JPH06177537A - 導通部形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 工程の短縮を実現でき、コストダウンを図
れ、導通信頼性を高めることができる導通部形成方法を
得る。 【構成】 絶縁材料１の両面に配線パターン７ａ，７ｂ
を形成して基板８を形成し、基板８にエネルギビームを
照射して絶縁材料１のみに孔１ａを形成し、孔１ａに対
応した一対の配線パターン７ａ，７ｂにエネルギビーム
を照射して溶融し、一体に接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、多層配線基板層間の
回路を接続する導通部形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の多層配線基板の導通部形成方法と
しては、図８に示すものがあった。図８はその工程順の
模式的断面図を示すものである。まず、図８（ａ）に示
すように絶縁材料１の両側面に銅箔２ａ，２ｂを有する
プリント基板３を形成し、次に図８（ｂ）に示すように
このプリント基板３にドリルにより積層方向の孔３ａを
形成し、次に図８（ｃ）に示すように無電解銅メッキに
より孔３ａの内壁及び銅箔２ａ，２ｂの表面に銅被膜４
を形成し、次に図８（ｄ）に示すように銅被膜４を電気
メッキの析出反応の電極（負極）として銅被膜４上に銅
の電気メッキ膜５を形成することにより、孔３ａの内壁
を導体化し、導通部を形成していた。

【０００３】ところが、この方法では無電解銅メッキの
工程があるため、メッキ液が高価になる、メッキ及びそ
の前処理の管理が複雑なため歩留りが悪い、設備費が高
額となる、メッキ中に発生する水素ガスが孔３ａが微小
孔になるほど抜けにくく、析出不良が生じ易くなるなど
の問題かあった。

【０００４】上記問題を解消する導通部形成方法として
は、例えば特開平３−５０８９０号公報に示されるよう
に、レーザビームを用いて孔あけし、この孔あけ時に発
生する炭化物被膜を電気メッキの析出反応の電極として
電気めっきする方法がある。図９はこの方法の工程順の
模式的断面図を示す。

【０００５】まず、図９（ａ）に示すように、絶縁材料
１の両側面に銅箔２ａ，２ｂを有するプリント基板３を
形成し、次に図９（ｂ）に示すようにプリント基板３に
レーザビームを照射して表面に炭化物層６を有するスル
ーホール３ｂを形成し、次に図９（ｃ）に示すように炭
化物層６を電気メッキの析出反応の電極（負極）として
炭化物層６上及び銅箔２ａ，２ｂ上に銅の電気メッキ膜
５を形成することによりスルーホール３ｂの内壁を導体
化し、導通部を形成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示した従来方法では、スルーホール３ｂの内壁全面に炭
化物層６を発生させる必要があるが、スルーホール３ｂ
の内壁には炭化物層６が残留しない部分も生じるため、
スルーホール３ｂの内壁全面を電気メッキ膜５で覆うこ
とが困難となり、電気メッキ後の導通信頼性が低下し
た。そこで、レーザの照射条件の調整によりスルーホー
ル３ｂの内壁全体に炭化物層６が残留するようにする
と、残留する炭化物層６の厚さが数１０μｍ以上とな
り、電気メッキ後に電気メッキ膜５と絶縁材料１との間
に厚い炭化物層６が残留し、電気メッキ膜５の密着性が
低下して信頼性が低下した。

【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めに成されたものであり、導通部形成過程における工程
の短縮を実現し、かつ導通信頼性を高めることができる
導通部形成方法を得ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る導通部形成方法は、基板にエネルギビームを照射して
絶縁材料を部分的に除去する工程と、絶縁材料除去部に
残存した一対の配線パターンにエネルギビームを照射し
て溶融接合する工程を設けたものである。

【０００９】又、請求項２に係る導通部形成方法は、基
板にエネルギビームを照射して少なくとも一方の導体層
と絶縁材料に孔を形成する工程と、基板にエネルギビー
ムを照射して絶縁材料の孔を拡大する工程と、一方の導
体層の絶縁材料の孔に突出した部分にエネルギビームを
照射してこの突出部分を溶融し、他方の導体層と接合す
る工程を設けたものである。

【００１０】請求項３に係る導通部形成方法は、基板に
エネルギビームを照射して一方の導体層と絶縁層に孔を
形成する工程と、この孔にフイラーメタルを充填する工
程と、上記孔及びその周辺部にエネルギビームを照射し
て各導体層とフイラーメタルを溶融一体化する工程を設
けたものである。

【００１１】請求項４に係る導通部形成方法は、基板に
エネルギビームを照射して各導体層及び絶縁材料に孔を
形成するとともに、この際蒸発した導体を絶縁材料の孔
内壁に蒸着して導電性被膜を形成する工程と、導電性被
膜上に電気メッキ膜を形成する工程を設けたものであ
る。

【００１２】請求項５に係る導通部形成方法は、上記し
た溶融又は蒸発工程において、基板の表面にエネルギビ
ームを透過する当て板を密着させ、この当て板を透して
エネルギビームを照射するものである。

【００１３】請求項６に係る導通部形成方法は、上記し
た溶融又は蒸発工程において、基板の裏面に当て板を密
着させ、エネルギビームを照射するものである。

【００１４】

【作用】請求項１においては、基板にエネルギビームが
照射されて絶縁材料が部分的に除去され、この除去部に
残存した一対の配線パターンか溶融接合される。

【００１５】請求項２においては、基板にエネルギビー
ムが照射されて少なくとも一方の導体層と絶縁材料に孔
が形成され、この孔は拡大され、一方の導体層のこの孔
から突出した部分が溶融されて他方の導体層と接合され
る。

【００１６】請求項３においては、基板にエネルギビー
ムが照射されて一方の導体層と絶縁層に孔が形成され、
この孔にフイラーメタルが充填された後、エネルギビー
ムの照射により各導体層とフイラーメタルが溶融一体化
される。

【００１７】請求項４においては、基板にエネルギビー
ムが照射されて各導体層及び絶縁材料に孔が形成され、
この際蒸発した導体が絶縁材料の孔の内壁に蒸着して導
電性被膜が形成され、この導電性被膜上に電気メッキ膜
が形成される。

【００１８】請求項５，６においては、基板の表面又は
裏面に当て板が密着された状態でエネルギビームが照射
され、加工部内の溶融物又は蒸発物の流出が規制され
る。

【００１９】

【実施例】実施例１ 以下、この発明の実施例を図面とともに説明する。図１
は実施例１によるプリント基板の導通部形成方法を工程
順に示した断面図であり、まず図１（ａ）に示すように
厚さ２００μｍのガラスエポキシからなる絶縁材料１の
両側面に厚さ４０μｍの銅箔７ａ，７ｂを積層して厚さ
２８０μｍのプリント基板８を形成するが、銅箔（表の
ランドパターン）７ａは図２（ａ）に示すような配線パ
ターンとし、銅箔（裏のランドパターン）７ｂは図２
（ｂ）のような配線パターンとする。

【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、プリント
基板８の導通部形成位置に電子ビームをパルス発振で照
射し、絶縁材料１のみを除去してとまり孔加工を施し、
とまり孔１ａを形成する。とまり孔１ａは図示しない他
の位置でも形成される。電子ビームの照射条件は、加速
電圧６０KV、ビーム電流１１mAの設定で約１．５mmのビ
ーム径に集束させ、パルス幅９０μｓ、パルス周波数１
０Hzで１孔につき４０パルスを繰り返した。これによ
り、約１．５mmのとまり孔１ａが形成された。

【００２１】次に、このとまり孔１ａの両側に残存した
一対の銅箔（配線パターン）７ａ，７ｂの端部に電子ビ
ームをパルス発振で照射し、図１（ｃ）に示すように銅
箔７ａ，７ｂの端部を溶融し、球状化させる。電子ビー
ムの照射条件は、加速電圧６０KV、ビーム電流１１mAの
設定で約１．５mmのビーム径に集束させ、パルス幅９０
μｓ、パルス周波数１KHz で１孔につき４０パルスを繰
り返した。これにより、上部銅箔７ａの端部は直径約３
００μｍの球状となり、下部銅箔７ｂの端部は厚さ約１
５０μｍとなり、互に接触した。

【００２２】次に、銅箔７ａ，７ｂの端部に再び電子ビ
ームをパルス発振で照射し、図１（ｄ）に示すように銅
箔７ａ，７ｂの端部をもう一度溶融して１つの溶融球と
し、導通部７ｃを形成する。電子ビームの照射条件は、
加速電圧６０KV、ビーム電流１１mAの設定で約１．５mm
のビーム径に集束させ、パルス幅９０μｓ、パルス周波
数１KHz で１孔につき８０パルスを繰り返した。これに
より、直径約５００μｍの導通部７ｃが形成され、完全
な導通部が得られた。この導通部７ｃの導体抵抗を測定
すると、すべての導通部７ｃ（他の位置でも同様にして
形成されている。）において１０ｍΩ以下であり、完全
に導通が得られている。

【００２３】実施例１によれば、無電解銅メッキ及び電
解銅メッキを使用していないため工程を短縮でき、コス
トダウンが図れ、また絶縁材料１の両面の銅箔７ａ，７
ｂが溶接されているので、導通信頼性が高い。

【００２４】実施例２ 図３は実施例２によるプリント基板の導通部形成方法を
工程順に示した模式断面図であり、図３（ａ）に示した
プリント基板８の形成工程及び図３（ｂ）に示したとま
り孔１ａの形成工程は実施例１と同様である。次に、図
３（ｂ）に示すように、ＹＡＧレーザビーム（波長１．
０６μｍ、マルチモード）を透過する厚さ０．５mmのガ
ラス板９を銅箔７ａの上面に密着固定させるとともに、
厚さ１cmの銅板１０を銅箔７ｂの下面に密着固定させた
後、ガラス板９の上方からＹＡＧレーザをパルス発振で
照射し、このＹＡＧレーザはガラス板９を透過して図３
（ｃ）に示すように銅箔７ａ，７ｂを溶融させ、図３
（ｄ）に示すように溶融球を形成して導通部７ｄを得
た。

【００２５】ＹＡＧレーザの照射条件は、ピーク出力５
KWの設定で約１．５mmのビーム径に集束させ、パルス幅
１．５μｓ、パルス周波数１０Hzで１孔につき２０パル
スを繰り返した。導通部７ｄを得た後、ガラス板９及び
銅板１０を取り外した。これにより、表裏面に凸部がな
い直径約５００μｍの導通部７ｄが得られた。導通部７
ｄの導体抵抗を測定すると、すべての導通部７ｄにおい
て１０ｍΩ以下であり、完全に導通が得られており、実
施例１の効果の外に表裏面に凸部がない導通部７ｄが得
られるという効果がある。又、ガラス板９及び銅板１０
を設けたことにより、銅箔７ａ，７ｂを溶融した際に溶
融物が外部に流出し難くなり、導通部形成の安定化が図
れる。

【００２６】実施例３ 図４は実施例３によるプリント基板の導通部形成方法を
工程順に示した模式断面図であり、まず図４（ａ）に示
すように厚さ２００μｍのガラスエポキシからなる絶縁
材料１の両側面に厚さ４０μｍの銅箔２ａ，２ｂを積層
して厚さ２８０μｍのプリント基板３を形成する。次
に、図４（ｂ）に示すように、プリント基板３の上方か
ら電子ビームをパルス発振で照射し、絶縁材料１に直径
約１００μｍのとまり孔１ｂを形成した。この際、上側
の銅箔２ａにも孔２ｃが形成された。電子ビームの照射
条件は、加速電圧６０KV、ビーム電流８０mAの設定で約
１００μｍのビーム径に集束させ、パルス幅１００μ
ｓ、パルス周波数１０Hzで１孔につき２０パルスを繰り
返した。

【００２７】次に、同じくプリント基板３の上方から電
子ビームをパルス発振で照射し、図４（ｃ）に示すよう
にとまり孔１ｂを拡大した。電子ビームの照射条件は、
加速電圧６０KV、ビーム電流８mAの設定で約３００μｍ
のビーム径に集束させ、パルス幅１５０μｓ、パルス周
波数１KHz で１孔につき２０パルスを繰り返した。これ
により、とまり孔１ｂは約２００μｍ拡大した。

【００２８】次に、同じくプリント基板３の上方から電
子ビームをパルス発振で照射し、図４（ｄ）に示すよう
に、上側の銅箔２ａの孔１ｂに突出した部分を溶融させ
てとまり孔１ｂ内に流動させ、銅箔２ａ，２ｂを接合し
て導通部２ｄを得た。電子ビームの照射条件は、加速電
圧６０KV、ビーム電流８mAの設定で約５００μｍのビー
ム径に集束させ、パルス幅１．５ms、パルス周波数１０
Hzで１孔につき２０パルスを繰り返した。これにより、
約５００μｍの導通部２ｄが得られた。導通部２ｄの導
体抵抗を測定すると、すべての導通部２ｄにおいて１０
ｍΩ以下であり、完全に導通が得られた。実施例３も実
施例１と同様の効果を有する。

【００２９】実施例４ 実施例３では最初の電子ビームの照射により一方の銅箔
２ａ及び絶縁材料１に孔２ｃ，１ｂを形成したが、この
際に他方の銅箔２ｂにも孔を形成しても同様の効果が得
られる。

【００３０】実施例５ 図５は実施例５によるプリント基板の導通部形成方法を
工程順に示した模式断面図であり、図５（ａ）に示した
プリント基板３の形成工程は実施例３と同様である。次
に、図５（ｂ）に示すように電子ビームを基板３の上方
からパルス発振により照射し、銅箔２ａ，２ｂ及び絶縁
材料１に孔２ｃ，２ｅ，１ｃを形成した。レーザの照射
条件は、加速電圧６０KV、ビーム電流８mAの設定で約１
００μｍのビーム径に集束させ、パルス幅１５０μｓ、
パルス周波数１０Hzで１孔につき２０パルスを繰り返し
た。孔１ｃの径は約１００μｍであった。

【００３１】次に、同じくプリント基板３の上方から電
子ビームをパルス発振で照射し、図５（ｃ）に示すよう
に孔１ｃを拡大した。レーザの照射条件は、加速電圧６
０KV、ビーム電流８mAの設定で約３００μｍのビーム径
に集束させ、パルス幅１５０μｓ、パルス周波数１KHz
で１孔につき３０パルスを繰り返した。これにより、孔
１ｃは約２００μｍ拡大した。

【００３２】次に、図５（ｄ）に示すようにＹＡＧレー
ザビーム（波長１．０６μｍ、マルチモード）を透過す
る厚さ０．５mmのガラス板９を銅箔２ａの上面に密着固
定し、ガラス板９の上方からＹＡＧレーザをパルス発振
で照射し、銅箔２ａの孔１ｃに突出した部分を溶融させ
て孔１ｃ内に流動させ、銅箔２ａ，２ｂを接合して導通
部２ｄを形成した。電子ビームの照射条件は、ピーク出
力８００Ｗの設定で約５００μｍのビーム径に集束さ
せ、パルス幅１．５μｓ、パルス周波数１０Hzで１孔に
つき２０パルスを繰り返した。この後ガラス板９を取外
し、表面に凸部のない約５００μｍの導通部２ｄが形成
された。導通部２ｄの導体抵抗を測定すると、すべての
導通部２ｄについて１０ｍΩ以下であり、完全に導通が
得られた。実施例５も実施例２と同様の効果を有する。

【００３３】実施例６ 図６は実施例６によるプリント基板の導通部形成方法を
工程順に示した模式断面図であり、図６（ａ）に示した
プリント基板３の形成工程は実施例３と同様である。次
に、図６（ｂ）に示すようにプリント基板３の上方から
電子ビームをパルス発振により照射し、銅箔２ａ及び絶
縁材料１に孔２ｃ，１ｂを形成した。電子ビームの照射
条件は、加速電圧６０KV、ビーム電流８mAの設定で約１
５０μｍのビーム径に集束させ、パルス幅１００μｓ、
パルス周波数１０Hzで１孔につき２０パルスを繰り返し
た。これにより、孔１ｂの径は約１５０μｍとなった。

【００３４】次に、図６（ｃ）に示すように孔１ｂ，２
ｃに粒径１０μｍの銅パウダ（フイラーメタル）１１を
充填し、孔１ｂ，２ｃ及びその周辺部に電子ビームをパ
ルス発振により照射し、図６（ｄ）に示すように銅箔２
ａ，２ｂと銅パウダ１１を溶融一体化し、導通部１２を
形成した。電子ビームの照射条件は、加速電圧６０KV、
ビーム電流８mAの設定で約３００μｍのビーム径に集束
させ、パルス幅１．５ms、パルス周波数１０Hzで１孔に
つき２０パルスを繰り返した。導通部１２の導体抵抗を
測定すると、すべての導通部１２において１０ｍΩ以下
であり、完全に導通が得られた。実施例６も実施例１と
同様な効果を有する。

【００３５】実施例７ 図７は実施例７によるプリント基板の導通部形成方法を
工程順に示した模式断面図であり、まず図７（ａ）に示
すようにガラスエポキシからなる厚さ２２０μｍの絶縁
材料１の両側面に厚さ４０μｍの銅箔２ａ，２ｂを積層
して厚さ３００μｍのプリント基板３を形成し、次にプ
リント基板３に対して加工孔を形成することができる最
低パワー密度の短パルスビームを数十回以上照射し、図
７（ｂ）に示すように銅箔２ａ，２ｂ及び絶縁材料１に
孔２ｃ，２ｅ，１ｄを形成する。この際、銅箔２ｂにビ
ームが数十回以上照射されることにより、孔１ｄ内の銅
の蒸気圧が上昇して銅が蒸発し、この蒸発銅が孔１ｄの
内壁に蒸着して導電性被膜１３が形成される。このと
き、絶縁材料１と導電性被膜１３との間には炭化物層は
ほとんど残留しなかった。

【００３６】このときの電子ビームの照射条件は、加速
電圧６０KV、ビーム電流８mAの設定で約１００μｍのビ
ーム径に集束させ、パルス幅５０μｓ、パルス周波数１
０KHz で１孔につき８０パルスをくり返した。これによ
り、径１００μｍの孔２ｃ，２ｅと径３００μｍで内壁
に導電性被膜１３が形成された孔１ｄからなる貫通孔が
形成された。

【００３７】次に、図７（ｃ）に示すように、この貫通
孔に電子ビームをパルス発振により照射し、銅箔２ａ，
２ｂの孔１ｄの上下に突出した部分を除去し、孔２ｃ，
２ｅを拡大した。このときの電子ビームの照射条件は、
加速電圧６０KV、ビーム電流８mAの設定で約３００μｍ
のビーム径に集束させ、パルス幅１００μｓ、パルス周
波数１０Hzで１孔につき３パルスを繰り返した。

【００３８】次に、このように加工された基板３を脱
脂、活性化した後、図７（ｄ）に示すように通常の電気
メッキ液（硫酸銅８０ｇ／ｌ）を用い、銅箔２ａ，２ｂ
及び導電性被膜１３を陰極として１Ａ／dm² の電流で１
時間の電気メッキを行い、電気メッキ膜５を形成した。
これにより、貫通孔の内壁に導通部が形成され、この導
通部の導体抵抗を測定すると、すべての導通部において
導体抵抗が１０ｍΩ以下であり、完全に導通が得られ
た。実施例７においても、無電解銅メッキを使用しない
ために工程を短縮でき、コストダウンが図れ、また導電
性被膜１３と絶縁材料１との間に炭化物が残留しないた
めに導通信頼性が向上した。

【００３９】実施例８ 実施例７では図７（ｂ）に示した孔あけ、蒸着工程にお
いてガラス板９や銅板１０などの当て板を用いなかった
が、孔２ｃ，１ｄが形成された後一たんビーム照射を止
め、基板３の表面に電子ビームを透過する当て板を密着
させた後再び電子ビームを照射することにより、蒸発し
た銅の孔外への流出が規制され、安定した導通部の形成
を行うことができる。

【００４０】なお、図６に示した実施例６でも、ガラス
板９や銅板１０などの当て板を用いることにより、同様
の効果を得ることができる。又、上記各実施例ではエネ
ルギビームとして電子ビームを用いたが、ＣＯ₂ レーザ
などを用いても同様な効果が得られる。

【００４１】

【発明の効果】以上のように請求項１〜３によれば、無
電解銅メッキや電解銅メッキを使用しないので工程を短
縮でき、コストダウンを図ることができる。又、配線パ
ターン間、導体層間、あるいは各導体層とフイラーメタ
ルとが溶融接合されているので、導通信頼性を高めるこ
とができる。

【００４２】又、請求項４によれば、無電解銅メッキを
使用しないために工程を短縮でき、コストダウンを図る
ことができる。又、絶縁材料とその孔の内壁に蒸着した
導電性被膜との間に炭化物が残留しないために導通信頼
性を高めることができる。

【００４３】又、請求項５，６によれば、導体層などの
溶融や蒸着などの工程において、基板の表面や裏面に当
て板を密着した状態でエネルギビームを照射するので、
溶融物や蒸発物の加工部外への流出が規制され、溶融物
や蒸発物の量が確保されて導通部形成の安定化を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１による導通部形成方法を工程順に示し
たプリント基板の模式的断面図である。

【図２】実施例１で用いた配線パターンの部分平面図で
ある。

【図３】実施例２による導通部形成方法を工程順に示し
たプリント基板の模式的断面図である。

【図４】実施例３による導通部形成方法を工程順に示し
たプリント基板の模式的断面図である。

【図５】実施例５による導通部形成方法を工程順に示し
たプリント基板の模式的断面図である。

【図６】実施例６による導通部形成方法を工程順に示し
たプリント基板の模式的断面図である。

【図７】実施例７による導通部形成方法を工程順に示し
たプリント基板の模式的断面図である。

【図８】従来の導通部形成方法を工程順に示したプリン
ト基板の模式的断面図である。

【図９】従来の導通部形成方法を工程順に示したプリン
ト基板の模式的断面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁材料 １ａ〜１ｄ，２ｃ，２ｅ 孔 ２ａ，２ｂ 銅箔 ２ｄ，７ｃ，７ｄ，１２ 導通部 ３，８ プリント基板 ５ 電気メッキ膜 ７ａ，７ｂ 銅箔（配線パターン） ９ ガラス板 １０ 銅板 １１ 銅パウダ １３ 導電性被膜

【手続補正書】

【提出日】平成５年８月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００３】ところが、この方法では無電解銅メッキの
工程があるため、メッキ液が高価になる、メッキ及びそ
の前処理の管理が複雑なため歩留りが悪い、設備費が高
額となる、メッキ中に発生する水素ガスが孔３ａが微小
孔になるほど抜けにくく、析出不良が生じ易くなるなど
の問題があった。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２５】ＹＡＧレーザの照射条件は、ピーク出力５
kwの設定で約１．５mmのビーム径に集束させ、パルス幅
１．５ｍｓ、パルス周波数１０Hzで１孔につき２０パル
スを繰り返した。導通部７ｄを得た後、ガラス板９及び
銅板１０を取り外した。これにより、表裏面に凸部がな
い直径約５００μｍの導通部７ｄが得られた。導通部７
ｄの導体抵抗を測定すると、すべての導通部７ｄにおい
て１０ｍΩ以下であり、完全に導通が得られており、実
施例１の効果の外に表裏面に凸部がない導通部７ｄが得
られるという効果がある。又、ガラス板及び銅板１０を
設けたことにより、銅箔７ａ、７ｂを溶融した際に溶融
物が外部に流出し難くなり、導通部形成の安定化が図れ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山根 義雄 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社生産技術研究所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁材料の両面に配線パターンを形成し
   て基板を形成する工程と、基板にエネルギビームを照射
   して絶縁材料を部分的に除去する工程と、絶縁材料除去
   部に残存した一対の配線パターンにエネルギビームを照
   射して溶融し、一体に接合する工程を備えたことを特徴
   とする導通部形成方法。
2. 【請求項２】 絶縁材料の両面に導体層を積層して基板
   を形成する工程と、基板にエネルギビームを照射して少
   なくとも一方の導体層及び絶縁材料に孔を形成する工程
   と、基板にエネルギビームを照射して絶縁材料の孔のみ
   を拡大する工程と、一方の導体層における絶縁材料の孔
   に突出した部分にエネルギビームを照射してこの突出部
   分を溶融流動させ、他方の導体層と接合する工程を備え
   たことを特徴とする導通部形成方法。
3. 【請求項３】 絶縁材料の両面に導体層を積層して基板
   を形成する工程と、基板にエネルギビームを照射して一
   方の導体層と絶縁材料に孔を形成する工程と、上記孔に
   フイラーメタルを充填する工程と、上記孔及びその周辺
   部にエネルギビームを照射して各導体層とフイラーメタ
   ルを溶融一体化する工程を備えたことを特徴とする導通
   部形成方法。
4. 【請求項４】 絶縁材料の両面に導体層を積層して基板
   を形成する工程と、基板にエネルギビームを照射して上
   記各導体層及び絶縁材料に孔を形成するとともに、この
   際蒸発した導体を絶縁材料の孔内壁に蒸着させることに
   より導電性被膜を形成する工程と、この導電性被膜を電
   極として電気メッキを行って導電性被膜上に電気メッキ
   膜を形成する工程を備えたことを特徴とする導通部形成
   方法。
5. 【請求項５】 上記した溶融又は蒸発工程において、基
   板の表面にエネルギビームを透過する当て板を密着さ
   せ、この当て板を透してエネルギビームを照射すること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導通部形
   成方法。
6. 【請求項６】 上記した溶融又は蒸発工程において、基
   板の裏面に当て板を密着させ、エネルギビームを照射す
   ることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導
   通部形成方法。