JPH06164071A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH06164071A JPH06164071A JP4318171A JP31817192A JPH06164071A JP H06164071 A JPH06164071 A JP H06164071A JP 4318171 A JP4318171 A JP 4318171A JP 31817192 A JP31817192 A JP 31817192A JP H06164071 A JPH06164071 A JP H06164071A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- laser device
- package
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザダイオードの出射光の乱反射を防止
し、正確な情報を得る半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。 【構成】 光源のレーザダイオード３と信号検出用フォ
トダイオード１２等をダイボンドした金属ステム２２の
表面および前記金属ステム２２をカバーするパッケージ
２３の内壁に前記レーザダイオード３からの光が入射し
ても反射しないように凹凸２３ａを設ける。
し、正確な情報を得る半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。 【構成】 光源のレーザダイオード３と信号検出用フォ
トダイオード１２等をダイボンドした金属ステム２２の
表面および前記金属ステム２２をカバーするパッケージ
２３の内壁に前記レーザダイオード３からの光が入射し
ても反射しないように凹凸２３ａを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に係
り、特に光ディスクの記録再生装置のピックアップの光
源として用いられるものである。
り、特に光ディスクの記録再生装置のピックアップの光
源として用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体レーザ装置の要部断
面図で、該半導体レーザ装置１は、金属ステム２上に光
源のレーザダイオード３および出力光をモニタするＰ／
Ｎフォトダイオード４がダイボンドされている。前記金
属ステム２は、ガラス製のキャップ５を具備したパッケ
ージ６に収められている。
面図で、該半導体レーザ装置１は、金属ステム２上に光
源のレーザダイオード３および出力光をモニタするＰ／
Ｎフォトダイオード４がダイボンドされている。前記金
属ステム２は、ガラス製のキャップ５を具備したパッケ
ージ６に収められている。
【０００３】前記半導体レーザ装置１において、レーザ
ダイオード３からの出力光はキャップ５よりパッケージ
６外に出射する。それと同時にレーザダイオード３から
の光は出力光をモニタするＰ／Ｎフォトダイオード４に
も光射され、該Ｐ／Ｎフォトダイオード３に入射した光
は電流に変換され、この電流値によりキャップ５より出
射する光の出力を制御する。
ダイオード３からの出力光はキャップ５よりパッケージ
６外に出射する。それと同時にレーザダイオード３から
の光は出力光をモニタするＰ／Ｎフォトダイオード４に
も光射され、該Ｐ／Ｎフォトダイオード３に入射した光
は電流に変換され、この電流値によりキャップ５より出
射する光の出力を制御する。
【０００４】図４は半導体レーザ装置１に、ホログラム
素子８，信号検出用フォトダイオード１２を実装したホ
ログラムレーザユニット１３の要部断面図である。前記
半導体レーザ装置１の金属ステム２上に信号検出用フォ
トダイオード１２がダイボンドされ、金属ステム２が収
められているキャップ５を固着したパッケージ６の上面
にホログラム素子８がエポキシ系樹脂で固定されてい
る。
素子８，信号検出用フォトダイオード１２を実装したホ
ログラムレーザユニット１３の要部断面図である。前記
半導体レーザ装置１の金属ステム２上に信号検出用フォ
トダイオード１２がダイボンドされ、金属ステム２が収
められているキャップ５を固着したパッケージ６の上面
にホログラム素子８がエポキシ系樹脂で固定されてい
る。
【０００５】図５は前記半導体レーザ装置を光源に用い
た光ディスク記録再生装置のピックアップ７の一実施例
の要部側面図である。レーザダイオード３からの出射光
は、ホログラム素子８に入射し、回折される。その０次
回折光はコリメートレンズ９、対物レンズ１０を通過
し、光ディスク１１上に集光される。
た光ディスク記録再生装置のピックアップ７の一実施例
の要部側面図である。レーザダイオード３からの出射光
は、ホログラム素子８に入射し、回折される。その０次
回折光はコリメートレンズ９、対物レンズ１０を通過
し、光ディスク１１上に集光される。
【０００６】光ディスク１１からの反射光は対物レンズ
１０，コリメートレンズ９を通過した後、再びホログラ
ム素子８で回折され、その一次光が信号検出用フォトダ
イオード１２に導かれる。
１０，コリメートレンズ９を通過した後、再びホログラ
ム素子８で回折され、その一次光が信号検出用フォトダ
イオード１２に導かれる。
【０００７】前記ホログラム素子８の回折格子パターン
（図示せず）および信号検出用フォトダイオード１２の
受光部パターン（図示せず）は、各々複数の領域から形
成されており、信号検出用フォトダイオード１２から出
力される信号を演算することにより、サーボ信号および
情報信号を得ることができる。
（図示せず）および信号検出用フォトダイオード１２の
受光部パターン（図示せず）は、各々複数の領域から形
成されており、信号検出用フォトダイオード１２から出
力される信号を演算することにより、サーボ信号および
情報信号を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すように従来
の半導体レーザ装置１において、フォトダイオード３か
らの出射光の一部Ａは金属ステム２，キャップ５および
パッケージ６の内壁で反射を繰り返し、Ｐ／Ｎフォトダ
イオード４に入射する。このため、Ｐ／Ｎフォトダイオ
ードの出力にオフセットが加えられ、出射光の出力制御
に誤差をきたす。また、レーザダイオード３からの出射
光の一部Ｂは金属ステム２，キャップ５およびパッケー
ジ６の内壁で反射を繰り返しながら、キャップ５より出
射される。このため、出射光のファーフィールドパター
ンに図７のようなリップルＤを引き起す原因となる。
の半導体レーザ装置１において、フォトダイオード３か
らの出射光の一部Ａは金属ステム２，キャップ５および
パッケージ６の内壁で反射を繰り返し、Ｐ／Ｎフォトダ
イオード４に入射する。このため、Ｐ／Ｎフォトダイオ
ードの出力にオフセットが加えられ、出射光の出力制御
に誤差をきたす。また、レーザダイオード３からの出射
光の一部Ｂは金属ステム２，キャップ５およびパッケー
ジ６の内壁で反射を繰り返しながら、キャップ５より出
射される。このため、出射光のファーフィールドパター
ンに図７のようなリップルＤを引き起す原因となる。
【０００９】さらに、上記の半導体レーザ装置１にホロ
グラム素子８および信号検出用フォトダイオード１２を
備えたホログラムレーザユニット１３を用いた光ディス
ク記録再生装置のピックアップ７においては、レーザダ
イオード３からの出射光の一部Ｃは図４に示すごとく金
属ステム２，キャップ５およびパッケージ６の内壁で反
射を繰り返し、信号検出用フォトダイオード１２に入射
する。該フォトダイオード１２は、本体の信号光以外の
光を受光することによりオフセットが加えられた信号を
出力するので、ピックアップ７の正確な動作が妨害さ
れ、光ディスク１１から正しい情報が得られない問題が
あった。
グラム素子８および信号検出用フォトダイオード１２を
備えたホログラムレーザユニット１３を用いた光ディス
ク記録再生装置のピックアップ７においては、レーザダ
イオード３からの出射光の一部Ｃは図４に示すごとく金
属ステム２，キャップ５およびパッケージ６の内壁で反
射を繰り返し、信号検出用フォトダイオード１２に入射
する。該フォトダイオード１２は、本体の信号光以外の
光を受光することによりオフセットが加えられた信号を
出力するので、ピックアップ７の正確な動作が妨害さ
れ、光ディスク１１から正しい情報が得られない問題が
あった。
【００１０】そこで本発明は、光ディスクから正確に情
報を得ることができる半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。
報を得ることができる半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光源と受光素子とを同一パッケージ内に具
備した半導体レーザ装置において、前記パッケージ内壁
の一部または全面に前記光源からの光反射を防止する防
反射処理を施すものとする。
に本発明は、光源と受光素子とを同一パッケージ内に具
備した半導体レーザ装置において、前記パッケージ内壁
の一部または全面に前記光源からの光反射を防止する防
反射処理を施すものとする。
【００１２】また、前記防反射処理としてパッケージ内
壁の一部または全面に凹凸を設ける。
壁の一部または全面に凹凸を設ける。
【００１３】
【作用】本発明は、上記のような構成になっているの
で、レーザダイオードからの光は、パッケージ内壁の凹
凸に入射し、その反射光は互に打ち消し、反射光の発生
を防止する。
で、レーザダイオードからの光は、パッケージ内壁の凹
凸に入射し、その反射光は互に打ち消し、反射光の発生
を防止する。
【００１４】また、キャップより反射光が出射しないの
で出射光のファーフィールドパターンにおけるリップル
の発生を防止できる。
で出射光のファーフィールドパターンにおけるリップル
の発生を防止できる。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。なお、従来例と同じ箇所には、同符号を付すことに
する。図１は本発明の半導体レーザ装置の要部断面図で
ある。該半導体レーザ装置２１は、金属ステム２２上に
光源のレーザダイオード３および出力光をモニタするＰ
／Ｎフォトダイオード４がダイボンドされている。前記
金属ステム２２は、ガラス製のキャップ５を具備したパ
ッケージ２３に収められている。前記金属ステム２２の
表面およびパッケージ２３の内壁には、凹凸２３ａが施
されていて面を粗してある。
る。なお、従来例と同じ箇所には、同符号を付すことに
する。図１は本発明の半導体レーザ装置の要部断面図で
ある。該半導体レーザ装置２１は、金属ステム２２上に
光源のレーザダイオード３および出力光をモニタするＰ
／Ｎフォトダイオード４がダイボンドされている。前記
金属ステム２２は、ガラス製のキャップ５を具備したパ
ッケージ２３に収められている。前記金属ステム２２の
表面およびパッケージ２３の内壁には、凹凸２３ａが施
されていて面を粗してある。
【００１６】該半導体レーザ装置２１において、レーザ
ダイオード３からの出力光はキャップ５よりパッケージ
２３外に出射する。ただし、従来の半導体レーザ装置１
のパッケージ６等の内壁に入射した光の一部は、反射を
繰り返しながら、Ｐ／Ｎフォトダイオード４に入射した
り、キャップ５より出射したりしたが、本発明は、前記
したように金属ステム２２の表面およびパッケージ２３
の内壁に凹凸が施されているので、それぞれに入射した
光は凹凸面で反射し互に打ち消されて従来のような反射
光を発生しない。
ダイオード３からの出力光はキャップ５よりパッケージ
２３外に出射する。ただし、従来の半導体レーザ装置１
のパッケージ６等の内壁に入射した光の一部は、反射を
繰り返しながら、Ｐ／Ｎフォトダイオード４に入射した
り、キャップ５より出射したりしたが、本発明は、前記
したように金属ステム２２の表面およびパッケージ２３
の内壁に凹凸が施されているので、それぞれに入射した
光は凹凸面で反射し互に打ち消されて従来のような反射
光を発生しない。
【００１７】図２は本発明の半導体レーザ装置２１に、
ホログラム素子８，信号検出用フォトダイオード１２を
実装したホログラムレーザユニット２４の要部断面図で
ある。前記半導体レーザ装置２１の金属ステム２２上に
信号検出用フォトダイオード１２がダイボンドされ、金
属ステム２２が収められているキャップ５を固着したパ
ッケージ２３の上面にホログラム素子８がエポキシ系樹
脂で固定されている。
ホログラム素子８，信号検出用フォトダイオード１２を
実装したホログラムレーザユニット２４の要部断面図で
ある。前記半導体レーザ装置２１の金属ステム２２上に
信号検出用フォトダイオード１２がダイボンドされ、金
属ステム２２が収められているキャップ５を固着したパ
ッケージ２３の上面にホログラム素子８がエポキシ系樹
脂で固定されている。
【００１８】上記ホログラムレーザユニット２４におい
て、レーザダイオード３からの出力光は、金属ステム２
２およびパッケージ２３面に入射するが、その反射光は
凹凸面で互いに反射を繰り返し打ち消して、信号検出用
フォトダイオード１２に反射光が入射しない。
て、レーザダイオード３からの出力光は、金属ステム２
２およびパッケージ２３面に入射するが、その反射光は
凹凸面で互いに反射を繰り返し打ち消して、信号検出用
フォトダイオード１２に反射光が入射しない。
【００１９】本発明の半導体レーザ装置２１を光源に用
いた光ディスク記録再生装置のピックアップ２５の一実
施例の要部側面図は、従来の技術で説明した図５と同じ
であるので詳細な説明は省略するが、本ピックアップ２
５においても、レーザダイオード３からの出力光は、半
導体レーザ装置２１の内壁に入射するが、内壁面での反
射光が発生することなく、そのため反射光は信号検出用
フォトダイオード１２に入射することなく、またキャッ
プ５よりも出射することもない。
いた光ディスク記録再生装置のピックアップ２５の一実
施例の要部側面図は、従来の技術で説明した図５と同じ
であるので詳細な説明は省略するが、本ピックアップ２
５においても、レーザダイオード３からの出力光は、半
導体レーザ装置２１の内壁に入射するが、内壁面での反
射光が発生することなく、そのため反射光は信号検出用
フォトダイオード１２に入射することなく、またキャッ
プ５よりも出射することもない。
【００２０】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は以上説明し
たような構成のため、以下のような効果を奏する。光源
用のレーザダイオードからの出射光は、半導体レーザ装
置の内壁で反射されて反射光としてＰ／Ｎフォトダイオ
ードへ入射されることがないので、正確な出力光の出力
制御が可能となる。
たような構成のため、以下のような効果を奏する。光源
用のレーザダイオードからの出射光は、半導体レーザ装
置の内壁で反射されて反射光としてＰ／Ｎフォトダイオ
ードへ入射されることがないので、正確な出力光の出力
制御が可能となる。
【００２１】また、反射光がキャップより出射すること
がないので、出射光のファーフィールドパターンにおけ
るリップルの発生を防止できる。
がないので、出射光のファーフィールドパターンにおけ
るリップルの発生を防止できる。
【００２２】さらに、本発明の半導体レーザ装置を光デ
ィスク記録再生装置のピックアップに用いても、内部反
射光が信号検出用フォトダイオードに入射することを抑
制することができるので、ピックアップとしての安定し
た動作が行なわれ、光ディスクから正確な情報を得るこ
とができる。
ィスク記録再生装置のピックアップに用いても、内部反
射光が信号検出用フォトダイオードに入射することを抑
制することができるので、ピックアップとしての安定し
た動作が行なわれ、光ディスクから正確な情報を得るこ
とができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】本発明の半導体レーザ装置を用いたホログラム
レーザユニットの要部断面図である。
レーザユニットの要部断面図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置の一実施例を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置を用いたホログラムレ
ーザユニットの要部断面図である。
ーザユニットの要部断面図である。
【図５】半導体レーザ装置を用いたピックアップの一実
施例の要部側面図である。
施例の要部側面図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の動作を示す要部断面
図である。
図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置の出力光のファーフィ
ールドパターンである。
ールドパターンである。
３ レーザダイオード ４ Ｐ／Ｎフォトダイオード ５ キャップ ８ ホログラム素子 １２ 信号検出用フォトダイオード ２１ 半導体レーザ装置 ２２ 金属ステム ２３ パッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】 光源と受光素子とを金属ステムにダイボ
ンドし、該金属ステムをカバーするパッケージを具備し
た半導体レーザ装置において、前記金属ステムの表面お
よびパッケージの内壁の一部または全面に、前記光源か
らの入射光の反射を防止する防反射処理を施したことを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記金属ステムの表面およびパッケージ
の内壁に凹凸を設けたことを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318171A JPH06164071A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318171A JPH06164071A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164071A true JPH06164071A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18096266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4318171A Pending JPH06164071A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06164071A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085259A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光双方向通信モジュール |
| JP2008263099A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージ及び光ピックアップ装置 |
| JP2011124492A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Yamatake Corp | 光パッケージ及び光電センサ |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4318171A patent/JPH06164071A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085259A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光双方向通信モジュール |
| JP2008263099A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージ及び光ピックアップ装置 |
| JP2011124492A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Yamatake Corp | 光パッケージ及び光電センサ |
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