JPH0527165B2 - - Google Patents
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- JPH0527165B2 JPH0527165B2 JP60042197A JP4219785A JPH0527165B2 JP H0527165 B2 JPH0527165 B2 JP H0527165B2 JP 60042197 A JP60042197 A JP 60042197A JP 4219785 A JP4219785 A JP 4219785A JP H0527165 B2 JPH0527165 B2 JP H0527165B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気デイスク装置、フロツピデイスク
装置等に用いられる薄膜磁気ヘツドに関する。
装置等に用いられる薄膜磁気ヘツドに関する。
（従来技術とその問題点）
従来、磁気デイスク装置はサーボ面サーボ方式
が主流となつているが、このサーボ面サーボ方式
においてはサーボデイスクとデータデイスクが別
のデイスク板上に配置されている為に周囲の温度
の相違により位置決め精度に誤差を生じる恐れが
あつた。特にこのサーボ面サーボ方式では高トラ
ツク密度になるに従つて、磁気ヘツドの相対的位
置決め誤差は増大し、高トラツク密度化が困難で
高記録密度を実現することが難しい等の欠点を有
していた。
が主流となつているが、このサーボ面サーボ方式
においてはサーボデイスクとデータデイスクが別
のデイスク板上に配置されている為に周囲の温度
の相違により位置決め精度に誤差を生じる恐れが
あつた。特にこのサーボ面サーボ方式では高トラ
ツク密度になるに従つて、磁気ヘツドの相対的位
置決め誤差は増大し、高トラツク密度化が困難で
高記録密度を実現することが難しい等の欠点を有
していた。
最近ヘツド位置決め精度を上げるためにデータ
面サーボ方式が種々検討されているが、特にデー
タ面サーボ方式として、データ面の一部分を使用
するセクターサーボ方式、データ情報そのものを
使用する方式および磁気２重層デイスクを用い、
下層磁性膜をサーボ情報媒体とし、その情報を使
用する方式（ベリードサーボ方式）等が検討され
ている。
面サーボ方式が種々検討されているが、特にデー
タ面サーボ方式として、データ面の一部分を使用
するセクターサーボ方式、データ情報そのものを
使用する方式および磁気２重層デイスクを用い、
下層磁性膜をサーボ情報媒体とし、その情報を使
用する方式（ベリードサーボ方式）等が検討され
ている。
前記セクターサーボ方式は１トラツクをセクタ
ーに分けて、部分的にサーボ情報を挿入する方式
であるが、サーボ情報が入力される部分以外はト
ラツク・サーボが出来ない欠点を持つていた。従
つて高トラツク密度においては位置決め精度が不
十分である。更にデータ情報そのものをサーボ情
報として使用するサーボ方式はデータ情報自身を
使用するために、データ情報の出力エンベローブ
が変動するとそれに伴つて位置決め誤差を生じる
欠点を有している。
ーに分けて、部分的にサーボ情報を挿入する方式
であるが、サーボ情報が入力される部分以外はト
ラツク・サーボが出来ない欠点を持つていた。従
つて高トラツク密度においては位置決め精度が不
十分である。更にデータ情報そのものをサーボ情
報として使用するサーボ方式はデータ情報自身を
使用するために、データ情報の出力エンベローブ
が変動するとそれに伴つて位置決め誤差を生じる
欠点を有している。
更に又２層の磁性膜を使用するサーボ方式は、
上層をデータ情報に使用し、下層をサーボ情報に
使用するもので、１つのデータヘツドによりデー
タ及びサーボ情報を同時に検出し、分離して使用
する為位置決め誤差が小さい。しかしこの磁気２
重層媒体を用いたサーボ方式においては、１つの
データヘツドにより、データ情報及びサーボ情報
を同時に検出する場合、再生時におけるデータ情
報とサーボ情報の分離はフイルターにより簡単に
行なわれるが、記録時には、サーボ情報を検出す
るために記録回路にフイルターやバイアス回路が
必要となり、かなり複雑な回路構成となり、サー
ボ情報のＳ／Ｎを劣化させるばかりでなく、回路
系のコストも高くなる欠点を有している。これを
解決するためにベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘ
ツドとして同一スライダーの２つのレール上の一
方にデータ用トランスデユーサ、もう一方のレー
ルにサーボ用トランスデユーサを配置し、データ
用とサーボ用トランスデユーサを分離し、記録時
のＳ／Ｎの劣化をする防止方法がある。
上層をデータ情報に使用し、下層をサーボ情報に
使用するもので、１つのデータヘツドによりデー
タ及びサーボ情報を同時に検出し、分離して使用
する為位置決め誤差が小さい。しかしこの磁気２
重層媒体を用いたサーボ方式においては、１つの
データヘツドにより、データ情報及びサーボ情報
を同時に検出する場合、再生時におけるデータ情
報とサーボ情報の分離はフイルターにより簡単に
行なわれるが、記録時には、サーボ情報を検出す
るために記録回路にフイルターやバイアス回路が
必要となり、かなり複雑な回路構成となり、サー
ボ情報のＳ／Ｎを劣化させるばかりでなく、回路
系のコストも高くなる欠点を有している。これを
解決するためにベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘ
ツドとして同一スライダーの２つのレール上の一
方にデータ用トランスデユーサ、もう一方のレー
ルにサーボ用トランスデユーサを配置し、データ
用とサーボ用トランスデユーサを分離し、記録時
のＳ／Ｎの劣化をする防止方法がある。
この様なベリードサーボ方式において、下層の
サーボ層のサーボパターンは従来奇数トラツクと
偶数トラツクに周波数を分けた２周波法が提案さ
れている。しかしこの２周波法においてはサーボ
用ヘツドのトラツク巾をトラツクピツチ以上の幅
にすることが出来ないために、サーボ信号の振幅
Ｓはオントラツク状態では１サーボトラツクの信
号の1/2となつており、その分Ｓ／Ｎも劣化する
という欠点を有していた。
サーボ層のサーボパターンは従来奇数トラツクと
偶数トラツクに周波数を分けた２周波法が提案さ
れている。しかしこの２周波法においてはサーボ
用ヘツドのトラツク巾をトラツクピツチ以上の幅
にすることが出来ないために、サーボ信号の振幅
Ｓはオントラツク状態では１サーボトラツクの信
号の1/2となつており、その分Ｓ／Ｎも劣化する
という欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記の問題点を改善し、サー
マルオフトラツクの非常に小さく、かつＳ／Ｎの
大きいベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドを提
供することにある。
マルオフトラツクの非常に小さく、かつＳ／Ｎの
大きいベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドを提
供することにある。
（発明の構成）
本発明は、スライダーを形成する非磁性基板の
上に、サーボ信号再生用のサーボ用トランスデユ
ーサとデータ信号記録再生用のデータ用トランス
デユーサとを絶縁層を介して積層した構造を有す
るベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドにおい
て、 インダクテイブ型素子または磁気抵抗効果素子
を用いたサーボ用トランスデユーサのトラツク幅
lsがデータトラツクのトラツクピツチＰに対して
Ｐ≦ls2Pとなるようにしたことを特徴とする構
成となつている。
上に、サーボ信号再生用のサーボ用トランスデユ
ーサとデータ信号記録再生用のデータ用トランス
デユーサとを絶縁層を介して積層した構造を有す
るベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドにおい
て、 インダクテイブ型素子または磁気抵抗効果素子
を用いたサーボ用トランスデユーサのトラツク幅
lsがデータトラツクのトラツクピツチＰに対して
Ｐ≦ls2Pとなるようにしたことを特徴とする構
成となつている。
（構成の詳細な説明）
従来の欠点を解決する方法としてすでに特願昭
59−139642において、３つの周波数1，2，3を
用いて、サーボ用トランスデユーサのトラツク巾
をトラツクピツチの２倍にして、高トララツク密
度時のＳ／Ｎを増大するベリードサーボ方式が提
案されている。前記特願昭59−139642では、ベリ
ードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドとして同一スラ
イダーの２つのレール上の一方にデータ用トラン
スデユーサ、もう一方のレーサにサーボ用トラン
スデユーサを配置し、データ用とサーボ用トラン
スデユーサを分離し、サーボ用トランスデユーサ
のトラツク巾をデータのトラツクピツチの２倍に
したベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドが提案
されている。しかしその場合、従来のスライダー
材料としてはアルミナ・チタン・カーバイト（略
称AiTiC）を用い、磁気デイスク基板としてはア
ルミニウム合金を用いているので磁気ヘツドの位
置決め精度をさらに高精度にしようとすると、こ
の材質の熱膨張の差（スライダー材（AiTiC）の
熱膨張係数7.8×10-6／℃、通常磁気デイスクに
用いられるアルミニウム合金（Al：94％、Cu：
0.1％、Si：0.4％、Fe：0.4％、Mn：0.1〜0.3％、
Mg：3.8〜4.8％、Cr＜0.5％）の熱膨張係数23.2
×10-6／℃）によりサーマルオフトラツクが生
じ、高い磁気ヘツド位置決め精度を達成出来ない
欠点を有していた。本発明は前述の欠点を解消す
るための構成を有している。本発明に使われるス
ライダー用の非磁性基板には絶縁性を有し、表面
が研摩さたもの（例えばAlTiC、SiCの上に
Al2O3を被覆し、その表面を研摩したもの）を用
い、データ用トランスデユーサは結晶質のNiFe、
センダストや非晶質のCoZr、CoTa、CoHf、
CoZrNb合金等の軟磁性膜による磁極とコイル
（Cu等）と絶縁層（レジスト、Al2O2等）により
構成され、その他の絶縁層はAl2O3がSiO2等のス
パツタ膜を用い、サーボ用トランスデユーサは結
晶質のNiFe、センダストや非晶質のCoZr、
OoTa、CoHf、CoZrNb合金等の軟磁性膜とコイ
ル（Cu等）と絶縁層（レジスト、Al2O3）により
構成されたインダクテイブ型素子又はNiFe、
NiCo等の磁気抵抗効果素子を用い、保護膜は
Al2O3やSiO2等のスパツタ膜を用いる。前記材料
をスパツタ法、メツキ法、スピンコート、イオン
ミリンダ等の製造方法を用いて作製し、その後切
断・加工・研摩及びアツセンブリーを行ない、ベ
リードサーボ方式用薄膜ヘツドができる。
59−139642において、３つの周波数1，2，3を
用いて、サーボ用トランスデユーサのトラツク巾
をトラツクピツチの２倍にして、高トララツク密
度時のＳ／Ｎを増大するベリードサーボ方式が提
案されている。前記特願昭59−139642では、ベリ
ードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドとして同一スラ
イダーの２つのレール上の一方にデータ用トラン
スデユーサ、もう一方のレーサにサーボ用トラン
スデユーサを配置し、データ用とサーボ用トラン
スデユーサを分離し、サーボ用トランスデユーサ
のトラツク巾をデータのトラツクピツチの２倍に
したベリードサーボ方式用薄膜磁気ヘツドが提案
されている。しかしその場合、従来のスライダー
材料としてはアルミナ・チタン・カーバイト（略
称AiTiC）を用い、磁気デイスク基板としてはア
ルミニウム合金を用いているので磁気ヘツドの位
置決め精度をさらに高精度にしようとすると、こ
の材質の熱膨張の差（スライダー材（AiTiC）の
熱膨張係数7.8×10-6／℃、通常磁気デイスクに
用いられるアルミニウム合金（Al：94％、Cu：
0.1％、Si：0.4％、Fe：0.4％、Mn：0.1〜0.3％、
Mg：3.8〜4.8％、Cr＜0.5％）の熱膨張係数23.2
×10-6／℃）によりサーマルオフトラツクが生
じ、高い磁気ヘツド位置決め精度を達成出来ない
欠点を有していた。本発明は前述の欠点を解消す
るための構成を有している。本発明に使われるス
ライダー用の非磁性基板には絶縁性を有し、表面
が研摩さたもの（例えばAlTiC、SiCの上に
Al2O3を被覆し、その表面を研摩したもの）を用
い、データ用トランスデユーサは結晶質のNiFe、
センダストや非晶質のCoZr、CoTa、CoHf、
CoZrNb合金等の軟磁性膜による磁極とコイル
（Cu等）と絶縁層（レジスト、Al2O2等）により
構成され、その他の絶縁層はAl2O3がSiO2等のス
パツタ膜を用い、サーボ用トランスデユーサは結
晶質のNiFe、センダストや非晶質のCoZr、
OoTa、CoHf、CoZrNb合金等の軟磁性膜とコイ
ル（Cu等）と絶縁層（レジスト、Al2O3）により
構成されたインダクテイブ型素子又はNiFe、
NiCo等の磁気抵抗効果素子を用い、保護膜は
Al2O3やSiO2等のスパツタ膜を用いる。前記材料
をスパツタ法、メツキ法、スピンコート、イオン
ミリンダ等の製造方法を用いて作製し、その後切
断・加工・研摩及びアツセンブリーを行ない、ベ
リードサーボ方式用薄膜ヘツドができる。
以下本発明によるベリードサーボ方式用薄膜磁
気ヘツド及びその製造方法の一例を実施例により
説明する。
気ヘツド及びその製造方法の一例を実施例により
説明する。
（実施例１）
第１図ａに本実施例のベリードサーボ方式用薄
膜磁気ヘツドの浮揚面から見た図をを示し、第１
図ｂに磁気トランスデユーサ部分の断面構造を示
す。非磁性基板７（セラミツク基板（AlTiC基
板）上にAl2O3スパツタ膜を付与し、研摩した基
板）の上に、サーボ用トランスデユーサ４を構成
する第１の磁極８のNiFe合金膜（膜厚２〓ｍ）
をスパツタ法とイオンミリンダ法により形成し、
該第１の磁極８の上に第１の絶縁層１０をAl2O3
スパツタ膜（膜厚１〓Cm）とレジストにより形
成し、該第１の絶縁層の上にサーボ用コイル１１
をメツキ法（Cuメツキ）により形成し、該サー
ボ用コイル１１の上に第２の絶縁層１７をレジス
トのスピンコート、露光現象焼成により形成し、
該第２の絶縁層１７の上にサーボ用トランスデユ
ーサの上部磁極である膜厚２〓ｍの第２の磁極９
（NiFe合金属）をスパツタ法及びイオンミリング
により形成し、該第２の磁極９の上に第３の絶縁
層１２として膜厚１０〓ｍのAl2O3膜をスパツタ
法により形成し、次に該第３の絶縁層１２の上に
データ用トランスデユーサ５の下部磁極である第
３の磁極１３として膜厚２〓ｍのNiFe合金膜を
スパツタ法とイオンミリング法とにより形成し、
該第３の磁極１３の上に第４の絶縁層１５を
Al2O3スパツタ膜（膜厚0.7〓ｍ）とレジストとに
より形成し、該第３の絶縁層の上にデータ用コイ
ル１６をメツキ法（Cuメツキ）により形成し、
該サーボ用コイル１６の上に第５の絶縁層１８を
レジストのスピンコート、露光現像、焼成により
形成し、該第５の絶縁層１８の上にデータ用トラ
ンスデユーサ５の上部磁極であるNiFe合金で膜
厚２〓ｍの第４の磁極１４をスパツタ法とイオン
ミリング法により形成し、該第４の磁極の上に膜
厚20〓ｍのAl2O3保護膜をスパツタ法により形成
した。この様に作製したウエーハを加工・研摩・
アツセンブリーを行ない、ベリードサーボ方式用
薄膜磁気ヘツドとした。ただし、サーボ用トラン
スデユーサのトラツク巾lsはデータトラツクのト
ラツクピツチＰの２倍（ls＝２×Ｐ）とした。
膜磁気ヘツドの浮揚面から見た図をを示し、第１
図ｂに磁気トランスデユーサ部分の断面構造を示
す。非磁性基板７（セラミツク基板（AlTiC基
板）上にAl2O3スパツタ膜を付与し、研摩した基
板）の上に、サーボ用トランスデユーサ４を構成
する第１の磁極８のNiFe合金膜（膜厚２〓ｍ）
をスパツタ法とイオンミリンダ法により形成し、
該第１の磁極８の上に第１の絶縁層１０をAl2O3
スパツタ膜（膜厚１〓Cm）とレジストにより形
成し、該第１の絶縁層の上にサーボ用コイル１１
をメツキ法（Cuメツキ）により形成し、該サー
ボ用コイル１１の上に第２の絶縁層１７をレジス
トのスピンコート、露光現象焼成により形成し、
該第２の絶縁層１７の上にサーボ用トランスデユ
ーサの上部磁極である膜厚２〓ｍの第２の磁極９
（NiFe合金属）をスパツタ法及びイオンミリング
により形成し、該第２の磁極９の上に第３の絶縁
層１２として膜厚１０〓ｍのAl2O3膜をスパツタ
法により形成し、次に該第３の絶縁層１２の上に
データ用トランスデユーサ５の下部磁極である第
３の磁極１３として膜厚２〓ｍのNiFe合金膜を
スパツタ法とイオンミリング法とにより形成し、
該第３の磁極１３の上に第４の絶縁層１５を
Al2O3スパツタ膜（膜厚0.7〓ｍ）とレジストとに
より形成し、該第３の絶縁層の上にデータ用コイ
ル１６をメツキ法（Cuメツキ）により形成し、
該サーボ用コイル１６の上に第５の絶縁層１８を
レジストのスピンコート、露光現像、焼成により
形成し、該第５の絶縁層１８の上にデータ用トラ
ンスデユーサ５の上部磁極であるNiFe合金で膜
厚２〓ｍの第４の磁極１４をスパツタ法とイオン
ミリング法により形成し、該第４の磁極の上に膜
厚20〓ｍのAl2O3保護膜をスパツタ法により形成
した。この様に作製したウエーハを加工・研摩・
アツセンブリーを行ない、ベリードサーボ方式用
薄膜磁気ヘツドとした。ただし、サーボ用トラン
スデユーサのトラツク巾lsはデータトラツクのト
ラツクピツチＰの２倍（ls＝２×Ｐ）とした。
（実施例２）
第２図ａ，ｂに示す様に実施例１のサーボ用ト
ランスデユーサ４としてのインダクテイブ型薄膜
ヘツドのかわりに、磁気抵抗効果素子２９を用い
たトランスデユーサ２４を蒸着及びエツチング法
により形成し、そのトラツク巾lsをデータトラツ
クのトラツクピツチＰの２倍とした。この磁気抵
抗素子２９は両側に磁気シールドを形成しておら
ず、片側にバーバーポールバイアスを行なうため
の斜め平行の導体（Au）を形成した。
ランスデユーサ４としてのインダクテイブ型薄膜
ヘツドのかわりに、磁気抵抗効果素子２９を用い
たトランスデユーサ２４を蒸着及びエツチング法
により形成し、そのトラツク巾lsをデータトラツ
クのトラツクピツチＰの２倍とした。この磁気抵
抗素子２９は両側に磁気シールドを形成しておら
ず、片側にバーバーポールバイアスを行なうため
の斜め平行の導体（Au）を形成した。
（発明の効果）
前記構成を有するベリードサーボ方式用薄膜磁
気ヘツド二種は共にサーマルオフトラツクに関し
てはデータ用トランスデユーサとサーボ用トラン
スデユーサが２段構造となつているために消失
し、しかもサーボ用トランスデユーサのトラツク
幅をトラツクピツチの２倍としたためにサーボ信
号のＳ／Ｎが向上し、さらに付随する効果とし、
媒体欠陥に対しても、非常に強くなつた。
気ヘツド二種は共にサーマルオフトラツクに関し
てはデータ用トランスデユーサとサーボ用トラン
スデユーサが２段構造となつているために消失
し、しかもサーボ用トランスデユーサのトラツク
幅をトラツクピツチの２倍としたためにサーボ信
号のＳ／Ｎが向上し、さらに付随する効果とし、
媒体欠陥に対しても、非常に強くなつた。
なお、前記実施例に限らず、本発明の特徴であ
るサーボ用トランスデユーサのトラツク幅lsとデ
ータのトラツクピツチＰに対してＰ＜ls≦2Pの範
囲内であれば、lsがＰより大きい分だけサーボ信
号が大きくなり、Ｓ／Ｎが改善され、媒体欠陥に
対して強くなることは明らかである。さらに本発
明はサーボ用トランスデユーサとデータ用トラン
スデユーサの位置を交換した場合にも適用でき、
フロツピデイスク装置用磁気ヘツドにも適用でき
ることは言うまでもない。
るサーボ用トランスデユーサのトラツク幅lsとデ
ータのトラツクピツチＰに対してＰ＜ls≦2Pの範
囲内であれば、lsがＰより大きい分だけサーボ信
号が大きくなり、Ｓ／Ｎが改善され、媒体欠陥に
対して強くなることは明らかである。さらに本発
明はサーボ用トランスデユーサとデータ用トラン
スデユーサの位置を交換した場合にも適用でき、
フロツピデイスク装置用磁気ヘツドにも適用でき
ることは言うまでもない。
第１図ａ，ｂ及び第２図ａ，ｂは本発明の実施
例を示す図。 １はスライダー、２は第１のレール、３は第２
のレール、４はサーボ用トランスデユーサ、５は
データ用トランスデユーサ、６は保護膜、７は非
磁性基板、８は第１の磁極、９は第２の磁極、１
０は第１の絶縁層、１１はサーボ用コイル、１２
は第３の絶縁層、１３は第３の磁極、１４は第４
の磁極、１５は第４の絶縁層、１６はデータ用コ
イル、１７は第２の絶縁層、２１は第１のレー
ル、２０はスライダー、２２は第２のレール、２
４はサーボ用トランスデユーサ、２５は第１の絶
縁層、２６はデータ用トランスデユーサ、２７は
保護膜、２８は非磁性基板、２９は磁気抵抗効果
素子（サーボ用トランスデユーサ）、３１は第１
の磁極、３２は第２の絶縁層、３３は第３の絶縁
層、３４は第２の磁極、３５はデータ用コイル、
３６は保護膜である。
例を示す図。 １はスライダー、２は第１のレール、３は第２
のレール、４はサーボ用トランスデユーサ、５は
データ用トランスデユーサ、６は保護膜、７は非
磁性基板、８は第１の磁極、９は第２の磁極、１
０は第１の絶縁層、１１はサーボ用コイル、１２
は第３の絶縁層、１３は第３の磁極、１４は第４
の磁極、１５は第４の絶縁層、１６はデータ用コ
イル、１７は第２の絶縁層、２１は第１のレー
ル、２０はスライダー、２２は第２のレール、２
４はサーボ用トランスデユーサ、２５は第１の絶
縁層、２６はデータ用トランスデユーサ、２７は
保護膜、２８は非磁性基板、２９は磁気抵抗効果
素子（サーボ用トランスデユーサ）、３１は第１
の磁極、３２は第２の絶縁層、３３は第３の絶縁
層、３４は第２の磁極、３５はデータ用コイル、
３６は保護膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スライダーを形成する非磁性基板の上に、サ
ーボ信号再生用のサーボ用トランスデユーサとデ
ータ信号記録再生用のデータ用トランスデユーサ
とを絶縁層を介して積層した構造を有するベリー
ドサーボ方式用薄膜磁気ヘツドにおいて、 インダクテイブ型素子または磁気抵抗効果素子
を用いたサーボ用トランスデユーサのトラツク幅
lsがデータトラツクのトラツクピツチＰに対して
Ｐ＜ls≦2Pとなるようにしたことを特徴とするベ
リードサーボ方式用薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219785A JPS61202316A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | ベリ−ドサ−ボ方式用薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219785A JPS61202316A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | ベリ−ドサ−ボ方式用薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202316A JPS61202316A (ja) | 1986-09-08 |
| JPH0527165B2 true JPH0527165B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=12629279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4219785A Granted JPS61202316A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | ベリ−ドサ−ボ方式用薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202316A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2812949B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1998-10-22 | ソニー株式会社 | 磁気デイスク装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59151334A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS59203216A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP4219785A patent/JPS61202316A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59151334A (ja) * | 1983-02-17 | 1984-08-29 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS59203216A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61202316A (ja) | 1986-09-08 |
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