JPH06163985A - Ｉｉｉ −ｖ族化合物を用いた発光及び受光素子 - Google Patents
Ｉｉｉ −ｖ族化合物を用いた発光及び受光素子Info
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- JPH06163985A JPH06163985A JP31365092A JP31365092A JPH06163985A JP H06163985 A JPH06163985 A JP H06163985A JP 31365092 A JP31365092 A JP 31365092A JP 31365092 A JP31365092 A JP 31365092A JP H06163985 A JPH06163985 A JP H06163985A
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- Japan
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- type
- iii
- impurities
- layer
- light
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エピタキシャル成長法によるIII −Ｖ族化合
物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体接合
界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不純物として炭素
を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物としてシリコンを用い
ることを特徴とするIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子
又は受光素子 【効果】 本発明により、明確な半導体接合面が得ら
れ、この結果設計通りの性能を持つIII −Ｖ族化合物半
導体の発光素子または受光素子を提供することができ、
またドーパントの拡散に起因する素子の劣化が生じにく
いIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素子を
提供することである。
物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体接合
界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不純物として炭素
を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物としてシリコンを用い
ることを特徴とするIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子
又は受光素子 【効果】 本発明により、明確な半導体接合面が得ら
れ、この結果設計通りの性能を持つIII −Ｖ族化合物半
導体の発光素子または受光素子を提供することができ、
またドーパントの拡散に起因する素子の劣化が生じにく
いIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素子を
提供することである。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は、III −Ｖ族化合物半導体
に関し、より詳しくは、III −Ｖ族化合物半導体の発光
素子又は受光素子に関する。
に関し、より詳しくは、III −Ｖ族化合物半導体の発光
素子又は受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】III −Ｖ族化合物の発光素子は半導体接
合を設け赤外から緑色領域にかけての発光を得るもので
あり、その用途は多岐にわたっている。また太陽光の波
長に合致した波長吸収特性を持つために太陽電池に代表
される受光素子としても用いられている。従来このよう
な構造を得るためにｎ型の不純物としてはセレン（Ｓ
ｅ）をキャリア濃度としておよそ１０17−１０19ｃｍ-3
添加し、ｐ型の不純物としては亜鉛（Ｚｎ）をキャリア
濃度としておよそ１０17−１０20ｃｍ-3添加し用いてい
た。このような不純物を用いる理由は構造中に取り込む
場合に比較的制御性よく取り扱えることと、高濃度のキ
ャリア濃度が得られるという利点があったためである。
合を設け赤外から緑色領域にかけての発光を得るもので
あり、その用途は多岐にわたっている。また太陽光の波
長に合致した波長吸収特性を持つために太陽電池に代表
される受光素子としても用いられている。従来このよう
な構造を得るためにｎ型の不純物としてはセレン（Ｓ
ｅ）をキャリア濃度としておよそ１０17−１０19ｃｍ-3
添加し、ｐ型の不純物としては亜鉛（Ｚｎ）をキャリア
濃度としておよそ１０17−１０20ｃｍ-3添加し用いてい
た。このような不純物を用いる理由は構造中に取り込む
場合に比較的制御性よく取り扱えることと、高濃度のキ
ャリア濃度が得られるという利点があったためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらかかる従
来のセレンと亜鉛をドープして得たIII −Ｖ族化合物半
導体の発光素子及び受光素子では、ドーパントであるセ
レンや亜鉛の拡散速度が早いため、半導体接合面が不明
確になり、設計した構造が得られなかったり、発光素子
の場合、活性層のバンドギャップが変化し、発光波長が
ずれてしまうことがあった。さらに素子劣化に関して
も、拡散速度の早さによる劣化が問題となっている。特
にこの問題は、素子構造が微細化した場合に顕著であっ
た。
来のセレンと亜鉛をドープして得たIII −Ｖ族化合物半
導体の発光素子及び受光素子では、ドーパントであるセ
レンや亜鉛の拡散速度が早いため、半導体接合面が不明
確になり、設計した構造が得られなかったり、発光素子
の場合、活性層のバンドギャップが変化し、発光波長が
ずれてしまうことがあった。さらに素子劣化に関して
も、拡散速度の早さによる劣化が問題となっている。特
にこの問題は、素子構造が微細化した場合に顕著であっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは鋭意
検討の結果、かかる課題がエピタキシャル成長法による
III −Ｖ族化合物半導体の発光素子又は受光素子におい
て、半導体接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不
純物として炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物として
シリコンを組み合わせたときに最も優れたIII −Ｖ族化
合物半導体の半導体接合面が得られることを見いだし、
本発明に到達した。すなわち本発明の第１の目的は、明
確な半導体接合面が得られ、この結果設計通りの性能を
持つIII−Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素子
を提供することであり、また本発明の他の目的は、ドー
パントの拡散に起因する素子の劣化の生じにくいIII −
Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素子を提供する
ことであり、そして本発明のその他の目的は、本明細書
中の記載により、当業者には明らかなものとなろう。そ
してかかる本発明の目的は、エピタキシャル成長法によ
るIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子又は受光素子にお
いて、半導体接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加
不純物として炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物とし
てシリコンを用いることを特徴とするIII −Ｖ族化合物
半導体の発光素子又は受光素子により、容易に達成され
る。
検討の結果、かかる課題がエピタキシャル成長法による
III −Ｖ族化合物半導体の発光素子又は受光素子におい
て、半導体接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不
純物として炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物として
シリコンを組み合わせたときに最も優れたIII −Ｖ族化
合物半導体の半導体接合面が得られることを見いだし、
本発明に到達した。すなわち本発明の第１の目的は、明
確な半導体接合面が得られ、この結果設計通りの性能を
持つIII−Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素子
を提供することであり、また本発明の他の目的は、ドー
パントの拡散に起因する素子の劣化の生じにくいIII −
Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素子を提供する
ことであり、そして本発明のその他の目的は、本明細書
中の記載により、当業者には明らかなものとなろう。そ
してかかる本発明の目的は、エピタキシャル成長法によ
るIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子又は受光素子にお
いて、半導体接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加
不純物として炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物とし
てシリコンを用いることを特徴とするIII −Ｖ族化合物
半導体の発光素子又は受光素子により、容易に達成され
る。
【０００５】以下本発明をより詳細に説明する。本発明
のIII −Ｖ族化合物半導体のマトリクス元素としては、
ｎ型層、ｐ型層共に特に限定されないが、ｐ型層はイン
ジウム含有率が低いことが好ましい。インジウム化合物
の場合炭素はｎ型の不純物となってくるため、インジウ
ム含有率が高くなってくると有効ではなくなってしま
う。具体的にはＸ1-Y ＩｎY Ｚ（ＸはIII 族のＩｎを除
く元素、ＺはＶ族元素）の形であれば組成比Ｙが０．７
以下、より好ましくは０．６以下であり、Ｙが低いほう
が好ましい。
のIII −Ｖ族化合物半導体のマトリクス元素としては、
ｎ型層、ｐ型層共に特に限定されないが、ｐ型層はイン
ジウム含有率が低いことが好ましい。インジウム化合物
の場合炭素はｎ型の不純物となってくるため、インジウ
ム含有率が高くなってくると有効ではなくなってしま
う。具体的にはＸ1-Y ＩｎY Ｚ（ＸはIII 族のＩｎを除
く元素、ＺはＶ族元素）の形であれば組成比Ｙが０．７
以下、より好ましくは０．６以下であり、Ｙが低いほう
が好ましい。
【０００６】本発明のIII −Ｖ族化合物半導体の製造方
法としては、公知の種々の方法が用いられ、好ましく
は、各種ＣＶＤ法や分子線エピタキシー法等の気相成長
法であり、特に好ましくはＭＯＣＶＤ法である。そして
その際に用いられるマトリクスの原料ガスとしては、Ｖ
族の水素化物もしくは有機金属とIII 族の有機金属であ
る。具体的なＶ族の水素化物としてはアルシン（ＡｓＨ
3 ）、ホスフィン（ＰＨ 3 ）、ターシャルブチルヒ素、
ターシャルブチルリン等が挙げられ、III 族の有機金属
としては、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リメチルインジウム、トリエチルインジウム等が挙げら
れる。
法としては、公知の種々の方法が用いられ、好ましく
は、各種ＣＶＤ法や分子線エピタキシー法等の気相成長
法であり、特に好ましくはＭＯＣＶＤ法である。そして
その際に用いられるマトリクスの原料ガスとしては、Ｖ
族の水素化物もしくは有機金属とIII 族の有機金属であ
る。具体的なＶ族の水素化物としてはアルシン（ＡｓＨ
3 ）、ホスフィン（ＰＨ 3 ）、ターシャルブチルヒ素、
ターシャルブチルリン等が挙げられ、III 族の有機金属
としては、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リメチルインジウム、トリエチルインジウム等が挙げら
れる。
【０００７】本発明のｐ型層へのドーパントである炭素
のドーピング方法は特に限定されず、またそのソースも
公知の種々のものが使用できるが、ＣＣｌ4 気体もしく
は有機金属に含まれた炭素として供給され、ドープされ
るかあるいはイオン打ちこみにてドープされるのが好ま
しい。同様にｎ型層へのシリコンのドープも特に限定さ
れる条件を持たないが、ソースとしてモノシラン、ジシ
ランがコスト等の点から好ましい。
のドーピング方法は特に限定されず、またそのソースも
公知の種々のものが使用できるが、ＣＣｌ4 気体もしく
は有機金属に含まれた炭素として供給され、ドープされ
るかあるいはイオン打ちこみにてドープされるのが好ま
しい。同様にｎ型層へのシリコンのドープも特に限定さ
れる条件を持たないが、ソースとしてモノシラン、ジシ
ランがコスト等の点から好ましい。
【０００８】各層のキャリア濃度は、所望の素子の性能
により異なるためとくに限定されないが、発光素子とし
て用いられる場合、ｐ型層で１×１０17〜１×１０19ｃ
ｍ-3、ｎ型層で１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3程度が一
般的である。なぜエピタキシャル成長法によるIII −Ｖ
族化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導
体接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不純物とし
て炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物としてシリコン
を組み合わせたときに最も優れたIII −Ｖ族化合物半導
体の半導体接合面が得られるかに関しては、炭素及びシ
リコンの半導体中の拡散速度が遅いので界面の形状が平
坦になるためと考えられる。その結果発光波長が正確で
出力（輝度）の高い、長寿命な素子が得られ、サイリス
タ現象も生じにくい。
により異なるためとくに限定されないが、発光素子とし
て用いられる場合、ｐ型層で１×１０17〜１×１０19ｃ
ｍ-3、ｎ型層で１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3程度が一
般的である。なぜエピタキシャル成長法によるIII −Ｖ
族化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導
体接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不純物とし
て炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物としてシリコン
を組み合わせたときに最も優れたIII −Ｖ族化合物半導
体の半導体接合面が得られるかに関しては、炭素及びシ
リコンの半導体中の拡散速度が遅いので界面の形状が平
坦になるためと考えられる。その結果発光波長が正確で
出力（輝度）の高い、長寿命な素子が得られ、サイリス
タ現象も生じにくい。
【０００９】以下本発明を実施例を用いて説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定される
ものではない。 （実施例）図１に示すようなｎ型の（１００）ＧａＡｓ
基板上にＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓをクラッド層として、Ｇ
ａＡｓを活性層としてＭＯＣＶＤを用いて赤外発光ＬＥ
Ｄを作成した。この時ｎ型クラッド層のキャリア濃度は
１．５×１０18ｃｍ-3・厚みは２．０μｍ、活性層は不
純物を添加せず厚みを０．１μｍ、ｐ型クラッド層のキ
ャリア濃度は５×１０18ｃｍ-3・厚みは８．０μｍとし
た。この時、ｎ型の不純物としてＳｉを、ｐ型の不純物
としてＣを用いたものは発光波長が８６４ｎｍとなり設
計通りの値を得たが、ｎ型の不純物としてＳｅを、ｐ型
の不純物としてＺｎを用いたものは発光波長が８６７ｎ
ｍと長めとなってしまった。Ｓｉ及びＣを添加不純物と
して用いたものは繰り返し精度は良かったが、Ｓｅ及び
Ｚｎを添加不純物として使用した場合は発光波長が行う
事に異なってしまい再現性も良くなかった。
本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定される
ものではない。 （実施例）図１に示すようなｎ型の（１００）ＧａＡｓ
基板上にＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓをクラッド層として、Ｇ
ａＡｓを活性層としてＭＯＣＶＤを用いて赤外発光ＬＥ
Ｄを作成した。この時ｎ型クラッド層のキャリア濃度は
１．５×１０18ｃｍ-3・厚みは２．０μｍ、活性層は不
純物を添加せず厚みを０．１μｍ、ｐ型クラッド層のキ
ャリア濃度は５×１０18ｃｍ-3・厚みは８．０μｍとし
た。この時、ｎ型の不純物としてＳｉを、ｐ型の不純物
としてＣを用いたものは発光波長が８６４ｎｍとなり設
計通りの値を得たが、ｎ型の不純物としてＳｅを、ｐ型
の不純物としてＺｎを用いたものは発光波長が８６７ｎ
ｍと長めとなってしまった。Ｓｉ及びＣを添加不純物と
して用いたものは繰り返し精度は良かったが、Ｓｅ及び
Ｚｎを添加不純物として使用した場合は発光波長が行う
事に異なってしまい再現性も良くなかった。
【００１０】このように添加不純物としてＳｉ及びＣを
用いることにより良い構造再現性を得ることが出来た。
また、図２に示すようなｎ型の（１００）ＧａＡｓ基板
上にＡｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓをクラッド層として、Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓを活性層としてＭＯＣＶＤを用いて赤
外発光ＬＤを作成した。この時、ｎ型バッファー層はキ
ャリア濃度２．０×１０18ｃｍ-3・厚み０．５μｍ、ｎ
型クラッド層のキャリア濃度は１．０×１０18ｃｍ-3・
厚みは１．５μｍ、活性層は不純物を添加せず厚みを
０．０５μｍ、第一ｐ型クラッド層のキャリア濃度は
１．０×１０18ｃｍ-3・厚みは０．３μｍ、ｎ型ブロッ
ク層のキャリア濃度は２．０×１０18ｃｍ-3・厚みは
１．０μｍ、第二ｐ型クラッド層のキャリア濃度は２．
０×１０18ｃｍ-3・厚みは１．２μｍ、ｐ型コンタクト
層のキャリア濃度は２．０×１０19ｃｍ-3・厚みは１．
５μｍとした。この時、ｎ型の不純物としてＳｉを、ｐ
型の不純物としてＣを用いたものを２００個チップ化し
組立を行い、スクリーニングを行わずに１０００時間の
寿命試験を行った結果、１６個が動作電流の許容値を越
えてしまい使用できなくなった。ｎ型の不純物としてＳ
ｅを、ｐ型の不純物としてＺｎを用いたものを同様に２
００個チップ化し組み立てた後スクリーニングを行わず
に１０００時間の寿命試験を行った結果、４０個が動作
電流の許容値を越えてしまい使用できなくなった。この
ように、ｎ型の不純物としてＳｉを、ｐ型の不純物とし
てＣを用いることによりＬＤの素子寿命が長くなってい
ることが判る。また、同様の構造で活性層の周囲０．１
μｍのｎ型クラッド層をＳｉ、ｐ型クラッド層をＣと
し、それより離れた層のｎ型添加不純物をＳｅ、ｐ型添
加不純物をＺｎとした場合でも同様の結果が得られた。
さらに活性層をＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の歪量子
井戸構造とした場合においても同様の結果が得られ、さ
らに量子井戸構造の不規則化が抑制されるといった効果
も得られた。この場合、活性層にはＩｎが含まれている
が、活性層自体にはドーピングが行なわれていないため
問題ない。
用いることにより良い構造再現性を得ることが出来た。
また、図２に示すようなｎ型の（１００）ＧａＡｓ基板
上にＡｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓをクラッド層として、Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓを活性層としてＭＯＣＶＤを用いて赤
外発光ＬＤを作成した。この時、ｎ型バッファー層はキ
ャリア濃度２．０×１０18ｃｍ-3・厚み０．５μｍ、ｎ
型クラッド層のキャリア濃度は１．０×１０18ｃｍ-3・
厚みは１．５μｍ、活性層は不純物を添加せず厚みを
０．０５μｍ、第一ｐ型クラッド層のキャリア濃度は
１．０×１０18ｃｍ-3・厚みは０．３μｍ、ｎ型ブロッ
ク層のキャリア濃度は２．０×１０18ｃｍ-3・厚みは
１．０μｍ、第二ｐ型クラッド層のキャリア濃度は２．
０×１０18ｃｍ-3・厚みは１．２μｍ、ｐ型コンタクト
層のキャリア濃度は２．０×１０19ｃｍ-3・厚みは１．
５μｍとした。この時、ｎ型の不純物としてＳｉを、ｐ
型の不純物としてＣを用いたものを２００個チップ化し
組立を行い、スクリーニングを行わずに１０００時間の
寿命試験を行った結果、１６個が動作電流の許容値を越
えてしまい使用できなくなった。ｎ型の不純物としてＳ
ｅを、ｐ型の不純物としてＺｎを用いたものを同様に２
００個チップ化し組み立てた後スクリーニングを行わず
に１０００時間の寿命試験を行った結果、４０個が動作
電流の許容値を越えてしまい使用できなくなった。この
ように、ｎ型の不純物としてＳｉを、ｐ型の不純物とし
てＣを用いることによりＬＤの素子寿命が長くなってい
ることが判る。また、同様の構造で活性層の周囲０．１
μｍのｎ型クラッド層をＳｉ、ｐ型クラッド層をＣと
し、それより離れた層のｎ型添加不純物をＳｅ、ｐ型添
加不純物をＺｎとした場合でも同様の結果が得られた。
さらに活性層をＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の歪量子
井戸構造とした場合においても同様の結果が得られ、さ
らに量子井戸構造の不規則化が抑制されるといった効果
も得られた。この場合、活性層にはＩｎが含まれている
が、活性層自体にはドーピングが行なわれていないため
問題ない。
【００１１】この実施例では赤外のＬＥＤ及びレーザー
について示したが他の色のＬＥＤや太陽電池などでも同
様であり、また活性層に量子井戸構造などの微細構造を
用いた場合でも同様である。また、成長方法をＭＯＣＶ
Ｄ以外のＭＢＥなどで行っても同様である。
について示したが他の色のＬＥＤや太陽電池などでも同
様であり、また活性層に量子井戸構造などの微細構造を
用いた場合でも同様である。また、成長方法をＭＯＣＶ
Ｄ以外のＭＢＥなどで行っても同様である。
【００１２】
【発明の効果】本発明により、明確な半導体接合面が得
られ、この結果設計通りの性能を持つIII −Ｖ族化合物
半導体の発光素子または受光素子を提供することがで
き、またドーパントの拡散に起因する素子の劣化が生じ
にくいIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素
子を提供することである。
られ、この結果設計通りの性能を持つIII −Ｖ族化合物
半導体の発光素子または受光素子を提供することがで
き、またドーパントの拡散に起因する素子の劣化が生じ
にくいIII −Ｖ族化合物半導体の発光素子または受光素
子を提供することである。
【図１】図１は本発明の実施例に使用したＬＥＤの構造
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】図２は本発明の実施例に使用した赤外線ＬＤの
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】 エピタキシャル成長法によるIII −Ｖ族
化合物半導体の発光素子又は受光素子において、半導体
接合界面における、ｐ型層側のｐ型の添加不純物として
炭素を、ｎ型層側のｎ型の添加不純物としてシリコンを
用いることを特徴とするIII −Ｖ族化合物半導体の発光
素子又は受光素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31365092A JPH06163985A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | Ｉｉｉ −ｖ族化合物を用いた発光及び受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31365092A JPH06163985A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | Ｉｉｉ −ｖ族化合物を用いた発光及び受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163985A true JPH06163985A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18043865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31365092A Pending JPH06163985A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | Ｉｉｉ −ｖ族化合物を用いた発光及び受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832181A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Motorola Inc | 発光デバイスをｐ型ドーピングする方法 |
| US6262465B1 (en) * | 1998-09-25 | 2001-07-17 | Picometrix, Inc. | Highly-doped P-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
| KR100616516B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2006-08-29 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP31365092A patent/JPH06163985A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832181A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Motorola Inc | 発光デバイスをｐ型ドーピングする方法 |
| US6262465B1 (en) * | 1998-09-25 | 2001-07-17 | Picometrix, Inc. | Highly-doped P-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
| KR100616516B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2006-08-29 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
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