JPS6339144A - 光学式ヘツド装置 - Google Patents

光学式ヘツド装置

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JPS6339144A
JPS6339144A JP61183660A JP18366086A JPS6339144A JP S6339144 A JPS6339144 A JP S6339144A JP 61183660 A JP61183660 A JP 61183660A JP 18366086 A JP18366086 A JP 18366086A JP S6339144 A JPS6339144 A JP S6339144A
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JP
Japan
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light
order
diffraction grating
optical head
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Application number
JP61183660A
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English (en)
Inventor
Shinsuke Shikama
信介 鹿間
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/08Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
    • G11B7/09Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following

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  • Optical Head (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は光学式情報記憶媒体への情報の記録/再生に
用いられる光学式ヘッド装置、特に、1〜ラツキングセ
ンサ用にディスク上に復数個のスポラl−を集光するい
わゆる3ビ一ム方式の光学式ヘッド装置の光学系構成に
関するものである。
[従来の技術] 第6図は従来の光学式ヘッド装置を示す概略構成図であ
り、図において、(1)は光源でおる半導体レーザ(以
後、LDと称する)、(3)はLD(1)の出射光束(
2)を回折し3つのビームに分離する回折格子、(4)
は光束を反射して集光レンズ(5)に入射させる平板状
ビームスプリッタ、(6)は集光レンズ(5)を透過し
た光束の集光点付近に置かれた光学式情報記憶媒体(以
後、光ディスクと称する)、(7)は光ディスク(6)
に記録された情報であるピット、(8)はピッ1−(7
)の列よりなる情報トラック、(10)は光ディスク(
6)によって反射され、集光レンズ(5)及びビームス
プリッタ(4)を透過した光束を受光し光電変換する光
検知器である。
次に従来装置の動作について説明する。LD(1)を出
射した光束(2〉は回折格子(3)によって回折され、
ビームスプリッタ(4)の表面で反射された後、第7図
に示すように、集光レンズ(5)によって光ディスク(
6)の斜線で示した情報面上に三つの光スポラt−(9
a>、(9e)、(9f>として集光される。
三つの光スポット(9a)、(9e)、(9f>の中心
を結ぶ線は、トラック(8)の方向に対して僅かに傾く
ように配置されている。このように光ディスク(6)の
情報面に集光した光は反射され、集光レンズ(5)を再
透過した後ビームスプリッタ(4)を透過することによ
って、公知のように非点収差が与えられた状態で、光検
知器(10)に入射する。
光検知器(10)は光ディスク(6)上の集光スポット
が合焦状態にある時に中心ビーム即ちO次回折光の反射
光束が最小錯乱円となる光軸方向位置に置かれている。
光検知器は第7図に示すように6分υ1構成であり、中
央ビーム(0次光〉を受光する部分は(10a>、(1
0b)。
(10c)、(10d)に4分割されている。また、両
側のビームすなわち±1次光を受光する部分は独立した
光検知器(10e)、(10f)である。
公知のように、両側の光検知器(10e)。
(10f>の出力を減算器(13)によって差動演す)
することにより、端子(14)より中央の光スポット(
9a)とトラック(8)の位@ずれが検知できる(トラ
ッキングエラー信号)。トラッキングエラー信号は、こ
こでは図示しないがトラッキングアクチュエータを駆動
して、光スポラi〜(9a)がトラック(8)の中心に
正しく位置するよう補正するのに用いられる。
中央の4分割検知器出力は対角成分(10a>(10G
)及び(10b)、(10d)の差勅演鋒を減算器(1
2)によって出力端子(15)より取り出し、ディスク
上集光スポットの焦点ずれを検知して特に図示しないフ
ォーカスアクチュエータによって焦点ずれを補正するの
に用いられる(フォーカスエラー信@)。
この焦点ずれ検出方法は非点収差法とよばれ、ディスク
上のスポットが合焦状態のとき最小錯乱円の略円形状@
(11a)である検知器上スポットが、ディスクの遠近
台々の焦点ずれに従って、破線で示すように縦長及び横
長の楕円形に変形するのを電気出力に変換するのでおる
J、た、4分割検知器の加算器(16)による和出力(
17)は、光ディスク(6)の再生信号として、後段の
特に図示しない回路によって処理され利用される。
従来の光学式ヘッド装置は上記の構成であるから、ディ
スク上に複数ビームを作るために独立した1個の回折格
子が必要であり、コストアップの要因となっていた。ま
た、回折格子の挿入弁だけLDとビームスプリッタ間の
距離か遠くなり、装置を小型化する上での障害になる等
の問題点がおった。
そこで、本発明者は、上記問題点を解決する方法として
、ビームスプリッタの反射面に回折格子の機能をもたせ
てなる3ビーム光学ヘツド装置の光学系を提案しており
、本願出願と同時に出願している。上記提案発明におい
ては、ビームスプリッタ(従来装置に使用されていたビ
ームスプリッタと区別するために、以下、平板光学素子
と称す)が、第一の面が回折格子とビームの透過及び反
射機能を兼ね備えており、第二の面は主としてビームを
透過さけることにより、ディスクから反射してきた光に
対して非点収差を付与する働きを兼ね備えているもので
、従来装置に使用されていた独立した光学素子としての
回折格子を不用とする。
ざらに、回折格子軌跡がほぼ2つの点光源の干渉縞の形
状となっているので、反則回折によって生ずる1次回折
光にはと/Vど収差が発生しない。
以下、この提案発明について詳述する。第1図において
、(40)は従来のビームスプリッタに起き換えられた
平板光学素子であり、LD(1)の出射点(50)より
発せられる出射光(2)8反射する第一の面(30)上
に回折格子が形成されている。この第一の而(30)に
は従来のビームスプリッタの反射面と同等の反射率を有
するように適宜反射膜がつけられているが、反射率をそ
れほど要求されない場合は省略してもよい。また、平板
光学素子の第二の面(31〉は透過面となっており必要
に応じてARココ−ィングが施されている。
なP)、回折格子の形状(面内の軌跡)については後に
詳述する。
次に提案発明の動作について第1図により説明する。L
D(1)の出射点(50)を出射した光束(2)は平板
光学素子(40)の回折格子が形成されている面(30
)によって反射回折され、0次光と±1次光とに分離さ
れ、集光レンズ(5)によって光ディスク(6)上に3
つのスポットとして集光される。
ディスクから反射した光は、集光レンズを再透過し、さ
らに平板光学素子(40)を透過して非点収差が与えら
れ、光検知器(10)に入射する。
その他の部分の触ぎは従来装置と全く同様であり、非点
収差によってフォーカスエラー信号が±1次光の差動倹
λ口によりトラッキングエラー信号が17られる。
次に格子の軌跡の設計について第9図を用いて説明する
。図において(50)で示した点MがLD(1)の光束
出射点を表わしている。又、SはしDの出射点Mを通っ
て、一点鎖線で表わす光軸と直交する面内の点であり、
ディスク上の±1次光である(9e)又は(9f)と共
役関係にあるまた、格子面(30)は図の×1軸を中心
に光軸に垂直な面から角度φ傾いている。今、点M及び
3 G、:’13いた点光源から出射するLD(1)の
出射光の波長とほぼ等しい波長の光波の格子面(30)
上の位相をφ1.I (X、Y)、φs (X、Y)と
する。但し、X、Yは第9図に示したように、格子面上
の座標である。LD出射端面を含むX□−yo面上の点
M、Sから出射する光波の位相差へは0式で表わされる
△=φ8(X、Y)−φH(X、Y)  ・・・・・・
■M、Sから出射する光波による干渉縞の境界線は0式
によって与えられる。
π ■、■式で決定されるような溝軌跡を有する回折格子を
用いれば第9図における点Mに光源(LD(1))をお
いて格子面(30)によって反射回折された1次回折光
はSに配置した点光源から出射して、面(30)の位置
に置かれたミラーで反射された光束と等価になる。
又、−1次回折光はMに対するSの対称点S−から出射
される光束と等価になる。
第10図にこのような格子を位相格子で実現する場合の
断面図を示す。イロしこの図は、説明の便宜上、面(3
0)にそう座標を位相差Δで表している。図のように0
式の各mで与えられるΔの点を繍界にして表面(30)
が矩形形状となるように位相格子を形成すればよい。
第11図に格子を(膜幅格子で実現する場合の断面図を
示す。図のように0式の各mで与えられるΔを境界にし
て面(30)上に反射率の高い部分(太線部)と反射率
の低い部分(細線部)を順に型式すればよい。
第12図に格子軌跡の計算例を示す。
本例では、第5図に示したパラメータとして以下の値を
用いた。但しXo−yo座標系でのSの座標を(xS、
y3)とする。
atの大きさは図示のように1.5mmx1mmとした
この場合、3ビームは傾いた格子面のメリジオナル面内
に位置し格子軌跡はほぼ直線で、間隔がY方向に沿って
徐々に変化している。第14図に格子周期のY方向に沿
った変化をプロットした。これかられかるように、Y方
向に沿った格子周期の変化はほぼリニアである。従って
実用的には、このような場合には直線格子の周期を直線
的に変化きるだけでも十分といえる。
次に3ビームがサジッタル面内に配置される場合として
、以下のパラメータで計算した格子軌跡を第13図に示
す。
この場合の軌跡はY方向に沿って末広がり形状と41′
ることかわかる。
以上3ビームの配置がメリジオナル面内(X。
−0>、サジッタル面内(y、=O)におる場合につい
て格子軌跡を示したが、要はこれは設計の問題であり、
これ以下の配置であってもよい。
ヅなわち第9図に示した8点がXQ、yo面内において
どのような位置にあっても、上記■、■式より格子軌跡
を決定することができることはいうまでもない。とりわ
け、ディスク上の3ビームの方向が、平板光学素子(3
0)のメリジオナル平面に対して45′回転した位置に
集光される場合には、従来の円筒レンズを用いた非点収
差法において円筒レンズの軸方向をトラックに対して4
5°の角度に配置する場合と等価になる。この場合には
特公昭53−37722に公知の理由で、フォーカスセ
ンサ持性上有利でおる。このように33ビームを45°
方向に配置するには、第9図においてx  =y、とな
るように点Sを配して格子軌跡を求めればよい。なお、
格子の軌跡として本発明の実施例に示したような、光源
面上の2つの点光源からの干渉縞以外の形状を用いた場
合には発生する±1次光に収差が発生する。このような
±1次光に収差が発生すると、ディスク上のスポット(
9e)、(9f>の形状が乱れるので、良好なトラッキ
ングエラー信号を得る上での障害となる。本発明のよう
に格子軌跡を干渉縞の形状にすると、原理的に±1次回
折光無収差で発生するので、スポット(9e)、(9f
)が回折限界の良好な集光形状となり、従来の3ビ一ム
方式の光学ヘット装置と、互換性のある良好なトラッキ
ングエラー信号を得ることができる。
[発明が解決しにうとする問題点] しかしながら、上記提案発明において解決されることか
望ましい問題点がおる。
すなわち、光ディスク(6)から反射された3つの反射
光は平板光学素子(40)に形成された回折格子(30
a)を通過する際に更に回折を受け、光検知器(10)
上に9個の光スポットを形成させることになる。
この結果、情報再生に用いられる光デイスク上の0次光
に対応する反射光を受光する光検知器上(第8図の4分
割検知基部)で光束の重なりが生じ、再生信号の品質が
劣化するという問題がめった。
これを第15図に基づいて詳細に説明する。
LD(1)により出射したレーザ光(2)は回折格子面
(30)によって光デイスク上の0次光m、+”1次光
f、±1次光eに回折分離され、これら3つの光束は更
に光ディスク(6)から反則(反射光という)された後
に、平板光学素子(40)の回折格子面(30)、及び
面(31)8透過する際に再び回折された透過0次光及
び透過±1次光に分離される。従って、図に示されるJ
:うに、O広反射光mによって発生する透過回折光をM
l、M、M−1とし、+1次広反射光により発生する透
過回折光をFl、F、F−1とし、また、−1広反射光
eにより発生する透過回折光をEl、F、E−1とする
と、第7図の検知器(10a>、(10b)、(10c
)、(10d)には本来の再生信号であるMの他にEl
、F−1か手なって入射することになる。
従って、上記光デイスク反射光の回折光である一1次反
射光の透過+1次光計1.−1−1次反射光の透過−1
次光F−1は本来の光束(O広反射光m)によって再生
されるべき情報に対するノイズ成分となり、加算器〈1
6)の出力として取出される再生信号の品質を極めて劣
化させ、再生性能を確保する上での障害となっていた。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、光検知器に入射されるべき本来の光デイスク反則光
に対して混入する光デイスク反則光の透過回折光の強度
を低減し、再生信号の検知を良好に行うことのできる光
学式ヘッド装置を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段] この発明に係る光学式ヘッド装置は、回折分離手段が前
記提案発明と同様に干渉縞またはそれに近い軌跡から成
る位相型回折格子を第一の面に形成した平板光学素子を
含み、この平板光学素子を分離された光スポットが前記
情報記憶媒体上の所定位置に照射されるように配置し、
情報記憶媒体からの反射光が平板光学素子によって透過
回折された場合に、+1次反射光の透過−1次光と0次
反射光の透過0次光との強度比I、−1/IM及び−1
次反射光の透過+1光と0次反射光の透過0次光との強
度比IE1/IMが再生信号の品質劣化を生じざぜない
一定値以下になるように前記位相型回折格子の位相量を
設定したことを特徴とする。
ここで、位相型回折格子とは入射光に対して空間的に位
相変化を与える回折格子をいうものとする。
[作用] この発明における光学式ヘッド装置では、上記平板光学
素子上の位相型回折格子により光ディスクからの反射光
が平板光学素子を通過する際に所定の位相量が与えられ
るが、この位相量を+1次反射光の透過±1次光と0次
反射光の透過0次光どの強度比Ir−t /l1−1 
、IEl、■Hを極めて小さい値、例えば1/100程
度以下に設定することができるので、本発明の平板光学
素子を用いた場合において再生信号への余分な透過回折
光の混入を(勇めて低減させることができ、光検知器に
おける再生信号の受光を良好な特性で1qることができ
る。
[実施例] 以下、この発明の1実施例を図に基づいて説明づる。本
発明にかかる光学式ヘッド装置は、第1図に示された構
成からなるが、その平板光学素子(40)上の位相型回
折格子(30a>の一部拡大図が第2図に示されている
図に示されるように、位相型回折格子(30a)は屈折
率n、の光束分離素子(40)の基板の表面(30)上
の屈折率ngの矩形格子(32)が形成され、実施例で
は説明の便宜上周期pを一定とし、矩形格子く32)の
デユーティ−比を0.5その厚みS:dとする。上記パ
ラメータng、d及び光源の波長λを所望の値に設定す
ることにより、所定の位相差を回折光に与えることがで
き、これについては後述するが、本発明は、平板光学素
子に矩形格子(32)を形成することだけで所望の効果
を得ることができる位相型回折格子(32a>を用いる
ことを特徴とする。
上記平板光学素子(40)は、光ディスク(6)からの
反射光に対して45°の角度をもって配置されており、
次に位相型回折格子(32a>に斜め人躬各θで反射光
が入射する場合の、位相間と回折光強度比の関係につい
て説明する。
第3図(a)には、反射の場合の位相量を求める説明図
、第3図(b)には透過の場合の位相量を求める説明図
が示されている。
ここで、回折格子(30a)が空気中に置かれるものと
考えると、反射の場合には、光路長差([AB] −[
AC] )を位相差に換算した位相量φrが次式にて求
められる。但し光源の空気中の波長をλとする。
φr=4yrd−cos  (θ)/λ  ・−−−−
・(1)また、透過の場合には便宜上平板光学素子基板
の屈折率n も格子材料と同じ屈折率ngと考えること
により、上記反射の場合と同じく光路長差([AB] 
−[AC] )より、位相量φτか次式にて求められる
φτ=2πd(cos(θ) n   ”−5in2 (θ))/ル=(2)一方、位
相型回折格子の矩形格子(32)のデユーティ−比が0
.5の場合には、溝幅に比べて溝厚みが充分小さく、従
って矩形格子(32)のエツジの影響が無視できると考
えると、位相量φに対して、1次光の強度比■1と0次
光の強度比■oの比は次式で表わされる。
ル ・・・(3) 但し上記(3)式は矩形形状が理想的でおるとすると±
1次光双方とも同じ値となる。
次に、第8図に示された光検知器(10)に入射される
透過回折光M、ELF−1の強度をそれぞれi、 、I
El−IF−1シて示すと、光検知器(10)上の妨害
光と信号光の強度比は上記(3)式に上記(1)、(2
>式を繰り返し代入することにより、次式で与えられる
ことが理解される。
IE1/IM=r[−1/IM − π ・・・・・・(4〉 従って、妨害光の強度を小さくするには上記(1)、(
2>式におけるパラメータd、θ、λ。
ngの値を、上記(4)式が一定値、例えばo、 oi
以下になるように設定すればよい。
第4図には2酸化ケイ素(Si o2)を矩形格子(3
2)の材料として平板光学素子(40)を形成した場合
の1例が示され、この場合のパラメータとし、n (+
 =1.45  (S iO2)、θ−π/4を用いて
、(d/λ)に対して上記(4)式をプロットしている
。この格子材料としての5i02はスパッタ法にて格子
作製を行う場合に一般的に用いられているものであり、
図から、最適な強度比として設定される値、つまり、旨
、、’rH< 0.01の領域として、0<d/λく。
0.16 、 1.36 <d/λ< 1.52が存在
することを読取ることができる。そして、LD(1)の
代表的波長を0.73μmとすると、上記範囲に相当す
る格子厚みdは、Q<d< 0.12.1.06<d<
 1.19  (μm)となることが理解される。
第5図には、ポリメチルメタクリル酸メチル(PMMA
)を材料として平板光学素子(40)を形成した場合の
1例が示され、パラメータとして、ng=1.48 (
PMMA)1、θ=π/4を用い、(d/λ)に対して
上記(4)式をプロットしている。この格子材料として
のPMMAは格子作製する場合には射出成形法等にて行
われ、図から、強度比として最適な値、つまり1E1/
■Hく0、01の領域として、O<d/λ< 0.16
.1.34<d/λ、 <、72が存在することが読み
取れる。そして、LDの代表的波長を0.73μmと覆
ると、上記範囲に相当する格子厚みは、0<d< 0.
12 、 1.05 <d< 1.34  (μm)と
なることが理解される。
このように、位相型回折格子(30a)が形成された平
板光学素子(40)の材料と光束分離素子自体の傾き角
度を設定することにより、矩形格子(32)の厚みdが
決定され、これらの値にて平板光学素子(40)を形成
すれば、ディスクからの反射光の透過±1次回折光の強
度を極めて低減させることができ、光検知器(10)に
て必要とされる検出信号の強度に与える影響をなくすこ
とができる。
なあ、トラッキングエラーを検出する反射±1次光にも
第15図に示されるように、透過±1次光M1及びM−
1の影響があるが、第8図検出部(10e)、(10f
>で検出した信号を電気的にキャンセルすることにより
有効に除去できるので問題とはならない。
以上のように、代表的な格子材料を用いた2例について
45°入躬の場合の最適パラメータの設定例を説明した
が、いずれの格子材料を用いた場合であっても、前記(
1)、(2>、(4)式によって設定される妨害光対信
号光の強度比が0.01以下となるように設定すれば、
良好な再生12J性の光学式ヘッド装置を1qることか
できる。
また、再生信号の品質がより厳しく問われる場合には、
前記許容値より小さくして前記(4)式を評価すればよ
い。すなわち、システムが要求する許容値のそれぞれに
対して本発明を適用することが可能でおる。
なお、(1)〜(4)式の導出は、前述したように、等
間隔でデユーティ−比0.5の矩形形状の位相シフトを
与える位相型回折格子としたが、本鈍明で用いる干渉縞
軌跡の回折格子も、隣接する数周期程I身をとった場合
、はぼ等間隔でデユーティ−比0.5の矩形位相シフト
関数を有するとみなせるので(1)〜(4)式か適用可
能であることを付言しておく。
また、実施例の説明では断面形状が矩形とされた位相型
回折格子(30a)について説明したが、この他にも位
相型回折格子材料としては、サーモプラスチックの表面
形状変形によるものヤカルコグナイド系元素を含んだア
モルファス半導体に光を照射することによって屈折率変
化を起させたもの等を用いることも可能である。
上記前者のサーモプラスチックを用いたものは、光導電
性の材料の上にサーモプラスチックを被膜し、このサー
モプラスチック上にコロナ放電、帯電そして加熱処理等
を施すことにより、サーモプラスチック表面に位相型の
凹凸変形を力■えたものでおる。
また、後者のアモルファス半導体を用いたものは、ガラ
ス基板上に真空蒸着または高周波スパッタにてアモルフ
ァス半導体薄膜を形成し、この薄膜に特定波長の光を照
射することにより微視的な構造変化を与え、屈折率変化
を有する薄膜に形成したものである。
このような位相型回折格子によっても本発明の目的を達
成させることができ、位相型回折格子の位相量の設定に
より、妨害光の強度を低減させ、必要な信号に対する妨
害を任意の許容値以下に設定できる。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、回折分離手段を位相
型の回折格子からなる平板光学素子としたので、光ディ
スクから反射される±1次光が光束分離素子にて透過回
折される場合に、光検知器に入射する0次反射光の透過
0次光に対する±1次反射光の透過+1次光の混入割合
いを所定値以Fに設定でき、当該信号の再生信号への混
入を極めて低減させ、良好な再生特性をもった光学式ヘ
ッド装置を1ワることができる。
しかも、回折格子の軌跡がLD発光点及びLD発光点と
略同−面内の一点に配置した2つの点光源の干渉縞であ
るから、回折分離される1次光にほとんど収差が生じず
、良好なトラッキングセンサ出力を得ることができ、従
来の独立した回折格子を有する光学ヘッド装置と同等の
特性を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明及び本発明と同時出願の発明による装置
の光学系構成図、第2図は本発明の実施例で使用される
位相型回折格子の断面形状を示す説明図、第3図は位相
型回折格子に光束が斜め入射した場合の位相量演算を示
す説明図、第4図は5i02を用いた45°入射の回折
格子による妨害光発生の場合において強度比と矩形格子
の厚さとの関係を示すグラフ図、第5図はPMMAを用
いた45°入射の回折格子による妨害光発生において、
強度比と矩形格子の厚さとの関係を示すグラフ図、第6
図は従来の光学式ヘッド装置を示す構成図、第7図は光
デイスク上の光スポツト図、第8図は光検知器の結線図
、第9図は格子軌跡について説明する為の図、第10図
、第11図は回折格子の断面形状を示す図、第12図、
第13図は格子ii/を跡の例を示す図、第14図は第
12図の回折格子のY方向の周期変化を示す図、第15
図は本発明か解決しようとする問題点を示す図で必る。 図において、(1〉はLD、(5〉は集光レンズ、(6
)は光ディスク、(8)は情報トラック、(9a)、(
9e)、(9f)は光スポット、(10)は光検知器、
(30)は第一の面、(31)は第二の面、(40)は
ビームスプリッタ(平板光学素子)、(30a>は位相
型回折格子でおる。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体レーザ光源、該光源から出射する光束を第
    一の面によって反射すると同時に0次回折光とその他の
    回折光の複数本の光束に回折分離する光束分離素子、該
    光束分離素子によつて反射分離された光束を光学式情報
    記憶媒体上に複数個の光スポットとして集光する集光レ
    ンズ手段、前記光学式情報記憶媒体の情報面によつて反
    射され前記対物レンズ手段を再透過し、前記光束分離素
    子の第一の面及び第二の面を透過した光束を受光して光
    電変換する光検知器より構成され、該光検知器上の0次
    回折光の変形によってディスク集光光束の焦点ずれを検
    知し、0次回折光により光学式情報記憶媒体に蓄えられ
    た情報を再生し、0次以外の回折光により前記光学式情
    報記憶媒体上の情報トラックと0次回折光の集光スポッ
    トとの面内ずれを検出する光学式ヘッド装置において、
    該第一の面に回折格子を設け、該回折格子は入射光の位
    相を空間的に変調する位相型回折格子であり、該回折格
    子によつて分波された結果、光スポットが前記情報記憶
    媒体上の所定位置に照射されるように配置し、情報記憶
    媒体からの反射光が前記第一の面によつて透過回折され
    た場合に、+1次反射光の透過−1次光と0次反射光の
    透過0次光との強度比I_F_−_1/I_M及び−1
    次反射光の透過+1次光と0次反射光の透過0次光との
    強度比I_E_1/I_Mが検出誤差を生じさせない一
    定値以下になるように前記位相型回折格子の位相量を設
    定したことを特徴とする光学式ヘッド装置。
  2. (2)前記位相型の回折格子は、面内の位相変化量が矩
    形状となっており、かつ近隣の矩形状位相シフト関数の
    デューティ比が略0.5となっている特許請求の範囲第
    (1)項記載の光学式ヘッド装置。
  3. (3)前記回折格子は、格子の断面形状が矩形波状とな
    つている特許請求の範囲第(2)項記載の光学式ヘッド
    装置。
  4. (4)前記回折格子が2酸化ケイ素材料により形成され
    たことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項、第(2
    )項又は第(3)項記載の光学式ヘッド装置。
  5. (5)前記光束分離素子の回折格子はポリメチルメタク
    リ酸メチル材料により形成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第(1)項、第(2)項又は第(3)項
    記載の光学式ヘッド装置。
  6. (6)前記+1次反射光の透過−1次光と0次反射光の
    透過0次光との強度比I_F_−_1/I_M及び−1
    次反射光の透過+1次光と0次反射光の透過0次光との
    強度比I_E_1/I_Mが0.01であることを特徴
    とする特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の
    光学式ヘッド装置。
  7. (7)前記回折格子によって分離される光束の数が三つ
    であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項乃至
    第5項記載の光学式ヘッド装置。
  8. (8)前記光学式情報記憶媒体によって反射した光束が
    、前記光束分離素子の第一の面及び第二の面を透過する
    ことによって非点収差が付与され、前記0次光による焦
    点ずれ検出の為の変形が与えられることを特徴とする特
    許請求の範囲第(1)項記載の光学式ヘッド装置。
  9. (9)前記光束分離素子の第一の面と第二の面が平行で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の
    光学式ヘッド装置。
  10. (10)前記光束分離素子の第一の面と第二の面がくさ
    び状であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
    記載の光学式ヘッド装置。
  11. (11)前記回折分離される光束が、前記光束分離素子
    の第一の面に関する略メリジオナル面内に存在する三つ
    の光スポットとしてディスク上に集光されることを特徴
    とする特許請求の範囲第(1)項乃至第(6)項記載の
    光学式ヘッド装置。
  12. (12)前記回折分離される光束が、前記光束分離素子
    の第一の面に関する略サジツタル面内に存在する三つの
    光スポットとしてデイスク上に集光されることを特徴と
    する特許請求の範囲第(1)項乃至第(6)項記載の光
    学式ヘッド装置。
  13. (13)前記回折分離される光束が、前記光束分離素子
    の第一の面に関するメリジオナル平面から光軸を中心に
    略45゜の角度をなす方向の面内に存在する三つの光ス
    ポットとしてディスク上に集光されることを特徴とする
    特許請求の範囲第(1)項乃至第6項記載の光学式ヘッ
    ド装置。
  14. (14)前記回折格子の縞軌跡が、前記半導体レーザの
    光束出射点及び該出射点を含み、半導体レーザ出射光の
    光輪に垂直な面内の一点の各々に配置された点光源から
    発せられる前記半導体レーザ出射光の波長とほぼ等しい
    波長の光波による、前記第一の面における干渉縞軌跡と
    なっていることを特徴とする特許請求の範囲第(1)乃
    至(13)項記載の光学式ヘッド装置。
  15. (15)前記回折分離される光束が前記光束分離素子の
    前記第一の面に関する略メリジオナル面内に存在する三
    つの光スポットとしてディスク上に集光され、前記回折
    格子の縞軌跡が、周期が直線的に変化する直線であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第(1)乃至(13)項
    記載の光学式ヘッド装置。
JP61183660A 1986-04-18 1986-08-05 光学式ヘツド装置 Pending JPS6339144A (ja)

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JP61183660A JPS6339144A (ja) 1986-08-05 1986-08-05 光学式ヘツド装置
DE8787105721T DE3776945D1 (de) 1986-04-18 1987-04-16 Optischer kopf.
EP87105721A EP0241942B1 (en) 1986-04-18 1987-04-16 Optical type head device
US07/039,230 US4753513A (en) 1986-04-18 1987-04-17 Optical type head device
KR1019870007728A KR900007143B1 (ko) 1986-08-05 1987-07-16 광학식 헤드 장치

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5727015A (en) * 1995-03-06 1998-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Distributed feedback semiconductor laser

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5727015A (en) * 1995-03-06 1998-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Distributed feedback semiconductor laser

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KR900007143B1 (ko) 1990-09-29
KR880003299A (ko) 1988-05-16

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