JPH06162823A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06162823A JPH06162823A JP4306873A JP30687392A JPH06162823A JP H06162823 A JPH06162823 A JP H06162823A JP 4306873 A JP4306873 A JP 4306873A JP 30687392 A JP30687392 A JP 30687392A JP H06162823 A JPH06162823 A JP H06162823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- oxide
- composition
- weight
- resonance frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が大きく、かつ無負荷Ｑが大きく、
しかも共振周波数の温度係数が小さい誘電体共振器材料
等として好適な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。また、低温焼結可能であり、内部電極材料としてＡ
ｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層化がで
きる誘電体磁器組成物を提供するものである。 【構成】 組成式、（Ｂａ1-x Ｐｂx ）（Ｎｄa Ｐｒ
b Ｓｍc Ｌａd Ｂｉ e ）2 Ｔｉ4 Ｏ12（式中、０．０１
≦ｘ≦０．４、０．０１≦ａ≦０．９５、０．０１≦ｂ
≦０．９５、０≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．３、０．０
４≦ｅ≦０．５、ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）で表
されるバリウム、鉛、ネオジム、プラセオジム、サマリ
ウム、ランタン、ビスマス、チタンおよび酸素からなる
主成分に対して、副成分としてＧｅＯ2 を０．５〜５重
量％、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜５重量％、ＳｉＯ2 を０．５
〜５重量％およびＰｂＯを０．５〜５重量％含有する誘
電体磁器組成物。
しかも共振周波数の温度係数が小さい誘電体共振器材料
等として好適な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。また、低温焼結可能であり、内部電極材料としてＡ
ｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層化がで
きる誘電体磁器組成物を提供するものである。 【構成】 組成式、（Ｂａ1-x Ｐｂx ）（Ｎｄa Ｐｒ
b Ｓｍc Ｌａd Ｂｉ e ）2 Ｔｉ4 Ｏ12（式中、０．０１
≦ｘ≦０．４、０．０１≦ａ≦０．９５、０．０１≦ｂ
≦０．９５、０≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．３、０．０
４≦ｅ≦０．５、ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）で表
されるバリウム、鉛、ネオジム、プラセオジム、サマリ
ウム、ランタン、ビスマス、チタンおよび酸素からなる
主成分に対して、副成分としてＧｅＯ2 を０．５〜５重
量％、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜５重量％、ＳｉＯ2 を０．５
〜５重量％およびＰｂＯを０．５〜５重量％含有する誘
電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体磁器等の材料と
して好適な誘電体磁器組成物に関する。
して好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Ｑが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Ｑが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
【０００３】この改良系としてＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ
2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０−３５４０６号公
報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公報、特開昭６
２−１００９０６号公報）についての提案がなされてい
る。
2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０−３５４０６号公
報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公報、特開昭６
２−１００９０６号公報）についての提案がなされてい
る。
【０００４】最近、誘電体磁器組成物を積層した積層チ
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４５０℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、電極材料と
しては高温に耐えるパラジウムや白金等の材料に限定さ
れていた。このため、電極材料として安価な銀−パラジ
ウムや銅を使用して１２００℃以下の低温で同時焼成で
きる誘電体磁器組成物が求められている。
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４５０℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、電極材料と
しては高温に耐えるパラジウムや白金等の材料に限定さ
れていた。このため、電極材料として安価な銀−パラジ
ウムや銅を使用して１２００℃以下の低温で同時焼成で
きる誘電体磁器組成物が求められている。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、誘電体材料として優れ
た特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波
数の温度変化が小さいという特性を有し、しかも低温で
焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提
供することにある。
た特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波
数の温度変化が小さいという特性を有し、しかも低温で
焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提
供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、組成式、
（Ｂａ1-x Ｐｂx ）（Ｎｄa Ｐｒb Ｓｍc Ｌａd Ｂ
ｉe ） 2 Ｔｉ4 Ｏ12（式中、０．０１≦ｘ≦０．４、
０．０１≦ａ≦０．９５、０．０１≦ｂ≦０．９５、０
≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．３、０．０４≦ｅ≦０．
５、ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）で表されるバリウ
ム、鉛、ネオジム、プラセオジム、サマリウム、ランタ
ン、ビスマス、チタンおよび酸素からなる主成分に対し
て、副成分としてＧｅＯ2 を０．５〜５重量％、Ｂ2 Ｏ
3 を０．５〜５重量％、ＳｉＯ2 を０．５〜５重量％お
よびＰｂＯを０．５〜５重量％含有することを特徴とす
る誘電体磁器組成物に関する。
（Ｂａ1-x Ｐｂx ）（Ｎｄa Ｐｒb Ｓｍc Ｌａd Ｂ
ｉe ） 2 Ｔｉ4 Ｏ12（式中、０．０１≦ｘ≦０．４、
０．０１≦ａ≦０．９５、０．０１≦ｂ≦０．９５、０
≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．３、０．０４≦ｅ≦０．
５、ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）で表されるバリウ
ム、鉛、ネオジム、プラセオジム、サマリウム、ランタ
ン、ビスマス、チタンおよび酸素からなる主成分に対し
て、副成分としてＧｅＯ2 を０．５〜５重量％、Ｂ2 Ｏ
3 を０．５〜５重量％、ＳｉＯ2 を０．５〜５重量％お
よびＰｂＯを０．５〜５重量％含有することを特徴とす
る誘電体磁器組成物に関する。
【０００７】本発明によれば、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構
造においてＢａの一部をＰｂで置換することによって、
誘電率を大きく、共振周波数の温度係数を小さくするこ
とができる。置換量が多くなりすぎると、Ｑが低下する
ので置換量ｘは上記の範囲に設定される。
造においてＢａの一部をＰｂで置換することによって、
誘電率を大きく、共振周波数の温度係数を小さくするこ
とができる。置換量が多くなりすぎると、Ｑが低下する
ので置換量ｘは上記の範囲に設定される。
【０００８】ＮｄをＰｒで置換することによって共振周
波数の温度変化を正の方向に制御できる。しかしながら
置換量が多くなりすぎると共振周波数の温度変化が実用
範囲を越えてしまうので置換量ｂは上記の範囲に設定さ
れる。また、Ｓｍで置換することによって大きな誘電率
を保持しながらＱ値を大きく、また共振周波数の温度変
化を小さくできる。しかしながら置換量が多くなりすぎ
ると誘電率が低下するので置換量ｃは上記の範囲に設定
される。さらに、Ｎｄの一部をＬａで置換することによ
って誘電率を大きくできるが、Ｌａの置換量が多くなり
すぎると共振周波数の温度係数が大きくなるので、置換
量ｄは上記の範囲に設定される。さらにまた、Ｎｄの一
部をＢｉで置換することによってさらに誘電率を大きく
できるが、置換量が多くなりすぎるとＱが低下するので
置換量ｅは上記の範囲に設定される。
波数の温度変化を正の方向に制御できる。しかしながら
置換量が多くなりすぎると共振周波数の温度変化が実用
範囲を越えてしまうので置換量ｂは上記の範囲に設定さ
れる。また、Ｓｍで置換することによって大きな誘電率
を保持しながらＱ値を大きく、また共振周波数の温度変
化を小さくできる。しかしながら置換量が多くなりすぎ
ると誘電率が低下するので置換量ｃは上記の範囲に設定
される。さらに、Ｎｄの一部をＬａで置換することによ
って誘電率を大きくできるが、Ｌａの置換量が多くなり
すぎると共振周波数の温度係数が大きくなるので、置換
量ｄは上記の範囲に設定される。さらにまた、Ｎｄの一
部をＢｉで置換することによってさらに誘電率を大きく
できるが、置換量が多くなりすぎるとＱが低下するので
置換量ｅは上記の範囲に設定される。
【０００９】また、組成式、（Ｂａ1-x Ｐｂx ）（Ｎｄ
a Ｐｒb Ｓｍc Ｌａd Ｂｉe ）2 Ｔｉ4 Ｏ12において基
本構造からずれると、すなわち、（Ｂａ1-x Ｐｂx ）
（Ｎｄ a Ｐｒb Ｓｍc Ｌａd Ｂｉe ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ
12+3A/2+2Bと表したとき、式中のＡおよびＢが０でない
ときには誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑのうちのい
ずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下する。ま
た、化学量論比からずれるとＰｂやＢｉなどが焼成時に
離脱しやすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的
特性のばらつきを生じやすくなり好ましくない。
a Ｐｒb Ｓｍc Ｌａd Ｂｉe ）2 Ｔｉ4 Ｏ12において基
本構造からずれると、すなわち、（Ｂａ1-x Ｐｂx ）
（Ｎｄ a Ｐｒb Ｓｍc Ｌａd Ｂｉe ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ
12+3A/2+2Bと表したとき、式中のＡおよびＢが０でない
ときには誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑのうちのい
ずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下する。ま
た、化学量論比からずれるとＰｂやＢｉなどが焼成時に
離脱しやすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的
特性のばらつきを生じやすくなり好ましくない。
【００１０】主成分に対して、副成分としてＧｅＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＰｂＯを上記範囲の量含有さ
せることにより、誘電体材料として優れた特性を有し、
しかも１２００℃以下という低温で焼成焼結できる誘電
体磁器組成物が得られる。ＧｅＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 およびＰｂＯを過度に含有させた場合には、比誘電率
が低下するので含有量は上記範囲に設定される。また、
ＧｅＯ2 、Ｂ2 Ｏ 3 、ＳｉＯ2 およびＰｂＯを含有させ
ない場合には、１２００℃以下での低温焼成が困難にな
り、比誘電率やＱ値が悪くなる。
Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＰｂＯを上記範囲の量含有さ
せることにより、誘電体材料として優れた特性を有し、
しかも１２００℃以下という低温で焼成焼結できる誘電
体磁器組成物が得られる。ＧｅＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 およびＰｂＯを過度に含有させた場合には、比誘電率
が低下するので含有量は上記範囲に設定される。また、
ＧｅＯ2 、Ｂ2 Ｏ 3 、ＳｉＯ2 およびＰｂＯを含有させ
ない場合には、１２００℃以下での低温焼成が困難にな
り、比誘電率やＱ値が悪くなる。
【００１１】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分
であるバリウム、鉛、ネオジム、プラセオジム、サマリ
ウム、ランタン、ビスマスおよびチタンの炭酸塩、酸化
物、酢酸塩、硝酸塩、フッ化物などの仮焼・焼成により
酸化物となるような出発原料を混合して仮焼した後、酸
化ゲルマニム、酸化ホウ素、酸化ケイ素および酸化鉛を
加えて成形、焼成して焼結させる方法で製造することが
できる。
であるバリウム、鉛、ネオジム、プラセオジム、サマリ
ウム、ランタン、ビスマスおよびチタンの炭酸塩、酸化
物、酢酸塩、硝酸塩、フッ化物などの仮焼・焼成により
酸化物となるような出発原料を混合して仮焼した後、酸
化ゲルマニム、酸化ホウ素、酸化ケイ素および酸化鉛を
加えて成形、焼成して焼結させる方法で製造することが
できる。
【００１２】まず、炭酸バリウム、酸化鉛、酸化ネオジ
ム、酢酸プラセオジム、酸化サマリウム、酸化ランタ
ン、酸化ビスマスおよび酸化チタンを各所定量ずつ水、
アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、
アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有ガス雰囲
気（例えば空気雰囲気）下に９００〜１１００℃で約１
〜５時間程度仮焼する。この仮焼物を湿式あるいは乾式
で粉砕した後、酸化ゲルマニウム、酸化ホウ素、酸化ケ
イ素および酸化鉛を加えて湿式混合し、次いでポリビニ
ルアルコールの如き有機バインダを加え、乾燥後、加圧
成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。
成形方法としては、一軸加圧成形の他、ＨＩＰ、ドクタ
ー成形、鋳込み成形などでもよい。得られた成形体を空
気の如き酸素含有ガス雰囲気下に１０００〜１２００℃
で焼成することにより上記誘電体磁器組成物が得られ
る。
ム、酢酸プラセオジム、酸化サマリウム、酸化ランタ
ン、酸化ビスマスおよび酸化チタンを各所定量ずつ水、
アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、
アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有ガス雰囲
気（例えば空気雰囲気）下に９００〜１１００℃で約１
〜５時間程度仮焼する。この仮焼物を湿式あるいは乾式
で粉砕した後、酸化ゲルマニウム、酸化ホウ素、酸化ケ
イ素および酸化鉛を加えて湿式混合し、次いでポリビニ
ルアルコールの如き有機バインダを加え、乾燥後、加圧
成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。
成形方法としては、一軸加圧成形の他、ＨＩＰ、ドクタ
ー成形、鋳込み成形などでもよい。得られた成形体を空
気の如き酸素含有ガス雰囲気下に１０００〜１２００℃
で焼成することにより上記誘電体磁器組成物が得られ
る。
【００１３】こうして得られた誘電体磁器組成物は、そ
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電
体基板、高周波用キャパシタ、誘電体調整棒などの材料
として利用することができ、特にＭＨｚ〜ＧＨｚ帯で使
用される場合に優れた効果が奏される。
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電
体基板、高周波用キャパシタ、誘電体調整棒などの材料
として利用することができ、特にＭＨｚ〜ＧＨｚ帯で使
用される場合に優れた効果が奏される。
【００１４】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
更に具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．０８０モル、酸化
鉛粉末（ＰｂＯ）０．０２０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．０７０モル、酢酸プラセオジム粉末
（Pr(CH3CO2)3 ・2H2O) ０．０１モル、酸化サマリウム
粉末（Ｓｍ2 Ｏ3）０．００５モル、酸化ビスマス粉末
（Ｂｉ2 Ｏ3 ）０．０２０モルおよび酸化チタン粉末
（ＴｉＯ2 ）０．４００モルをエタノールと共にボール
ミルに入れ、１０時間湿式混合した。溶媒のエタノール
を蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。粉砕物を空気
雰囲気下に１０００℃で仮焼した後、再びらい潰機で１
時間粉砕した。この粉砕物に酸化ゲルマニウム粉末（Ｇ
ｅＯ2 ）２重量％、酸化ホウ素粉末（Ｂ2 Ｏ3 ）２重量
％、酸化ケイ素粉末（ＳｉＯ2 ）２重量％および酸化鉛
粉末（ＰｂＯ）２重量％を添加し、エタノールと共にボ
ールミルに入れ１０時間湿式混合した。溶媒のエタノー
ルを蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。この粉砕物
に適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直
径約９mm、厚み４mmのペレットに成形し、空気雰囲気下
に１１００℃で２時間焼成、焼結した。こうして得られ
た実施例１の磁器組成物を直径約７mm、厚み約３mmの大
きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周
波数（４〜５ＧＨｚ）における無負荷Ｑ、比誘電率εr
および共振周波数の温度係数τf を求めた。その結果を
表１に示す。
更に具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．０８０モル、酸化
鉛粉末（ＰｂＯ）０．０２０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．０７０モル、酢酸プラセオジム粉末
（Pr(CH3CO2)3 ・2H2O) ０．０１モル、酸化サマリウム
粉末（Ｓｍ2 Ｏ3）０．００５モル、酸化ビスマス粉末
（Ｂｉ2 Ｏ3 ）０．０２０モルおよび酸化チタン粉末
（ＴｉＯ2 ）０．４００モルをエタノールと共にボール
ミルに入れ、１０時間湿式混合した。溶媒のエタノール
を蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。粉砕物を空気
雰囲気下に１０００℃で仮焼した後、再びらい潰機で１
時間粉砕した。この粉砕物に酸化ゲルマニウム粉末（Ｇ
ｅＯ2 ）２重量％、酸化ホウ素粉末（Ｂ2 Ｏ3 ）２重量
％、酸化ケイ素粉末（ＳｉＯ2 ）２重量％および酸化鉛
粉末（ＰｂＯ）２重量％を添加し、エタノールと共にボ
ールミルに入れ１０時間湿式混合した。溶媒のエタノー
ルを蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。この粉砕物
に適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直
径約９mm、厚み４mmのペレットに成形し、空気雰囲気下
に１１００℃で２時間焼成、焼結した。こうして得られ
た実施例１の磁器組成物を直径約７mm、厚み約３mmの大
きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周
波数（４〜５ＧＨｚ）における無負荷Ｑ、比誘電率εr
および共振周波数の温度係数τf を求めた。その結果を
表１に示す。
【００１５】実施例２〜１３および比較例１〜７ 炭酸バリウム、酸化鉛、酸化ネオジム、酸化プラセオジ
ム、酸化サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマス、酸
化チタン、酸化ゲルマニウム、酸化ホウ素および酸化ケ
イ素の各粉末を表１に示すようなモル比、重量％になる
ようにし、焼成温度を変えたほかは実施例１と同様にし
て誘電体磁器組成物を製造し、物性を測定した。その結
果を表１に示す。
ム、酸化サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマス、酸
化チタン、酸化ゲルマニウム、酸化ホウ素および酸化ケ
イ素の各粉末を表１に示すようなモル比、重量％になる
ようにし、焼成温度を変えたほかは実施例１と同様にし
て誘電体磁器組成物を製造し、物性を測定した。その結
果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温度
が１０００〜１２００℃と低温で焼結し、誘電率が大き
く、かつ無負荷Ｑが大きく、しかも共振周波数の温度変
化が小さく、誘電体共振器材料の他に、例えばマイクロ
波ＩＣ用誘電体基板、高周波用キャパシタ、誘電体調整
棒等にも適用できる。また、本発明の誘電体磁器組成物
は、従来より２５０〜３５０℃低い温度で焼成可能なた
め、内部電極材料としてＡｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して
同時焼成による積層化ができる。
が１０００〜１２００℃と低温で焼結し、誘電率が大き
く、かつ無負荷Ｑが大きく、しかも共振周波数の温度変
化が小さく、誘電体共振器材料の他に、例えばマイクロ
波ＩＣ用誘電体基板、高周波用キャパシタ、誘電体調整
棒等にも適用できる。また、本発明の誘電体磁器組成物
は、従来より２５０〜３５０℃低い温度で焼成可能なた
め、内部電極材料としてＡｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して
同時焼成による積層化ができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式、（Ｂａ1-x Ｐｂx ）（Ｎｄa
Ｐｒb Ｓｍc ＬａdＢｉe ）2 Ｔｉ4 Ｏ12（式中、０．
０１≦ｘ≦０．４、０．０１≦ａ≦０．９５、０．０１
≦ｂ≦０．９５、０≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．３、
０．０４≦ｅ≦０．５、ただしａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝
１）で表されるバリウム、鉛、ネオジム、プラセオジ
ム、サマリウム、ランタン、ビスマス、チタンおよび酸
素からなる主成分に対して、副成分としてＧｅＯ2 を
０．５〜５重量％、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 を０．５〜５重量％およびＰｂＯを０．５〜５重量
％含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306873A JPH06162823A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306873A JPH06162823A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162823A true JPH06162823A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17962277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4306873A Pending JPH06162823A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06162823A (ja) |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP4306873A patent/JPH06162823A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3243874B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0712971B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06162823A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06309926A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0855519A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0855518A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2872438B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06150719A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3291780B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06162822A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06162824A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2645589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333422A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4362938B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3243873B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06260024A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3467927B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2974172B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3291817B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3257147B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06139820A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06325621A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3243890B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333425A (ja) | 誘電体磁器組成物 |