JPH05144074A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH05144074A JPH05144074A JP3307728A JP30772891A JPH05144074A JP H05144074 A JPH05144074 A JP H05144074A JP 3307728 A JP3307728 A JP 3307728A JP 30772891 A JP30772891 A JP 30772891A JP H05144074 A JPH05144074 A JP H05144074A
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- hologram element
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回折効率の低下や収差の増大などを引き起こ
すおそれがなく、しかも、コンパクトな半導体レーザ装
置を提供する。 【構成】 半導体レーザ装置Ｌ1 は、ステム１と、発光
用半導体レーザ素子２と、受光用フォトダイオード７
と、光回折用ホログラム素子４とを備えている。ホログ
ラム素子４は、キャップ３の上部外面に接触する第１面
４ａと、この第１面４ａに平行であってグレーティング
が形成された第２面４ｂとを有している。第１面４ａに
は、第２面４ｂのグレーティングで回折されてホログラ
ム素子４の内部へ入った光を反射させて第２面４ｂの方
向へ導く第１ミラー８が設けられている。ホログラム素
子４の第２面４ｂには、第１ミラー８で反射された光を
再び反射させてフォトダイオード７へ導く第２ミラー９
が設けられている。
すおそれがなく、しかも、コンパクトな半導体レーザ装
置を提供する。 【構成】 半導体レーザ装置Ｌ1 は、ステム１と、発光
用半導体レーザ素子２と、受光用フォトダイオード７
と、光回折用ホログラム素子４とを備えている。ホログ
ラム素子４は、キャップ３の上部外面に接触する第１面
４ａと、この第１面４ａに平行であってグレーティング
が形成された第２面４ｂとを有している。第１面４ａに
は、第２面４ｂのグレーティングで回折されてホログラ
ム素子４の内部へ入った光を反射させて第２面４ｂの方
向へ導く第１ミラー８が設けられている。ホログラム素
子４の第２面４ｂには、第１ミラー８で反射された光を
再び反射させてフォトダイオード７へ導く第２ミラー９
が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、さらに詳しくは、光情報機器における光ピックアッ
プの構成部材などに使用される半導体レーザ装置に関す
る。
し、さらに詳しくは、光情報機器における光ピックアッ
プの構成部材などに使用される半導体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザ装置として、図３に
示すようなものが知られている。すなわち、水平に配さ
れたステム５１と、このステム５１の上部に取り付けら
れた発光用半導体レーザ素子５２と、ステム５１および
半導体レーザ素子５２を上方から覆うキャップ５３と、
このキャップ５３の上面に取り付けられたホログラム素
子５４と、ステム５１の上部に半導体レーザ素子５２と
一定の水平距離をおいて取り付けられた受光用フォトダ
イオード５７とを備えたものが知られている。
示すようなものが知られている。すなわち、水平に配さ
れたステム５１と、このステム５１の上部に取り付けら
れた発光用半導体レーザ素子５２と、ステム５１および
半導体レーザ素子５２を上方から覆うキャップ５３と、
このキャップ５３の上面に取り付けられたホログラム素
子５４と、ステム５１の上部に半導体レーザ素子５２と
一定の水平距離をおいて取り付けられた受光用フォトダ
イオード５７とを備えたものが知られている。
【０００３】この種の半導体レーザ装置とコリメートレ
ンズ５５および対物レンズ５６とを組み合わせて構成し
た光ピックアップにおいて、半導体レーザ素子５２から
出射されたレーザ光はまずホログラム素子５４を通過す
る（０次光）。そして、コリメートレンズ５５および対
物レンズ５６を通過した後、光ディスクＤに集光され
る。光ディスクＤで反射した光は、対物レンズ５６およ
びコリメートレンズ５５を経て、再びホログラム素子５
４を通過する。その際の回折光（＋１次光あるいは−１
次光）がフォトダイオード５７に入射する。
ンズ５５および対物レンズ５６とを組み合わせて構成し
た光ピックアップにおいて、半導体レーザ素子５２から
出射されたレーザ光はまずホログラム素子５４を通過す
る（０次光）。そして、コリメートレンズ５５および対
物レンズ５６を通過した後、光ディスクＤに集光され
る。光ディスクＤで反射した光は、対物レンズ５６およ
びコリメートレンズ５５を経て、再びホログラム素子５
４を通過する。その際の回折光（＋１次光あるいは−１
次光）がフォトダイオード５７に入射する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような光ピックア
ップにあっては、半導体レーザ素子５２とフォトダイオ
ード５７との距離に対応する回折角を採用するか、ある
いはホログラム素子５４とフォトダイオード５７との距
離を一定の大きさにする必要がある。しかし、回折角を
一定以上大きくすれば、回折効率の低下や収差の増大な
どの問題が生じるおそれがあった。そこで現状では、回
折角は約２０°に設定されている。一方、ホログラム素
子５４とフォトダイオード５７との距離を大きくすれ
ば、半導体レーザ装置ひいては光ピックアップを大きな
ものにしてしまうという問題点があった。
ップにあっては、半導体レーザ素子５２とフォトダイオ
ード５７との距離に対応する回折角を採用するか、ある
いはホログラム素子５４とフォトダイオード５７との距
離を一定の大きさにする必要がある。しかし、回折角を
一定以上大きくすれば、回折効率の低下や収差の増大な
どの問題が生じるおそれがあった。そこで現状では、回
折角は約２０°に設定されている。一方、ホログラム素
子５４とフォトダイオード５７との距離を大きくすれ
ば、半導体レーザ装置ひいては光ピックアップを大きな
ものにしてしまうという問題点があった。
【０００５】この発明は、上記の実情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、回折効率の低下や収差の増大
などを引き起こすおそれがなく、しかも、大きさのコン
パクトな半導体レーザ装置を提供することにある。
ものであり、その目的は、回折効率の低下や収差の増大
などを引き起こすおそれがなく、しかも、大きさのコン
パクトな半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、基台と、こ
の基台に取り付けられた発光用半導体レーザ素子と、基
台に半導体レーザ素子と一定の距離をおいて取り付けら
れた受光素子と、半導体レーザ素子および受光素子の近
傍に設けられ、半導体レーザ素子から出射された光が入
射する第１面およびこの第１面に平行であって回折格子
が形成された第２面を有する光回折用ホログラム素子と
を備え、半導体レーザ素子から出射された光がホログラ
ム素子の第１面および第２面を通って光ディスクまで進
み、その光ディスクで反射された後に再びホログラム素
子の第２面に入射し、その第２面における回折格子で回
折される半導体レーザ装置であって、ホログラム素子の
第１面に、上記回折格子で回折されてホログラム素子の
内部へ入った光を反射させて第２面の方向へ導く第１ミ
ラーが設けられ、ホログラム素子の第２面に、第１ミラ
ーで反射された光を再び反射させて受光素子へ導く第２
ミラーが設けられてなる半導体レーザ装置である。
の基台に取り付けられた発光用半導体レーザ素子と、基
台に半導体レーザ素子と一定の距離をおいて取り付けら
れた受光素子と、半導体レーザ素子および受光素子の近
傍に設けられ、半導体レーザ素子から出射された光が入
射する第１面およびこの第１面に平行であって回折格子
が形成された第２面を有する光回折用ホログラム素子と
を備え、半導体レーザ素子から出射された光がホログラ
ム素子の第１面および第２面を通って光ディスクまで進
み、その光ディスクで反射された後に再びホログラム素
子の第２面に入射し、その第２面における回折格子で回
折される半導体レーザ装置であって、ホログラム素子の
第１面に、上記回折格子で回折されてホログラム素子の
内部へ入った光を反射させて第２面の方向へ導く第１ミ
ラーが設けられ、ホログラム素子の第２面に、第１ミラ
ーで反射された光を再び反射させて受光素子へ導く第２
ミラーが設けられてなる半導体レーザ装置である。
【０００７】
【作用】ここで、受光素子としてはたとえばフォトダイ
オードが用いられる。また、ホログラム素子の第２面に
おける回折格子は、基台の半導体レーザ素子と受光素子
とが一定の距離を保つように、たとえば回折角が２０°
になるように、公知の方法で形成される。さらに、第１
ミラーおよび第２ミラーはたとえば、ホログラム素子の
第１面および第２面にそれぞれ、アルミニウムを蒸着す
ることにより設けられる。
オードが用いられる。また、ホログラム素子の第２面に
おける回折格子は、基台の半導体レーザ素子と受光素子
とが一定の距離を保つように、たとえば回折角が２０°
になるように、公知の方法で形成される。さらに、第１
ミラーおよび第２ミラーはたとえば、ホログラム素子の
第１面および第２面にそれぞれ、アルミニウムを蒸着す
ることにより設けられる。
【０００８】光ディスクで反射された後に再びホログラ
ム素子の第２面に入射し、その第２面における回折格子
で回折された光（信号光）は、０次光、＋１次光および
−１次光に回折する。その＋１次光あるいは−１次光
は、まずホログラム素子の第１ミラーで反射し、ついで
第２ミラーでもう一度反射した後、ホログラム素子の外
部へ出射する。つまり、ホログラム素子内で２回の反射
が行われることになる。換言すれば、ホログラム素子の
入射点と出射点との間の距離が、上記のようなミラーに
よる反射のない従来の半導体レーザ装置のそれに比べて
３倍になる。したがって、０次光が戻ってくる半導体レ
ーザ素子と＋１次光あるいは−１次光を受ける受光素子
との距離を充分大きくとることができる。
ム素子の第２面に入射し、その第２面における回折格子
で回折された光（信号光）は、０次光、＋１次光および
−１次光に回折する。その＋１次光あるいは−１次光
は、まずホログラム素子の第１ミラーで反射し、ついで
第２ミラーでもう一度反射した後、ホログラム素子の外
部へ出射する。つまり、ホログラム素子内で２回の反射
が行われることになる。換言すれば、ホログラム素子の
入射点と出射点との間の距離が、上記のようなミラーに
よる反射のない従来の半導体レーザ装置のそれに比べて
３倍になる。したがって、０次光が戻ってくる半導体レ
ーザ素子と＋１次光あるいは−１次光を受ける受光素子
との距離を充分大きくとることができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面に示す２つの実施例に基づいてこ
の発明を詳述する。なお、これらによってこの発明が限
定されるものではない。
の発明を詳述する。なお、これらによってこの発明が限
定されるものではない。
【００１０】実施例１ 図１において、半導体レーザ装置Ｌ1 は、水平に配され
た基台としてのステム１と、このステム１の上部に取り
付けられた発光用半導体レーザ素子２と、ステム１の上
部に半導体レーザ素子２と一定の距離をおいて取り付け
られた受光素子としての受光用フォトダイオード７とを
備えている。
た基台としてのステム１と、このステム１の上部に取り
付けられた発光用半導体レーザ素子２と、ステム１の上
部に半導体レーザ素子２と一定の距離をおいて取り付け
られた受光素子としての受光用フォトダイオード７とを
備えている。
【００１１】この半導体レーザ装置Ｌ1 はさらに、ステ
ム１、半導体レーザ素子２およびフォトダイオード７を
上方から覆うキャップ３と、このキャップ３の上部外面
に取り付けられた光回折用ホログラム素子４とを備えて
いる。ホログラム素子４は、キャップ３の上部外面に接
触する第１面４ａと、この第１面４ａに平行であって回
折格子としてのグレーティングが形成された第２面４ｂ
とを有している。
ム１、半導体レーザ素子２およびフォトダイオード７を
上方から覆うキャップ３と、このキャップ３の上部外面
に取り付けられた光回折用ホログラム素子４とを備えて
いる。ホログラム素子４は、キャップ３の上部外面に接
触する第１面４ａと、この第１面４ａに平行であって回
折格子としてのグレーティングが形成された第２面４ｂ
とを有している。
【００１２】この半導体レーザ装置Ｌ1 とコリメートレ
ンズ５および対物レンズ６とを組み合わせて構成した光
ピックアップＰにおいて、半導体レーザ素子１から出射
された光はキャップ３を介してホログラム素子４の第１
面４ａおよび第２面４ｂを通過する（０次光）。そし
て、コリメートレンズ５および対物レンズ６を通過した
後、光ディスクＤまで進み、光ディスクＤで集光され
る。光ディスクＤで反射した光は、対物レンズ６および
コリメートレンズ５を経て、再びホログラム素子４の第
２面４ｂに入射し、その第２面４ｂのグレーティングで
回折される（＋１次光あるいは−１次光）。ここで、０
次光と＋１次光あるいは−１次光とで作られる回折角が
２０°になるように、ホログラム素子４における第２面
４ｂのグレーティングが形成されている。
ンズ５および対物レンズ６とを組み合わせて構成した光
ピックアップＰにおいて、半導体レーザ素子１から出射
された光はキャップ３を介してホログラム素子４の第１
面４ａおよび第２面４ｂを通過する（０次光）。そし
て、コリメートレンズ５および対物レンズ６を通過した
後、光ディスクＤまで進み、光ディスクＤで集光され
る。光ディスクＤで反射した光は、対物レンズ６および
コリメートレンズ５を経て、再びホログラム素子４の第
２面４ｂに入射し、その第２面４ｂのグレーティングで
回折される（＋１次光あるいは−１次光）。ここで、０
次光と＋１次光あるいは−１次光とで作られる回折角が
２０°になるように、ホログラム素子４における第２面
４ｂのグレーティングが形成されている。
【００１３】ホログラム素子４の第１面４ａには、第２
面４ｂのグレーティングで回折されてホログラム素子４
の内部へ入った光（信号光）を反射させて第２面４ｂの
方向へ導く第１ミラー８が設けられている。この第１ミ
ラー８は、ホログラム素子４の第１面４ａに、アルミニ
ウムを蒸着することにより設けられたものである。ま
た、ホログラム素子４の第２面４ｂには、第１ミラー８
で反射された光を再び反射させてキャップ３を介してフ
ォトダイオード７へ導く第２ミラー９が設けられてい
る。この第２ミラー９の製造方法は第１ミラー８と同じ
である。
面４ｂのグレーティングで回折されてホログラム素子４
の内部へ入った光（信号光）を反射させて第２面４ｂの
方向へ導く第１ミラー８が設けられている。この第１ミ
ラー８は、ホログラム素子４の第１面４ａに、アルミニ
ウムを蒸着することにより設けられたものである。ま
た、ホログラム素子４の第２面４ｂには、第１ミラー８
で反射された光を再び反射させてキャップ３を介してフ
ォトダイオード７へ導く第２ミラー９が設けられてい
る。この第２ミラー９の製造方法は第１ミラー８と同じ
である。
【００１４】なお、図１において、上記回折角が２０°
であるため、第１ミラー８での入射角、反射角および第
２ミラー９での入射角、反射角は、いずれも２０°であ
る。
であるため、第１ミラー８での入射角、反射角および第
２ミラー９での入射角、反射角は、いずれも２０°であ
る。
【００１５】この半導体レーザ装置Ｌ1 にあっては、光
ディスクＤで反射された後に再びホログラム素子４の第
２面４ｂに入射し、その第２面４ｂにおけるグレーティ
ングで回折された光が、０次光、＋１次光および−１次
光に回折する。その＋１次光は、まずホログラム素子４
の第１ミラー８で反射し、ついで第２ミラー９でもう一
度反射した後、ホログラム素子４の外部へ出射し、キャ
ップ３を介してフォトダイオード７へ導かれる。したが
って、０次光が戻ってくる半導体レーザ素子２と＋１次
光を受けるフォトダイオード７との距離を充分大きくと
ることができる。
ディスクＤで反射された後に再びホログラム素子４の第
２面４ｂに入射し、その第２面４ｂにおけるグレーティ
ングで回折された光が、０次光、＋１次光および−１次
光に回折する。その＋１次光は、まずホログラム素子４
の第１ミラー８で反射し、ついで第２ミラー９でもう一
度反射した後、ホログラム素子４の外部へ出射し、キャ
ップ３を介してフォトダイオード７へ導かれる。したが
って、０次光が戻ってくる半導体レーザ素子２と＋１次
光を受けるフォトダイオード７との距離を充分大きくと
ることができる。
【００１６】実施例２ 図２において、半導体レーザ装置Ｌ2 は、水平に配され
た基台としてのステム１１と、このステム１１の上部に
取り付けられた発光用半導体レーザ素子２と、ステム１
１の上部に半導体レーザ素子２と一定の距離をおいて取
り付けられた受光素子としての左右２つの受光用フォト
ダイオード７・１７とを備えている。２つのフォトダイ
オード７・１７はたとえば、一方を信号検出用に、他方
をパワーモニタ用に使用することが可能である。
た基台としてのステム１１と、このステム１１の上部に
取り付けられた発光用半導体レーザ素子２と、ステム１
１の上部に半導体レーザ素子２と一定の距離をおいて取
り付けられた受光素子としての左右２つの受光用フォト
ダイオード７・１７とを備えている。２つのフォトダイ
オード７・１７はたとえば、一方を信号検出用に、他方
をパワーモニタ用に使用することが可能である。
【００１７】この半導体レーザ装置Ｌ2 はさらに、ステ
ム１１、半導体レーザ素子２およびフォトダイオード７
・１７を上方から覆う、キャップを兼ねる光回折用ホロ
グラム素子１４とを備えている。ホログラム素子１４
は、半導体レーザ素子２から出射される光が入射する第
１面１４ａと、この第１面１４ａに平行であって回折格
子としてのグレーティングが形成された第２面１４ｂと
を有している。
ム１１、半導体レーザ素子２およびフォトダイオード７
・１７を上方から覆う、キャップを兼ねる光回折用ホロ
グラム素子１４とを備えている。ホログラム素子１４
は、半導体レーザ素子２から出射される光が入射する第
１面１４ａと、この第１面１４ａに平行であって回折格
子としてのグレーティングが形成された第２面１４ｂと
を有している。
【００１８】この半導体レーザ装置Ｌ2 とコリメートレ
ンズ（図示略）および対物レンズ（図示略）とを組み合
わせて構成した光ピックアップ（図示略）において、半
導体レーザ素子２から出射された光はホログラム素子１
４の第１面１４ａおよび第２面１４ｂを通過する（０次
光）。そして、コリメートレンズおよび対物レンズを通
過した後、光ディスク（図示略）まで進み、光ディスク
で集光される。光ディスクで反射した光は、対物レンズ
およびコリメートレンズを経て、再びホログラム素子１
４の第２面１４ｂに入射し、その第２面１４ｂのグレー
ティングで回折される（＋１次光あるいは−１次光）。
ここで、０次光と＋１次光あるいは−１次光とで作られ
る回折角が２０°になるように、ホログラム素子１４に
おける第２面１４ｂのグレーティングが形成されてい
る。
ンズ（図示略）および対物レンズ（図示略）とを組み合
わせて構成した光ピックアップ（図示略）において、半
導体レーザ素子２から出射された光はホログラム素子１
４の第１面１４ａおよび第２面１４ｂを通過する（０次
光）。そして、コリメートレンズおよび対物レンズを通
過した後、光ディスク（図示略）まで進み、光ディスク
で集光される。光ディスクで反射した光は、対物レンズ
およびコリメートレンズを経て、再びホログラム素子１
４の第２面１４ｂに入射し、その第２面１４ｂのグレー
ティングで回折される（＋１次光あるいは−１次光）。
ここで、０次光と＋１次光あるいは−１次光とで作られ
る回折角が２０°になるように、ホログラム素子１４に
おける第２面１４ｂのグレーティングが形成されてい
る。
【００１９】ホログラム素子１４の第１面１４ａには、
第２面１４ｂのグレーティングで回折されてホログラム
素子１４の内部へ入った光（信号光）を反射させて第２
面１４ｂの方向へ導く左右２つの第１ミラー８・８が設
けられている。これらの第１ミラー８・８は、ホログラ
ム素子１４の第１面１４ａに、アルミニウムを蒸着する
ことにより設けられたものである。また、ホログラム素
子１４の第２面１４ｂには、各第１ミラー８・８で反射
された光を再び反射させて各フォトダイオード７・１７
へ導く左右２つの第２ミラー９・９が設けられている。
これらの第２ミラー９・９の製造方法は第１ミラー８・
８と同じである。
第２面１４ｂのグレーティングで回折されてホログラム
素子１４の内部へ入った光（信号光）を反射させて第２
面１４ｂの方向へ導く左右２つの第１ミラー８・８が設
けられている。これらの第１ミラー８・８は、ホログラ
ム素子１４の第１面１４ａに、アルミニウムを蒸着する
ことにより設けられたものである。また、ホログラム素
子１４の第２面１４ｂには、各第１ミラー８・８で反射
された光を再び反射させて各フォトダイオード７・１７
へ導く左右２つの第２ミラー９・９が設けられている。
これらの第２ミラー９・９の製造方法は第１ミラー８・
８と同じである。
【００２０】なお、図２において、上記回折角が２０°
であるため、第１ミラー８・８での入射角、反射角およ
び第２ミラー９・９での入射角、反射角は、いずれも２
０°である。
であるため、第１ミラー８・８での入射角、反射角およ
び第２ミラー９・９での入射角、反射角は、いずれも２
０°である。
【００２１】この半導体レーザ装置Ｌ2 にあっては、光
ディスクで反射された後に再びホログラム素子１４の第
２面１４ｂに入射し、その第２面１４ｂにおけるグレー
ティングで回折された光が、０次光、＋１次光および−
１次光に回折する。その＋１次光は、まずホログラム素
子１４の右側の第１ミラー８で反射し、ついで右側の第
２ミラー９でもう一度反射した後、ホログラム素子１４
の外部へ出射し、右側のフォトダイオード７へ導かれ
る。一方、その−１次光は、まずホログラム素子１４の
左側の第１ミラー８で反射し、ついで左側の第２ミラー
９でもう一度反射した後、ホログラム素子１４の外部へ
出射し、左側のフォトダイオード１７へ導かれる。した
がって、０次光が戻ってくる半導体レーザ素子２と＋１
次光を受けるフォトダイオード７との距離、および半導
体レーザ素子２と−１次光を受けるフォトダイオード１
７との距離をいずれも充分大きくとることができる。
ディスクで反射された後に再びホログラム素子１４の第
２面１４ｂに入射し、その第２面１４ｂにおけるグレー
ティングで回折された光が、０次光、＋１次光および−
１次光に回折する。その＋１次光は、まずホログラム素
子１４の右側の第１ミラー８で反射し、ついで右側の第
２ミラー９でもう一度反射した後、ホログラム素子１４
の外部へ出射し、右側のフォトダイオード７へ導かれ
る。一方、その−１次光は、まずホログラム素子１４の
左側の第１ミラー８で反射し、ついで左側の第２ミラー
９でもう一度反射した後、ホログラム素子１４の外部へ
出射し、左側のフォトダイオード１７へ導かれる。した
がって、０次光が戻ってくる半導体レーザ素子２と＋１
次光を受けるフォトダイオード７との距離、および半導
体レーザ素子２と−１次光を受けるフォトダイオード１
７との距離をいずれも充分大きくとることができる。
【００２２】
【発明の効果】この発明に係る半導体レーザ装置は、上
記のように構成されているおり、０次光が戻ってくる半
導体レーザ素子と＋１次光あるいは−１次光を受ける受
光素子との距離を充分大きくとることができるので、回
折効率の低下や収差の増大などを引き起こすおそれがな
く、しかも、大きさをコンパクトにすることができる。
記のように構成されているおり、０次光が戻ってくる半
導体レーザ素子と＋１次光あるいは−１次光を受ける受
光素子との距離を充分大きくとることができるので、回
折効率の低下や収差の増大などを引き起こすおそれがな
く、しかも、大きさをコンパクトにすることができる。
【図１】この発明の実施例１に係る半導体レーザ装置の
概略構成説明図。
概略構成説明図。
【図２】この発明の実施例２に係る半導体レーザ装置の
概略構成説明図。
概略構成説明図。
【図３】従来の半導体レーザ装置の概略構成説明図。
１・１１ ステム（基台） ２ 半導体レーザ素子 ４・１４ ホログラム素子 ４ａ・１４ａ 第１面 ４ｂ・１４ｂ 第２面 ７・１７ フォトダイオード（受光素子） ８ 第１ミラー ９ 第２ミラー
Claims (1)
- 【請求項１】 基台と、この基台に取り付けられた発光
用半導体レーザ素子と、基台に半導体レーザ素子と一定
の距離をおいて取り付けられた受光素子と、半導体レー
ザ素子および受光素子の近傍に設けられ、半導体レーザ
素子から出射された光が入射する第１面およびこの第１
面に平行であって回折格子が形成された第２面を有する
光回折用ホログラム素子とを備え、 半導体レーザ素子から出射された光がホログラム素子の
第１面および第２面を通って光ディスクまで進み、その
光ディスクで反射された後に再びホログラム素子の第２
面に入射し、その第２面における回折格子で回折される
半導体レーザ装置であって、 ホログラム素子の第１面に、上記回折格子で回折されて
ホログラム素子の内部へ入った光を反射させて第２面の
方向へ導く第１ミラーが設けられ、ホログラム素子の第
２面に、第１ミラーで反射された光を再び反射させて受
光素子へ導く第２ミラーが設けられてなる半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3307728A JPH05144074A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3307728A JPH05144074A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144074A true JPH05144074A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17972545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3307728A Pending JPH05144074A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144074A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2765412A1 (fr) * | 1997-06-28 | 1999-01-01 | Mitel Semiconductor Ab | Source optique a systeme de controle |
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-
1991
- 1991-11-22 JP JP3307728A patent/JPH05144074A/ja active Pending
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