JPH06179961A - 光学薄膜 - Google Patents
光学薄膜Info
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- JPH06179961A JPH06179961A JP4353492A JP35349292A JPH06179961A JP H06179961 A JPH06179961 A JP H06179961A JP 4353492 A JP4353492 A JP 4353492A JP 35349292 A JP35349292 A JP 35349292A JP H06179961 A JPH06179961 A JP H06179961A
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- vapor deposition
- layer
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- optical thin
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学的特性が良好で生産性が高い光学薄膜を
実現する。 【構成】 石英製の基板１には、基板１側から順次、３
層構造の、ＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜１０とＳ
ｉＯ2 からなる第２膜材の多層膜１１が交互に成膜され
ている。第１膜材の多層膜１０のうち、異種材料間の界
面部分の層である第１膜２と、第３膜４とはイオンビー
ムアシスト法によって成膜されたものであり、中間の第
２膜３は、低電圧大電流イオンプレーティング法で成膜
されたものである。また、第２膜材の多層膜１１のう
ち、異種材料間の界面部分の層としての第４膜５と第６
膜７とはイオンビームアシスト法によって成膜され、中
間の第５膜６は低電圧大電流イオンプレーティング法で
成膜されたものである。
実現する。 【構成】 石英製の基板１には、基板１側から順次、３
層構造の、ＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜１０とＳ
ｉＯ2 からなる第２膜材の多層膜１１が交互に成膜され
ている。第１膜材の多層膜１０のうち、異種材料間の界
面部分の層である第１膜２と、第３膜４とはイオンビー
ムアシスト法によって成膜されたものであり、中間の第
２膜３は、低電圧大電流イオンプレーティング法で成膜
されたものである。また、第２膜材の多層膜１１のう
ち、異種材料間の界面部分の層としての第４膜５と第６
膜７とはイオンビームアシスト法によって成膜され、中
間の第５膜６は低電圧大電流イオンプレーティング法で
成膜されたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的特性の良好な多
層の光学薄膜に関するものである。
層の光学薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学薄膜は、次に説明する（イ）
乃至（ハ）の蒸着方法によって作製されている。
乃至（ハ）の蒸着方法によって作製されている。
【０００３】（イ）真空蒸着法と呼ばれるものであっ
て、真空槽中で蒸発源を加熱蒸発させて基板上に蒸着す
る。
て、真空槽中で蒸発源を加熱蒸発させて基板上に蒸着す
る。
【０００４】（ロ）イオンアシスト蒸着法（以下、「Ｉ
ＡＤ法」という。）と呼ばれる方法であって、基板の成
膜面に向けてイオンビームを照射しつつ、蒸発源から蒸
発物質を蒸発させ、低エネルギーイオンを利用して蒸着
する。
ＡＤ法」という。）と呼ばれる方法であって、基板の成
膜面に向けてイオンビームを照射しつつ、蒸発源から蒸
発物質を蒸発させ、低エネルギーイオンを利用して蒸着
する。
【０００５】（ハ）低電圧大電流イオンプレーティング
法（以下、「ＲＬＶＩＰ法」という。）と呼ばれるもの
であって、蒸発源で蒸発させた蒸発物質にイオンビーム
を照射してイオン化し、高エネルギーのイオンを基板に
照射して蒸着する（特開昭５７−１６１０６２号公報参
照）。
法（以下、「ＲＬＶＩＰ法」という。）と呼ばれるもの
であって、蒸発源で蒸発させた蒸発物質にイオンビーム
を照射してイオン化し、高エネルギーのイオンを基板に
照射して蒸着する（特開昭５７−１６１０６２号公報参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術のう
ち、（イ）の方法は、基板を高温に加熱するため、作製
された光学薄膜の光学特性が良くない上、加熱および冷
却に余分な時間がかかる。（ロ）の方法は、基板を高温
に加熱しなくても成膜できるため、作製された光学薄膜
の光学特性は良好なものとなるが、成膜速度はあまり速
くなく生産性が悪い。また、（ハ）の方法は、（ロ）の
方法に比べ成膜速度は非常に高速であるが、高エネルギ
ーのイオン照射による損傷が生じ、このために作製され
た光学薄膜に光学的吸収が発生する。この光学的吸収
は、異種材料間の界面部分で発生する。
ち、（イ）の方法は、基板を高温に加熱するため、作製
された光学薄膜の光学特性が良くない上、加熱および冷
却に余分な時間がかかる。（ロ）の方法は、基板を高温
に加熱しなくても成膜できるため、作製された光学薄膜
の光学特性は良好なものとなるが、成膜速度はあまり速
くなく生産性が悪い。また、（ハ）の方法は、（ロ）の
方法に比べ成膜速度は非常に高速であるが、高エネルギ
ーのイオン照射による損傷が生じ、このために作製され
た光学薄膜に光学的吸収が発生する。この光学的吸収
は、異種材料間の界面部分で発生する。
【０００７】本発明は、上記従来の技術の有する未解決
の課題に鑑みてなされたものであって、光学的特性が良
好で生産性が高い光学薄膜を実現することを目的とする
ものである。
の課題に鑑みてなされたものであって、光学的特性が良
好で生産性が高い光学薄膜を実現することを目的とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光学薄膜は、基板上に、異種材料からなる
複数の多層膜群が積層された多層の光学薄膜であって、
各多層膜群は、それぞれ単一の材料からなるとともに、
異種材料間の界面部分である層が低イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着で成膜された膜であり、前記異種
材料間の界面部分である層以外の層が高イオンエネルギ
ーのイオンを利用した蒸着で成膜された膜であることを
特徴とするものである。
に、本発明の光学薄膜は、基板上に、異種材料からなる
複数の多層膜群が積層された多層の光学薄膜であって、
各多層膜群は、それぞれ単一の材料からなるとともに、
異種材料間の界面部分である層が低イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着で成膜された膜であり、前記異種
材料間の界面部分である層以外の層が高イオンエネルギ
ーのイオンを利用した蒸着で成膜された膜であることを
特徴とするものである。
【０００９】また、基板上に、異種材料からなる複数の
多層膜群が積層された多層の光学薄膜であって、各多層
膜群は、それぞれ単一の材料からなるとともに、異種材
料間の界面部分である層が低イオンエネルギーのイオン
を利用した蒸着で成膜された膜であり、前記異種材料間
の界面部分である層以外の層が、高イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着で成膜された膜および真空蒸着に
より成膜された膜からなることを特徴とするものでもよ
い。
多層膜群が積層された多層の光学薄膜であって、各多層
膜群は、それぞれ単一の材料からなるとともに、異種材
料間の界面部分である層が低イオンエネルギーのイオン
を利用した蒸着で成膜された膜であり、前記異種材料間
の界面部分である層以外の層が、高イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着で成膜された膜および真空蒸着に
より成膜された膜からなることを特徴とするものでもよ
い。
【００１０】さらに、低イオンエネルギーのイオンを利
用した蒸着で成膜された膜と、高エネルギーのイオンを
利用した蒸着で成膜された膜との間に、低イオンエネル
ギーのイオンを利用した蒸着および高エネルギーのイオ
ンを利用した蒸着を同時に行って成膜したミキシング層
を設けると効果的である。
用した蒸着で成膜された膜と、高エネルギーのイオンを
利用した蒸着で成膜された膜との間に、低イオンエネル
ギーのイオンを利用した蒸着および高エネルギーのイオ
ンを利用した蒸着を同時に行って成膜したミキシング層
を設けると効果的である。
【００１１】
【作用】異種材料間の界面部分である層を低エネルギー
のイオンを利用した蒸着で成膜することによって、異種
材料間の界面部分のイオン照射による損傷に起因する光
学的吸収が少なくなり、異種材料間の界面部分の層以外
の層は高エネルギーのイオンを利用した蒸着によって高
速で成膜することにより、光学特性の良好な光学薄膜を
高速で作製することができる。
のイオンを利用した蒸着で成膜することによって、異種
材料間の界面部分のイオン照射による損傷に起因する光
学的吸収が少なくなり、異種材料間の界面部分の層以外
の層は高エネルギーのイオンを利用した蒸着によって高
速で成膜することにより、光学特性の良好な光学薄膜を
高速で作製することができる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照しつつ説明す
る。
る。
【００１３】図１は、本発明の実施に用いる蒸着装置の
説明図である。
説明図である。
【００１４】図１に示すように、蒸着槽１００は、図示
しないが、ガス供給源に接続される給気口と真空発生源
に接続される排気口とを備えている。蒸着槽１００の上
壁には駆動部１０２によって回転される基板ホルダ１０
１が配設されており、図示しない基板を保持して回転さ
せるように構成されている。
しないが、ガス供給源に接続される給気口と真空発生源
に接続される排気口とを備えている。蒸着槽１００の上
壁には駆動部１０２によって回転される基板ホルダ１０
１が配設されており、図示しない基板を保持して回転さ
せるように構成されている。
【００１５】また、蒸着槽１００の底壁側には電子ビー
ム蒸発源１０４が配設されている。該電子ビーム蒸発源
１０４は、ボート１０４ｂの凹所１０４ａに投入した蒸
着材料１０６に対し、蒸着槽１００の適宜部位に設けら
れた電子ビーム発生源１０３で発生された電子ビーム１
０８を前記蒸着材料１０６に照射することにより蒸発さ
せて基板に蒸着するように構成されている。つまり、Ｒ
ＬＶＩＰ法に代表される、高イオンエネルギーのイオン
を利用した蒸着を行なうことができる。
ム蒸発源１０４が配設されている。該電子ビーム蒸発源
１０４は、ボート１０４ｂの凹所１０４ａに投入した蒸
着材料１０６に対し、蒸着槽１００の適宜部位に設けら
れた電子ビーム発生源１０３で発生された電子ビーム１
０８を前記蒸着材料１０６に照射することにより蒸発さ
せて基板に蒸着するように構成されている。つまり、Ｒ
ＬＶＩＰ法に代表される、高イオンエネルギーのイオン
を利用した蒸着を行なうことができる。
【００１６】さらに、蒸着槽１００の前記電子ビーム蒸
発源１０４と干渉しない部位には、イオン発生源１０５
が設けられており、基板にイオンビームを照射しつつ蒸
発物質を基板に蒸着するように構成されている。つま
り、前記ＩＡＤ法に代表される低イオンエネルギーのイ
オンを利用した蒸着を行なうことができる。 （第１実施例）図２は、第１実施例の光学薄膜の模式断
面図である。
発源１０４と干渉しない部位には、イオン発生源１０５
が設けられており、基板にイオンビームを照射しつつ蒸
発物質を基板に蒸着するように構成されている。つま
り、前記ＩＡＤ法に代表される低イオンエネルギーのイ
オンを利用した蒸着を行なうことができる。 （第１実施例）図２は、第１実施例の光学薄膜の模式断
面図である。
【００１７】石英製の基板１には、基板１側から順次、
３層構造のＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜１０と３
層構造のＳｉＯ2 からなる第２膜材の多層膜１１とが交
互に成膜されている。
３層構造のＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜１０と３
層構造のＳｉＯ2 からなる第２膜材の多層膜１１とが交
互に成膜されている。
【００１８】第１の多層膜群である第１膜材の多層膜１
０のうち、異種材料間の界面部分の層である第１膜２
と、第３膜４とは、低イオンエネルギーのイオンを利用
した蒸着法であるイオンビームアシスト法（以下、「Ｉ
ＡＤ法」という。）によって成膜されたものであり、異
種材料間の界面部分である層以外の層としての中間の第
２膜３は、高イオンエネルギーのイオンを利用した蒸着
法である低電圧大電流イオンプレーティング法（以下、
「ＲＬＶＩＰ法」という。）で成膜されたものである。
０のうち、異種材料間の界面部分の層である第１膜２
と、第３膜４とは、低イオンエネルギーのイオンを利用
した蒸着法であるイオンビームアシスト法（以下、「Ｉ
ＡＤ法」という。）によって成膜されたものであり、異
種材料間の界面部分である層以外の層としての中間の第
２膜３は、高イオンエネルギーのイオンを利用した蒸着
法である低電圧大電流イオンプレーティング法（以下、
「ＲＬＶＩＰ法」という。）で成膜されたものである。
【００１９】また、第２の多層膜群である第２膜材の多
層膜１１のうち、異種材料間の界面部分の層としての第
４膜５と第６膜７とは、前記ＩＡＤ法によって成膜され
たものであり、異種材料間の界面部分である層以外の層
としての中間の第５膜６は、前記ＲＬＶＩＰ法で成膜さ
れたものである。
層膜１１のうち、異種材料間の界面部分の層としての第
４膜５と第６膜７とは、前記ＩＡＤ法によって成膜され
たものであり、異種材料間の界面部分である層以外の層
としての中間の第５膜６は、前記ＲＬＶＩＰ法で成膜さ
れたものである。
【００２０】表１に本実施例の全１６層からなるフィル
タの膜構成および光学膜厚を示す。
タの膜構成および光学膜厚を示す。
【００２１】
【表１】 本実施例のＩＡＤ法による成膜条件は、表２に示すとお
りである。
りである。
【００２２】
【表２】 また、本実施例のＲＬＶＩＰ法による成膜条件は、表３
に示すとおりである。
に示すとおりである。
【００２３】
【表３】 比較のため、従来の真空蒸着法の成膜条件を表４に示
す。
す。
【００２４】
【表４】 表２、表３および表４から明らかなように、本実施例で
は、成膜速度はＲＬＶＩＰ法とほぼ同等であって、従来
の真空蒸着法の成膜速度の約１．５倍である。また、排
気、加熱、成膜、冷却の一連の工程に要する時間につい
ても、本実施例の場合、約１１０分であって従来の真空
蒸着法の約２４０分に比べ著しく短縮されている。
は、成膜速度はＲＬＶＩＰ法とほぼ同等であって、従来
の真空蒸着法の成膜速度の約１．５倍である。また、排
気、加熱、成膜、冷却の一連の工程に要する時間につい
ても、本実施例の場合、約１１０分であって従来の真空
蒸着法の約２４０分に比べ著しく短縮されている。
【００２５】次に、膜質について検討したので、その結
果を表５に示す。
果を表５に示す。
【００２６】
【表５】 また、本実施例とＲＬＶＩＰ法のみで成膜した比較例の
分光透過率曲線を図３に示す。
分光透過率曲線を図３に示す。
【００２７】図３から明らかなように、本実施例では、
比較例に比較して約２０％透過率が高くなっている。
比較例に比較して約２０％透過率が高くなっている。
【００２８】さらに、本実施例では、膜の密度が大きい
ため膜の屈折率は波長（λ）＝５００ｎｍにおいてＴｉ
Ｏ2 の膜で２．６０（比較例の場合２．４１）、ＳｉＯ
2 の膜で１．４９（比較例の場合１．４６）であり、光
学薄膜の設計の自由度も大きい。 （第２実施例）図４は、第２実施例の光学薄膜の模式断
面図である。
ため膜の屈折率は波長（λ）＝５００ｎｍにおいてＴｉ
Ｏ2 の膜で２．６０（比較例の場合２．４１）、ＳｉＯ
2 の膜で１．４９（比較例の場合１．４６）であり、光
学薄膜の設計の自由度も大きい。 （第２実施例）図４は、第２実施例の光学薄膜の模式断
面図である。
【００２９】石英製の基板２１には、基板２１側から順
次、ＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜４０とＳｉＯ2
からなる第２膜材の多層膜４１とが交互に成膜されてい
る。
次、ＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜４０とＳｉＯ2
からなる第２膜材の多層膜４１とが交互に成膜されてい
る。
【００３０】第１の多層膜群である第１膜材の多層膜４
０のうち、第２膜２３および第４膜２５はＩＡＤ法とＲ
ＬＶＩＰ法とを同時に行って成膜されたミキシング層で
あり、第３膜２４はＲＬＶＩＰ法により成膜されたもの
であり、異種材料間の界面部分である層としての第１膜
２２および第５膜２６はＩＡＤ法で成膜されたものであ
る。
０のうち、第２膜２３および第４膜２５はＩＡＤ法とＲ
ＬＶＩＰ法とを同時に行って成膜されたミキシング層で
あり、第３膜２４はＲＬＶＩＰ法により成膜されたもの
であり、異種材料間の界面部分である層としての第１膜
２２および第５膜２６はＩＡＤ法で成膜されたものであ
る。
【００３１】第２の多層膜群である第２膜材の多層膜４
１のうち、第７膜２８および第９膜３０は前記ミキシン
グ層であり、第８膜２９はＲＬＶＩＰ法により成膜され
たものであり、異種材料間の界面部分である層としての
第６膜２７および第１０膜３１はＩＡＤ法により成膜さ
れたものである。
１のうち、第７膜２８および第９膜３０は前記ミキシン
グ層であり、第８膜２９はＲＬＶＩＰ法により成膜され
たものであり、異種材料間の界面部分である層としての
第６膜２７および第１０膜３１はＩＡＤ法により成膜さ
れたものである。
【００３２】本実施例も第１実施例と同様に表１に示す
層構成の全１６層からなるフィルタであり、そのＩＡＤ
法およびＲＬＶＩＰ法のそれぞれの成膜条件も表２に示
すとおりである。
層構成の全１６層からなるフィルタであり、そのＩＡＤ
法およびＲＬＶＩＰ法のそれぞれの成膜条件も表２に示
すとおりである。
【００３３】本実施例のフィルタは、第１実施例のフィ
ルタと同様に光学特性は良好である上、各群の多層膜中
に明確な界面を形成しないので、層間での剥離が起こり
難いという利点がある。 （第３実施例）図５は、第３実施例の光学薄膜の模式断
面図である。
ルタと同様に光学特性は良好である上、各群の多層膜中
に明確な界面を形成しないので、層間での剥離が起こり
難いという利点がある。 （第３実施例）図５は、第３実施例の光学薄膜の模式断
面図である。
【００３４】石英製の基板５１には、基板５１側から順
次ＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜６０とＳｉＯ2 か
らなる第２膜材の多層膜６１とが交互に成膜されてい
る。
次ＴｉＯ2 からなる第１膜材の多層膜６０とＳｉＯ2 か
らなる第２膜材の多層膜６１とが交互に成膜されてい
る。
【００３５】第１の多層膜群である第１膜材の多層膜６
０のうち、異種材料間の界面部分である層としての第１
膜５２および第３膜５４はＩＡＤ法によって成膜された
ものであり、第２膜５３はＲＬＶＩＰ法によって成膜さ
れた膜である。
０のうち、異種材料間の界面部分である層としての第１
膜５２および第３膜５４はＩＡＤ法によって成膜された
ものであり、第２膜５３はＲＬＶＩＰ法によって成膜さ
れた膜である。
【００３６】第２の多層膜群である第２膜材の多層膜６
１のうち、異種材料間の界面部分である層としての第４
膜５５および第６膜５７はＩＡＤ法によって成膜された
ものであり、異種材料間の界面部分である層以外の層と
しての第５膜５６は従来の真空蒸着法によって成膜され
たものである。
１のうち、異種材料間の界面部分である層としての第４
膜５５および第６膜５７はＩＡＤ法によって成膜された
ものであり、異種材料間の界面部分である層以外の層と
しての第５膜５６は従来の真空蒸着法によって成膜され
たものである。
【００３７】本実施例におけるＩＡＤ法およびＲＬＶＩ
Ｐ法のそれぞれの成膜条件は、表２、表３のとおりであ
る。
Ｐ法のそれぞれの成膜条件は、表２、表３のとおりであ
る。
【００３８】表６に本実施例と、比較例としての従来の
真空蒸着法による光学薄膜である緑色反射膜の膜構成お
よび膜厚を示す。
真空蒸着法による光学薄膜である緑色反射膜の膜構成お
よび膜厚を示す。
【００３９】
【表６】 また、本実施例と比較例の分光反射率曲線を図６に示
す。
す。
【００４０】図６から明らかなように、本実施例は高屈
折率材料と低屈折率材料との屈折率の差を大きくできる
ので、反射率が高く、反射帯域が広いものを作成でき
る。
折率材料と低屈折率材料との屈折率の差を大きくできる
ので、反射率が高く、反射帯域が広いものを作成でき
る。
【００４１】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、次に記載するような効果を奏する。
で、次に記載するような効果を奏する。
【００４２】光学的吸収が少なく、耐久性も良好であっ
て、生産性も高い。
て、生産性も高い。
【図１】本発明の実施に使用する真空蒸着装置を示す説
明図である。
明図である。
【図２】第１実施例の光学薄膜の模式断面図である。
【図３】第１実施例の光学薄膜および比較例の分光透過
率曲線を示すグラフである。
率曲線を示すグラフである。
【図４】第２実施例の光学薄膜の模式断面図である。
【図５】第３実施例の光学薄膜の模式断面図である。
【図６】第３実施例の光学薄膜および比較例の分光反射
率曲線を示すグラフである。
率曲線を示すグラフである。
【符号の説明】 １，２１，５１ 基板 ２，２２，５２ 第１膜 ３，２３，５３ 第２膜 ４，２４，５４ 第３膜 ５，２５，５５ 第４膜 ６，２６，５６ 第５膜 ７，２７，５７ 第６膜 １０，４０，６０ 第１膜材の多層膜 １１，４１，６１ 第２膜材の多層膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、異種材料からなる複数の多層
膜群が積層された多層の光学薄膜であって、 各多層膜群は、それぞれ単一の材料からなるとともに、
異種材料間の界面部分である層が低イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着で成膜された膜であり、前記異種
材料間の界面部分である層以外の層が高イオンエネルギ
ーのイオンを利用した蒸着で成膜された膜であることを
特徴とする光学薄膜。 - 【請求項２】 基板上に、異種材料からなる複数の多層
膜群が積層された多層の光学薄膜であって、 各多層膜群は、それぞれ単一の材料からなるとともに、
異種材料間の界面部分である層が低イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着で成膜された膜であり、前記異種
材料間の界面部分である層以外の層が、高イオンエネル
ギーのイオンを利用した蒸着で成膜された膜および真空
蒸着により成膜された膜からなることを特徴とする光学
薄膜。 - 【請求項３】 低イオンエネルギーのイオンを利用した
蒸着で成膜された膜と、高エネルギーのイオンを利用し
た蒸着で成膜された膜との間に、低イオンエネルギーの
イオンを利用した蒸着および高エネルギーのイオンを利
用した蒸着を同時に行って成膜したミキシング層を設け
たことを特徴とする請求項１または２記載の光学薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353492A JPH06179961A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 光学薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353492A JPH06179961A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 光学薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179961A true JPH06179961A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18431208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4353492A Pending JPH06179961A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 光学薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06179961A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038141A3 (de) * | 2001-10-31 | 2003-10-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur herstellung einer uv-absorbierenden transparenten abriebschutzschicht |
| JP2010106339A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Shincron:Kk | 成膜方法及び成膜装置 |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4353492A patent/JPH06179961A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038141A3 (de) * | 2001-10-31 | 2003-10-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur herstellung einer uv-absorbierenden transparenten abriebschutzschicht |
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