JPH06161096A - ドライフイルムレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来のフォトレジスト層の上に保護フイルム
を設ける工程を省略し、かつ産業廃棄物の軽減に寄与す
るドライフイルムレジスト（ＤＦＲ）を提供する。 【構成】 透明ベースフイルムの一つの表面にフォトレ
ジスト層を塗設し、かつベースフイルムの他の表面にフ
ォトレジスト層に対して離型性を奏する離型層を積層し
た複合フイルムからなり、該複合フイルムをロール状に
巻いてフォトレジスト層を離型層で保護するようにした
ことを特徴とするドライフイルムレジスト。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はドライフォトレジストに
関し、さらに詳しくはその製造及び取扱いが簡便で、特
にプリント配線板の製造に有用なドライフォトレジスト
に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子産業分野での主要な部品の一つであ
るプリント配線板は、ドライフォトレジスト（ＤＦＲ）
を用いて、写真法によって基板上に回路を形成する方法
で製造されることが多い。このＤＦＲは、従来、厚み１
５〜５０μｍのフォトレジスト層３を、ベースフイルム
１としての厚み１６〜２５μｍの二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルムと保護フイルム２としての厚み
３０〜４０μｍのポリエチレンフイルムでサンドイッチ
した三層構造からなり（図２参照）、通常幅１ｍ以上、
長さ１２０〜１５０ｍのものをロール状に巻いて取り引
きされている。

【０００３】ＤＦＲは、プリント配線板の製造におい
て、保護フイルムを剥がしながらフォトレジスト層側を
ラミネーター装置を用いて銅箔基板に熱圧着させる。そ
の後、ベースフイルム上にパターンマスクを置いて露光
し、次いで該ベースフイルムを剥がして現像するのが一
般的である。露光には通常紫外線（ＵＶ光）が用いられ
るので、ベースフイルムにはＵＶ透過性に優れ、高透明
で表面の平坦な二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
イルムが使用され、また保護フイルムにはインフレーシ
ョン延伸方式により製膜された中密度ポリエチレンフイ
ルムが使用されている。この保護フイルムは、フォトレ
ジスト層（光硬化性樹脂層）の保護と同時に、ＤＦＲを
ロール状に巻いたときベースフイルムの裏面とフォトレ
ジスト層とが粘着するのを防止する機能をも兼備する。

【０００４】ＤＦＲは、プリント配線板の製造で、銅箔
基板の規格に対応して保護フイルムを備えたままスリッ
トされる。このため、剥がされた保護フイルムやベース
フイルムは繰り返し再使用することができない。そし
て、保護フイルムは厚みがベースフイルムよりも厚いの
が一般的であり、廃棄物として捨てられる体積がベース
フイルムより大きくなることが問題となっている。

【０００５】かかる点から、ＤＦＲは透明ベースフイル
ムの厚みを極力薄くしてＵＶ露光効率を高め、かつ保護
フイルムも薄膜化して、ロール状巻き取りをコンパクト
にするのが理想的であるが、近年ロールの広幅化が進
み、高品質のＤＦＲを１．６ｍ以上の広幅で安定生産す
るにはベースフイルムの厚みは２０〜２５μｍを必要と
し、そして該ベースフイルムと保護フイルムの総厚みで
は５０μｍ程度とする、構成がとられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、フォトレジ
スト層の上に保護フイルムを設ける工程を省略し、かつ
産業廃棄物の軽減に寄与するドライフイルムレジスト
（ＤＦＲ）を製造すべく鋭意研究した結果、本発明に到
達した。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、透
明ベースフイルム１の一つの表面にフォトレジスト層３
を塗設し、かつベースフイルムの他の表面にフォトレジ
スト層に対して離型性を奏する離型層２を積層した複合
フイルムからなり、該複合フイルムをロール状に巻いて
フォトレジスト層を離型層で保護するようにしたことを
特徴とするドライフイルムレジストである。この複合フ
イルムの構成を図１に示す。

【０００８】本発明における透明ベースフイルムとして
は二軸延伸ポリエステルフイルム、特に二軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフイルムが好ましく用いられる。
このフイルムの厚みとしては１５〜３０μｍ、さらには
２０〜２５μｍとするのが好ましい。

【０００９】本発明において透明ベースフイルムの一つ
の表面に塗設するフォトレジスト層としては、従来から
用いられているフォトレジスト層が適用できる。例え
ば、ネガ型アルカリ現像フォトレジストは、基本組成と
して、５０％以上のバインダーポリマーと、光重合性モ
ノマー、光重合開始剤、その他の添加剤（染料、熱重合
禁止剤等）とから構成される。

【００１０】このバインダーポリマーはアルカリ現像性
を付与するためにポリマー中に酸基（カルボキシル基）
を有することが好ましく、具体的にはメチルメタクリレ
ートを主成分とし、各種（メタ）アクリレート、スチレ
ン、アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸等の共重合
成分の少なくとも一種を共重合した共重合体が好ましく
例示される。バインダーポリマーはフォトレジストにフ
イルム形成能を与え、かつレジスト表面に粘着性（タッ
ク性）を付与する作用を奏する。このタック性は離型層
との適度の密着性を与え、例えば剥離力（１８０度、低
速剥離）を２０〜３０ｇ／インチに保つ作用を奏してい
る。

【００１１】光重合性モノマーはバインダーポリマーと
絡みあって光重合（架橋硬化）し、現像液に対して不溶
化するものであれば特に限定されないが、（メタ）アク
リロイル基含有多官能モノマーが好ましく挙げられる。
この光重合性モノマーはタック性には関与していない。

【００１２】光重合開始剤としては、ベンゾイン、ジア
ゾニウム化合物、ハロゲン化合物等を例示することがで
きる。

【００１３】本発明においてフォトレジスト層の塗設
は、従来から採用されている方法で行うことができる。

【００１４】本発明において透明ベースフイルムの他の
表面に積層する離型層は、フォトレジスト層を未だ塗設
してない透明ベースフイルムの表面に積層するのが好ま
しい。これによって、フォトレジスト層を塗設した後の
工程が大幅に合理化できる。

【００１５】この離型層は、下記の特性を有することが
好ましい。 （１）フォトレジスト層（光硬化性樹脂層）に対して離
型性を有し、剥離力（１８０度、低速剥離）で２０〜３
０ｇ／インチの範囲にある。 （２）剥離時の静電気の発生が少なく、ゴミ、異物等を
付着しない。 （３）フォトレジスト層を塗布した後の乾燥処理に耐え
る耐熱性や耐溶剤性を有する。耐熱性としては、例えば
１２０℃で１分間乾燥処理するのに耐えることが好まし
い。 （４）紫外線（ＵＶ光）をベースフイルム並に透過する
透明性を有することが好ましい。 （５）気泡抜け性を有することが好ましく、例えば離型
層の表面が０．１〜１０μｍ程度の凹凸を有することが
好ましい。

【００１６】離型層の積層は、露光時に、離型層とベー
スフイルムとが一体化している態様と、ベースフイルム
から離型層が離されている態様とで異なるが、前者では
コーティング法または共押出し法で積層するのが好まし
く、後者では押出しラミネート法で積層するのが好まし
い。これらの中、押出しラミネート法で積層するのが特
に好ましい。

【００１７】コーティング法で用いるコーティング剤と
しては、現在のＤＦＲ用保護フイルムとして使用されて
いる中密度ポリエチレンフイルム並の剥離レベルを付与
するものが好ましく、この点からポリエチレン主鎖を有
し、高級脂肪酸で変性された離型剤やオレフィン系樹脂
が特に好ましい。前者の具体例としてはＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）またはポリエチレンイミンの官能基を
ステアリン酸のような高級脂肪酸で変性したものがあげ
られ、これらは離型性のみならず透明性の面からも好ま
しい。これらは有機溶剤例えばトルエン、テトラヒドロ
フラン、シクロヘキサノン等を用いて、コーティング液
を調製することができる。また後者の具体例としては低
密度ポリエチレンが挙げられる。このものは、水媒体に
微粒子状で分散させてコーティング液を調製することが
でき、水分散体としてはケミパール―Ｍ２００（三井石
油化学（株）製）を用いることができる。また、テトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン等の如き有機溶剤に溶
解してコーティング液を調製することができる。

【００１８】ただし、離型剤として広く知られているシ
リコーン系離型剤は、フォトレジスト層の特性を低下さ
せることから、本発明の前記離型剤として用いることは
好ましくない。

【００１９】コーティング法で形成する離型層の厚みは
０．０５μｍ以上であることが好ましく、離型層の透明
性にもよるが１μｍ以下とするのが好ましい。また、コ
ーティングに際し、離型層とベースフイルムとの接着性
を高めるため、ベースフイルムに易接着プライマー処理
を施しておくことは好ましく、特にオレフィン系樹脂を
コーティングするときは易接着プライマー処理のベース
フイルムを用いることが好ましい。

【００２０】共押出し法で用いる離型性樹脂としては、
オレフィン系樹脂、特にポリプロピレン、中密度ポリエ
チレンが好ましく挙げられる。共押出しは従来から知ら
れている方法で行うことができる。

【００２１】共押出し法で形成する離型層はベースフイ
ルムの延伸処理、特に二軸延伸処理で延伸され、薄い延
伸フイルム層となっている。このフイルム層は延伸処理
でベースフイルムに強く密着しており、再剥離は実質的
にできない。このため、離型層の厚みはコーティング法
と同様の厚みとするのが好ましい。この厚みが厚すぎる
と透明性が低下し、ＵＶ光透過性が低下するので好まし
くない。

【００２２】押出しラミネート法で用いる離型性樹脂と
しては、共押出し法で用いる離型性樹脂と同じものを挙
げることができる。押出しラミネートは従来から知られ
ている。

【００２３】押出しラミネート法で形成する離型層は、
通常延伸処理を受けず、無延伸のフイルム層である。こ
のフイルム層はベースフイルムとの密着力が弱く、例え
ば二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフイルムに対す
る剥離力（１８０度、低速剥離）で５〜２０ｇ／インチ
の範囲にある。この剥離力は、通常の取扱いでは離型層
がベースフイルムから剥離するようなことはなく、例え
ばベースフイルムの表面にフォトレジスト層を塗設し、
ＤＦＲをロール巻きにする過程で剥離することはない。
この剥離力は、離型性樹脂の溶融押出し温度を調節する
ことで調整することができ、この温度を低くすると剥離
力は小さくなり、一方高くすると剥離力は大きくなる。
この剥離力は、また、ベースフイルムの表面にプライマ
ー離型処理を施すことで調節することもできる。

【００２４】押出しラミネート法で形成する離型層の厚
みは、ベースフイルムより薄くする。特に、ベースフイ
ルムと離型層の総厚みを５０μｍ以下とし、かつ離型層
の厚みを総厚に対し１／２未満とするのが好ましい。そ
して１０μｍ以上とするのが好ましい。

【００２５】ベースフイルムと離型層の密着力が、一般
に、上述したようにフォトレジスト層と離型層の密着力
より小さいことから、ロール状に巻かれたものからＤＦ
Ｒを繰り出すとき、ベースフイルムと離型層の間を剥離
しながら繰り出すことができ、またフォトレジスト層と
離型層の間を剥離しながら繰り出すこともできる。前者
の場合、繰り出されたＤＦＲは現行品と同じ三層構造を
とり、フォトレジスト層が剥離した離型層で保護されて
いる利点、例えばスリット時にフォトレジスト層が空気
に触れて空気中のダスト、異物等を付着することがな
い、という利点を有する。この場合でも、離型層が従来
の保護フイルムより薄いから、廃棄フイルムの量、体積
を低減するという効果は達成できる。

【００２６】本発明において透明ベースフイルムの一つ
の表面にフォトレジスト層を塗設し、かつベースフイル
ムの他の表面に離型層を積層した複合フイルムは、ロー
ル状に巻いてフォトレジスト層を離型層と密着させて保
護する必要があるが、このときフォトレジスト層と離型
層の間に空気泡をトラップしないようにすることが好ま
しい。特に、コーティング法や共押出し法で形成した離
型層は厚みが薄く、また表面が平滑であることからトラ
ップした空気泡の排除が難しいので、空気泡をトラップ
しないようにすることが好ましい。一方、押出ラミネー
ト法で形成した離型層は厚みが厚く、また表面を粗くす
ることができることからトラップした空気泡を排除する
のが比較的容易である。これはオレフィン系樹脂、特に
ポリエチレンのガスバリヤー性が低く、空気が抜け易い
こと、また表面の微細凹凸で、空気泡が、フォトレジス
ト層と離型層の界面を抜けてロールエッジから排除され
ることによる。離型層に微細凹凸を形成する手段とし
て、エンボス加工が好ましくあげられ、この凹凸は０．
１〜１０μｍとするのが好ましい。このエンボス加工
は、押出しラミネートした樹脂をエンボスロールで冷却
することで行うことができる。そしてエンボスパターン
を変えることで、表面凹凸の粗さを調節することができ
る。

【００２７】上述した空気泡の排除性から、離型層は押
出しラミネート法で積層するのが好ましい。

【００２８】本発明の複合フイルムから離型層を剥離す
るとき、静電気によって空気中のダストが透明ベースフ
イルムに付着することがあるが、この付着を防止する目
的で透明ベースフイルムに帯電防止処理を施すことが好
ましい。この処理には従来から知られている処理方法を
適用することができる。

【００２９】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を更に説明す
る。

【００３０】

【実施例１】厚み２５μｍの透明二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルムを用い、この片面に押出ラミネ
ート法で、中密度ポリエチレンを厚み１５μｍで積層し
た。該ポリエチレンの冷却過程でエンボスロールにか
け、離型層表面に０．４μｍ梨地状エンボスを付与し
た。次いで、前記ポリエチレンテレフタレートフイルム
の他の面にフォトレジスト層を厚み２０μｍで塗設し
た。得られた複合フイルムを、離型層とフォトレジスト
層が密着するようにしてロール巻にした。

【００３１】このロール巻は、離型層とフォトレジスト
層の剥離力が約２０ｇ／インチであって巻出しが良好で
あった。また、フォトレジスト層と離型層間の空気泡の
排除は良好であった。

【００３２】

【実施例２】厚み２５μｍの透明二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルムを用い、この片面に、ポリエチ
レンイミンアルキル変性体（日本触媒化学（株）製ＲＰ
―１０）をメチルエチルケトン／トルエンの混合溶剤に
溶解した、固形分濃度１％の離型剤塗液を１０ｇ／ｍ²
塗布し、乾燥した。離型層膜厚は０．１μｍである。次
いで、実施例１と同様に行って、前記ポリエチレンテレ
フタレートフイルムの他の面にフォトレジスト層を厚み
２０μｍで塗設した。得られた複合フイルムを、離型層
とフォトレジスト層が密着するようにしてロール巻にし
た。

【００３３】このロール巻は、離型層とフォトレジスト
層の剥離力が約２０ｇ／インチであって巻出しは良好で
あった。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、フォトレジスト層の上
に保護フイルムを設ける工程を省略でき、かつ産業廃棄
物の軽減に寄与するドライフイルムレジストを提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のドライフイルムレジストの構成を示す
概略断面図である。

【図２】従来のドライフイルムレジストの構成を示す概
略断面図である。

【符号の説明】

１ 透明ベースフイルム ２ 離型層 ３ フォトレジスト層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明ベースフイルムの一つの表面にフォ
   トレジスト層を塗設し、かつベースフイルムの他の表面
   にフォトレジスト層に対して離型性を奏する離型層を積
   層した複合フイルムからなり、該複合フイルムをロール
   状に巻いてフォトレジスト層を離型層で保護するように
   したことを特徴とするドライフイルムレジスト。
2. 【請求項２】 透明ベースフイルムが二軸延伸ポリエチ
   レンテレフタレートフイルムである請求項１記載のドラ
   イフイルムレジスト。
3. 【請求項３】 離型層がオレフィン系樹脂からなる請求
   項１記載のドライフイルムレジスト。
4. 【請求項４】 オレフィン系樹脂の離型層が押出しラミ
   ネート法または共押出し法で積層された請求項３記載の
   ドライフォトレジスト。
5. 【請求項５】 オレフィン系樹脂の離型層がその表面に
   ０．１〜１０μｍの凹凸を有する請求項３または４記載
   のドライフォトレジスト。
6. 【請求項６】 オレフィン系樹脂がポリプロピレンまた
   は中密度ポリエチレンである請求項３、４または５記載
   のドライフォトレジスト。
7. 【請求項７】 透明ベースフイルムと離型層の総厚みが
   ５０μｍ以下であり、かつ離型層の厚みが総厚みに対し
   て１／２未満である請求項１または３記載のドライフォ
   トレジスト。