデン系共重合体の酢酸セロソル
ブ溶液からなる厚さ約３０μmの塗布層（絶縁層を兼ね
る接着層）を介して接着し、その接合体の上下に厚さ１
００μmのポリエステルフィルム（ＰＥＴ）又はポリク
ロロトリフルオロエチレンフィルム（ＰＣＴＦＥ）を配
置し、その周縁を接着して密封構造としＥＬ発光体を得
た。
【００３７】前記のＥＬ発光体の初期輝度（駆動電圧：
１００Ｖ）を測定後、それを４０℃、９０％ＲＨの雰囲
気下、かつ１００Ｖ、４００Hzによる駆動状態下に放置
し輝度が初期輝度の半分となる半減期を調べた。
１００Ｖ）を測定後、それを４０℃、９０％ＲＨの雰囲
気下、かつ１００Ｖ、４００Hzによる駆動状態下に放置
し輝度が初期輝度の半分となる半減期を調べた。
【００３８】前記の結果を表１に示した。なお輝度特性
は、実施例１の場合を１００としてその相対割合を示し
た。
は、実施例１の場合を１００としてその相対割合を示し
た。
【表１】
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光体自体の熱劣化や
プラズマによる損傷を防止しつつ水酸基を実質的に含有
せずに遮水性に優れるシリカコーティング膜を有する被
覆蛍光体を得ることができる。従ってシリカ膜より水酸
基を除去するための後処理を省略でき、またシリカコー
ティング膜の成膜速度に優れて被覆蛍光体を効率よく製
造することができる。さらにピンホール等の欠陥部の少
ないシリカ膜を形成でき、表面に凹凸のある蛍光体もカ
バレッジ性よく滑らかな表面状態に被覆でき被覆状態が
良好で輝度や発光寿命、ないしその維持性に優れるシリ
カ被覆蛍光体を得ることができる。
プラズマによる損傷を防止しつつ水酸基を実質的に含有
せずに遮水性に優れるシリカコーティング膜を有する被
覆蛍光体を得ることができる。従ってシリカ膜より水酸
基を除去するための後処理を省略でき、またシリカコー
ティング膜の成膜速度に優れて被覆蛍光体を効率よく製
造することができる。さらにピンホール等の欠陥部の少
ないシリカ膜を形成でき、表面に凹凸のある蛍光体もカ
バレッジ性よく滑らかな表面状態に被覆でき被覆状態が
良好で輝度や発光寿命、ないしその維持性に優れるシリ
カ被覆蛍光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】製造装置の説明図。
【図２】シリカ被覆蛍光体の拡大断面図。
【図３】他のシリカ被覆蛍光体の拡大断面図。
２：反応管 １１：反応ガスの供給管 ３：高周波コイル ４：蛍光体粉末 ４１：シリカコーティング膜 ４２：他種のコーティング膜 ５：原料液 ５１：原料ガスの供給管
Claims (1)
- 【請求項１】 テトラメチルシランガス又は／及び酸化
ガスをプラズマＣＶＤ方式によりプラズマ化したのち、
それを蛍光体粉末上に供給してシリカからなるコーティ
ング膜を形成することを特徴とするシリカ被覆蛍光体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11650093A JPH06299146A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | シリカ被覆蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11650093A JPH06299146A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | シリカ被覆蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06299146A true JPH06299146A (ja) | 1994-10-25 |
Family
ID=14688674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11650093A Pending JPH06299146A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | シリカ被覆蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06299146A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6015597A (en) * | 1997-11-26 | 2000-01-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for coating diamond-like networks onto particles |
| US6265068B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-07-24 | 3M Innovative Properties Company | Diamond-like carbon coatings on inorganic phosphors |
| GB2376524A (en) * | 2001-03-27 | 2002-12-18 | Amersham Biosciences Uk Ltd | Scintillation proximity assays for NO synthase |
| US6795636B1 (en) | 2000-03-05 | 2004-09-21 | 3M Innovative Properties Company | Radiation-transmissive films on glass articles |
| US6878419B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-04-12 | 3M Innovative Properties Co. | Plasma treatment of porous materials |
| KR100669317B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2007-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체 |
| KR100795440B1 (ko) * | 2006-05-10 | 2008-01-16 | 금오공과대학교 산학협력단 | 발광특성 및 수명시간 향상을 위한 형광 파우더의 코팅장치 및 그 방법과 코팅된 형광 파우더 |
| WO2008059705A1 (fr) * | 2006-11-13 | 2008-05-22 | Think Laboratory Co., Ltd. | Rouleau à graver pour photogravure et son procédé de fabrication |
| JP2009510259A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | エーテーハー チューリヒ | 基材粒子にナノ粒子を付着させる方法 |
| WO2010001703A1 (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 日立化成工業株式会社 | 波長変換フィルム、これを用いた太陽電池モジュール及びこれらの製造方法 |
| JP2014532798A (ja) * | 2011-11-08 | 2014-12-08 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光ルミネセンス材料用コーティング |
| US10253257B2 (en) | 2015-11-25 | 2019-04-09 | Intematix Corporation | Coated narrow band red phosphor |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP11650093A patent/JPH06299146A/ja active Pending
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