JPH06177101A - 改良されたシリコンウェーハ洗浄液 - Google Patents
改良されたシリコンウェーハ洗浄液Info
- Publication number
- JPH06177101A JPH06177101A JP34997592A JP34997592A JPH06177101A JP H06177101 A JPH06177101 A JP H06177101A JP 34997592 A JP34997592 A JP 34997592A JP 34997592 A JP34997592 A JP 34997592A JP H06177101 A JPH06177101 A JP H06177101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- silicon wafer
- ammonia
- wafer cleaning
- surfactant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3947—Liquid compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルカリ性シリコンウェーハ洗浄液の寿命
の延長。 【構成】 アンモニアと過酸化水素と水からなるアル
カリ性シリコンウェーハ洗浄液に界面活性剤を添加して
液面に泡を形成しアンモニアの逸散を防ぐ。
の延長。 【構成】 アンモニアと過酸化水素と水からなるアル
カリ性シリコンウェーハ洗浄液に界面活性剤を添加して
液面に泡を形成しアンモニアの逸散を防ぐ。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアルカリ性シリコンウェ
ーハ洗浄液の改良に関する。より詳細に言えば、シリコ
ンウェーハは主としてそれに付着している切削研摩に使
用された油を除去するために洗浄され、その洗浄液はア
ルカリ洗浄液と酸性洗浄液があるが、本発明はアルカリ
洗浄液の改良に関する。
ーハ洗浄液の改良に関する。より詳細に言えば、シリコ
ンウェーハは主としてそれに付着している切削研摩に使
用された油を除去するために洗浄され、その洗浄液はア
ルカリ洗浄液と酸性洗浄液があるが、本発明はアルカリ
洗浄液の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】今日使用されているアルカリ洗浄液はア
ンモニアと過酸化水素と超純水からなる。シリコンウェ
ーハはかごに容れられて、この溶液を満たした槽に浸漬
され揺動され、引き上げられる。洗浄は何段階かに為さ
れ、後の段階になる程洗浄液の不純物に対する制限は厳
しくなる。本発明はどちらかと言えば、初期段階の洗浄
に適する。
ンモニアと過酸化水素と超純水からなる。シリコンウェ
ーハはかごに容れられて、この溶液を満たした槽に浸漬
され揺動され、引き上げられる。洗浄は何段階かに為さ
れ、後の段階になる程洗浄液の不純物に対する制限は厳
しくなる。本発明はどちらかと言えば、初期段階の洗浄
に適する。
【0003】
【発明の課題】アンモニアを含む洗浄液の一つの問題は
アンモニアが蒸発逸散して、洗浄液の消耗が早く、作業
環境上も好ましくないことである。本発明はこれを解決
しようとすることである。
アンモニアが蒸発逸散して、洗浄液の消耗が早く、作業
環境上も好ましくないことである。本発明はこれを解決
しようとすることである。
【課題解決の手段】上記の課題は、洗浄液に界面活性剤
を加えて発泡させ、液表面に泡の層を形成して、それに
よってアンモニアの逸散を防止する。
を加えて発泡させ、液表面に泡の層を形成して、それに
よってアンモニアの逸散を防止する。
【0004】
【発明の構成】本発明はアンモニアと過酸化水素を主成
分とし、1〜10000ppmの界面活性剤を含み残部
水よりなるシリコンウェーハ洗浄液を提供する。界面活
性剤はアニオン型、ノニオン型、カチオン型のいずれも
使用できるが、目的が発泡であるのでカチオン型より
は、ノニオン型、アニオン型が好ましく、特にノニオン
型、エーテル型およびエステル型のものが好ましい。使
用しやすいものはポリオキシエチレンノニルエーテルの
ようなポリオキシエチレンアルキルエーテルである。
分とし、1〜10000ppmの界面活性剤を含み残部
水よりなるシリコンウェーハ洗浄液を提供する。界面活
性剤はアニオン型、ノニオン型、カチオン型のいずれも
使用できるが、目的が発泡であるのでカチオン型より
は、ノニオン型、アニオン型が好ましく、特にノニオン
型、エーテル型およびエステル型のものが好ましい。使
用しやすいものはポリオキシエチレンノニルエーテルの
ようなポリオキシエチレンアルキルエーテルである。
【0005】その混合量は1ppm未満では発泡効果が
少なく10000ppmを超えると、発泡効果も飽和
し、ウェーハ表面での残留量が多くなるので好ましくな
い。本発明のウェーハ洗浄液は安定剤として少量(1%
以下)のリン酸二水素アンモニウムを含有することがで
きる。本発明の洗浄液では、液面にアンモニアを分散質
とする液中気型コロイド、即ち泡を生じ、それがアンモ
ニアの逸散を防止する。
少なく10000ppmを超えると、発泡効果も飽和
し、ウェーハ表面での残留量が多くなるので好ましくな
い。本発明のウェーハ洗浄液は安定剤として少量(1%
以下)のリン酸二水素アンモニウムを含有することがで
きる。本発明の洗浄液では、液面にアンモニアを分散質
とする液中気型コロイド、即ち泡を生じ、それがアンモ
ニアの逸散を防止する。
【0006】
【発明の具体的開示】本発明を実施例によって具体的に
説明する。アンモニア0.05%、過酸化水素0.05
%、ポリオキシエチレンノニルエーテル0.5%を含む
洗浄液を、そのまま、および通常洗浄時に汚染物として
入り込んで来るCuおよびFeをそれぞれ10ppb含
ませて80℃に保った。別に同じ量のアンモニアと過酸
化水素を含み、界面活性剤とりん酸化合物を含まない洗
浄液について同じ操作をした。結果は図1に示されてい
る。
説明する。アンモニア0.05%、過酸化水素0.05
%、ポリオキシエチレンノニルエーテル0.5%を含む
洗浄液を、そのまま、および通常洗浄時に汚染物として
入り込んで来るCuおよびFeをそれぞれ10ppb含
ませて80℃に保った。別に同じ量のアンモニアと過酸
化水素を含み、界面活性剤とりん酸化合物を含まない洗
浄液について同じ操作をした。結果は図1に示されてい
る。
【0007】図1によれば、金属汚染がない場合、従来
の洗浄液(白丸)では、アンモニアの濃度は18分で半
減している。これに対して本発明の洗浄液(黒丸)で
は、60分経過しても80%が残留している。10pp
bのCuまたはFe汚染がある場合、従来の洗浄液で
は、アンモニアは15分で半減するが、本発明の洗浄液
では半減するには45分を要している。
の洗浄液(白丸)では、アンモニアの濃度は18分で半
減している。これに対して本発明の洗浄液(黒丸)で
は、60分経過しても80%が残留している。10pp
bのCuまたはFe汚染がある場合、従来の洗浄液で
は、アンモニアは15分で半減するが、本発明の洗浄液
では半減するには45分を要している。
【0008】
【発明の効果】本発明の洗浄液は確実にアンモニアの逸
散を抑制できる。
散を抑制できる。
【図1】 80℃に保ったアルカリ性シリコンウェーハ
洗浄液の金属不純物を含む場合と含まない場合のアンモ
ニアの減少を本発明のものと従来のものと比較して示す
グラフである。
洗浄液の金属不純物を含む場合と含まない場合のアンモ
ニアの減少を本発明のものと従来のものと比較して示す
グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 森田 悦郎 千葉県野田市西三ケ尾金打314 三菱マテ リアルシリコン株式会社プロセス技術部内
Claims (4)
- 【請求項1】 アンモニアと過酸化水素を主成分とし、
1〜10000ppmの界面活性剤を含み残部水よりな
るシリコンウェーハ洗浄液。 - 【請求項2】 界面活性剤がノニオン型である請求項1
に記載のシリコンウェーハ洗浄液。 - 【請求項3】 ノニオン型界面活性剤がポリオキシエチ
レンアルキルエーテルである請求項2に記載のシリコン
ウェーハ洗浄液。 - 【請求項4】 さらに、1%以下のりん酸二水素アンモ
ニウムを含む上記いずれかの項に記載のシリコンウェー
ハ洗浄液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34997592A JPH06177101A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 改良されたシリコンウェーハ洗浄液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34997592A JPH06177101A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 改良されたシリコンウェーハ洗浄液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06177101A true JPH06177101A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18407383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34997592A Pending JPH06177101A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 改良されたシリコンウェーハ洗浄液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06177101A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996021942A1 (fr) * | 1995-01-13 | 1996-07-18 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de nettoyage de substrats |
US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
JP2003221600A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-08-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 基板表面洗浄液及び洗浄方法 |
JP2007517401A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-28 | ラム リサーチ コーポレイション | 圧縮及び/又は加圧発泡体、気泡、及び/又は液体を用いて半導体ウェーハを洗浄するための方法及び装置 |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP34997592A patent/JPH06177101A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996021942A1 (fr) * | 1995-01-13 | 1996-07-18 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de nettoyage de substrats |
US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
US6319330B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
JP2003221600A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-08-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 基板表面洗浄液及び洗浄方法 |
JP2007517401A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-28 | ラム リサーチ コーポレイション | 圧縮及び/又は加圧発泡体、気泡、及び/又は液体を用いて半導体ウェーハを洗浄するための方法及び装置 |
US8535451B2 (en) | 2003-12-23 | 2013-09-17 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000125 |