JPH06162444A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06162444A JPH06162444A JP5192204A JP19220493A JPH06162444A JP H06162444 A JPH06162444 A JP H06162444A JP 5192204 A JP5192204 A JP 5192204A JP 19220493 A JP19220493 A JP 19220493A JP H06162444 A JPH06162444 A JP H06162444A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
-
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- G—PHYSICS
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- G11B31/00—Arrangements for the associated working of recording or reproducing apparatus with related apparatus
- G11B31/003—Arrangements for the associated working of recording or reproducing apparatus with related apparatus with radio receiver
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/14—Reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture, dust
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的低温でも耐摩耗性を呈するテープ接触
面を有する磁気ヘッドを提供する。 【構成】 ヘッド面（５）と、このヘッド面にて終端す
る変換素子（Ｅ１１）及び変換ギャップを有する層構体
を具えている磁気ヘッドの変換ギャップ個所及び変換ギ
ャップの両側のヘッド面に、記録キャリヤと共働する接
触面（３３）を形成するためにＣｒ2 Ｏ3 を主成分とす
る層（３１）を被着する。このＣｒ2 Ｏ3を主成分とす
る層を反応ＲＦスパッタリングにより１０〜１００ｎｍ
の範囲内の厚さに形成する。
面を有する磁気ヘッドを提供する。 【構成】 ヘッド面（５）と、このヘッド面にて終端す
る変換素子（Ｅ１１）及び変換ギャップを有する層構体
を具えている磁気ヘッドの変換ギャップ個所及び変換ギ
ャップの両側のヘッド面に、記録キャリヤと共働する接
触面（３３）を形成するためにＣｒ2 Ｏ3 を主成分とす
る層（３１）を被着する。このＣｒ2 Ｏ3を主成分とす
る層を反応ＲＦスパッタリングにより１０〜１００ｎｍ
の範囲内の厚さに形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヘッド面と、変換素子を
有する層構体とを具えている磁気ヘッドに関するもので
ある。本発明は斯種の磁気ヘッドの製造方法にも関する
ものである。
有する層構体とを具えている磁気ヘッドに関するもので
ある。本発明は斯種の磁気ヘッドの製造方法にも関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】斯種の磁気ヘッドは特開昭６３−３７８
１１号公報から既知である。この従来の磁気ヘッドは、
磁気抵抗素子及び変換ギャップを有する磁気ヨークを構
成する基板上に設けられる薄膜構体を有している。磁気
ヘッドはヘッド面も有しており、このヘッド面にて変換
ギャップ及び磁気抵抗素子の方へと磁気情報を案内する
ための磁束ガイドが終端する。従来の磁気ヘッドのヘッ
ド面は磁気記録キャリヤ、特に磁気テープを案内するの
に用いられる。
１１号公報から既知である。この従来の磁気ヘッドは、
磁気抵抗素子及び変換ギャップを有する磁気ヨークを構
成する基板上に設けられる薄膜構体を有している。磁気
ヘッドはヘッド面も有しており、このヘッド面にて変換
ギャップ及び磁気抵抗素子の方へと磁気情報を案内する
ための磁束ガイドが終端する。従来の磁気ヘッドのヘッ
ド面は磁気記録キャリヤ、特に磁気テープを案内するの
に用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】層構体を有する磁気ヘ
ッドでは、軟質材料、特に磁束ガイドの軟磁性材料が、
比較的硬質の材料、特に基板材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 ／
ＴｉＣと一緒に存在する。作動中にヘッド面に沿って移
動する記録キャリヤの摩耗作用のために、比較的軟質の
材料がヘッド面にて摩耗し、このためにヘッド面の層構
体がへこんでしまう。このようにヘッド面がへこむと、
記録キャリヤと層構体との間の距離が大きくなり、記録
キャリヤから磁気ヘッドへの転送情報が低減する。従っ
て、ヘッド面がテープ接触面としても作用する従来の磁
気ヘッドは寿命を長くすることができない。
ッドでは、軟質材料、特に磁束ガイドの軟磁性材料が、
比較的硬質の材料、特に基板材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 ／
ＴｉＣと一緒に存在する。作動中にヘッド面に沿って移
動する記録キャリヤの摩耗作用のために、比較的軟質の
材料がヘッド面にて摩耗し、このためにヘッド面の層構
体がへこんでしまう。このようにヘッド面がへこむと、
記録キャリヤと層構体との間の距離が大きくなり、記録
キャリヤから磁気ヘッドへの転送情報が低減する。従っ
て、ヘッド面がテープ接触面としても作用する従来の磁
気ヘッドは寿命を長くすることができない。
【０００４】本発明の目的はヘッド面と、比較的低温で
も耐摩耗性の接触面を構成する非磁性電気絶縁材料製の
耐摩耗層及び変換素子を有する層構体とを具えている磁
気ヘッドを提供することにある。本発明の他の目的は斯
種の磁気ヘッドを簡単に製造する方法を提供することに
ある。
も耐摩耗性の接触面を構成する非磁性電気絶縁材料製の
耐摩耗層及び変換素子を有する層構体とを具えている磁
気ヘッドを提供することにある。本発明の他の目的は斯
種の磁気ヘッドを簡単に製造する方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段（１）】本発明は、ヘッド
面と、このヘッド面にて終端する変換素子及び変換ギャ
ップを有する層構体とを具えている磁気ヘッドにおい
て、前記ヘッド面の少なくとも層構体の個所に接触面を
形成するためのＣｒ2 Ｏ3 を主成分とする層を被着し、
この層の厚さを１０〜１００ｎｍの範囲内の厚さとした
ことを特徴とする。
面と、このヘッド面にて終端する変換素子及び変換ギャ
ップを有する層構体とを具えている磁気ヘッドにおい
て、前記ヘッド面の少なくとも層構体の個所に接触面を
形成するためのＣｒ2 Ｏ3 を主成分とする層を被着し、
この層の厚さを１０〜１００ｎｍの範囲内の厚さとした
ことを特徴とする。
【０００６】本発明による磁気ヘッドは、Ｃｒ2 Ｏ3 を
主成分とする層により形成され、記録キャリヤ、特に磁
気テープと共働する耐摩耗性の接触面を有する。前述し
たＣｒ2 Ｏ3 の層厚（１０〜１００ｎｍ）は記録キャリ
ヤから変換素子に信号を良好に転送し得る厚さである。
前記接触面は５℃〜８５℃の温度範囲だけでなく、５℃
〜−２０℃の温度範囲内でも満足のゆく耐摩耗性を呈す
ることを実験により確かめた。このことは、携帯装置及
び自動車のラジオ・カセット・レコーダの如き自動車向
けの磁気スキャナに用いられる磁気ヘッドにとって特に
重要なことである。Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層は電気
的に絶縁性であるから、ヘッド面を経る短絡電流が防止
される。必要ならば、変換素子はヘッド面まで延在させ
ることができる。
主成分とする層により形成され、記録キャリヤ、特に磁
気テープと共働する耐摩耗性の接触面を有する。前述し
たＣｒ2 Ｏ3 の層厚（１０〜１００ｎｍ）は記録キャリ
ヤから変換素子に信号を良好に転送し得る厚さである。
前記接触面は５℃〜８５℃の温度範囲だけでなく、５℃
〜−２０℃の温度範囲内でも満足のゆく耐摩耗性を呈す
ることを実験により確かめた。このことは、携帯装置及
び自動車のラジオ・カセット・レコーダの如き自動車向
けの磁気スキャナに用いられる磁気ヘッドにとって特に
重要なことである。Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層は電気
的に絶縁性であるから、ヘッド面を経る短絡電流が防止
される。必要ならば、変換素子はヘッド面まで延在させ
ることができる。
【０００７】Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする質的にすぐれた
層は、ヘッド面上にこの層をスパッタリングすることよ
り被着して得ることができることを実験により確かめ
た。６０ｎｍ以下の層厚でもスパッタリングにより高い
耐摩耗性を達成し得ることを確かめた。Ｃｒ2 Ｏ3 を主
成分とするスパッタリングによる耐摩耗層の他の利点
は、この層を３００℃以下の温度で形成し得ることにあ
る。従って、層構体中に存在する磁性材料の磁気特性
が、前記耐摩耗層の形成時に損なわれない。ヘッド面上
にスパッタリングにより形成するＣｒ2 Ｏ3 を主成分と
する耐摩耗層を有する本発明による磁気ヘッドは作動中
出力信号を良好に供給し、比較的低温での使用にも好適
であり、しかも寿命が長い。
層は、ヘッド面上にこの層をスパッタリングすることよ
り被着して得ることができることを実験により確かめ
た。６０ｎｍ以下の層厚でもスパッタリングにより高い
耐摩耗性を達成し得ることを確かめた。Ｃｒ2 Ｏ3 を主
成分とするスパッタリングによる耐摩耗層の他の利点
は、この層を３００℃以下の温度で形成し得ることにあ
る。従って、層構体中に存在する磁性材料の磁気特性
が、前記耐摩耗層の形成時に損なわれない。ヘッド面上
にスパッタリングにより形成するＣｒ2 Ｏ3 を主成分と
する耐摩耗層を有する本発明による磁気ヘッドは作動中
出力信号を良好に供給し、比較的低温での使用にも好適
であり、しかも寿命が長い。
【０００８】Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層は薄膜ヘッド
の層構体に用いられる全ての材料に最適に付着するとは
限らないことを確かめた。そこで、このような欠点をな
くすために、本発明の好適例では、ヘッド面とＣｒ2 Ｏ
3 を主成分とする層との間にＣｒを主成分とする層を設
ける。このＣｒを主成分とする層をスパッタリングによ
り数ナノメートルの厚さに被着することにより、Ｃｒ2
Ｏ3 を主成分とする層がヘッド面に満足のゆくように付
着することを実験により確かめた。
の層構体に用いられる全ての材料に最適に付着するとは
限らないことを確かめた。そこで、このような欠点をな
くすために、本発明の好適例では、ヘッド面とＣｒ2 Ｏ
3 を主成分とする層との間にＣｒを主成分とする層を設
ける。このＣｒを主成分とする層をスパッタリングによ
り数ナノメートルの厚さに被着することにより、Ｃｒ2
Ｏ3 を主成分とする層がヘッド面に満足のゆくように付
着することを実験により確かめた。
【０００９】
【課題を解決するための手段（２）】本発明は、ヘッド
面及び変換素子付きの層構体を有する磁気ヘッドの製造
方法において、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする厚さが１０〜
１００ｎｍの範囲内の層をヘッド面上の少なくとも層構
体の個所にスパッタ蒸着により形成することを特徴とす
る。
面及び変換素子付きの層構体を有する磁気ヘッドの製造
方法において、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする厚さが１０〜
１００ｎｍの範囲内の層をヘッド面上の少なくとも層構
体の個所にスパッタ蒸着により形成することを特徴とす
る。
【００１０】この場合のスパッタリングはクロムターゲ
ットに酸素を添加しながら行なうのが好適である。この
ようにすれば同じスパッタリング装置を利用できるので
処理工程が簡単となる。スパッタリング、例えばアルゴ
ン充填スペース内でのＲＦスパッタリングは、磁気ヘッ
ドを加熱することなく、しかもバイアス磁界なしで行な
うことができる。
ットに酸素を添加しながら行なうのが好適である。この
ようにすれば同じスパッタリング装置を利用できるので
処理工程が簡単となる。スパッタリング、例えばアルゴ
ン充填スペース内でのＲＦスパッタリングは、磁気ヘッ
ドを加熱することなく、しかもバイアス磁界なしで行な
うことができる。
【００１１】酸素の圧力を極端に低くしなければ、この
酸素の圧力がヘッド面上に形成されるＣｒ2 Ｏ3 を主成
分とする耐摩耗層の組成に悪影響を及ぼすことがなく、
この耐摩耗層の特性は処理工程の僅かな変動には無関係
となることを確かめた。上述した本発明による方法の確
実性を期するためには、実際上Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とし
て形成される層の最大厚さが６０ｎｍとなるまでスパッ
タする必要があることだけである。
酸素の圧力がヘッド面上に形成されるＣｒ2 Ｏ3 を主成
分とする耐摩耗層の組成に悪影響を及ぼすことがなく、
この耐摩耗層の特性は処理工程の僅かな変動には無関係
となることを確かめた。上述した本発明による方法の確
実性を期するためには、実際上Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とし
て形成される層の最大厚さが６０ｎｍとなるまでスパッ
タする必要があることだけである。
【００１２】あらゆる状況のもとでもＣｒ2 Ｏ3 を主成
分とする層をヘッド面に満足のゆくように付着するため
に、本発明の好適例では、ヘッド面上にＣｒを主成分と
する層が形成されるまではスパッタリング中に酸素を添
加しないようにする。Ｃｒ2Ｏ3 を主成分として形成さ
れる層の少なくとも層構体の個所における最大の厚さが
２０ｎｍとなったら酸素を添加し得ることを確かめた。
分とする層をヘッド面に満足のゆくように付着するため
に、本発明の好適例では、ヘッド面上にＣｒを主成分と
する層が形成されるまではスパッタリング中に酸素を添
加しないようにする。Ｃｒ2Ｏ3 を主成分として形成さ
れる層の少なくとも層構体の個所における最大の厚さが
２０ｎｍとなったら酸素を添加し得ることを確かめた。
【００１３】なお、摩耗を抑制するためにヘッド面上に
耐摩耗層を設けることは本来既知である。バルクヘッド
に０．２μm よりも薄い炭化金属又は窒化金属のスパッ
タした耐摩耗層を設けることは欧州特許出願ＥＰ−ＡＯ
１２３８２６に提案されている。「ＩＢＭ テクニカル
・ディスクロージャ ブリテン」(Technical Disclosur
e Bulletin), vol. １１，NO. １０，１９６９年３月、
第１１９９頁には耐摩耗層を形成するために耐熱磁気ヘ
ッド上にフレームメッキによりＣｒ2 Ｏ3 を形成するこ
とが提案されている。特開昭５５−７３９１７号公報に
は、Ｃｒを含有しているパーマロイのコアリムに厚さが
０．５μm 以上のＣｒ酸化物層を設けること及びＣｒを
含有していないパーマロイのコアリム上にスパッタリン
グによりＣｒ酸化物層を形成することが提案されてい
る。
耐摩耗層を設けることは本来既知である。バルクヘッド
に０．２μm よりも薄い炭化金属又は窒化金属のスパッ
タした耐摩耗層を設けることは欧州特許出願ＥＰ−ＡＯ
１２３８２６に提案されている。「ＩＢＭ テクニカル
・ディスクロージャ ブリテン」(Technical Disclosur
e Bulletin), vol. １１，NO. １０，１９６９年３月、
第１１９９頁には耐摩耗層を形成するために耐熱磁気ヘ
ッド上にフレームメッキによりＣｒ2 Ｏ3 を形成するこ
とが提案されている。特開昭５５−７３９１７号公報に
は、Ｃｒを含有しているパーマロイのコアリムに厚さが
０．５μm 以上のＣｒ酸化物層を設けること及びＣｒを
含有していないパーマロイのコアリム上にスパッタリン
グによりＣｒ酸化物層を形成することが提案されてい
る。
【００１４】
【実施例】図１，図２及び図３に示す本発明による薄膜
磁気ヘッドは、本例では磁性材料、即ちＮｉＺｎフェラ
イト製の支持体、即ち基板１を具え、この基板上に磁性
層と、導通層と、絶縁層とから成る層構体２を設けてい
る。この層構体２は非磁性材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 ／Ｔ
ｉＣ製のカウンタブロック３により保護される。磁気ヘ
ッド３はそのヘッド面５に本例では１１個の変換ギャッ
プを有している。これら１１個の変換ギャップの内の９
個のギャップＳ１〜Ｓ９のグループは、磁気ヘッドに沿
ってｘ方向に移動する記録キャリヤ７からディジタル形
態の情報を読取り、且つ一対のギャップＳ１０及びＳ１
１は記録キャリヤ７からアナログ形態の情報を読取るよ
うにする。ディジタル用のギャップＳ１〜Ｓ９のギャッ
プ長は一般にアナログ用のギャップＳ１０及びＳ１１の
ギャップ長よりも短くする。ギャップ長はアナログ及び
ディジタル情報の双方を全く同一のギャップを経て読取
れるように選定することができる。
磁気ヘッドは、本例では磁性材料、即ちＮｉＺｎフェラ
イト製の支持体、即ち基板１を具え、この基板上に磁性
層と、導通層と、絶縁層とから成る層構体２を設けてい
る。この層構体２は非磁性材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 ／Ｔ
ｉＣ製のカウンタブロック３により保護される。磁気ヘ
ッド３はそのヘッド面５に本例では１１個の変換ギャッ
プを有している。これら１１個の変換ギャップの内の９
個のギャップＳ１〜Ｓ９のグループは、磁気ヘッドに沿
ってｘ方向に移動する記録キャリヤ７からディジタル形
態の情報を読取り、且つ一対のギャップＳ１０及びＳ１
１は記録キャリヤ７からアナログ形態の情報を読取るよ
うにする。ディジタル用のギャップＳ１〜Ｓ９のギャッ
プ長は一般にアナログ用のギャップＳ１０及びＳ１１の
ギャップ長よりも短くする。ギャップ長はアナログ及び
ディジタル情報の双方を全く同一のギャップを経て読取
れるように選定することができる。
【００１５】この実施例における本発明による磁気ヘッ
ドは基板１上に設けた絶縁層９を具えており、この絶縁
層に変換ギャップ内に延在し得る３つの導体Ｃ１，Ｃ２
及びＣ３を設ける。磁気ヘッドはＭＲ素子とも称される
１１個の磁気抵抗素子Ｅ１〜Ｅ１１も具えており、これ
らのＭＲ素子は例えばＮｉＦｅ層で構成し、この層の上
には例えばＡｕ製の１個以上の等電位細条を設けること
ができる。各ＭＲ素子Ｅ１〜Ｅ１１は第１接続面１３ａ
及び１３ｂにてそれぞれ終端する一対の第１接続トラッ
ク１１ａ及び１１ｂを有している。第１接続トラック及
び第１接続面の双方はＡｕ製とするのが好適である。な
お、等電位細条を設けたＭＲ素子は本来既知のものであ
り、例えば米国特許第４０５２７４８号に開示されてい
る。
ドは基板１上に設けた絶縁層９を具えており、この絶縁
層に変換ギャップ内に延在し得る３つの導体Ｃ１，Ｃ２
及びＣ３を設ける。磁気ヘッドはＭＲ素子とも称される
１１個の磁気抵抗素子Ｅ１〜Ｅ１１も具えており、これ
らのＭＲ素子は例えばＮｉＦｅ層で構成し、この層の上
には例えばＡｕ製の１個以上の等電位細条を設けること
ができる。各ＭＲ素子Ｅ１〜Ｅ１１は第１接続面１３ａ
及び１３ｂにてそれぞれ終端する一対の第１接続トラッ
ク１１ａ及び１１ｂを有している。第１接続トラック及
び第１接続面の双方はＡｕ製とするのが好適である。な
お、等電位細条を設けたＭＲ素子は本来既知のものであ
り、例えば米国特許第４０５２７４８号に開示されてい
る。
【００１６】前記導体Ｃ１，Ｃ２及びＣ３はＭＲ素子Ｅ
１〜Ｅ９、Ｅ１０及びＥ１１を制御、即ちバイアスする
の用いられ、これらの各導体には第２接続面１７ａ及び
１７ｂにてそれぞれ終端する一対の第２接続トラック１
５ａ及び１５ｂを設ける。
１〜Ｅ９、Ｅ１０及びＥ１１を制御、即ちバイアスする
の用いられ、これらの各導体には第２接続面１７ａ及び
１７ｂにてそれぞれ終端する一対の第２接続トラック１
５ａ及び１５ｂを設ける。
【００１７】磁気ヘッドは軟磁性材料、例えばＮｉＦｅ
又はＡｌＦｅＳｉ製の１１対の磁束ガイドも具えてお
り、これらの各対は第１、即ち前方磁束ガイド１９ａ
と、これから離間させた第２、即ち後方磁束ガイド１９
ｂとで構成する。前方磁束ガイド１９ａは磁気記録キャ
リヤ７と共働するヘッド面５まで延在する。ＭＲ素子Ｅ
１〜Ｅ１１は基板１と磁束ガイドとの間に存在し、各Ｍ
Ｒ素子は第１磁束ガイド１９ａと第２磁束ガイド１９ｂ
との間のブリッジを構成する。所定の構成及び所定の用
途によっては、後方磁束ガイドを省くことができる。非
磁性基板から出発して、磁束ガイドを特別に設けること
もできる。導体、ＭＲ素子及び磁束ガイドの各々は電気
及び磁気絶縁材料、例えば酸化物又はポリマ製の複数の
絶縁層により互いに電気的に絶縁する。これらの絶縁層
を図２では参照番号２１及び２３にて示してある。共有
磁束ガイド１９ａ及び１９ｂとカウンタブロック３との
間には、例えば接着層の形態の別の絶縁層２５を設け
る。
又はＡｌＦｅＳｉ製の１１対の磁束ガイドも具えてお
り、これらの各対は第１、即ち前方磁束ガイド１９ａ
と、これから離間させた第２、即ち後方磁束ガイド１９
ｂとで構成する。前方磁束ガイド１９ａは磁気記録キャ
リヤ７と共働するヘッド面５まで延在する。ＭＲ素子Ｅ
１〜Ｅ１１は基板１と磁束ガイドとの間に存在し、各Ｍ
Ｒ素子は第１磁束ガイド１９ａと第２磁束ガイド１９ｂ
との間のブリッジを構成する。所定の構成及び所定の用
途によっては、後方磁束ガイドを省くことができる。非
磁性基板から出発して、磁束ガイドを特別に設けること
もできる。導体、ＭＲ素子及び磁束ガイドの各々は電気
及び磁気絶縁材料、例えば酸化物又はポリマ製の複数の
絶縁層により互いに電気的に絶縁する。これらの絶縁層
を図２では参照番号２１及び２３にて示してある。共有
磁束ガイド１９ａ及び１９ｂとカウンタブロック３との
間には、例えば接着層の形態の別の絶縁層２５を設け
る。
【００１８】ヘッド面５にはＣｒ2 Ｏ3 を主成分とする
摩耗抑制層、即ち耐摩耗層３１を設ける。この層はテー
プ状の記録キャリヤ７と共働する接触面３３を構成す
る。耐摩耗性の非磁性電気絶縁層３１の厚さを本例では
４０ｎｍとする。この層３１は特に層構体２が摩耗しな
いように保護する。
摩耗抑制層、即ち耐摩耗層３１を設ける。この層はテー
プ状の記録キャリヤ７と共働する接触面３３を構成す
る。耐摩耗性の非磁性電気絶縁層３１の厚さを本例では
４０ｎｍとする。この層３１は特に層構体２が摩耗しな
いように保護する。
【００１９】ヘッド面５の上に耐摩耗層３１を設ける方
法を図４を参照して説明する。基板１と、層構体２と、
カウンタブロック３とのアセンブリに例えば研削及び／
又は研磨処理によりヘッド面５を形成した後に、このア
センブリをクロムターゲットを具えている既知のスパッ
タリング装置内に入れる。反応性ＲＦスパッタリング、
例えば１０ｍトルのＡｒと１ｍトルのＯ2 でのＲＦダイ
オードスパッタリングにより、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とす
る層を変換ギャップＳ１〜Ｓ１１の個所及びその両側の
ヘッド面５上に形成する。
法を図４を参照して説明する。基板１と、層構体２と、
カウンタブロック３とのアセンブリに例えば研削及び／
又は研磨処理によりヘッド面５を形成した後に、このア
センブリをクロムターゲットを具えている既知のスパッ
タリング装置内に入れる。反応性ＲＦスパッタリング、
例えば１０ｍトルのＡｒと１ｍトルのＯ2 でのＲＦダイ
オードスパッタリングにより、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とす
る層を変換ギャップＳ１〜Ｓ１１の個所及びその両側の
ヘッド面５上に形成する。
【００２０】図５に示した本発明による磁気ヘッドは、
層構体１０２及び保護ブロック１０３が上に設けられる
基板１を具えている。基板１０１、層構体１０２及び保
護ブロック１０３によって構成したヘッド面上にスパッ
タリングによりＣｒを主成分とする薄層１３５を形成す
る。この薄層は少なくとも層構体１０２の個所にて１０
ｎｍの最大厚さを有する。薄層１３５の上にはＣｒ2 Ｏ
3 を主成分とし、同じくスパッタリングにより形成され
る層１３１も設ける。このＣｒ2 Ｏ3 層の少なくとも層
構体１０２に対向する個所の厚さは約５０ｎｍとする。
上記２つの薄層は、Ｃｒを主成分とする層１３５が形成
されるまでは酸素を加えないようにするクロムターゲッ
トを含むＲＦスパッタリングにより同一のスパッタリン
グ装置にて形成することができる。
層構体１０２及び保護ブロック１０３が上に設けられる
基板１を具えている。基板１０１、層構体１０２及び保
護ブロック１０３によって構成したヘッド面上にスパッ
タリングによりＣｒを主成分とする薄層１３５を形成す
る。この薄層は少なくとも層構体１０２の個所にて１０
ｎｍの最大厚さを有する。薄層１３５の上にはＣｒ2 Ｏ
3 を主成分とし、同じくスパッタリングにより形成され
る層１３１も設ける。このＣｒ2 Ｏ3 層の少なくとも層
構体１０２に対向する個所の厚さは約５０ｎｍとする。
上記２つの薄層は、Ｃｒを主成分とする層１３５が形成
されるまでは酸素を加えないようにするクロムターゲッ
トを含むＲＦスパッタリングにより同一のスパッタリン
グ装置にて形成することができる。
【００２１】本発明は上述した例のみに限定されるもの
でなく、幾多の変更を加え得ること勿論である。例えば
本発明による磁気ヘッドにはＭＲ素子の代わりか、又は
それに加えて１個以上の誘導性変換素子を設けることが
できる。磁気ヘッドは磁束ガイドなしで形成することも
できる。本発明による方法では、Ｃｒ2 Ｏ3 ターゲット
でスパッタリングして、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層を
形成するようにすることもできるが、これは左程魅力の
ある方法ではない。
でなく、幾多の変更を加え得ること勿論である。例えば
本発明による磁気ヘッドにはＭＲ素子の代わりか、又は
それに加えて１個以上の誘導性変換素子を設けることが
できる。磁気ヘッドは磁束ガイドなしで形成することも
できる。本発明による方法では、Ｃｒ2 Ｏ3 ターゲット
でスパッタリングして、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層を
形成するようにすることもできるが、これは左程魅力の
ある方法ではない。
【図１】本発明による磁気ヘッドの第１実施例のレイア
ウトを示す図である。
ウトを示す図である。
【図２】図１の磁気ヘッドの変換ギャップを通るII−II
線上での断面図である。
線上での断面図である。
【図３】図１の磁気ヘッドの斜視図である。
【図４】耐摩耗層を未だ設けてない製造段階における図
１の磁気ヘッドの斜視図である。
１の磁気ヘッドの斜視図である。
【図５】本発明による磁気ヘッドの第２実施例を示す斜
視図である。
視図である。
１ 基板 ２ 層構体 ３ カウンタブロック ５ ヘッド面 ７ 記録キャリヤ ９ 絶縁層 １１ａ，１１ｂ 接続トラック １３ａ，１３ｂ 第１接続面 １５ａ，１５ｂ 第２接続トラック １７ａ，１７ｂ 第２接続面 １９ａ 前方磁束ガイド １９ｂ 後方磁束ガイド ２１，２３，２５ 絶縁層 ３１ 耐摩耗層 ３３ テープ接触面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アーノルド ブロッセ ファン フロッノ ウ オランダ国 5582 エー アー ウァール レ ジュリアナ デ ランノイラーン 27 (72)発明者 ペテル ラシンスキー オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 レオ−フランシスカス マリア ファン オルスホト オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (11)
- 【請求項１】 ヘッド面と、このヘッド面にて終端する
変換素子及び変換ギャップを有する層構体とを具えてい
る磁気ヘッドにおいて、前記ヘッド面の少なくとも層構
体の個所に接触面を形成するためのＣｒ2 Ｏ3 を主成分
とする層を被着し、この層の厚さを１０〜１００ｎｍの
範囲内の厚さとしたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層をスパ
ッタリングにより形成したことを特徴とする請求項１に
記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする層の厚さ
を６０ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項１又は２
に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記ヘッド面と前記Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分
とする層との間にＣｒを主成分とする層を設けたことを
特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項５】 前記Ｃｒを主成分とする層の最大厚さを
２０ｎｍとしたことを特徴とする請求項４に記載の磁気
ヘッド。 - 【請求項６】 前記Ｃｒを主成分とする層をスパッタリ
ングによりヘッド面上に形成したことを特徴とする請求
項４又は５に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 ヘッド面及び変換素子付きの層構体を有
する磁気ヘッドの製造方法において、Ｃｒ2 Ｏ3 を主成
分とする厚さが１０〜１００ｎｍの範囲内の層をヘッド
面上の少なくとも層構体の個所にスパッタ蒸着により形
成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記スパッタリングをクロムターゲット
に酸素を添加しながら行うことを特徴とする請求項７に
記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記スパッタリングを少なくとも前記層
構体に対向して形成されるＣｒ2 Ｏ3 を主成分とする層
の最大厚さが６０ｎｍとなるまで行なうことを特徴とす
る請求項７又は８に記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 ヘッド面上にＣｒを主成分とする層が
形成されるまではスパッタリング中に酸素を添加しない
ようにすることを特徴とする請求項８に記載の磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１１】 Ｃｒを主成分とする層の少なくとも層
構体の個所における最大厚さが２０ｎｍとなった後に酸
素を添加することを特徴とする請求項１０に記載の磁気
ヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP92202392 | 1992-08-03 | ||
| NL92202392:4 | 1992-08-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162444A true JPH06162444A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=8210824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5192204A Pending JPH06162444A (ja) | 1992-08-03 | 1993-08-03 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5896253A (ja) |
| JP (1) | JPH06162444A (ja) |
| DE (1) | DE4323115A1 (ja) |
| FR (1) | FR2694835B1 (ja) |
| GB (1) | GB2269931B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10503314A (ja) * | 1995-05-08 | 1998-03-24 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 薄い耐磨耗層を有する磁気ヘッドの製造方法及びこの方法によって得ることのできる磁気ヘッド |
| US6099699A (en) * | 1998-04-22 | 2000-08-08 | Matsushita-Kotobuki Electronics Industries, Ltd. | Thin encapsulation process for making thin film read/write heads |
| JP2000242912A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Mitsumi Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| NL1015985C2 (nl) * | 2000-08-22 | 2002-03-11 | Onstream B V | Magneetkop. |
| US6639753B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-10-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a head assembly, a head assembly, and a linear tape drive |
| US7170721B2 (en) | 2002-06-25 | 2007-01-30 | Quantum Corporation | Method of producing flux guides in magnetic recording heads |
| US6995948B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-02-07 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, method for producing the same and magnetic disk device using the same |
| US6879470B2 (en) * | 2002-08-19 | 2005-04-12 | Quantum Corporation | Thin film recording head with a localized coating to protect against corrosion and electrostatic discharge |
| US7290325B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-11-06 | Quantum Corporation | Methods of manufacturing magnetic heads with reference and monitoring devices |
| US7751154B2 (en) * | 2005-05-19 | 2010-07-06 | Quantum Corporation | Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3665436A (en) * | 1970-06-17 | 1972-05-23 | Potter Instrument Co Inc | Long-wearing magnetic head |
| US4052748A (en) * | 1974-04-01 | 1977-10-04 | U.S. Philips Corporation | Magnetoresistive magnetic head |
| SU622151A1 (ru) * | 1977-03-18 | 1978-08-02 | Предприятие П/Я А-3103 | Защитный слой рабочей поверхности магнитной головки |
| AT365804B (de) * | 1977-12-20 | 1982-02-25 | Bogen Wolfgang | Abriebfester magnetkopf |
| JPS5570926A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Magnetic head of wear proof |
| JPS5573917A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | Magnetic head core with excellent resistance to wear |
| JPS5619517A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| DE3010348A1 (de) * | 1980-03-18 | 1981-09-24 | Grundig E.M.V. Elektro-Mechanische Versuchsanstalt Max Grundig & Co KG, 8510 Fürth | Gehaeuse in becherform zur aufnahme eines oder mehrerer magnetkopfsysteme |
| JPS56159820A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Magnetic head for video tape recorder |
| DE3307776A1 (de) * | 1983-03-04 | 1984-09-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Aufzeichnungsanordnung fuer einen magnetschichtspeicher |
| JPS6337811A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
| JPS6358613A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH01282711A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-14 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
| JPH0366006A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Canon Electron Inc | 磁気ヘッド |
| JP2912694B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1999-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 記録再生装置 |
| NL9101270A (nl) * | 1991-07-19 | 1993-02-16 | Philips Nv | Magneetkopeenheid, magneetkop ten gebruike in de magneetkopeenheid en magneetkopstructuur ten gebruike in de magneetkop. |
-
1993
- 1993-07-10 DE DE4323115A patent/DE4323115A1/de not_active Withdrawn
- 1993-07-28 GB GB9315621A patent/GB2269931B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-02 FR FR9309489A patent/FR2694835B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-03 JP JP5192204A patent/JPH06162444A/ja active Pending
-
1996
- 1996-08-13 US US08/695,950 patent/US5896253A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5896253A (en) | 1999-04-20 |
| GB2269931A (en) | 1994-02-23 |
| FR2694835A1 (fr) | 1994-02-18 |
| DE4323115A1 (de) | 1994-02-10 |
| GB2269931B (en) | 1996-05-15 |
| GB9315621D0 (en) | 1993-09-08 |
| FR2694835B1 (fr) | 1995-05-19 |
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