JPH06168821A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH06168821A JPH06168821A JP34316692A JP34316692A JPH06168821A JP H06168821 A JPH06168821 A JP H06168821A JP 34316692 A JP34316692 A JP 34316692A JP 34316692 A JP34316692 A JP 34316692A JP H06168821 A JPH06168821 A JP H06168821A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｆｅ又はＦｅ基合金を使用して形成され、透
磁率が高く磁性特性に優れた軟磁性薄膜を提供すること
である。 【構成】 基板又は下地膜を有する基板の場合にはその
下地膜にその表面の結晶面が（１１１）面であって、そ
の配向性がロッキングカーブ測定による半値幅で２．０
°以下である半導体材料を用い、体心立方晶のＦｅ又は
Ｆｅ基合金薄膜の表面の結晶面が（１１１）面となるよ
うにした。 【効果】 薄膜は（１１１）面が高い配向性で配向した
結晶からなるので、高透磁率で保持力が小さく、磁性特
性に優れる。
磁率が高く磁性特性に優れた軟磁性薄膜を提供すること
である。 【構成】 基板又は下地膜を有する基板の場合にはその
下地膜にその表面の結晶面が（１１１）面であって、そ
の配向性がロッキングカーブ測定による半値幅で２．０
°以下である半導体材料を用い、体心立方晶のＦｅ又は
Ｆｅ基合金薄膜の表面の結晶面が（１１１）面となるよ
うにした。 【効果】 薄膜は（１１１）面が高い配向性で配向した
結晶からなるので、高透磁率で保持力が小さく、磁性特
性に優れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッドなど
に用いられる軟磁性薄膜に関し、特に体心立方晶構造の
強磁性物質であるＦｅ又はＦｅ基合金薄膜の結晶面を特
定方向に配向させた軟磁性薄膜に関する。
に用いられる軟磁性薄膜に関し、特に体心立方晶構造の
強磁性物質であるＦｅ又はＦｅ基合金薄膜の結晶面を特
定方向に配向させた軟磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記録
信号の高密度化に伴い、高い保持力と残留磁束密度とを
有するメタル系の磁気記録媒体が使用されてるようにな
って来ており、このため磁気記録及び／又は再生を行な
う磁気ヘッドのコア材料には、高い飽和磁束密度及び透
磁率を有することが要求されている。
信号の高密度化に伴い、高い保持力と残留磁束密度とを
有するメタル系の磁気記録媒体が使用されてるようにな
って来ており、このため磁気記録及び／又は再生を行な
う磁気ヘッドのコア材料には、高い飽和磁束密度及び透
磁率を有することが要求されている。
【０００３】しかし、コア材料として最も広く使用され
ている強磁性酸化物であるフェライトは、満足の行く特
性を得にくいので、最近ではＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の
磁性薄膜やＦｅ基の高飽和磁束密度を有する合金薄膜
が、積層薄膜型磁気ヘッド用コア材料として急速に注目
を浴びている。
ている強磁性酸化物であるフェライトは、満足の行く特
性を得にくいので、最近ではＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の
磁性薄膜やＦｅ基の高飽和磁束密度を有する合金薄膜
が、積層薄膜型磁気ヘッド用コア材料として急速に注目
を浴びている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のＦｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ系合金は、飽和磁歪λf と結晶磁気異方性Ｋ1 が共に
ゼロに近く理想的な性質を持つ材料であり、高透磁率で
保持力が小さいという軟磁気特性に優れている。しか
し、その理想的な組成においては飽和磁束密度は１０〜
１１ｋガウス程度であり、その値は必ずしも十分とは言
えない。
ｌ系合金は、飽和磁歪λf と結晶磁気異方性Ｋ1 が共に
ゼロに近く理想的な性質を持つ材料であり、高透磁率で
保持力が小さいという軟磁気特性に優れている。しか
し、その理想的な組成においては飽和磁束密度は１０〜
１１ｋガウス程度であり、その値は必ずしも十分とは言
えない。
【０００５】そのため上記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金に代
わり、高周波領域での透磁率の低下が少なく、高い飽和
磁束密度を有するＣｏ系非晶質磁性合金材料（アモルフ
ァス磁性合金材料）も開発されているが、この非晶質磁
性合金材料にあっても飽和磁束密度は１４ｋガウス程度
であり、十分とは言えない。
わり、高周波領域での透磁率の低下が少なく、高い飽和
磁束密度を有するＣｏ系非晶質磁性合金材料（アモルフ
ァス磁性合金材料）も開発されているが、この非晶質磁
性合金材料にあっても飽和磁束密度は１４ｋガウス程度
であり、十分とは言えない。
【０００６】このようなことから、本発明者等は、高透
磁率で保持力が小さい磁性特性に優れた軟磁性薄膜を得
るべく、体心立方晶構造を備えるＦｅ又はＦｅ基合金に
ついて薄膜を作成して鋭意研究を重ねた。
磁率で保持力が小さい磁性特性に優れた軟磁性薄膜を得
るべく、体心立方晶構造を備えるＦｅ又はＦｅ基合金に
ついて薄膜を作成して鋭意研究を重ねた。
【０００７】その結果、Ｆｅ又はＦｅ基合金の薄膜を形
成する基板又は下地膜が形成された基板ではその下地膜
に、表面の結晶面が（１１１）面であってその配向性の
良い半導体材料を使用して、基板上にＦｅ又はＦｅ基合
金の薄膜を、その薄膜の（１１１）面が基板又は下地膜
表面の結晶面と平行に配向するように形成すれば、スパ
ッタリング法により目的の軟磁性薄膜を得ることがで
き、その製造方法も容易であることを見出した。
成する基板又は下地膜が形成された基板ではその下地膜
に、表面の結晶面が（１１１）面であってその配向性の
良い半導体材料を使用して、基板上にＦｅ又はＦｅ基合
金の薄膜を、その薄膜の（１１１）面が基板又は下地膜
表面の結晶面と平行に配向するように形成すれば、スパ
ッタリング法により目的の軟磁性薄膜を得ることがで
き、その製造方法も容易であることを見出した。
【０００８】同様の技術としては、特開平３−１６１０
５号公報に、ガラス基板上にＺｎＳｅ膜をスパッタリン
グし、更にその上にＦｅをスパッタリングしたものがあ
るが、このようにガラス基板上にスパッタリングしたＺ
ｎＳｅ膜では、その配向性はロッキングカーブ測定によ
る半値幅で５°前後と悪く、得られる軟磁性薄膜も同公
報中の第１図に示されるように、配向性の悪いものとな
っていた。
５号公報に、ガラス基板上にＺｎＳｅ膜をスパッタリン
グし、更にその上にＦｅをスパッタリングしたものがあ
るが、このようにガラス基板上にスパッタリングしたＺ
ｎＳｅ膜では、その配向性はロッキングカーブ測定によ
る半値幅で５°前後と悪く、得られる軟磁性薄膜も同公
報中の第１図に示されるように、配向性の悪いものとな
っていた。
【０００９】本発明は上記知見に基づきなされたもの
で、本発明の目的は、半導体基板又は半導体下地膜が形
成された基板上にＦｅ又はＦｅ基合金を用いて形成さ
れ、透磁率が高く磁性特性に優れた軟磁性薄膜を提供す
ることである。
で、本発明の目的は、半導体基板又は半導体下地膜が形
成された基板上にＦｅ又はＦｅ基合金を用いて形成さ
れ、透磁率が高く磁性特性に優れた軟磁性薄膜を提供す
ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
軟磁性薄膜にて達成される。要約すれば本発明は、基板
又は下地膜を有する基板上にスパッタリング法によって
形成される体心立方晶構造を有するＦｅ又はＦｅ基合金
の薄膜であって、前記基板又は下地膜にＳｉ、Ｇｅ、Ｇ
ａＰ合金、ＡｌＰ合金、ＧａＡｓ合金、ＺｎＳｅ合金、
ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合金及びＩｎＰ合金の中から選択
された半導体材料が用いられ、前記基板又は下地膜表面
の結晶面が（１１１）面であって、その配向性がロッキ
ングカーブ測定による半値幅で２．０°以下であり、前
記薄膜表面の結晶面が（１１１）面であることを特徴と
する軟磁性薄膜である。
軟磁性薄膜にて達成される。要約すれば本発明は、基板
又は下地膜を有する基板上にスパッタリング法によって
形成される体心立方晶構造を有するＦｅ又はＦｅ基合金
の薄膜であって、前記基板又は下地膜にＳｉ、Ｇｅ、Ｇ
ａＰ合金、ＡｌＰ合金、ＧａＡｓ合金、ＺｎＳｅ合金、
ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合金及びＩｎＰ合金の中から選択
された半導体材料が用いられ、前記基板又は下地膜表面
の結晶面が（１１１）面であって、その配向性がロッキ
ングカーブ測定による半値幅で２．０°以下であり、前
記薄膜表面の結晶面が（１１１）面であることを特徴と
する軟磁性薄膜である。
【００１１】本発明の軟磁性薄膜によれば、基板又は下
地膜を有する基板ではその下地膜に配向性の良い（１１
１）面半導体材料を使用するので、基板上に形成された
体心立方晶構造を備えるＦｅ及びＦｅ基合金の薄膜は、
結晶面が（１１１）面に良好に配向した結晶から構成さ
れ、磁化が（１１１）面内で回転しても面内で磁化の結
晶方位の依存性がなく、つまり（１１１）面内における
磁気モーメントの回転が結晶磁気異方性Ｋ1 に束縛され
ず、等方磁歪を示す。従って良好な軟磁性膜を得るにあ
たっても、結晶磁気異方性Ｋ1 をゼロにする必要がない
ため、膜の組成は飽和磁歪λf と飽和磁束密度のみを考
慮して決定することができる。又特別に膜面に対して垂
直方向に向き易い垂直磁気異方性を付与しない限り、薄
膜の磁化は（１１１）面内に向き、高透磁率の軟磁性薄
膜が得られる。
地膜を有する基板ではその下地膜に配向性の良い（１１
１）面半導体材料を使用するので、基板上に形成された
体心立方晶構造を備えるＦｅ及びＦｅ基合金の薄膜は、
結晶面が（１１１）面に良好に配向した結晶から構成さ
れ、磁化が（１１１）面内で回転しても面内で磁化の結
晶方位の依存性がなく、つまり（１１１）面内における
磁気モーメントの回転が結晶磁気異方性Ｋ1 に束縛され
ず、等方磁歪を示す。従って良好な軟磁性膜を得るにあ
たっても、結晶磁気異方性Ｋ1 をゼロにする必要がない
ため、膜の組成は飽和磁歪λf と飽和磁束密度のみを考
慮して決定することができる。又特別に膜面に対して垂
直方向に向き易い垂直磁気異方性を付与しない限り、薄
膜の磁化は（１１１）面内に向き、高透磁率の軟磁性薄
膜が得られる。
【００１２】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の軟磁性薄膜を構成するＦｅ又はＦｅ基合金薄膜
は、基板又は下地膜を有する基板上にスパッタリング法
によりＦｅ又はＦｅ基合金を成膜して得られる。
発明の軟磁性薄膜を構成するＦｅ又はＦｅ基合金薄膜
は、基板又は下地膜を有する基板上にスパッタリング法
によりＦｅ又はＦｅ基合金を成膜して得られる。
【００１３】このＦｅ基合金は、Ｆｅと同様、体心立方
晶の結晶構造を有する種類とされる。例えばＦｅ−Ｓ
ｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｆｅ
−Ｃｏ等、体心立方晶の結晶構造を有する合金である。
このような体心立方晶構造を有するＦｅ又はＦｅ基合金
の薄膜によれば、軟磁性膜としての好ましい特性を得易
いからである。
晶の結晶構造を有する種類とされる。例えばＦｅ−Ｓ
ｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｆｅ
−Ｃｏ等、体心立方晶の結晶構造を有する合金である。
このような体心立方晶構造を有するＦｅ又はＦｅ基合金
の薄膜によれば、軟磁性膜としての好ましい特性を得易
いからである。
【００１４】本発明において使用する基板は、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＧａＰ合金、ＡｌＰ合金、ＧａＡｓ合金、ＺｎＳｅ
合金、ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合金、ＩｎＰ合金の立方晶
構造を有する単結晶からなる（１１１）面の半導体基
板、或いはこのＳｉ、Ｇｅ、ＧａＰ合金、ＡｌＰ合金、
ＧａＡｓ合金、ＺｎＳｅ合金、ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合
金、ＩｎＰ合金の単結晶からなる（１１１）面の半導体
下地膜を有する基板である。これらの半導体基板又は半
導体下地膜のうち（１１１）面の配向性が良いものを使
用するので、これら半導体基板又は半導体下地膜を有す
る基板上に、エピタキシャル成長により良好な配向性を
有する（１１１）面の薄膜を得易くなる。
ｅ、ＧａＰ合金、ＡｌＰ合金、ＧａＡｓ合金、ＺｎＳｅ
合金、ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合金、ＩｎＰ合金の立方晶
構造を有する単結晶からなる（１１１）面の半導体基
板、或いはこのＳｉ、Ｇｅ、ＧａＰ合金、ＡｌＰ合金、
ＧａＡｓ合金、ＺｎＳｅ合金、ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合
金、ＩｎＰ合金の単結晶からなる（１１１）面の半導体
下地膜を有する基板である。これらの半導体基板又は半
導体下地膜のうち（１１１）面の配向性が良いものを使
用するので、これら半導体基板又は半導体下地膜を有す
る基板上に、エピタキシャル成長により良好な配向性を
有する（１１１）面の薄膜を得易くなる。
【００１５】上記の薄膜は、その表面が薄膜を形成する
基板（基板に下地膜が形成されているときにはその下地
膜）表面の結晶面と同じく、（１１１）面になっている
ことを要する。薄膜の表面が（１１１）面になっていれ
ば、（１１１）面内で磁化が回転しても面内で結晶方位
の依存性がなく、等方磁歪を示すからである。従って特
別に膜面に対して垂直方向に向き易い垂直磁気異方性を
付与しない限り磁化は面内に向き、高透磁率の軟磁性膜
が得られるようになる。
基板（基板に下地膜が形成されているときにはその下地
膜）表面の結晶面と同じく、（１１１）面になっている
ことを要する。薄膜の表面が（１１１）面になっていれ
ば、（１１１）面内で磁化が回転しても面内で結晶方位
の依存性がなく、等方磁歪を示すからである。従って特
別に膜面に対して垂直方向に向き易い垂直磁気異方性を
付与しない限り磁化は面内に向き、高透磁率の軟磁性膜
が得られるようになる。
【００１６】配向性は、その結晶面のロッキングカーブ
測定による半値幅が薄膜の結晶性を反映しているので、
この半値幅を用いて配向性を評価することができる。本
発明によれば、半値幅が２．０°以下、好ましくは１．
０°以下の半導体基板又は半導体下地膜を有する基板上
にＦｅ又はＦｅ基合金薄膜を形成しているので、薄膜に
半値幅が２°以下の高い配向性を容易に得ることができ
る。後述の半値幅が０．１°以下のＳｉ（１１１）基板
を用いた実施例では、半値幅１．０°以下の（１１１）
高配向性のＦｅ薄膜が得られている。
測定による半値幅が薄膜の結晶性を反映しているので、
この半値幅を用いて配向性を評価することができる。本
発明によれば、半値幅が２．０°以下、好ましくは１．
０°以下の半導体基板又は半導体下地膜を有する基板上
にＦｅ又はＦｅ基合金薄膜を形成しているので、薄膜に
半値幅が２°以下の高い配向性を容易に得ることができ
る。後述の半値幅が０．１°以下のＳｉ（１１１）基板
を用いた実施例では、半値幅１．０°以下の（１１１）
高配向性のＦｅ薄膜が得られている。
【００１７】Ｆｅ又はＦｅ基合金薄膜の成膜法として
は、マグネトロンスパッタ、ＥＣＲスパッタ、イオンビ
ームスパッタ及び対向ターゲット式スパッタなど、各種
のスパッタ法が使用できる。
は、マグネトロンスパッタ、ＥＣＲスパッタ、イオンビ
ームスパッタ及び対向ターゲット式スパッタなど、各種
のスパッタ法が使用できる。
【００１８】薄膜を形成する前に、基板の表面（下地膜
が設けられた基板ではその下地膜の表面）を清浄化する
ために、フッ化水素水、フッ化アンモニウム水などによ
る水素終端化処理、或いはＡｒイオンによるボンバード
メントなどの前処理を行なう必要がある。
が設けられた基板ではその下地膜の表面）を清浄化する
ために、フッ化水素水、フッ化アンモニウム水などによ
る水素終端化処理、或いはＡｒイオンによるボンバード
メントなどの前処理を行なう必要がある。
【００１９】本発明の軟磁性薄膜の成膜法の一例を示せ
ば、次の通りである。Ｆｅ−Ｓｉ（９９．９％）、直径
１００ｍｍの対向ターゲットを用いたスパッタ装置によ
り、Ａｒ雰囲気でＤＣスパッタを行ない、鏡面研磨され
たＳｉ（１１１）基板上に薄膜を形成する。この成膜に
先立ってＳｉ基板に１０〜１３０ＷのＲＦ電力を印加し
たＡｒイオンのボンバートメントを５〜２０分間行な
い、清浄化する。
ば、次の通りである。Ｆｅ−Ｓｉ（９９．９％）、直径
１００ｍｍの対向ターゲットを用いたスパッタ装置によ
り、Ａｒ雰囲気でＤＣスパッタを行ない、鏡面研磨され
たＳｉ（１１１）基板上に薄膜を形成する。この成膜に
先立ってＳｉ基板に１０〜１３０ＷのＲＦ電力を印加し
たＡｒイオンのボンバートメントを５〜２０分間行な
い、清浄化する。
【００２０】スパッタ条件は、陰極電力が２００〜１０
００Ｗ、ガス圧が０．５〜５ｍｍＴｏｒｒ、成膜時の基
板温度が２００〜４００℃である。ターゲットの中心か
ら基板までの距離は１２０〜１８０ｍｍとする。このよ
うな条件の下で成膜を行ない、厚さ０．１〜１μｍの薄
膜を得る。成膜時、基板に大きさ−４５〜−６０Ｖ程度
のＤＣバイアスを印加すると、膜の配向性が変化して好
ましい配向になり易い。
００Ｗ、ガス圧が０．５〜５ｍｍＴｏｒｒ、成膜時の基
板温度が２００〜４００℃である。ターゲットの中心か
ら基板までの距離は１２０〜１８０ｍｍとする。このよ
うな条件の下で成膜を行ない、厚さ０．１〜１μｍの薄
膜を得る。成膜時、基板に大きさ−４５〜−６０Ｖ程度
のＤＣバイアスを印加すると、膜の配向性が変化して好
ましい配向になり易い。
【００２１】
【実施例】本発明の実施例について説明する。
【００２２】実施例 陰極電力を２００Ｗ、Ａｒガス圧を１ｍｍＴｏｒｒ、基
板温度を３５０℃とし、Ｆｅ−Ｓｉターゲットの中心か
ら基板までの距離を１５０ｍｍとして、ＤＣスパッタに
よりＳｉ（１１１）半導体基板に成膜して、基板上にＦ
ｅ薄膜を得た。成膜時、基板にＤＣバイアスを０〜−７
０Ｖの範囲で選択して印加した。得られた薄膜は厚さ
０．３μｍで、Ｘ線回折により（１１１）面に配向して
いる薄膜であることが確かめられた。
板温度を３５０℃とし、Ｆｅ−Ｓｉターゲットの中心か
ら基板までの距離を１５０ｍｍとして、ＤＣスパッタに
よりＳｉ（１１１）半導体基板に成膜して、基板上にＦ
ｅ薄膜を得た。成膜時、基板にＤＣバイアスを０〜−７
０Ｖの範囲で選択して印加した。得られた薄膜は厚さ
０．３μｍで、Ｘ線回折により（１１１）面に配向して
いる薄膜であることが確かめられた。
【００２３】上記Ｆｅ薄膜の代表例としてＤＣバイアス
が−４０Ｖのときの薄膜のＸ線回折図形を図１に示す。
図１に示されるように、回折線は、基板として用いたＳ
ｉのピーク（１１１）（２次）、（３３３）の他は、Ｆ
ｅ（２２２）ピークのみが検出されており、Ｆｅ薄膜は
（１１１）面配向の結晶のみからなっていることが分
る。
が−４０Ｖのときの薄膜のＸ線回折図形を図１に示す。
図１に示されるように、回折線は、基板として用いたＳ
ｉのピーク（１１１）（２次）、（３３３）の他は、Ｆ
ｅ（２２２）ピークのみが検出されており、Ｆｅ薄膜は
（１１１）面配向の結晶のみからなっていることが分
る。
【００２４】このようにして作成したＦｅ薄膜の磁性特
性値を測定したところ、飽和磁束密度が１．８Ｔ、透磁
率が２０００であり、磁性特性に優れた軟磁性薄膜が得
られた。
性値を測定したところ、飽和磁束密度が１．８Ｔ、透磁
率が２０００であり、磁性特性に優れた軟磁性薄膜が得
られた。
【００２５】図２は、上記薄膜のＦｅ（２２２）ピーク
のロッキングカーブ測定における半値幅（ＦＷＨＭ）及
びピークの強度と基板に印加したＤＣバイアスとの関係
を示したグラフである。
のロッキングカーブ測定における半値幅（ＦＷＨＭ）及
びピークの強度と基板に印加したＤＣバイアスとの関係
を示したグラフである。
【００２６】図２に示されるように、成膜時に基板に印
加したＤＣバイアスが−５０Ｖの場合、（２２２）ピー
クの半値幅が最低値、Ｘ線回折強度が最高値をとってお
り、Ｆｅ薄膜の（１１１）面配向性が最も良くなってい
ることが分る。
加したＤＣバイアスが−５０Ｖの場合、（２２２）ピー
クの半値幅が最低値、Ｘ線回折強度が最高値をとってお
り、Ｆｅ薄膜の（１１１）面配向性が最も良くなってい
ることが分る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の軟磁性薄
膜によれば、ロッキングカーブ測定による半値幅が２°
以下の半導体基板又は半導体下地膜を有する基板上に体
心立方晶のＦｅ又はＦｅ基合金薄膜を形成したので、そ
の薄膜の（１１１）面の配向性が良くなり、高透磁率で
保持力が小さく、磁性特性に優れる。従って磁気ヘッド
のコア材料など磁性材料として好適である。
膜によれば、ロッキングカーブ測定による半値幅が２°
以下の半導体基板又は半導体下地膜を有する基板上に体
心立方晶のＦｅ又はＦｅ基合金薄膜を形成したので、そ
の薄膜の（１１１）面の配向性が良くなり、高透磁率で
保持力が小さく、磁性特性に優れる。従って磁気ヘッド
のコア材料など磁性材料として好適である。
【図１】本発明の実施例におけるＦｅ薄膜の代表的な薄
膜のＸ線回折図形を示す図である。
膜のＸ線回折図形を示す図である。
【図２】上記Ｆｅ薄膜のＦｅ（２２２）ピークのロッキ
ングカーブ測定における半値幅及びピークの全強度と基
板に印加したＤＣバイアスとの関係を示したグラフであ
る。
ングカーブ測定における半値幅及びピークの全強度と基
板に印加したＤＣバイアスとの関係を示したグラフであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板又は下地膜を有する基板上にスパッ
タリング法によって形成される体心立方晶構造を有する
Ｆｅ又はＦｅ基合金の薄膜であって、前記基板又は下地
膜にＳｉ、Ｇｅ、ＧａＰ合金、ＡｌＰ合金、ＧａＡｓ合
金、ＺｎＳｅ合金、ＡｌＡｓ合金、ＣｄＳ合金及びＩｎ
Ｐ合金の中から選択された半導体材料が用いられ、前記
基板又は下地膜表面の結晶面が（１１１）面であって、
その配向性がロッキングカーブ測定による半値幅で２．
０°以下であり、前記薄膜表面の結晶面が（１１１）面
であることを特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34316692A JPH06168821A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34316692A JPH06168821A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168821A true JPH06168821A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18359424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34316692A Pending JPH06168821A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168821A (ja) |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP34316692A patent/JPH06168821A/ja active Pending
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