JP2730830B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JP2730830B2 JP2730830B2 JP4145920A JP14592092A JP2730830B2 JP 2730830 B2 JP2730830 B2 JP 2730830B2 JP 4145920 A JP4145920 A JP 4145920A JP 14592092 A JP14592092 A JP 14592092A JP 2730830 B2 JP2730830 B2 JP 2730830B2
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- light receiving
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体受光素子に関する
ものであり、さらに詳しくは、ビデオディスクやディジ
タルオーディオディスクなどの光ディスクシステムに使
用される半導体受光素子に関するものである。
ものであり、さらに詳しくは、ビデオディスクやディジ
タルオーディオディスクなどの光ディスクシステムに使
用される半導体受光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ホログラムレーザ型光ピックアッ
プとして図５に示すようなものが知られている。この光
ピックアップにおいて、ホログラムレーザ１０９から出
射されたレーザ光１０１は、回折格子１０２の形成され
たホログラムガラス１０３を通過する際、回折格子１０
２により０次光１０４と１次光１０５とに分けられる。
０次光１０４はコリメートレンズ１０６および対物レン
ズ１０７を通過した後、光ディスク１０８に入射する。
この際、１次光１０５は情報処理に用いられることがな
い。
プとして図５に示すようなものが知られている。この光
ピックアップにおいて、ホログラムレーザ１０９から出
射されたレーザ光１０１は、回折格子１０２の形成され
たホログラムガラス１０３を通過する際、回折格子１０
２により０次光１０４と１次光１０５とに分けられる。
０次光１０４はコリメートレンズ１０６および対物レン
ズ１０７を通過した後、光ディスク１０８に入射する。
この際、１次光１０５は情報処理に用いられることがな
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の光ピ
ックアップにおいては、ホログラムガラス１０３と一体
となっているホログラムレーザ１０９が、光ディスク１
０８に対向する位置に配置されている。このため、光ピ
ックアップ全体が物理的に大きくなり、システム全体の
小型薄層化を図る上での妨げとなっていた。また、ホロ
グラムレーザ１０９内には、レーザ光１０１の出力検出
のためのモニタ用半導体受光素子が内蔵されている。こ
のため、ホログラムレーザ１０９自体の小型化を図る上
での妨げとなっていた。
ックアップにおいては、ホログラムガラス１０３と一体
となっているホログラムレーザ１０９が、光ディスク１
０８に対向する位置に配置されている。このため、光ピ
ックアップ全体が物理的に大きくなり、システム全体の
小型薄層化を図る上での妨げとなっていた。また、ホロ
グラムレーザ１０９内には、レーザ光１０１の出力検出
のためのモニタ用半導体受光素子が内蔵されている。こ
のため、ホログラムレーザ１０９自体の小型化を図る上
での妨げとなっていた。
【０００４】本発明は、半導体レーザ型光ピックアップ
の小型化ひいては光ディスクシステムの小型化を図るこ
とのできる半導体受光素子を提供することを目的とす
る。
の小型化ひいては光ディスクシステムの小型化を図るこ
とのできる半導体受光素子を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
から出射されるレーザ光の中心光軸に対して所定角度で
配置され、該レーザ光の入射を受ける半導体受光素子に
おいて、その受光素子の入射面は、中心光軸を含む中心
領域が反射率のより高い高反射領域とされ、その高反射
領域の外側の領域が反射率のより低い低反射領域とされ
ており、高反射領域に入射したレーザ光は所定角度でそ
の光軸の向きが変換されて情報処理用光源として用いら
れ、低反射領域に入射したレーザ光は入射面の内部で光
電変換されて光出力が検出されることを特徴とする半導
体受光素子である。
から出射されるレーザ光の中心光軸に対して所定角度で
配置され、該レーザ光の入射を受ける半導体受光素子に
おいて、その受光素子の入射面は、中心光軸を含む中心
領域が反射率のより高い高反射領域とされ、その高反射
領域の外側の領域が反射率のより低い低反射領域とされ
ており、高反射領域に入射したレーザ光は所定角度でそ
の光軸の向きが変換されて情報処理用光源として用いら
れ、低反射領域に入射したレーザ光は入射面の内部で光
電変換されて光出力が検出されることを特徴とする半導
体受光素子である。
【０００６】
【作用】本発明によれば、半導体レーザ型光ピックアッ
プの小型化を実現することができる。その結果、光ディ
スクシステム全体の小型化を図ることができる。
プの小型化を実現することができる。その結果、光ディ
スクシステム全体の小型化を図ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の２つの実施例を図面を参照
しながら説明する。なお、これらによってこの発明が限
定されるものではない。
しながら説明する。なお、これらによってこの発明が限
定されるものではない。
【０００８】第１実施例 本発明の第１実施例を図１および図２に示す。図１にお
いて、９は半導体レーザとしてのホログラムレーザであ
る。このホログラムレーザ９から出射したレーザ光１
は、回折格子２を通過した後、０次光４と１次光５に分
けられる。そして、０次光４と１次光５とは、半導体受
光素子１１に入射する。この半導体受光素子１１は、ホ
ログラムレーザ９の光軸１０に対して所定の角度すなわ
ち４５°で配置されかつ支持台１４に固定されている。
いて、９は半導体レーザとしてのホログラムレーザであ
る。このホログラムレーザ９から出射したレーザ光１
は、回折格子２を通過した後、０次光４と１次光５に分
けられる。そして、０次光４と１次光５とは、半導体受
光素子１１に入射する。この半導体受光素子１１は、ホ
ログラムレーザ９の光軸１０に対して所定の角度すなわ
ち４５°で配置されかつ支持台１４に固定されている。
【０００９】半導体受光素子１１の入射面には、０次光
４の入射する領域、すなわち中心光軸１０を含む中心領
域に、反射率のより高い高反射領域としての高反射膜１
２が形成されている。この高反射膜１２は、図２に示す
ように平面形状が円形である。また、半導体受光素子１
１の入射面には、１次光５が入射する領域、すなわち高
反射膜１２の外側の領域に、反射率のより低い低反射領
域としての、低反射膜あるいは透過膜１３が形成されて
いる。
４の入射する領域、すなわち中心光軸１０を含む中心領
域に、反射率のより高い高反射領域としての高反射膜１
２が形成されている。この高反射膜１２は、図２に示す
ように平面形状が円形である。また、半導体受光素子１
１の入射面には、１次光５が入射する領域、すなわち高
反射膜１２の外側の領域に、反射率のより低い低反射領
域としての、低反射膜あるいは透過膜１３が形成されて
いる。
【００１０】高反射膜１２に入射した０次光４は、入射
角に対して所定の反射角で光軸の向きが変換された後、
コリメートレンズ６、対物レンズ７を通過し、光ディス
ク８に入射する。一方、低反射膜あるいは透過膜１３に
入射した１次光５は、半導体受光素子１１の入射面に入
射し、その内部で光電変換される。そして、レーザ光１
の出力の検出に用いられる。
角に対して所定の反射角で光軸の向きが変換された後、
コリメートレンズ６、対物レンズ７を通過し、光ディス
ク８に入射する。一方、低反射膜あるいは透過膜１３に
入射した１次光５は、半導体受光素子１１の入射面に入
射し、その内部で光電変換される。そして、レーザ光１
の出力の検出に用いられる。
【００１１】第２実施例 本発明の第２実施例を図３および図４に示す。図３にお
いて、半導体レーザとしての通常の半導体レーザパッケ
ージ１５から出射したレーザ光２１は、０次光２４と１
次光２５に分けられる。そして、０次光２４と１次光２
５とは、その中心光軸３０に対して所定の角度すなわち
４５°で配置された半導体受光素子３１に入射する。こ
の半導体受光素子３１は支持台３４に固定されている。
いて、半導体レーザとしての通常の半導体レーザパッケ
ージ１５から出射したレーザ光２１は、０次光２４と１
次光２５に分けられる。そして、０次光２４と１次光２
５とは、その中心光軸３０に対して所定の角度すなわち
４５°で配置された半導体受光素子３１に入射する。こ
の半導体受光素子３１は支持台３４に固定されている。
【００１２】半導体受光素子３１の入射面には、０次光
２４の入射する領域、すなわち中心光軸３０を含む中心
領域に、反射率のより高い高反射領域としての高反射膜
３２が形成されている。この高反射膜３２は、図４に示
すように平面形状が長方形である。また、半導体受光素
子３１の入射面には、１次光２５が入射する領域、すな
わち高反射膜３２の外側の領域に、反射率のより低い低
反射領域としての、低反射膜あるいは透過膜３３・３３
が形成されている。この低反射膜あるいは透過膜３３・
３３も、図４に示すように平面形状が長方形である。
２４の入射する領域、すなわち中心光軸３０を含む中心
領域に、反射率のより高い高反射領域としての高反射膜
３２が形成されている。この高反射膜３２は、図４に示
すように平面形状が長方形である。また、半導体受光素
子３１の入射面には、１次光２５が入射する領域、すな
わち高反射膜３２の外側の領域に、反射率のより低い低
反射領域としての、低反射膜あるいは透過膜３３・３３
が形成されている。この低反射膜あるいは透過膜３３・
３３も、図４に示すように平面形状が長方形である。
【００１３】レーザ光２１のうち、コリメートレンズ２
６の開口数に見合う広がりの範囲の光が、高反射膜３２
に入射する。その後、所定角度で光軸の向きが変換さ
れ、コリメートレンズ２６、対物レンズ２７を通過し、
光ディスク２８に入射する。一方、コリメートレンズ２
６の開口数以上の広がりの光は、低反射膜あるいは透過
膜３３・３３に入射する。低反射膜あるいは透過膜３３
・３３に入射した１次光５は、半導体受光素子３１の入
射面に入射し、その内部で光電変換される。そして、レ
ーザ光２１の光出力の検出に用いられる。
６の開口数に見合う広がりの範囲の光が、高反射膜３２
に入射する。その後、所定角度で光軸の向きが変換さ
れ、コリメートレンズ２６、対物レンズ２７を通過し、
光ディスク２８に入射する。一方、コリメートレンズ２
６の開口数以上の広がりの光は、低反射膜あるいは透過
膜３３・３３に入射する。低反射膜あるいは透過膜３３
・３３に入射した１次光５は、半導体受光素子３１の入
射面に入射し、その内部で光電変換される。そして、レ
ーザ光２１の光出力の検出に用いられる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザ型光ピッ
クアップの小型化が実現できるため、光ディスクシステ
ムの小型化を図ることができる。
クアップの小型化が実現できるため、光ディスクシステ
ムの小型化を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例にかかる半導体受光素子を
使用した光ピックアップの全体構成説明図。
使用した光ピックアップの全体構成説明図。
【図２】その光ピックアップの要部拡大斜視図。
【図３】本発明の第２実施例における半導体受光素子を
使用した光ピックアップの全体構成説明図。
使用した光ピックアップの全体構成説明図。
【図４】その光ピックアップの要部拡大斜視図。
【図５】従来の光ピックアップの全体構成説明図。
【符号の説明】 １・２１ レーザ光 ２ 回折格子 ３ ホログラムガラス ４・２４ ０次光 ５・２５ １次光 ６・２６ コリメートレンズ ７・２７ 対物レンズ ８・２８ 光ディスク ９ ホログラムレーザ（半導体レーザ） １０・３０ 光軸 １１・３１ 半導体受光素子 １２・３２ 高反射膜 １３・３３ 低反射膜あるいは透過膜 １４・３４ 支持台 １５ 半導体レーザパッケージ（半導体レー
ザ）
ザ）
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザから出射されるレーザ光の
中心光軸に対して所定角度で配置され、該レーザ光の入
射を受ける半導体受光素子において、 その受光素子の入射面は、中心光軸を含む中心領域が反
射率のより高い高反射領域とされ、その高反射領域の外
側の領域が反射率のより低い低反射領域とされており、
高反射領域に入射したレーザ光は所定角度でその光軸の
向きが変換されて情報処理用光源として用いられ、低反
射領域に入射したレーザ光は入射面の内部で光電変換さ
れて光出力の検出に用いられることを特徴とする半導体
受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145920A JP2730830B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145920A JP2730830B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342617A JPH05342617A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2730830B2 true JP2730830B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=15396142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4145920A Expired - Fee Related JP2730830B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730830B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601931B1 (ko) * | 2003-06-16 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 박형 광픽업 |
| JP2007013015A (ja) | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP4145920A patent/JP2730830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05342617A (ja) | 1993-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |