JPH06171965A - 多孔質ガラス体の形成方法 - Google Patents
多孔質ガラス体の形成方法Info
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- JPH06171965A JPH06171965A JP4349698A JP34969892A JPH06171965A JP H06171965 A JPH06171965 A JP H06171965A JP 4349698 A JP4349698 A JP 4349698A JP 34969892 A JP34969892 A JP 34969892A JP H06171965 A JPH06171965 A JP H06171965A
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- glass body
- porous glass
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/0144—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
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- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外付けＣＶＤ法において、滑らかな表面の傾
斜端部をもつ多孔質ガラス体を合理的に形成することの
できる方法を提供する。 【構成】 外付けＣＶＤ法でターゲット２１の外周面に
ガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス体２２を形成し
ているとき、光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの撮像機
器３２を介して多孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａ、
２３Ｂをモニタするとともに、当該傾斜端部２３Ａ、２
３Ｂのモニタ情報に基づく制御信号を吸引制御機器５１
から吸引装置４１Ａ、４１Ｂへ入力してこれを制御す
る。 【効果】 多孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａ、２３
Ｂ表面が合理的に平滑化される。このような多孔質ガラ
ス体２２を透明ガラス化した後に行なわれるガラス母材
の線引工程が早期に安定する。
斜端部をもつ多孔質ガラス体を合理的に形成することの
できる方法を提供する。 【構成】 外付けＣＶＤ法でターゲット２１の外周面に
ガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス体２２を形成し
ているとき、光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの撮像機
器３２を介して多孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａ、
２３Ｂをモニタするとともに、当該傾斜端部２３Ａ、２
３Ｂのモニタ情報に基づく制御信号を吸引制御機器５１
から吸引装置４１Ａ、４１Ｂへ入力してこれを制御す
る。 【効果】 多孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａ、２３
Ｂ表面が合理的に平滑化される。このような多孔質ガラ
ス体２２を透明ガラス化した後に行なわれるガラス母材
の線引工程が早期に安定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は外付けＣＶＤ法を介して
ターゲットの外周面に多孔質ガラス体を形成するための
方法に関する。
ターゲットの外周面に多孔質ガラス体を形成するための
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ用、イメージファイバ用、ラ
イトガイド用、ロッドレンズ用の各母材を作製する際の
一手段として、外付けＣＶＤ法が広く知られている。
イトガイド用、ロッドレンズ用の各母材を作製する際の
一手段として、外付けＣＶＤ法が広く知られている。
【０００３】上述した外付けＣＶＤ法を実施するための
手段は、図４に略示されているように、排気口２を有す
る反応容器１内に、棒状または管状からなるガラス微粒
子堆積用の長いターゲット３と、多重管構造からなるガ
ラス微粒子生成用のバーナ４とを備えている。
手段は、図４に略示されているように、排気口２を有す
る反応容器１内に、棒状または管状からなるガラス微粒
子堆積用の長いターゲット３と、多重管構造からなるガ
ラス微粒子生成用のバーナ４とを備えている。
【０００４】図４において外付けＣＶＤ法を実施すると
き、たとえば、石英系のガラス微粒子を生成しているバ
ーナ４を、定位置で回転しているターゲット３の軸線方
向沿いに往復動させつつ、バーナ４から噴射されたガラ
ス微粒子をターゲット３の外周面に堆積させて、ターゲ
ット３の外周面上に多孔質ガラス体５を形成する。この
ようにして形成される多孔質ガラス体５の場合、その両
端部に円錐形の傾斜端部６Ａ、６Ｂが生じる。これは、
多孔質ガラス体５の両端部において、バーナ４の火炎が
テーパ状に拡散していること、ガラス微粒子の堆積量が
他部よりも少ないことによる。
き、たとえば、石英系のガラス微粒子を生成しているバ
ーナ４を、定位置で回転しているターゲット３の軸線方
向沿いに往復動させつつ、バーナ４から噴射されたガラ
ス微粒子をターゲット３の外周面に堆積させて、ターゲ
ット３の外周面上に多孔質ガラス体５を形成する。この
ようにして形成される多孔質ガラス体５の場合、その両
端部に円錐形の傾斜端部６Ａ、６Ｂが生じる。これは、
多孔質ガラス体５の両端部において、バーナ４の火炎が
テーパ状に拡散していること、ガラス微粒子の堆積量が
他部よりも少ないことによる。
【０００５】上述した多孔質ガラス体５は、その後、脱
泡、脱水、透明ガラス化などの各処理を受けて透明な石
英系ガラス母材に仕上げられる。さらに、透明な石英系
ガラス母材は、外径調整工程を経た後、線引工程で線引
きされて光ファイバに仕上げられる。
泡、脱水、透明ガラス化などの各処理を受けて透明な石
英系ガラス母材に仕上げられる。さらに、透明な石英系
ガラス母材は、外径調整工程を経た後、線引工程で線引
きされて光ファイバに仕上げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】最近の傾向として、母
材の生産性を高めるために工程の自動化、省力化が検討
され、その対策の一つとして、透明ガラス化後の石英系
ガラス母材を外径調整することなく線引工程にかける提
案がなされている。
材の生産性を高めるために工程の自動化、省力化が検討
され、その対策の一つとして、透明ガラス化後の石英系
ガラス母材を外径調整することなく線引工程にかける提
案がなされている。
【０００７】しかし、この提案によるときは、多孔質ガ
ラス体５の傾斜端部６Ａ、６Ｂに起因した不都合が線引
工程において生じる。すなわち、前述した外付けＣＶＤ
法によるとき、多孔質ガラス体５の傾斜端部６Ａ、６Ｂ
に凹凸、段差が生じ、しかも、これらの凹凸、段差が、
多孔質ガラス体５を透明ガラス化した後も残存するの
で、透明な石英系ガラス母材をその傾斜端部から線引き
するとき、光ファイバの外径が安定するまでに多くの時
間を要する。ゆえに、線引工程初期の早期安定化を期す
ることができず、これが光ファイバをつくるまでの生産
性、合理化を妨げることとなる。
ラス体５の傾斜端部６Ａ、６Ｂに起因した不都合が線引
工程において生じる。すなわち、前述した外付けＣＶＤ
法によるとき、多孔質ガラス体５の傾斜端部６Ａ、６Ｂ
に凹凸、段差が生じ、しかも、これらの凹凸、段差が、
多孔質ガラス体５を透明ガラス化した後も残存するの
で、透明な石英系ガラス母材をその傾斜端部から線引き
するとき、光ファイバの外径が安定するまでに多くの時
間を要する。ゆえに、線引工程初期の早期安定化を期す
ることができず、これが光ファイバをつくるまでの生産
性、合理化を妨げることとなる。
【０００８】［発明の目的］本発明はこのような技術的
課題に鑑み、凹凸や段差などのない滑らかな表面の傾斜
端部をもつ多孔質ガラス体を合理的に形成することので
きる方法を提供しようとするものである。
課題に鑑み、凹凸や段差などのない滑らかな表面の傾斜
端部をもつ多孔質ガラス体を合理的に形成することので
きる方法を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は所期の目的を達
成するために、ガラス微粒子堆積用のターゲットとガラ
ス微粒子生成用のバーナとが内装されている反応容器内
において、回転しているターゲットとガラス微粒子を生
成しているバーナとをターゲットの軸線方向へ相対移動
させつつ、バーナから噴射されたガラス微粒子をターゲ
ットの外周面に堆積させて、先細り形状の傾斜端部を有
する多孔質ガラス体をターゲットの外周面上に形成する
方法において、撮像機器を有する光学系モニタ装置と、
吸引口を有する吸引装置と、吸引装置を制御するための
吸引制御機器とを用意して、光学系モニタ装置の撮像機
器および吸引装置の吸引口を、多孔質ガラス体の傾斜端
部と対応する位置にそれぞれ配置しておき、かつ、前記
のごとくターゲットの外周面にガラス微粒子を堆積させ
て多孔質ガラス体を形成しているとき、光学系モニタ装
置の撮像機器を介して多孔質ガラス体の傾斜端部をモニ
タするとともに当該傾斜端部のモニタ情報に基づく制御
信号を吸引制御機器から吸引装置へ入力して吸引装置を
制御することを特徴とする。上記に関する一例として、
吸引装置における吸引管の吸引口が多孔質ガラス体の傾
斜端部に沿い移動自在なるように配置される。上記に関
する他の一例として、吸引装置における吸引管が列状の
吸引口を備えてなり、その列状吸引口が多孔質ガラス体
の傾斜端部に沿って配置される。
成するために、ガラス微粒子堆積用のターゲットとガラ
ス微粒子生成用のバーナとが内装されている反応容器内
において、回転しているターゲットとガラス微粒子を生
成しているバーナとをターゲットの軸線方向へ相対移動
させつつ、バーナから噴射されたガラス微粒子をターゲ
ットの外周面に堆積させて、先細り形状の傾斜端部を有
する多孔質ガラス体をターゲットの外周面上に形成する
方法において、撮像機器を有する光学系モニタ装置と、
吸引口を有する吸引装置と、吸引装置を制御するための
吸引制御機器とを用意して、光学系モニタ装置の撮像機
器および吸引装置の吸引口を、多孔質ガラス体の傾斜端
部と対応する位置にそれぞれ配置しておき、かつ、前記
のごとくターゲットの外周面にガラス微粒子を堆積させ
て多孔質ガラス体を形成しているとき、光学系モニタ装
置の撮像機器を介して多孔質ガラス体の傾斜端部をモニ
タするとともに当該傾斜端部のモニタ情報に基づく制御
信号を吸引制御機器から吸引装置へ入力して吸引装置を
制御することを特徴とする。上記に関する一例として、
吸引装置における吸引管の吸引口が多孔質ガラス体の傾
斜端部に沿い移動自在なるように配置される。上記に関
する他の一例として、吸引装置における吸引管が列状の
吸引口を備えてなり、その列状吸引口が多孔質ガラス体
の傾斜端部に沿って配置される。
【００１０】
【作用】本発明方法によるときは、外付けＣＶＤ法を介
してターゲットの外周面上に多孔質ガラス体を形成して
いるときに、多孔質ガラス体の傾斜端部を光学系モニタ
装置でとらえ、かつ、その傾斜端部に関する情報に基づ
いて吸引装置を吸引制御機器により制御する。たとえ
ば、傾斜端部の一部分が他の部分よりも膨らむような不
良傾向が出はじめたとき、その不良発生箇所の吸気量を
増して膨らみ現象を解消するとともに、傾斜端部の一部
分が他の部分よりも窪むような不良傾向が出はじめたと
き、その不良発生箇所の吸気量を減じて窪み現象を解消
する。このように、多孔質ガラス体の傾斜端部をモニタ
しつつ、傾斜端部付近の吸気量を制御するとき、多孔質
ガラス体の傾斜端部は、凹凸、段差などをともなうこと
なく滑らかに仕上がる。
してターゲットの外周面上に多孔質ガラス体を形成して
いるときに、多孔質ガラス体の傾斜端部を光学系モニタ
装置でとらえ、かつ、その傾斜端部に関する情報に基づ
いて吸引装置を吸引制御機器により制御する。たとえ
ば、傾斜端部の一部分が他の部分よりも膨らむような不
良傾向が出はじめたとき、その不良発生箇所の吸気量を
増して膨らみ現象を解消するとともに、傾斜端部の一部
分が他の部分よりも窪むような不良傾向が出はじめたと
き、その不良発生箇所の吸気量を減じて窪み現象を解消
する。このように、多孔質ガラス体の傾斜端部をモニタ
しつつ、傾斜端部付近の吸気量を制御するとき、多孔質
ガラス体の傾斜端部は、凹凸、段差などをともなうこと
なく滑らかに仕上がる。
【００１１】
【実施例】本発明に係る多孔質ガラス体の形成方法につ
いて、図示の実施例を参照して説明する。図１、図２に
おいて、１１は排気口１２を有する反応容器、１３Ａ、
１３Ｂは一対の回転チャック、１４は多重管構造からな
るガラス微粒子生成用のバーナ、２１はターゲット、２
２は多孔質ガラス体、３１Ａ、３１Ｂは一対の光学系モ
ニタ装置、４１Ａ、４１Ｂは一対の吸引装置、５１は吸
引制御機器を示す。
いて、図示の実施例を参照して説明する。図１、図２に
おいて、１１は排気口１２を有する反応容器、１３Ａ、
１３Ｂは一対の回転チャック、１４は多重管構造からな
るガラス微粒子生成用のバーナ、２１はターゲット、２
２は多孔質ガラス体、３１Ａ、３１Ｂは一対の光学系モ
ニタ装置、４１Ａ、４１Ｂは一対の吸引装置、５１は吸
引制御機器を示す。
【００１２】反応容器１１は一例として石英からなり、
その内部には、ガラス旋盤の一部分である前記回転チャ
ック１３Ａ、１３Ｂ、ガラス旋盤の他部分である前記バ
ーナ１４などが配置される。
その内部には、ガラス旋盤の一部分である前記回転チャ
ック１３Ａ、１３Ｂ、ガラス旋盤の他部分である前記バ
ーナ１４などが配置される。
【００１３】反応容器１１内に配置されたガラス微粒子
生成用バーナ１４は、一例として、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣ
ｌ4 、ＰＯＣｌ3 、ＢＣｌ3 のごときガラス原料（気
相）、ドープ原料（気相）の供給を受ける原料ガス流路
と、水素、メタン、プロパン、ブタンのごとき易燃性ガ
スの単体または混合体からなる燃料ガスの供給を受ける
燃料ガス流路と、支燃ガスとしてＯ2 の供給を受ける支
燃ガス流路とを備えた多重管構造からなり、他の一例と
して、これらの流路以外に緩衝ガス用のガス流路をも備
えた多重管構造からなる。かかるバーナ１４の場合、公
知ないし周知のトラバース機構１５を介して両回転チャ
ック１３Ａ、１３Ｂ間を往復動するように支持され、か
つ、これの各流路には反応容器１１外から導かれた所定
の各ガス管がそれぞれ接続され、これら配管系にはマス
フローコントローラのごとき流量制御器１６、各種ガス
ボンベ（図示せず）などが備えつけられる。
生成用バーナ１４は、一例として、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣ
ｌ4 、ＰＯＣｌ3 、ＢＣｌ3 のごときガラス原料（気
相）、ドープ原料（気相）の供給を受ける原料ガス流路
と、水素、メタン、プロパン、ブタンのごとき易燃性ガ
スの単体または混合体からなる燃料ガスの供給を受ける
燃料ガス流路と、支燃ガスとしてＯ2 の供給を受ける支
燃ガス流路とを備えた多重管構造からなり、他の一例と
して、これらの流路以外に緩衝ガス用のガス流路をも備
えた多重管構造からなる。かかるバーナ１４の場合、公
知ないし周知のトラバース機構１５を介して両回転チャ
ック１３Ａ、１３Ｂ間を往復動するように支持され、か
つ、これの各流路には反応容器１１外から導かれた所定
の各ガス管がそれぞれ接続され、これら配管系にはマス
フローコントローラのごとき流量制御器１６、各種ガス
ボンベ（図示せず）などが備えつけられる。
【００１４】ターゲット２１は棒状または管状の長い基
体からなり、その一例として石英系のガラス棒をあげる
ことができ、他の一例として石英系のガラス管をあげる
ことができる。このようなターゲット２１の外周面に
は、すでに、多孔質ガラス体が層状に形成されているこ
ともある。
体からなり、その一例として石英系のガラス棒をあげる
ことができ、他の一例として石英系のガラス管をあげる
ことができる。このようなターゲット２１の外周面に
は、すでに、多孔質ガラス体が層状に形成されているこ
ともある。
【００１５】一対の光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂ
は、それぞれ、撮像機器３２、信号処理部３３、モニタ
部３４、情報記録部３５などを備えている。なお、撮像
機器３２は、一例として、ＩＴＶ（工業テレビジョン）
カメラからなり、モニタ部３４は、一例として、ＣＲＴ
からなる。これら光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの各
撮像機器３２は、後述する多孔質ガラス体２２の傾斜端
部２３Ａ、２３Ｂと対応して配置される。この場合の各
撮像機器３２は、通常、反応容器１１内に配置されて多
孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに接近する
が、反応容器１１が石英のごとき透明体であるとき、そ
の反応容器１１外に配置されて多孔質ガラス体２２の傾
斜端部２３Ａ、２３Ｂに向けられることがある。
は、それぞれ、撮像機器３２、信号処理部３３、モニタ
部３４、情報記録部３５などを備えている。なお、撮像
機器３２は、一例として、ＩＴＶ（工業テレビジョン）
カメラからなり、モニタ部３４は、一例として、ＣＲＴ
からなる。これら光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの各
撮像機器３２は、後述する多孔質ガラス体２２の傾斜端
部２３Ａ、２３Ｂと対応して配置される。この場合の各
撮像機器３２は、通常、反応容器１１内に配置されて多
孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに接近する
が、反応容器１１が石英のごとき透明体であるとき、そ
の反応容器１１外に配置されて多孔質ガラス体２２の傾
斜端部２３Ａ、２３Ｂに向けられることがある。
【００１６】一対の吸引装置４１Ａ、４１Ｂは、それぞ
れ、吸引式ポンプ、吸引式ブロワのごとき吸引機械４２
を有する吸引管４３と、押引式またはネジ送り式の駆動
手段を有する案内機構４５とを主体にして構成されてい
る。これら吸引装置４１Ａ、４１Ｂにおける吸引管４３
の吸引口４４は、反応容器１１内において多孔質ガラス
体２２の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂと対応して配置され、
かつ、該各傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの傾斜方向に沿って
往復動自在なるように、それぞれの案内機構４５を介し
て支持される。
れ、吸引式ポンプ、吸引式ブロワのごとき吸引機械４２
を有する吸引管４３と、押引式またはネジ送り式の駆動
手段を有する案内機構４５とを主体にして構成されてい
る。これら吸引装置４１Ａ、４１Ｂにおける吸引管４３
の吸引口４４は、反応容器１１内において多孔質ガラス
体２２の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂと対応して配置され、
かつ、該各傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの傾斜方向に沿って
往復動自在なるように、それぞれの案内機構４５を介し
て支持される。
【００１７】吸引制御機器５１は、たとえば、ＣＰＵを
備えたコンピュータからなり、所定の測定信号を受けた
ときに、これを電子的ないし電子的に処理して、ＰＩＤ
動作用の制御信号を出力することができる。かかる吸引
制御機器５１は、光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの各
信号処理部３３と相互に接続されているとともに、吸引
機械４２、案内機構４５の各駆動部と相互に接続されて
いる。
備えたコンピュータからなり、所定の測定信号を受けた
ときに、これを電子的ないし電子的に処理して、ＰＩＤ
動作用の制御信号を出力することができる。かかる吸引
制御機器５１は、光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの各
信号処理部３３と相互に接続されているとともに、吸引
機械４２、案内機構４５の各駆動部と相互に接続されて
いる。
【００１８】図１に例示した反応容器１１内において、
ターゲット２１の外周面に多孔質ガラス体２２を形成す
べく外付けＣＶＤ法を実施するとき、ターゲット２１
は、これの両端を一対の回転チャック１３Ａ、１３Ｂに
より保持して定位置回転させ、気相のガラス原料、燃料
ガス、支燃ガスなどの供給を受けたバーナ１４は、これ
ら各ガスを燃焼状態にして石英系のガラス微粒子を生成
しながらターゲット２１の軸線方向に往復動させる。こ
のようにした場合、回転状態にあるターゲット２１の外
周面上には、バーナ１４から連続的に噴射されるガラス
微粒子が堆積成長するので、多孔質ガラス体２２が形成
されることとなり、かつ、多孔質ガラス体２２の両端に
は、既述の理由により、傾斜端部２３Ａ、２３Ｂが生じ
る。
ターゲット２１の外周面に多孔質ガラス体２２を形成す
べく外付けＣＶＤ法を実施するとき、ターゲット２１
は、これの両端を一対の回転チャック１３Ａ、１３Ｂに
より保持して定位置回転させ、気相のガラス原料、燃料
ガス、支燃ガスなどの供給を受けたバーナ１４は、これ
ら各ガスを燃焼状態にして石英系のガラス微粒子を生成
しながらターゲット２１の軸線方向に往復動させる。こ
のようにした場合、回転状態にあるターゲット２１の外
周面上には、バーナ１４から連続的に噴射されるガラス
微粒子が堆積成長するので、多孔質ガラス体２２が形成
されることとなり、かつ、多孔質ガラス体２２の両端に
は、既述の理由により、傾斜端部２３Ａ、２３Ｂが生じ
る。
【００１９】上述した外付けＣＶＤ法により多孔質ガラ
ス体２２を形成しているとき、一対の光学系モニタ装置
３１Ａ、３１Ｂは、撮像機器３２を介して多孔質ガラス
体２２の両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂを画像としてとら
え、かつ、かかる画像（両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに関
する情報）を、各信号処理部３３から各モニタ部３４、
各情報記録部３５へ入力する。したがって、両傾斜端部
２３Ａ、２３Ｂの画像が各モニタ部３４に表示され、両
傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの測定データ（勾配、表面平滑
度など）が各情報記録部３５により記録される。
ス体２２を形成しているとき、一対の光学系モニタ装置
３１Ａ、３１Ｂは、撮像機器３２を介して多孔質ガラス
体２２の両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂを画像としてとら
え、かつ、かかる画像（両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに関
する情報）を、各信号処理部３３から各モニタ部３４、
各情報記録部３５へ入力する。したがって、両傾斜端部
２３Ａ、２３Ｂの画像が各モニタ部３４に表示され、両
傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの測定データ（勾配、表面平滑
度など）が各情報記録部３５により記録される。
【００２０】上記において、両光学系モニタ装置３１
Ａ、３１Ｂの撮像機器３２でとらえた両傾斜端部２３
Ａ、２３Ｂに関する情報は、各信号処理部３３から吸引
制御機器５１にも入力される。これを受けた吸引制御機
器５１は、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂが良好であるか否
かを電子的ないし電子的に演算処理により判定し、その
判定結果に基づいて、二系統の吸引装置４１Ａ、４１Ｂ
を個別に制御する。たとえば、一方の傾斜端部２３Ａに
おいて、これの表面に部分的な隆起が発生しはじめたと
き、吸引制御機器５１は、前記傾斜端部２３Ａの情報に
基づいて隆起の度合い（大きさ）、膨らみ箇所の位置を
判定し、これらに応じた所定の制御信号を一方の吸引装
置４１Ａへ入力する。このとき、吸引制御機器５１から
出力される信号の一つは、隆起の度合いに応じて吸引機
械４２の吸引量（単位時間あたりの吸気量）と吸引機械
４２の運転時間とを決めるための吸引制御信号であり、
吸引制御機器５１から出力される信号の他の一つは、膨
らみ箇所の位置を指示するための位置制御信号である。
これら両信号のうち、吸引制御信号が吸引装置４１Ａの
吸引機械４２へ、位置制御信号が吸引装置４１Ａの案内
機構４５へそれぞれ入力されるので、吸引装置４１Ａ
は、位置制御信号を入力された案内機構４５を介して吸
引管４３の吸引口４４を傾斜端部２３Ａの膨らみ箇所へ
移動させ、かつ、吸引制御信号を受けた吸引機械４２の
吸引作用により、傾斜端部２３Ａの膨らみ箇所付近を所
定時間だけ集中的に吸引する。
Ａ、３１Ｂの撮像機器３２でとらえた両傾斜端部２３
Ａ、２３Ｂに関する情報は、各信号処理部３３から吸引
制御機器５１にも入力される。これを受けた吸引制御機
器５１は、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂが良好であるか否
かを電子的ないし電子的に演算処理により判定し、その
判定結果に基づいて、二系統の吸引装置４１Ａ、４１Ｂ
を個別に制御する。たとえば、一方の傾斜端部２３Ａに
おいて、これの表面に部分的な隆起が発生しはじめたと
き、吸引制御機器５１は、前記傾斜端部２３Ａの情報に
基づいて隆起の度合い（大きさ）、膨らみ箇所の位置を
判定し、これらに応じた所定の制御信号を一方の吸引装
置４１Ａへ入力する。このとき、吸引制御機器５１から
出力される信号の一つは、隆起の度合いに応じて吸引機
械４２の吸引量（単位時間あたりの吸気量）と吸引機械
４２の運転時間とを決めるための吸引制御信号であり、
吸引制御機器５１から出力される信号の他の一つは、膨
らみ箇所の位置を指示するための位置制御信号である。
これら両信号のうち、吸引制御信号が吸引装置４１Ａの
吸引機械４２へ、位置制御信号が吸引装置４１Ａの案内
機構４５へそれぞれ入力されるので、吸引装置４１Ａ
は、位置制御信号を入力された案内機構４５を介して吸
引管４３の吸引口４４を傾斜端部２３Ａの膨らみ箇所へ
移動させ、かつ、吸引制御信号を受けた吸引機械４２の
吸引作用により、傾斜端部２３Ａの膨らみ箇所付近を所
定時間だけ集中的に吸引する。
【００２１】かくて、傾斜端部２３Ａに発生しようとす
る部分的な膨らみ現象がリアルタイムで抑制され、傾斜
端部２３Ａは、図２のごとく平滑な円錐傾斜面に仕上が
る。
る部分的な膨らみ現象がリアルタイムで抑制され、傾斜
端部２３Ａは、図２のごとく平滑な円錐傾斜面に仕上が
る。
【００２２】上述した光学系モニタ装置３１Ａ、吸引制
御機器５１、吸引装置４１Ａによる一連の吸引制御は、
たとえば、ＰＩＤ動作を含むフィードバック制御により
行なわれ、傾斜端部２３Ａの上記膨らみ現象が解消され
た時点で吸引装置４１Ａの運転が止まり、吸引装置４１
Ａが元の位置に復帰する。
御機器５１、吸引装置４１Ａによる一連の吸引制御は、
たとえば、ＰＩＤ動作を含むフィードバック制御により
行なわれ、傾斜端部２３Ａの上記膨らみ現象が解消され
た時点で吸引装置４１Ａの運転が止まり、吸引装置４１
Ａが元の位置に復帰する。
【００２３】多孔質ガラス体２２の他方の傾斜端部２３
Ｂに部分的な膨らみが発生しはじめたときも、光学系モ
ニタ装置３１Ｂ、吸引制御機器５１、吸引装置４１Ｂを
介した前記と同様の吸引制御により、当該傾斜端部２３
Ｂの膨らみ現象を抑制する。その他、多孔質ガラス体２
２の両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに部分的な膨らみが同時
発生しはじめたときも、両光学系モニタ装置３１Ａ、３
１Ｂ、吸引制御機器５１、両吸引装置４１Ａ、４１Ｂを
介して、これらの膨らみ現象を前記と同様に抑制する。
さらに、上述した吸引制御は、多孔質ガラス体２２の形
成を終えるまでの間において、既述の膨らみ現象が両傾
斜端部２３Ａ、２２Ｂのいずれか一方または両方に発生
するつど行なわれる。
Ｂに部分的な膨らみが発生しはじめたときも、光学系モ
ニタ装置３１Ｂ、吸引制御機器５１、吸引装置４１Ｂを
介した前記と同様の吸引制御により、当該傾斜端部２３
Ｂの膨らみ現象を抑制する。その他、多孔質ガラス体２
２の両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに部分的な膨らみが同時
発生しはじめたときも、両光学系モニタ装置３１Ａ、３
１Ｂ、吸引制御機器５１、両吸引装置４１Ａ、４１Ｂを
介して、これらの膨らみ現象を前記と同様に抑制する。
さらに、上述した吸引制御は、多孔質ガラス体２２の形
成を終えるまでの間において、既述の膨らみ現象が両傾
斜端部２３Ａ、２２Ｂのいずれか一方または両方に発生
するつど行なわれる。
【００２４】図１、図２に例示した外付けＣＶＤ法にお
いて多孔質ガラス体２２を形成するとき、つぎのように
吸引制御してもよい。その一つは、両吸引装置４１Ａ、
４１Ｂの各吸引口４４を多孔質ガラス体２２の両傾斜端
部２３Ａ、２３Ｂに沿い一定速度で往復動させ、かつ、
これら吸引口４４の往動時および／または復動時、両吸
引装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力（吸引量）を一定に保持
することである。このようにした場合、両吸引装置４１
Ａ、４１Ｂを介して発生させた吸気流により、凹凸の原
因となるガラス微粒子群が両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの
表面から取り除かれたり両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの表
面に付着することなく吸引されるので、これら傾斜端部
２３Ａ、２３Ｂの表面に凹凸が生じない。他の一つは、
平時、両吸引装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力（吸引量）を
一定に保持してこれらの各吸引口４４を多孔質ガラス体
２２の両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに沿い一定速度で移動
させながら、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに凹凸が発生し
はじめたときに、凸部（膨らみ箇所）に対して両吸引装
置４１Ａ、４１Ｂの吸引力を増強させるとともに吸引口
４４の通過速度を低速にし（または吸引口４４を一時的
に停滞させ）、かつ、凹部（窪み箇所）に対して両吸引
装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力を減弱させるとともに吸引
口４４の通過速度を高速にすることである。この例のよ
うに、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの凹部、凸部に対して
両吸引装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力、吸引口４４の通過
速度を加減する場合も、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂには
凹凸が生ぜず、これらが平滑に仕上がる。
いて多孔質ガラス体２２を形成するとき、つぎのように
吸引制御してもよい。その一つは、両吸引装置４１Ａ、
４１Ｂの各吸引口４４を多孔質ガラス体２２の両傾斜端
部２３Ａ、２３Ｂに沿い一定速度で往復動させ、かつ、
これら吸引口４４の往動時および／または復動時、両吸
引装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力（吸引量）を一定に保持
することである。このようにした場合、両吸引装置４１
Ａ、４１Ｂを介して発生させた吸気流により、凹凸の原
因となるガラス微粒子群が両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの
表面から取り除かれたり両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの表
面に付着することなく吸引されるので、これら傾斜端部
２３Ａ、２３Ｂの表面に凹凸が生じない。他の一つは、
平時、両吸引装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力（吸引量）を
一定に保持してこれらの各吸引口４４を多孔質ガラス体
２２の両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに沿い一定速度で移動
させながら、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに凹凸が発生し
はじめたときに、凸部（膨らみ箇所）に対して両吸引装
置４１Ａ、４１Ｂの吸引力を増強させるとともに吸引口
４４の通過速度を低速にし（または吸引口４４を一時的
に停滞させ）、かつ、凹部（窪み箇所）に対して両吸引
装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力を減弱させるとともに吸引
口４４の通過速度を高速にすることである。この例のよ
うに、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの凹部、凸部に対して
両吸引装置４１Ａ、４１Ｂの吸引力、吸引口４４の通過
速度を加減する場合も、両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂには
凹凸が生ぜず、これらが平滑に仕上がる。
【００２５】本発明方法で用いられる吸引装置４１Ａと
しては、図３に例示されたものものも有効である。図３
に例示された吸引装置４１Ａの場合、吸引管４３が列状
（アレイ状）の吸引口４４1 〜４４n を備え、かつ、こ
れら吸引口４４1 〜４４n を開閉するための各弁（電磁
弁、電動弁）Ｖ1 〜Ｖn が吸引管４３にとりつけられて
おり、かかる列状吸引口４４1 〜４４n が多孔質ガラス
体の傾斜端部２３Ａに沿うように配置される。図３に例
示された吸引装置４１Ａの場合、前述した案内機構４５
を要しない。図３において説明が省略されている吸引装
置４１Ｂも、図３の吸引装置４１Ａと同様に構成され
る。
しては、図３に例示されたものものも有効である。図３
に例示された吸引装置４１Ａの場合、吸引管４３が列状
（アレイ状）の吸引口４４1 〜４４n を備え、かつ、こ
れら吸引口４４1 〜４４n を開閉するための各弁（電磁
弁、電動弁）Ｖ1 〜Ｖn が吸引管４３にとりつけられて
おり、かかる列状吸引口４４1 〜４４n が多孔質ガラス
体の傾斜端部２３Ａに沿うように配置される。図３に例
示された吸引装置４１Ａの場合、前述した案内機構４５
を要しない。図３において説明が省略されている吸引装
置４１Ｂも、図３の吸引装置４１Ａと同様に構成され
る。
【００２６】図３の実施例において、既述の外付けＣＶ
Ｄ法により多孔質ガラス体２２を形成しているときに、
多孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａに部分的な膨らみ
が発生しはじめると、図１を参照して述べた内容に準じ
て吸引装置４１Ａが制御される。すなわち、多孔質ガラ
ス体２２の傾斜端部２３Ａに光学系モニタ装置３１Ａの
撮像機器３２でとらえた傾斜端部２３Ａに関する情報を
各信号処理部３３から吸引制御機器５１へ入力するとと
もに、吸引制御機器５１からの位置制御信号および吸引
制御信号を吸引装置４１Ａの吸引機械４２へ入力する。
Ｄ法により多孔質ガラス体２２を形成しているときに、
多孔質ガラス体２２の傾斜端部２３Ａに部分的な膨らみ
が発生しはじめると、図１を参照して述べた内容に準じ
て吸引装置４１Ａが制御される。すなわち、多孔質ガラ
ス体２２の傾斜端部２３Ａに光学系モニタ装置３１Ａの
撮像機器３２でとらえた傾斜端部２３Ａに関する情報を
各信号処理部３３から吸引制御機器５１へ入力するとと
もに、吸引制御機器５１からの位置制御信号および吸引
制御信号を吸引装置４１Ａの吸引機械４２へ入力する。
【００２７】かかる吸引装置４１Ａにおいて、位置制御
信号、吸引制御信号を受けた吸引機械４２は、傾斜端部
２３Ａの膨らみ箇所と対応する位置の吸引口（たとえ
ば、吸引口４４3 ）を弁Ｖ3 により開放し、かつ、その
膨らみ箇所付近を、制御値に基づく吸引力にて所定時間
だけ集中的に吸引する。かくて、傾斜端部２３Ａに発生
しようとする部分的な膨らみ現象が抑制され、傾斜端部
２３Ａが平滑な円錐傾斜面に仕上がる。
信号、吸引制御信号を受けた吸引機械４２は、傾斜端部
２３Ａの膨らみ箇所と対応する位置の吸引口（たとえ
ば、吸引口４４3 ）を弁Ｖ3 により開放し、かつ、その
膨らみ箇所付近を、制御値に基づく吸引力にて所定時間
だけ集中的に吸引する。かくて、傾斜端部２３Ａに発生
しようとする部分的な膨らみ現象が抑制され、傾斜端部
２３Ａが平滑な円錐傾斜面に仕上がる。
【００２８】図３の実施例において、他方の傾斜端部２
３Ｂに部分的な膨らみが発生しはじめたとき、あるい
は、両方の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに部分的な膨らみが
同時発生しはじめたときも、光学系モニタ装置３１Ａお
よび／または３１Ｂ、吸引制御機器５１、両吸引装置４
１Ａおよび／または４１Ｂを介して、これらの膨らみ現
象を前記と同様に抑制する。さらに、図３で述べた吸引
制御も、多孔質ガラス体２２の形成を終えるまでの間に
おいて、既述の膨らみ現象が両傾斜端部２３Ａ、２２Ｂ
のいずれか一方または両方に発生するつど行なわれる。
３Ｂに部分的な膨らみが発生しはじめたとき、あるい
は、両方の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに部分的な膨らみが
同時発生しはじめたときも、光学系モニタ装置３１Ａお
よび／または３１Ｂ、吸引制御機器５１、両吸引装置４
１Ａおよび／または４１Ｂを介して、これらの膨らみ現
象を前記と同様に抑制する。さらに、図３で述べた吸引
制御も、多孔質ガラス体２２の形成を終えるまでの間に
おいて、既述の膨らみ現象が両傾斜端部２３Ａ、２２Ｂ
のいずれか一方または両方に発生するつど行なわれる。
【００２９】図３に例示した外付けＣＶＤ法において多
孔質ガラス体２２を形成するとき、吸引装置４１Ａ、４
１Ｂをつぎのように制御してもよい。その一つは、各吸
引口４４1 〜４４n の弁Ｖ1 〜Ｖn を開放して、両傾斜
端部２３Ａ、２３Ｂに沿う吸気流を吸引機械４２により
定常的に発生させることであり、他の一つは、各吸引口
４４1 〜４４n の弁Ｖ1 〜Ｖn を、Ｖ1 〜Ｖn 順あるい
はＶn 〜Ｖ1 順にサイクル開閉して、吸引機械４２によ
る吸気流を両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの傾斜方向に走査
させることである。これらの吸引制御例によるときも、
図１を参照して述べたと同様に、両傾斜端部２３Ａ、２
３Ｂの表面には凹凸が生じない。
孔質ガラス体２２を形成するとき、吸引装置４１Ａ、４
１Ｂをつぎのように制御してもよい。その一つは、各吸
引口４４1 〜４４n の弁Ｖ1 〜Ｖn を開放して、両傾斜
端部２３Ａ、２３Ｂに沿う吸気流を吸引機械４２により
定常的に発生させることであり、他の一つは、各吸引口
４４1 〜４４n の弁Ｖ1 〜Ｖn を、Ｖ1 〜Ｖn 順あるい
はＶn 〜Ｖ1 順にサイクル開閉して、吸引機械４２によ
る吸気流を両傾斜端部２３Ａ、２３Ｂの傾斜方向に走査
させることである。これらの吸引制御例によるときも、
図１を参照して述べたと同様に、両傾斜端部２３Ａ、２
３Ｂの表面には凹凸が生じない。
【００３０】以上に述べたいずれかの手段で形成された
多孔質ガラス体２２は、その後、多孔質ガラス体２２
は、公知ないし周知の脱泡処理、脱水処理、透明ガラス
化処理を受けて、透明なガラスロッド（合成石英）とな
り、さらに、その後、当該ガラスロッドが、公知ないし
周知の線引手段（加熱延伸手段）により線引きされて、
光ファイバとなる。
多孔質ガラス体２２は、その後、多孔質ガラス体２２
は、公知ないし周知の脱泡処理、脱水処理、透明ガラス
化処理を受けて、透明なガラスロッド（合成石英）とな
り、さらに、その後、当該ガラスロッドが、公知ないし
周知の線引手段（加熱延伸手段）により線引きされて、
光ファイバとなる。
【００３１】上述した多孔質ガラス体２２の場合、これ
を透明ガラス化した後の線引工程において線引開始端部
となるのは両傾斜端部のいずれか一方であり、その線引
開始端部に該当する一つの傾斜端部に凹凸、段差がなけ
ればよい。したがって、既述の外付けＣＶＤ法を介して
多孔質ガラス体２２を形成するとき、両傾斜端部２３
Ａ、２３Ｂのいずれか一方のみを良好に仕上げれば十分
である。このような事情に鑑み、多孔質ガラス体２２の
傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに対応する吸引装置４１Ａ、４
１Ｂは、そのいずれか一方が省略されることがある。
を透明ガラス化した後の線引工程において線引開始端部
となるのは両傾斜端部のいずれか一方であり、その線引
開始端部に該当する一つの傾斜端部に凹凸、段差がなけ
ればよい。したがって、既述の外付けＣＶＤ法を介して
多孔質ガラス体２２を形成するとき、両傾斜端部２３
Ａ、２３Ｂのいずれか一方のみを良好に仕上げれば十分
である。このような事情に鑑み、多孔質ガラス体２２の
傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに対応する吸引装置４１Ａ、４
１Ｂは、そのいずれか一方が省略されることがある。
【００３２】図３の実施例において、各吸引口４４1 〜
４４n には、こらと対応する各別の吸引管（弁付き）が
接続されることがあり、このような例においては、各吸
引口４４1 〜４４n の吸引力を個別に制御することがで
きる。
４４n には、こらと対応する各別の吸引管（弁付き）が
接続されることがあり、このような例においては、各吸
引口４４1 〜４４n の吸引力を個別に制御することがで
きる。
【００３３】その他、本発明方法の外付けＣＶＤ法にお
いては、バーナ１４が定位置に固定され、ターゲット２
１がこれの軸線方向沿いに往復動されることがある。こ
のような場合、光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの撮像
機器３２、吸引装置４１Ａ、４１Ｂなどは、多孔質ガラ
ス体２２の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに追従するように組
み立てられる。
いては、バーナ１４が定位置に固定され、ターゲット２
１がこれの軸線方向沿いに往復動されることがある。こ
のような場合、光学系モニタ装置３１Ａ、３１Ｂの撮像
機器３２、吸引装置４１Ａ、４１Ｂなどは、多孔質ガラ
ス体２２の傾斜端部２３Ａ、２３Ｂに追従するように組
み立てられる。
【００３４】本発明方法は、光ファイバ用、イメージフ
ァイバ用、ライトガイド用、ロッドレンズ用など、各種
のガラス母材を作製する際に適用することができる。
ァイバ用、ライトガイド用、ロッドレンズ用など、各種
のガラス母材を作製する際に適用することができる。
【００３５】［具体例］図１、図２に例示された外付け
ＣＶＤ法を下記のような条件で実施した。ターゲットと
して、外径２０ｍｍφのＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 系コア用ガ
ラス棒を用いた。吸引装置として、内径２０ｍｍφの移
動自在な吸引管を備えたものを用い、これを多孔質ガラ
ス体の傾斜端部に対応させて配置した。バーナの主たる
各流路には、９０ｇ／ｍｉｎの四塩化ケイ素、３０ｌ／
ｍｉｎの酸素、６０ｌ／ｍｉｎの水素をそれぞれ供給
し、これらの混合ガスを燃焼させてＳｉＯ2 微粒子を生
成するとともに、当該バーナを、ターゲットの長さ方向
中間部（６００ｍｍ長）にわたり、１０００ｍ／ｍｉｎ
の速度で往復動させつつ、前記ＳｉＯ2 微粒子をターゲ
ットの外周面上に堆積させて多孔質ガラス体を形成し
た。さらに、このように多孔質ガラス体を形成している
とき、既述の手段で多孔質ガラス体の傾斜端部をモニタ
しつつ、傾斜端部の凸部発生箇所付近を吸引管により吸
引し、その凸部の発生を抑制した。かくて、得られた多
孔質ガラス体は、これの傾斜端部が滑らかに仕上がっ
た。つぎに、多孔質ガラス体を、１％の塩素を含むヘリ
ウム雰囲気中において透明ガラス化した。その後、上記
透明ガラス棒を周知の線引工程にかけてこれの一端（傾
斜端部）から１０００ｍ／ｍｉｎの線速で線引し、外径
１２５μｍφの光ファイバを作製した。具体例の線引工
程において、線引開始後、光ファイバの外径が１２５μ
ｍφ±０．１％の外径に安定するまでに要した時間は３
５分と良好であり、線引工程が早期に安定した。
ＣＶＤ法を下記のような条件で実施した。ターゲットと
して、外径２０ｍｍφのＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 系コア用ガ
ラス棒を用いた。吸引装置として、内径２０ｍｍφの移
動自在な吸引管を備えたものを用い、これを多孔質ガラ
ス体の傾斜端部に対応させて配置した。バーナの主たる
各流路には、９０ｇ／ｍｉｎの四塩化ケイ素、３０ｌ／
ｍｉｎの酸素、６０ｌ／ｍｉｎの水素をそれぞれ供給
し、これらの混合ガスを燃焼させてＳｉＯ2 微粒子を生
成するとともに、当該バーナを、ターゲットの長さ方向
中間部（６００ｍｍ長）にわたり、１０００ｍ／ｍｉｎ
の速度で往復動させつつ、前記ＳｉＯ2 微粒子をターゲ
ットの外周面上に堆積させて多孔質ガラス体を形成し
た。さらに、このように多孔質ガラス体を形成している
とき、既述の手段で多孔質ガラス体の傾斜端部をモニタ
しつつ、傾斜端部の凸部発生箇所付近を吸引管により吸
引し、その凸部の発生を抑制した。かくて、得られた多
孔質ガラス体は、これの傾斜端部が滑らかに仕上がっ
た。つぎに、多孔質ガラス体を、１％の塩素を含むヘリ
ウム雰囲気中において透明ガラス化した。その後、上記
透明ガラス棒を周知の線引工程にかけてこれの一端（傾
斜端部）から１０００ｍ／ｍｉｎの線速で線引し、外径
１２５μｍφの光ファイバを作製した。具体例の線引工
程において、線引開始後、光ファイバの外径が１２５μ
ｍφ±０．１％の外径に安定するまでに要した時間は３
５分と良好であり、線引工程が早期に安定した。
【００３６】［比較例］吸引手段を用いない以外、具体
例と同一の条件で外付けＣＶＤ法を実施し、多孔質ガラ
ス体を形成したところ、この多孔質ガラス体の傾斜端部
には、凹凸、段差が生じた。以下、具体例と同様の透明
ガラス化、線引工程を実施した。比較例の線引工程にお
いて、線引開始後、光ファイバの外径が１２５μｍφ±
０．１％の外径に安定するまでに要した時間は６０分で
あり、線引工程の安定時期が具体例よりも遅速化した。
例と同一の条件で外付けＣＶＤ法を実施し、多孔質ガラ
ス体を形成したところ、この多孔質ガラス体の傾斜端部
には、凹凸、段差が生じた。以下、具体例と同様の透明
ガラス化、線引工程を実施した。比較例の線引工程にお
いて、線引開始後、光ファイバの外径が１２５μｍφ±
０．１％の外径に安定するまでに要した時間は６０分で
あり、線引工程の安定時期が具体例よりも遅速化した。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係る多孔質ガラス体の形成方法
は、外付けＣＶＤ法によりターゲットの外周面にガラス
微粒子を堆積させて多孔質ガラス体を形成していると
き、光学系モニタ装置の撮像機器を介して多孔質ガラス
体の傾斜端部をモニタするとともに、当該傾斜端部のモ
ニタ情報に基づく制御信号を吸引制御機器から吸引装置
へ入力して吸引装置を制御するから、多孔質ガラス体の
形成と同期して行なわれる当該手段により、多孔質ガラ
ス体の傾斜端部表面を合理的に平滑化することができ、
ひいては、このような多孔質ガラス体を透明ガラス化し
た後に行なわれるガラス母材の線引工程を早期に安定さ
せることができる。
は、外付けＣＶＤ法によりターゲットの外周面にガラス
微粒子を堆積させて多孔質ガラス体を形成していると
き、光学系モニタ装置の撮像機器を介して多孔質ガラス
体の傾斜端部をモニタするとともに、当該傾斜端部のモ
ニタ情報に基づく制御信号を吸引制御機器から吸引装置
へ入力して吸引装置を制御するから、多孔質ガラス体の
形成と同期して行なわれる当該手段により、多孔質ガラ
ス体の傾斜端部表面を合理的に平滑化することができ、
ひいては、このような多孔質ガラス体を透明ガラス化し
た後に行なわれるガラス母材の線引工程を早期に安定さ
せることができる。
【図１】本発明方法の一実施例を略示した説明図であ
る。
る。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】本発明方法の他実施例を略示した要部説明図で
ある。
ある。
【図４】従来法を略示した説明図である。
１１ 反応容器 １４ バーナ ２１ ターゲット ２２ 多孔質ガラス体 ２３Ａ 傾斜端部 ２３Ｂ 傾斜端部 ３１Ａ 光学系モニタ装置 ３１Ｂ 光学系モニタ装置 ３２ 撮像機器 ３３ 信号処理部 ３４ モニタ部 ４１Ａ 吸引装置 ４１Ｂ 吸引装置 ４２ 吸引機械 ４３ 吸引管 ４４ 吸引口 ４４1 吸引口 ４４n 吸引口 ５１ 吸引制御機器
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス微粒子堆積用のターゲットとガラ
ス微粒子生成用のバーナとが内装されている反応容器内
において、回転しているターゲットとガラス微粒子を生
成しているバーナとをターゲットの軸線方向へ相対移動
させつつ、バーナから噴射されたガラス微粒子をターゲ
ットの外周面に堆積させて、先細り形状の傾斜端部を有
する多孔質ガラス体をターゲットの外周面上に形成する
方法において、撮像機器を有する光学系モニタ装置と、
吸引口を有する吸引装置と、吸引装置を制御するための
吸引制御機器とを用意して、光学系モニタ装置の撮像機
器および吸引装置の吸引口を、多孔質ガラス体の傾斜端
部と対応する位置にそれぞれ配置しておき、かつ、前記
のごとくターゲットの外周面にガラス微粒子を堆積させ
て多孔質ガラス体を形成しているとき、光学系モニタ装
置の撮像機器を介して多孔質ガラス体の傾斜端部をモニ
タするとともに、当該傾斜端部のモニタ情報に基づく制
御信号を吸引制御機器から吸引装置へ入力して、吸引装
置を制御することを特徴とする石英系多孔質ガラス体の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349698A JPH06171965A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 多孔質ガラス体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349698A JPH06171965A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 多孔質ガラス体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06171965A true JPH06171965A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18405502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4349698A Pending JPH06171965A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 多孔質ガラス体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06171965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008239479A (ja) * | 1998-08-24 | 2008-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材とその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP4349698A patent/JPH06171965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008239479A (ja) * | 1998-08-24 | 2008-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材とその製造方法 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050218 |
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