JPH06163599A - 化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ - Google Patents
化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタInfo
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- JPH06163599A JPH06163599A JP31700892A JP31700892A JPH06163599A JP H06163599 A JPH06163599 A JP H06163599A JP 31700892 A JP31700892 A JP 31700892A JP 31700892 A JP31700892 A JP 31700892A JP H06163599 A JPH06163599 A JP H06163599A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ
において、スペーサ層とチャネル層との界面のクーロン
散乱を低減する。二次元電子ガスの電子移動度を高め
て、相互コンダクタンスｇm および雑音指数の改善を図
る。 【構成】半絶縁性ＧａＡｓ基板１にアンドープＧａＡｓ
バッファ層２、アンドープＩｎＧａＡｓ電流チャネル層
３、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５を順次成長させる。
つぎにゲート電極６、ソース電極７およびドレイン電極
８を形成する。
において、スペーサ層とチャネル層との界面のクーロン
散乱を低減する。二次元電子ガスの電子移動度を高め
て、相互コンダクタンスｇm および雑音指数の改善を図
る。 【構成】半絶縁性ＧａＡｓ基板１にアンドープＧａＡｓ
バッファ層２、アンドープＩｎＧａＡｓ電流チャネル層
３、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５を順次成長させる。
つぎにゲート電極６、ソース電極７およびドレイン電極
８を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体ヘテロ接合
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の高性能化に関するも
のである。
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の高性能化に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体電界効果トランジスタとし
て、ヘテロ接合のエネルギーギャップギャップの小さい
半導体に誘起される二次元電子ガス（２ＤＥＧ）層を用
いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）がある。
て、ヘテロ接合のエネルギーギャップギャップの小さい
半導体に誘起される二次元電子ガス（２ＤＥＧ）層を用
いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）がある。
【０００３】従来のＦＥＴとしてＭｏｒｋｏｃらの“Ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ ｗｉｔｈ
Ｓｔｒａｉｎｅｄ ＩｎＧａＡｓ Ｌａｙｅｒ”Ｕｎｉ
ｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ Ｐａｔｅｎｔ ４，８２７，３
２０，Ｍａｙ ２，１９８９について、図３を参照して
説明する。
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ ｗｉｔｈ
Ｓｔｒａｉｎｅｄ ＩｎＧａＡｓ Ｌａｙｅｒ”Ｕｎｉ
ｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ Ｐａｔｅｎｔ ４，８２７，３
２０，Ｍａｙ ２，１９８９について、図３を参照して
説明する。
【０００４】半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、アンドープ
（高純度）ＧａＡｓバッファ層２、アンドープＩｎＧａ
Ａｓ電流チャネル層３、アンドープＡｌＧａＡｓスペー
サ層４ａ、ＳｉドープＡｌＧａＡｓ電子供給層５が堆積
されている。その上にゲート電極６、ソース電極７およ
びドレイン電極８が形成されている。
（高純度）ＧａＡｓバッファ層２、アンドープＩｎＧａ
Ａｓ電流チャネル層３、アンドープＡｌＧａＡｓスペー
サ層４ａ、ＳｉドープＡｌＧａＡｓ電子供給層５が堆積
されている。その上にゲート電極６、ソース電極７およ
びドレイン電極８が形成されている。
【０００５】アンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層４ａお
よびアンドープＧａＡｓバッファ層２にはさまれたアン
ドープＩｎＧａＡｓ電流チャネル層３のポテンシャル井
戸には二次元電子ガス（２ＤＥＧ）３ａが形成される。
ゲート電極６に印加される電圧によってソース電極７と
ドレイン電極８との間の二次元電子ガス３ａを流れる電
流が制御される。
よびアンドープＧａＡｓバッファ層２にはさまれたアン
ドープＩｎＧａＡｓ電流チャネル層３のポテンシャル井
戸には二次元電子ガス（２ＤＥＧ）３ａが形成される。
ゲート電極６に印加される電圧によってソース電極７と
ドレイン電極８との間の二次元電子ガス３ａを流れる電
流が制御される。
【０００６】ＦＥＴの性能を向上させるには、二次元電
子ガス３ａのシート電子濃度および電子移動度を高める
必要がある。そこでＳｉドープＡｌＧａＡｓ電子供給層
５とアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層３との間にアン
ドープＡｌＧａＡｓスペーサ層４ａを挿入して、ＡｌＧ
ａＡｓ電子供給層５のドナーイオンによるクーロン散乱
を抑えることによって、二次元電子ガス３ａの電子移動
度を高めている。
子ガス３ａのシート電子濃度および電子移動度を高める
必要がある。そこでＳｉドープＡｌＧａＡｓ電子供給層
５とアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層３との間にアン
ドープＡｌＧａＡｓスペーサ層４ａを挿入して、ＡｌＧ
ａＡｓ電子供給層５のドナーイオンによるクーロン散乱
を抑えることによって、二次元電子ガス３ａの電子移動
度を高めている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】アンドープＩｎＧａＡ
ｓ電流チャネル層とアンド−プＡｌＧａＡｓスペーサ層
との界面には、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ａｓからなる４元化
合物が形成されている。４元化合物によるクーロン散乱
の影響が無視できないので、ヘテロ界面近傍の二次元電
子ガスの電子移動度を十分に高めることができなかっ
た。
ｓ電流チャネル層とアンド−プＡｌＧａＡｓスペーサ層
との界面には、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ａｓからなる４元化
合物が形成されている。４元化合物によるクーロン散乱
の影響が無視できないので、ヘテロ界面近傍の二次元電
子ガスの電子移動度を十分に高めることができなかっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体ヘ
テロ接合電界効果トランジスタは、半導体基板の一主面
上にアンドープバッファ層、前記バッファ層よりも電子
親和力が大きくエネルギーギャップギャップが小さい半
導体からなるチャネル層、前記バッファ層と電子親和力
およびエネルギーギャップギャップが等しい半導体から
なるスペーサ層および前記スペーサ層よりも電子親和力
が小さくエネルギーギャップギャップが大きい半導体か
らなる電子供給層が順次堆積されたものである。
テロ接合電界効果トランジスタは、半導体基板の一主面
上にアンドープバッファ層、前記バッファ層よりも電子
親和力が大きくエネルギーギャップギャップが小さい半
導体からなるチャネル層、前記バッファ層と電子親和力
およびエネルギーギャップギャップが等しい半導体から
なるスペーサ層および前記スペーサ層よりも電子親和力
が小さくエネルギーギャップギャップが大きい半導体か
らなる電子供給層が順次堆積されたものである。
【０００９】
【実施例】本発明の第１の実施例について図１（ａ）を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１０】はじめに半絶縁性ＧａＡｓ基板１をＭＢＥ
装置の成長室内で熱クリーニングしたのち、成長温度６
００℃で厚さ１μｍのアンドープＧａＡｓバッファ層２
を成長させる。つぎに成長温度を５００℃に下げたのち
厚さ１０ｎｍのアンドープＩｎY Ｇａ1-Y Ａｓ電流チャ
ネル層３（組成比Ｙ＝０．２）、厚さ１．５ｎｍのアン
ドープＧａＡｓスペーサ層４、Ｓｉを２×１０18ｃｍ-3
ドープした厚さ４０ｎｍのＮ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ電子
供給層５（組成比Ｘ＝０．２）を順次成長させる。つぎ
にゲート電極６、ソース電極７およびドレイン電極８を
形成する。
装置の成長室内で熱クリーニングしたのち、成長温度６
００℃で厚さ１μｍのアンドープＧａＡｓバッファ層２
を成長させる。つぎに成長温度を５００℃に下げたのち
厚さ１０ｎｍのアンドープＩｎY Ｇａ1-Y Ａｓ電流チャ
ネル層３（組成比Ｙ＝０．２）、厚さ１．５ｎｍのアン
ドープＧａＡｓスペーサ層４、Ｓｉを２×１０18ｃｍ-3
ドープした厚さ４０ｎｍのＮ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ電子
供給層５（組成比Ｘ＝０．２）を順次成長させる。つぎ
にゲート電極６、ソース電極７およびドレイン電極８を
形成する。
【００１１】Ｎ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ電子供給層５から
は二次元電子ガス３ａに十分な電子が供給される。ゲー
ト電極６に印加される電圧によってソース電極７とドレ
イン電極８との間の二次元電子ガス３ａを流れる電流が
制御される。
は二次元電子ガス３ａに十分な電子が供給される。ゲー
ト電極６に印加される電圧によってソース電極７とドレ
イン電極８との間の二次元電子ガス３ａを流れる電流が
制御される。
【００１２】本実施例の７７Ｋにおける二次元電子ガス
の電子移動度μは２．９×１０4 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓと、従
来例よりも２０％増加した。
の電子移動度μは２．９×１０4 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓと、従
来例よりも２０％増加した。
【００１３】またＦＥＴの性能を判断する指標である相
互コンダクタンスｇm は、従来例よりも２５％増加し
た。
互コンダクタンスｇm は、従来例よりも２５％増加し
た。
【００１４】図２に７７Ｋにおける二次元電子ガスの電
子移動度のスペーサ層厚依存性を示す。試作実験ではア
ンドープＧａＡｓスペーサ層の厚さが１ｎｍから３ｎｍ
の範囲で良好な特性が確認されているが、電子移動度が
最高になる約１．５ｎｍが最適値となることがわかる。
子移動度のスペーサ層厚依存性を示す。試作実験ではア
ンドープＧａＡｓスペーサ層の厚さが１ｎｍから３ｎｍ
の範囲で良好な特性が確認されているが、電子移動度が
最高になる約１．５ｎｍが最適値となることがわかる。
【００１５】つぎに本発明の第２の実施例について図１
（ｂ）を参照して説明する。
（ｂ）を参照して説明する。
【００１６】はじめに半絶縁性ＧａＡｓ基板１をＭＢＥ
装置の成長室内で熱クリーニングしたのち、成長速度８
００℃で厚さ１μｍのアンド−プＧａＡｓバッファ層２
を成長させる。つぎに成長温度を５００℃に下げたのち
厚さ１０ｎｍのアンドープＩｎY Ｇａ1-Y Ａｓ電流チャ
ネル層３（組成比Ｙ＝０．２）、厚さ１．５ｎｍのアン
ドープＧａＡｓスペ−サ層４、厚さ３０ｎｍのＳｉドー
プＮ型ＡｌX Ｇａ1-XＡｓ電子供給層５（組成比Ｘ＝
０．２）を成長させる。つぎにゲート電極６、ソース電
極７およびドレイン電極８を形成する。
装置の成長室内で熱クリーニングしたのち、成長速度８
００℃で厚さ１μｍのアンド−プＧａＡｓバッファ層２
を成長させる。つぎに成長温度を５００℃に下げたのち
厚さ１０ｎｍのアンドープＩｎY Ｇａ1-Y Ａｓ電流チャ
ネル層３（組成比Ｙ＝０．２）、厚さ１．５ｎｍのアン
ドープＧａＡｓスペ−サ層４、厚さ３０ｎｍのＳｉドー
プＮ型ＡｌX Ｇａ1-XＡｓ電子供給層５（組成比Ｘ＝
０．２）を成長させる。つぎにゲート電極６、ソース電
極７およびドレイン電極８を形成する。
【００１７】本実施例ではＳｉドープ電子供給層５のＳ
ｉ濃度は一様ではなく、濃度ＮS ＝５×１０12ｃｍ-2の
Ｓｉデルタドープ層５ａに集中させている。したがって
二次元電子ガス３ａには十分な電子を供給することがで
きる。
ｉ濃度は一様ではなく、濃度ＮS ＝５×１０12ｃｍ-2の
Ｓｉデルタドープ層５ａに集中させている。したがって
二次元電子ガス３ａには十分な電子を供給することがで
きる。
【００１８】このＦＥＴの７７Ｋにおける二次元電子ガ
ス３ａの電子移動度μは２．８×１０4 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ
と、従来例よりも１５％増加した。
ス３ａの電子移動度μは２．８×１０4 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ
と、従来例よりも１５％増加した。
【００１９】しかもＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ電子供給層５が
デルタドープされているので第１の実施例よりも薄くす
ることができる。ゲート電極と二次元電子ガス３ａとの
距離が短くなってｇm が従来例よりも３０％増加した。
デルタドープされているので第１の実施例よりも薄くす
ることができる。ゲート電極と二次元電子ガス３ａとの
距離が短くなってｇm が従来例よりも３０％増加した。
【００２０】
【発明の効果】ＳｉドープＮ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層
とアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層との間にアンドー
プＧａＡｓスペーサ層を挿入した。その結果、へテロ界
面近傍におけるＧａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ａｓからなる４元化
合物が形成されなくなった。
とアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層との間にアンドー
プＧａＡｓスペーサ層を挿入した。その結果、へテロ界
面近傍におけるＧａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ａｓからなる４元化
合物が形成されなくなった。
【００２１】ヘテロ界面近傍のクーロン散乱を低減し
て、二次元電子ガスの電子移動度は従来例よりも１５％
以上高〈なり、ＦＥＴ特性が大幅に向上した。
て、二次元電子ガスの電子移動度は従来例よりも１５％
以上高〈なり、ＦＥＴ特性が大幅に向上した。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す断面図であ
る。
ある。（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す断面図であ
る。
【図２】スペーサ層の厚さに対する二次元電子ガスの電
子移動度を示すグラフである。
子移動度を示すグラフである。
【図３】従来のＦＥＴを示す断面図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ アンドープＧａＡｓバッファ層 ３ アンドープＩｎY Ｇａ1-Y Ａｓ電流チャネル層 ３ａ 二次元電子ガス ４ アンドープＧａＡｓスペーサ層 ４ａ アンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層 ５ ＳｉドープＮ型ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ電子供給層 ５ａ Ｓｉデルタドープ層 ６ ゲート電極 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面上にアンドープバッ
ファ層、前記バッファ層よりも電子親和力が大きくエネ
ルギーギャップギャップが小さい半導体からなるチャネ
ル層、前記バッファ層と電子親和力およびエネルギーギ
ャップギャップが等しい半導体からなるスペーサ層およ
び前記スペーサ層よりも電子親和力が小さくエネルギー
ギャップギャップが大きい半導体からなる電子供給層が
順次堆積された化合物半導体ヘテロ接合電界効果トラン
ジスタ。 - 【請求項２】 バッファ層がＧａＡｓで、チャネル層が
ＩｎＧａＡｓで、スペーサ層がＧａＡｓで、電子供給層
がＡｌＧａＡｓである請求項１記載の化合物半導体ヘテ
ロ接合電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31700892A JP2755076B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31700892A JP2755076B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163599A true JPH06163599A (ja) | 1994-06-10 |
| JP2755076B2 JP2755076B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=18083386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31700892A Expired - Fee Related JP2755076B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755076B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004059744A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| WO2004059742A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 高電子移動度エピタキシャル基板 |
| WO2004059743A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081177A (ja) | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Nec Electronics Corp | 電界効果トランジスタ、半導体チップ及び半導体装置 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31700892A patent/JP2755076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004059744A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| WO2004059742A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 高電子移動度エピタキシャル基板 |
| WO2004059743A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JP2004207471A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JP2004207473A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 高電子移動度エピタキシャル基板 |
| JP2004207472A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| US7291873B2 (en) | 2002-12-25 | 2007-11-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | High electron mobility epitaxial substrate |
| US7304332B2 (en) | 2002-12-25 | 2007-12-04 | Sumitomo Chemical Company Limited | Compound semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing same |
| US7732836B2 (en) | 2002-12-25 | 2010-06-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing the same |
| JP4672959B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2011-04-20 | 住友化学株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル基板 |
| KR101032010B1 (ko) * | 2002-12-25 | 2011-05-02 | 스미카 에피 솔루션 컴퍼니 리미티드 | 화합물 반도체 에피택셜 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101037569B1 (ko) * | 2002-12-25 | 2011-05-27 | 스미카 에피 솔루션 컴퍼니 리미티드 | 화합물 반도체 에피택셜 기판 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755076B2 (ja) | 1998-05-20 |
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