JPH06162450A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06162450A JPH06162450A JP43A JP31046992A JPH06162450A JP H06162450 A JPH06162450 A JP H06162450A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 31046992 A JP31046992 A JP 31046992A JP H06162450 A JPH06162450 A JP H06162450A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低電流でバイアス用軟磁性膜を簡単に磁化飽
和させ、バイアス効率の高いＭＲヘッドを提供する。 【構成】 バイアス用軟磁性膜、スペーサー用非磁性
膜、磁気抵抗効果膜からなる３層膜において、上記バイ
アス用軟磁性膜の磁化容易軸がＭＲ膜を流れるセンス電
流と直角方向になっているＭＲヘッド。 【効果】 低電流でバイアス用軟磁性膜を簡単に磁化飽
和することができるので、バイアス効率の高いＭＲヘッ
ドが提供できる。
和させ、バイアス効率の高いＭＲヘッドを提供する。 【構成】 バイアス用軟磁性膜、スペーサー用非磁性
膜、磁気抵抗効果膜からなる３層膜において、上記バイ
アス用軟磁性膜の磁化容易軸がＭＲ膜を流れるセンス電
流と直角方向になっているＭＲヘッド。 【効果】 低電流でバイアス用軟磁性膜を簡単に磁化飽
和することができるので、バイアス効率の高いＭＲヘッ
ドが提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録に用いられる磁
気抵抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」という。）及
びその製造方法に関するものである。
気抵抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」という。）及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】データ記録用の磁気ディスク装置は記録
密度の高密度化が年々進歩している。これに伴い磁気ヘ
ッドは高密度化に対応可能なＭＲヘッドの開発が進めら
れている。ところでＭＲヘッドにおいて、磁気記録媒体
の発生磁界に対応した再生出力波形を得るためには、Ｍ
Ｒ膜を線形領域で動作させなければならない。そのた
め、なんらかの方法でＭＲ膜にバイアス磁界を加える必
要がある。
密度の高密度化が年々進歩している。これに伴い磁気ヘ
ッドは高密度化に対応可能なＭＲヘッドの開発が進めら
れている。ところでＭＲヘッドにおいて、磁気記録媒体
の発生磁界に対応した再生出力波形を得るためには、Ｍ
Ｒ膜を線形領域で動作させなければならない。そのた
め、なんらかの方法でＭＲ膜にバイアス磁界を加える必
要がある。
【０００３】バイアス磁界を加える方法の一つとして
は、低電流で高いバイアス効率の得られるＳＡＬ（Soft
Ajacent Layer）バイアス方式が提案されている。この
ＳＡＬバイアス方式は、ＭＲ膜の近傍にスペーサーを挟
んでバイアス用軟磁性膜を具備した構造をとり、ＭＲ膜
を流れるセンス電流により発生する磁界によって、バイ
アス用軟磁性膜を磁化させ、この磁化されたバイアス用
軟磁性膜によってＭＲ膜を所定の角度だけ磁化を回転さ
せるバイアス方式である。ところで、一般にバイアス用
軟磁性膜の磁化容易軸方向は図７に示すように、ＭＲ膜
と等しくセンス電流の流れる向きと平行となっている。
このため、センス電流によって発生する磁界は、バイア
ス用軟磁性膜を磁化困難軸方向に磁化させている。そし
て、バイアス用軟磁性膜は飽和磁化状態で使用されるた
め、小さい磁界で磁化飽和するように異方性磁界Ｈｋが
小さいことが望まれている。また、他の特性としては、
電気抵抗が大きいこと、磁気抵抗効果が小さいこと、磁
気歪定数が小さいことが望まれ、これらの要件を満たす
ものとしてＣｏ系アモルファス合金などか有望視されて
いる。
は、低電流で高いバイアス効率の得られるＳＡＬ（Soft
Ajacent Layer）バイアス方式が提案されている。この
ＳＡＬバイアス方式は、ＭＲ膜の近傍にスペーサーを挟
んでバイアス用軟磁性膜を具備した構造をとり、ＭＲ膜
を流れるセンス電流により発生する磁界によって、バイ
アス用軟磁性膜を磁化させ、この磁化されたバイアス用
軟磁性膜によってＭＲ膜を所定の角度だけ磁化を回転さ
せるバイアス方式である。ところで、一般にバイアス用
軟磁性膜の磁化容易軸方向は図７に示すように、ＭＲ膜
と等しくセンス電流の流れる向きと平行となっている。
このため、センス電流によって発生する磁界は、バイア
ス用軟磁性膜を磁化困難軸方向に磁化させている。そし
て、バイアス用軟磁性膜は飽和磁化状態で使用されるた
め、小さい磁界で磁化飽和するように異方性磁界Ｈｋが
小さいことが望まれている。また、他の特性としては、
電気抵抗が大きいこと、磁気抵抗効果が小さいこと、磁
気歪定数が小さいことが望まれ、これらの要件を満たす
ものとしてＣｏ系アモルファス合金などか有望視されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲ膜は再
生効率を高めるため薄膜化が進み膜厚が５００（Å）か
ら３００（Å）へ、さらにはそれ以下へと進んでいる。
これに伴い、バイアス用軟磁性膜も、より一層薄い膜厚
において優れた軟磁気特性が要求される。しかし、一般
に極めて薄い膜において良好な軟磁気特性を得ることは
難しい。このことはバイアス用軟磁性膜として有望なＣ
ｏ系アモルファス合金においても同様である。Ｃｏ系ア
モルファス合金は、５００（Å）以上の膜厚において
は、優れた軟磁気特性を示すが、それ未満の膜厚では良
好な軟磁気特性を示さない。特に、異方性磁界Ｈｋは膜
厚依存性が著しく、膜圧５００（Å）ではＨｋ＝５（Ｏ
ｅ）であっても膜厚３００（Å）となるとＨｋ＝２０
（Ｏｅ）となる。すなわち、５００（Å）未満の膜厚に
おいてＣｏ系アモルファス合金を使用すると、この膜の
軟磁気特性は非常に悪くなり、低電流で高いバイアス効
率が得られることを特徴とするＳＡＬバイアス方式にバ
イアス用軟磁性膜として使用することは不適当であっ
た。
生効率を高めるため薄膜化が進み膜厚が５００（Å）か
ら３００（Å）へ、さらにはそれ以下へと進んでいる。
これに伴い、バイアス用軟磁性膜も、より一層薄い膜厚
において優れた軟磁気特性が要求される。しかし、一般
に極めて薄い膜において良好な軟磁気特性を得ることは
難しい。このことはバイアス用軟磁性膜として有望なＣ
ｏ系アモルファス合金においても同様である。Ｃｏ系ア
モルファス合金は、５００（Å）以上の膜厚において
は、優れた軟磁気特性を示すが、それ未満の膜厚では良
好な軟磁気特性を示さない。特に、異方性磁界Ｈｋは膜
厚依存性が著しく、膜圧５００（Å）ではＨｋ＝５（Ｏ
ｅ）であっても膜厚３００（Å）となるとＨｋ＝２０
（Ｏｅ）となる。すなわち、５００（Å）未満の膜厚に
おいてＣｏ系アモルファス合金を使用すると、この膜の
軟磁気特性は非常に悪くなり、低電流で高いバイアス効
率が得られることを特徴とするＳＡＬバイアス方式にバ
イアス用軟磁性膜として使用することは不適当であっ
た。
【０００５】本発明は上記の問題点を解決するもので、
優れた軟磁気特性をもつバイアス用軟磁性膜を具備した
バイアス効率の高いＭＲヘッド及びその製造方法を提供
することを目的としている。
優れた軟磁気特性をもつバイアス用軟磁性膜を具備した
バイアス効率の高いＭＲヘッド及びその製造方法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、第１発明では、磁気抵抗効果膜の近傍にバ
イアス用軟磁性膜を具備したＳＡＬバイアス方式からな
り、前記バイアス用軟磁性膜がアモルファス合金であっ
て、このアモルファス合金の磁化容易軸が前記磁気抵抗
効果膜を流れるセンス電流の流れる向きに直角である磁
気抵抗効果型ヘッドとした。
するために、第１発明では、磁気抵抗効果膜の近傍にバ
イアス用軟磁性膜を具備したＳＡＬバイアス方式からな
り、前記バイアス用軟磁性膜がアモルファス合金であっ
て、このアモルファス合金の磁化容易軸が前記磁気抵抗
効果膜を流れるセンス電流の流れる向きに直角である磁
気抵抗効果型ヘッドとした。
【０００７】また、第２発明では、バイアス用軟磁性膜
を斜め入射スパッタ又は斜め入射蒸着によって形成する
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法とした。
を斜め入射スパッタ又は斜め入射蒸着によって形成する
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法とした。
【０００８】
【作用】本発明の第１発明では、バイアス用軟磁性膜、
スペーサー用非磁性膜、磁気抵抗効果膜からなる３層膜
よりなり、前記バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸がＭＲ
膜を流れるセンス電流と直角方向であるので、低電流で
バイアス用軟磁性膜を容易に磁化飽和することができる
ので、バイアス効率の高いＭＲヘッドが提供できる。
スペーサー用非磁性膜、磁気抵抗効果膜からなる３層膜
よりなり、前記バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸がＭＲ
膜を流れるセンス電流と直角方向であるので、低電流で
バイアス用軟磁性膜を容易に磁化飽和することができる
ので、バイアス効率の高いＭＲヘッドが提供できる。
【０００９】また、第２発明では、バイアス用軟磁性膜
は斜め入射スパッタ又は斜め入射蒸着によって形成され
るので、バイアス効率の高いＭＲヘッドが得られるよう
になった。
は斜め入射スパッタ又は斜め入射蒸着によって形成され
るので、バイアス効率の高いＭＲヘッドが得られるよう
になった。
【００１０】
【実施例】図１に本発明のＭＲヘッドの構成を示す。１
はバイアス用軟磁性膜、２は非磁性スペーサー膜、３は
ＭＲ膜、４は電極膜であり、本発明のＭＲヘッドは、基
板上にバイアス用軟磁性膜１、非磁性スペーサー膜２、
ＭＲ膜３、電極膜４の順で形成されている。これらはフ
ォトリソグラフィ技術を用いて形成され、本実施例では
ＭＲ幅３（μｍ）、ＭＲ長２０（μｍ）にパターンニン
グされている。Ｘは本実施例のバイアス用軟磁性膜の磁
化容易軸方向、ＹはＭＲ膜の磁化容易軸方向、Ｕはセン
ス電流の流れる方向、Ｖはセンス電流によって発生する
磁界の方向である。
はバイアス用軟磁性膜、２は非磁性スペーサー膜、３は
ＭＲ膜、４は電極膜であり、本発明のＭＲヘッドは、基
板上にバイアス用軟磁性膜１、非磁性スペーサー膜２、
ＭＲ膜３、電極膜４の順で形成されている。これらはフ
ォトリソグラフィ技術を用いて形成され、本実施例では
ＭＲ幅３（μｍ）、ＭＲ長２０（μｍ）にパターンニン
グされている。Ｘは本実施例のバイアス用軟磁性膜の磁
化容易軸方向、ＹはＭＲ膜の磁化容易軸方向、Ｕはセン
ス電流の流れる方向、Ｖはセンス電流によって発生する
磁界の方向である。
【００１１】ここでバイアス用軟磁性膜１にはＣｏＭｏ
Ｔａアモルファス合金を用い、矢印Ｘの方向が磁化容易
軸になるように斜め入射スパッタによって膜厚３００
（Å）を形成した。ここで、斜め入射スパッタ法を用い
た理由は、後の工程におけるＭＲ膜の形成（磁場中スパ
ッタ）の影響を受けて磁化容易軸の方向が変化しないよ
うにするためである。非磁性スペーサー膜２にはチタン
（Ｔｉ）を用い、スパッタによって膜厚２００（Å）を
形成した。ＭＲ膜３にはＦｅＮｉを用い、矢印Ｙの方向
が磁化容易軸になるように１００（Ｏｅ）の磁場中スパ
ッタによって膜厚３００（Å）を形成した、電極膜４に
はＡｕを用い、電子ビーム蒸着によって膜厚２０００
（Å）を形成した。
Ｔａアモルファス合金を用い、矢印Ｘの方向が磁化容易
軸になるように斜め入射スパッタによって膜厚３００
（Å）を形成した。ここで、斜め入射スパッタ法を用い
た理由は、後の工程におけるＭＲ膜の形成（磁場中スパ
ッタ）の影響を受けて磁化容易軸の方向が変化しないよ
うにするためである。非磁性スペーサー膜２にはチタン
（Ｔｉ）を用い、スパッタによって膜厚２００（Å）を
形成した。ＭＲ膜３にはＦｅＮｉを用い、矢印Ｙの方向
が磁化容易軸になるように１００（Ｏｅ）の磁場中スパ
ッタによって膜厚３００（Å）を形成した、電極膜４に
はＡｕを用い、電子ビーム蒸着によって膜厚２０００
（Å）を形成した。
【００１２】図２及び図３にこのようにして得られた多
層膜の磁気特性を示す。図２から分かるように、センス
電流の方向と磁化容易軸とが平行の磁気特性は、ＭＲ膜
であるＦｅＮｉの磁化容易軸の磁気特性とバイアス用軟
磁性膜の磁化困難軸の磁気特性とをたし合せて得られる
Ｂ−Ｈループになっている。一方、図３からセンス電流
の方向と磁化容易軸とが直角の磁気特性は、ＭＲ膜であ
るＦｅＮｉの磁化困難軸の磁気特性とバイアス用軟磁性
膜の磁化容易軸の磁気特性とをたし合せて得られるＢ−
Ｈループになっている。これらのＢ−ＨループからＭＲ
膜であるＦｅＮｉの磁化容易軸は矢印Ｙ方向、又、バイ
アス用軟磁性膜であるＣｏＭｏＴａアモルファス合金の
磁化容易軸は矢印Ｘ方向で、保磁力Ｈｃ＝４（Ｏｅ）で
あることが分かった。すなわち、本実施例において、バ
イアス用軟磁性膜をセンス電流と直角方向に磁化するた
めには保磁力Ｈｃ＝４（Ｏｅ）よりも大きい発生磁界が
あればよい。 （比較例）本実施例の比較例としてバイアス用軟磁性膜
１にＣｏＭｏＴａアモルファス合金を用い、磁化容易軸
を従来と同様に矢印Ｙの方向となるように異方性磁界１
００（Ｏｅ）の磁場中スパッタによって膜厚３００
（Å）を形成した。その他の膜は実施例と全く同一方法
によって形成した。
層膜の磁気特性を示す。図２から分かるように、センス
電流の方向と磁化容易軸とが平行の磁気特性は、ＭＲ膜
であるＦｅＮｉの磁化容易軸の磁気特性とバイアス用軟
磁性膜の磁化困難軸の磁気特性とをたし合せて得られる
Ｂ−Ｈループになっている。一方、図３からセンス電流
の方向と磁化容易軸とが直角の磁気特性は、ＭＲ膜であ
るＦｅＮｉの磁化困難軸の磁気特性とバイアス用軟磁性
膜の磁化容易軸の磁気特性とをたし合せて得られるＢ−
Ｈループになっている。これらのＢ−ＨループからＭＲ
膜であるＦｅＮｉの磁化容易軸は矢印Ｙ方向、又、バイ
アス用軟磁性膜であるＣｏＭｏＴａアモルファス合金の
磁化容易軸は矢印Ｘ方向で、保磁力Ｈｃ＝４（Ｏｅ）で
あることが分かった。すなわち、本実施例において、バ
イアス用軟磁性膜をセンス電流と直角方向に磁化するた
めには保磁力Ｈｃ＝４（Ｏｅ）よりも大きい発生磁界が
あればよい。 （比較例）本実施例の比較例としてバイアス用軟磁性膜
１にＣｏＭｏＴａアモルファス合金を用い、磁化容易軸
を従来と同様に矢印Ｙの方向となるように異方性磁界１
００（Ｏｅ）の磁場中スパッタによって膜厚３００
（Å）を形成した。その他の膜は実施例と全く同一方法
によって形成した。
【００１３】図８及び図９にこのようにして得られた多
層膜の磁気特性を示す。図８から分かるように、センス
電流の方向と磁化容易軸とが平行の磁気特性は、ＭＲ膜
であるＦｅＮｉの磁化容易軸の磁気特性とバイアス用軟
磁性膜の磁化容易軸の磁気特性とをたし合せて得られる
Ｂ−Ｈループになっている。一方、図９よりセンス電流
の方向と磁化容易軸とが直角の磁気特性は、ＭＲ膜であ
るＦｅＮｉの磁化困難軸の磁気特性とバイアス用軟磁性
膜の磁化困難軸の磁気特性とをたし合せて得られるＢ−
Ｈループになっている。これらのＢ−Ｈループから、Ｍ
Ｒ膜であるＦｅＮｉの磁化容易軸は図７の矢印Ｙ方向、
又、バイアス用軟磁性膜であるＣｏＭｏＴａアモルファ
ス合金の磁化容易軸は矢印Ｚ方向で異方性磁界Ｈｋは２
０（Ｏｅ）であることが分かった。すなわち、比較例に
おいて、バイアス用軟磁性膜をセンス電流の方向と磁化
容易軸とが直角になるよう磁化するためには異方性磁界
Ｈｋが２０（Ｏｅ）よりも大きい発生磁界が必要とな
る。
層膜の磁気特性を示す。図８から分かるように、センス
電流の方向と磁化容易軸とが平行の磁気特性は、ＭＲ膜
であるＦｅＮｉの磁化容易軸の磁気特性とバイアス用軟
磁性膜の磁化容易軸の磁気特性とをたし合せて得られる
Ｂ−Ｈループになっている。一方、図９よりセンス電流
の方向と磁化容易軸とが直角の磁気特性は、ＭＲ膜であ
るＦｅＮｉの磁化困難軸の磁気特性とバイアス用軟磁性
膜の磁化困難軸の磁気特性とをたし合せて得られるＢ−
Ｈループになっている。これらのＢ−Ｈループから、Ｍ
Ｒ膜であるＦｅＮｉの磁化容易軸は図７の矢印Ｙ方向、
又、バイアス用軟磁性膜であるＣｏＭｏＴａアモルファ
ス合金の磁化容易軸は矢印Ｚ方向で異方性磁界Ｈｋは２
０（Ｏｅ）であることが分かった。すなわち、比較例に
おいて、バイアス用軟磁性膜をセンス電流の方向と磁化
容易軸とが直角になるよう磁化するためには異方性磁界
Ｈｋが２０（Ｏｅ）よりも大きい発生磁界が必要とな
る。
【００１４】次に、実施例と比較例において作成された
膜に電極４を通して直流センス電流を流し、矢印Ｘの方
向に６０Ｈｚの交流磁界を加え、そのときに得られるＲ
−Ｈ曲線を調べた。図４及び図５にセンス電流が８（ｍ
Ａ）での本実施例及び比較例から得られたＲ−Ｈ曲線を
示す。
膜に電極４を通して直流センス電流を流し、矢印Ｘの方
向に６０Ｈｚの交流磁界を加え、そのときに得られるＲ
−Ｈ曲線を調べた。図４及び図５にセンス電流が８（ｍ
Ａ）での本実施例及び比較例から得られたＲ−Ｈ曲線を
示す。
【００１５】図４より本実施例ではＲ−Ｈ曲線のカーブ
が左にシフトしておりバイアス効果がみられる。本実施
例のようにバイアス磁界の印加されたＲ−Ｈ曲線におい
ては、ＭＲ膜を線形領域で動作させることができ、媒体
の発生磁界に相似の出力波形を得ることができる。
が左にシフトしておりバイアス効果がみられる。本実施
例のようにバイアス磁界の印加されたＲ−Ｈ曲線におい
ては、ＭＲ膜を線形領域で動作させることができ、媒体
の発生磁界に相似の出力波形を得ることができる。
【００１６】一方、図５より比較例でＲ−Ｈ曲線のカー
ブがほとんどシフトしておらずバイアス効果がみられな
い。このようなＲ−Ｈ曲線ではＭＲ膜を線形領域で動作
させることができない。これらは、バイアス用軟磁性膜
の磁化容易軸方向の違いによってＭＲ膜のバイアス角度
が大きく異なることを示している。
ブがほとんどシフトしておらずバイアス効果がみられな
い。このようなＲ−Ｈ曲線ではＭＲ膜を線形領域で動作
させることができない。これらは、バイアス用軟磁性膜
の磁化容易軸方向の違いによってＭＲ膜のバイアス角度
が大きく異なることを示している。
【００１７】本実施例ではバイアス用軟磁性膜に異方性
磁界Ｈｋの大きい膜厚３００（Å）のＣｏ系アモルファ
ス合金を使用しているが、この膜の磁化容易軸方向をセ
ンス電流によって発生する磁界方向Ｖと平行にすること
によりバイアス用軟磁性膜を簡単に磁化飽和させ、この
膜を優れたバイアス用軟磁性膜として用いている。一
方、比較例ではバイアス用軟磁性膜に異方性磁界Ｈｋの
大きい膜厚３００（Å）のＣｏ系アモルファス合金を使
用して、この膜の磁化困難軸方向をセンス電流によって
発生する磁界方向Ｖと平行にしているため、バイアス用
軟磁性膜がほとんど磁化されずこの膜を不都合なバイア
ス用軟磁性膜として用いている。
磁界Ｈｋの大きい膜厚３００（Å）のＣｏ系アモルファ
ス合金を使用しているが、この膜の磁化容易軸方向をセ
ンス電流によって発生する磁界方向Ｖと平行にすること
によりバイアス用軟磁性膜を簡単に磁化飽和させ、この
膜を優れたバイアス用軟磁性膜として用いている。一
方、比較例ではバイアス用軟磁性膜に異方性磁界Ｈｋの
大きい膜厚３００（Å）のＣｏ系アモルファス合金を使
用して、この膜の磁化困難軸方向をセンス電流によって
発生する磁界方向Ｖと平行にしているため、バイアス用
軟磁性膜がほとんど磁化されずこの膜を不都合なバイア
ス用軟磁性膜として用いている。
【００１８】図６に各電流におけるバイアス磁界（飽和
したバイアス磁界で規格化した値）を示す。本実施例で
は、センス電流が５（ｍＡ）でバイアス磁界が飽和して
いるが、比較例ではセンス電流が２０（ｍＡ）でやっと
バイアス磁界が飽和する。すなわち、本実施例のＭＲヘ
ッドはバイアス効率が非常に高く、低センス電流で使用
するＭＲヘッドに最適である。このように例えばセンス
電流が８（ｍＡ）の低電流でバイアス用軟磁性膜に３０
０（Å）のＣｏ系アモルファス合金を使ったＭＲヘッド
を使用する場合、本実施例のＭＲヘッドはバイアス磁界
が十分印加されていて実用可能であるが、従来の技術に
みられる比較例ではバイアス磁界が不十分なため実用不
可能となる。
したバイアス磁界で規格化した値）を示す。本実施例で
は、センス電流が５（ｍＡ）でバイアス磁界が飽和して
いるが、比較例ではセンス電流が２０（ｍＡ）でやっと
バイアス磁界が飽和する。すなわち、本実施例のＭＲヘ
ッドはバイアス効率が非常に高く、低センス電流で使用
するＭＲヘッドに最適である。このように例えばセンス
電流が８（ｍＡ）の低電流でバイアス用軟磁性膜に３０
０（Å）のＣｏ系アモルファス合金を使ったＭＲヘッド
を使用する場合、本実施例のＭＲヘッドはバイアス磁界
が十分印加されていて実用可能であるが、従来の技術に
みられる比較例ではバイアス磁界が不十分なため実用不
可能となる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の第１発明では、バイアス用軟磁
性膜、スペーサー用非磁性膜、磁気抵抗効果膜からなる
３層膜において、上記バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸
をＭＲ膜を流れるセンス電流と直角方向にすることによ
り、低電流でバイアス用軟磁性膜を容易に磁化飽和する
ことができるので、バイアス効率の高いＭＲヘッドが提
供できる。
性膜、スペーサー用非磁性膜、磁気抵抗効果膜からなる
３層膜において、上記バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸
をＭＲ膜を流れるセンス電流と直角方向にすることによ
り、低電流でバイアス用軟磁性膜を容易に磁化飽和する
ことができるので、バイアス効率の高いＭＲヘッドが提
供できる。
【００２０】第２発明では、バイアス用軟磁性膜は斜め
入射スパッタ又は斜め入射蒸着によって形成されるの
で、バイアス効率の高いＭＲヘッドが得られるようにな
った。
入射スパッタ又は斜め入射蒸着によって形成されるの
で、バイアス効率の高いＭＲヘッドが得られるようにな
った。
【図１】本実施例のＭＲヘッドの構成図
【図２】本実施例の多層膜の磁気特性を表わす図で、セ
ンス電流と平行方向の場合である。
ンス電流と平行方向の場合である。
【図３】本実施例の多層膜の磁気特性を表わす図で、セ
ンス電流と直角方向の場合である。
ンス電流と直角方向の場合である。
【図４】本実施例のＲ−Ｈ曲線を表わす図
【図５】比較例のＲ−Ｈ曲線を表わす図
【図６】本実施例と比較例においてバイアス磁界のセン
ス電流依存性を表わす図
ス電流依存性を表わす図
【図７】従来例のＭＲヘッドの構成図
【図８】従来例の多層膜の磁気特性を表わす図で、セン
ス電流と平行方向の場合である。
ス電流と平行方向の場合である。
【図９】従来例の多層膜の磁気特性を表わす図で、セン
ス電流と直角方向の場合である。
ス電流と直角方向の場合である。
１ バイアス用軟磁性膜 ２ 非磁性スペーサー膜 ３ 磁気抵抗効果膜 ４ 電極膜 Ｘ 本実施例のバイアス用軟磁性膜の磁化容易軸方向 Ｙ 磁気抵抗効果膜の磁化容易軸方向 Ｕ センス電流の流れる方向 Ｖ センス電流によって発生する磁界の方向
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜の近傍にバイアス用軟磁
性膜を具備したＳＡＬ（Soft Ajacent Layer）バイアス
方式からなり、前記バイアス用軟磁性膜がアモルファス
合金であって、このアモルファス合金の磁化容易軸が前
記磁気抵抗効果膜を流れるセンス電流の流れる向きに直
角であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 バイアス用軟磁性膜を斜め入射スパッタ
又は斜め入射蒸着によって形成することを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06162450A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
| US08/950,840 US5870261A (en) | 1992-11-19 | 1997-10-15 | Magnetoresistive head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06162450A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162450A true JPH06162450A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18005623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06162450A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5870261A (ja) |
| JP (1) | JPH06162450A (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3864751A (en) * | 1973-10-04 | 1975-02-04 | Ibm | Induced bias magnetoresistive read transducer |
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| JPS62184616A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4803580A (en) * | 1987-02-17 | 1989-02-07 | Magnetic Peripherals Inc. | Double-gap magnetoresistive head having an elongated central write/shield pole completely shielding the magnetoresistive sensor strip in the read gap |
| JPS63304416A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
| US4833560A (en) * | 1987-06-26 | 1989-05-23 | Eastman Kodak Company | Self-biased magnetoresistive reproduce head |
| US5001586A (en) * | 1989-08-01 | 1991-03-19 | International Business Machines Corporation | Very low noise magnetoresistive sensor for high density media applications |
| US5287237A (en) * | 1990-03-16 | 1994-02-15 | Hitachi, Ltd. | Antiferromagnetic film superior in corrosion resistance, magnetoresistance-effect element and magnetoresistance-effect head including such thin film |
| JP2557998B2 (ja) * | 1990-04-04 | 1996-11-27 | 旭化成工業株式会社 | ＩｎＡｓホール効果素子 |
| JPH064832A (ja) * | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Sony Corp | 複合型薄膜磁気ヘッド |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP43A patent/JPH06162450A/ja active Pending
-
1997
- 1997-10-15 US US08/950,840 patent/US5870261A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5870261A (en) | 1999-02-09 |
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