JPH06158019A - 保護コート剤 - Google Patents
保護コート剤Info
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- JPH06158019A JPH06158019A JP31875592A JP31875592A JPH06158019A JP H06158019 A JPH06158019 A JP H06158019A JP 31875592 A JP31875592 A JP 31875592A JP 31875592 A JP31875592 A JP 31875592A JP H06158019 A JPH06158019 A JP H06158019A
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- protective coating
- agent
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 3官能性以上の(メタ)アクリレート、
2官能(メタ)アクリレートおよびイソボルニル(メ
タ)アクリレートからなる保護コート剤。 【効果】 この保護コート剤は、微細な凹凸を有す
る金属薄膜層への十分な塗布性、密着性を有しており、
形成された保護コート層は、耐擦傷性、金属薄膜層の化
学的保護能に優れている。
2官能(メタ)アクリレートおよびイソボルニル(メ
タ)アクリレートからなる保護コート剤。 【効果】 この保護コート剤は、微細な凹凸を有す
る金属薄膜層への十分な塗布性、密着性を有しており、
形成された保護コート層は、耐擦傷性、金属薄膜層の化
学的保護能に優れている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は保護コート剤に関し、さ
らに詳しくは光ディスクなどの光学式メディアにおける
記録層および反射層を形成する金属組成物薄膜のために
用いられる保護コート剤に関する。
らに詳しくは光ディスクなどの光学式メディアにおける
記録層および反射層を形成する金属組成物薄膜のために
用いられる保護コート剤に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気ディスクなどの光学式メディアの
記録層は、例えばテルビウム−鉄−コバルト(Tb−F
e−Co)などの金属組成物を蒸着あるいは各種のスパ
ッタリング法によってメディア基板上に薄膜として形成
し、さらにこの上にアルミニウムなどからなる反射層を
同様の方法によって形成して製造される。これらの金属
組成物薄膜層、とくにこれらの薄膜の中で最後に積層さ
れる反射層はそのままでは外界からの物理的擦傷、ある
いは酸化変性などの化学的耐久性に劣っているため、こ
の上にさらに有機組成物からなる保護コート層を形成す
る技術が一般に知られている。
記録層は、例えばテルビウム−鉄−コバルト(Tb−F
e−Co)などの金属組成物を蒸着あるいは各種のスパ
ッタリング法によってメディア基板上に薄膜として形成
し、さらにこの上にアルミニウムなどからなる反射層を
同様の方法によって形成して製造される。これらの金属
組成物薄膜層、とくにこれらの薄膜の中で最後に積層さ
れる反射層はそのままでは外界からの物理的擦傷、ある
いは酸化変性などの化学的耐久性に劣っているため、こ
の上にさらに有機組成物からなる保護コート層を形成す
る技術が一般に知られている。
【0003】光磁気ディスクなどの光学式メディアの記
録層、反射層などが配置される面には、光学ヘッドがト
レースするための案内溝と番地情報のためのピットが予
め形成されており、この案内溝、ピットの微細な凹凸上
に上記の記録層、反射層などが金属薄膜層として配置さ
れている。
録層、反射層などが配置される面には、光学ヘッドがト
レースするための案内溝と番地情報のためのピットが予
め形成されており、この案内溝、ピットの微細な凹凸上
に上記の記録層、反射層などが金属薄膜層として配置さ
れている。
【0004】この微細な凹凸を有する金属薄膜表面に対
する濡れ性がコート剤の重要な性能であるが、濡れ性を
良好にするためにシリコン系あるいはフッ素系の界面活
性剤からなるレベリング剤を添加する技術が知られてい
る。
する濡れ性がコート剤の重要な性能であるが、濡れ性を
良好にするためにシリコン系あるいはフッ素系の界面活
性剤からなるレベリング剤を添加する技術が知られてい
る。
【0005】しかし、現在トラックピッチ1.60μ
m、溝幅500〜550nm、ピット幅600〜650
nmで設計されている光磁気ディスクは、メディアの大
容量化にともないトラックピッチ1.35μm、溝幅4
00〜420nm、ピット幅500〜520nmとさら
に微細化され、従来のコート剤ではその微細な凹凸に対
する塗れ性が不十分であり、金属薄膜層と保護コート剤
との間に微小な空間が生成することがあり、これが原因
となってピンホール等の欠陥を発生し、経時的なエラー
レートの上昇を引き起こしてしまう。
m、溝幅500〜550nm、ピット幅600〜650
nmで設計されている光磁気ディスクは、メディアの大
容量化にともないトラックピッチ1.35μm、溝幅4
00〜420nm、ピット幅500〜520nmとさら
に微細化され、従来のコート剤ではその微細な凹凸に対
する塗れ性が不十分であり、金属薄膜層と保護コート剤
との間に微小な空間が生成することがあり、これが原因
となってピンホール等の欠陥を発生し、経時的なエラー
レートの上昇を引き起こしてしまう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記問
題点に鑑み、レベリング性が極めて高く、トラックピッ
チ1.35μm、溝幅400〜420nm、ピット幅5
00〜520nmの微細な凹凸を有する金属薄膜表面に
対して十分な濡れ性があり、かつ金属薄膜層に対する物
理的、化学的保護特性を有し、実用上十分な密着性を有
する保護コート剤を提供することにある。
題点に鑑み、レベリング性が極めて高く、トラックピッ
チ1.35μm、溝幅400〜420nm、ピット幅5
00〜520nmの微細な凹凸を有する金属薄膜表面に
対して十分な濡れ性があり、かつ金属薄膜層に対する物
理的、化学的保護特性を有し、実用上十分な密着性を有
する保護コート剤を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決するために鋭意検討を行った結果、下記一般式
、、
を解決するために鋭意検討を行った結果、下記一般式
、、
【0008】
【化6】
【0009】
【化7】
【0010】
【化8】
【0011】で示される3官能以上の多官能(メタ)ア
クリレートおよび下記一般式
クリレートおよび下記一般式
【0012】
【化9】
【0013】で示される2官能(メタ)アクリレート、
および下記一般式
および下記一般式
【0014】
【化10】
【0015】で示される(メタ)アクリレートを混合し
たベースレジンにレベリング剤とシランカップリング剤
を添加したものが目的とする保護コート剤として好適で
あることを見出し、本発明を完成するに至った。
たベースレジンにレベリング剤とシランカップリング剤
を添加したものが目的とする保護コート剤として好適で
あることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0016】以下、本発明を詳細に説明する。
【0017】ここで一般式で示される化合物は、3官
能(メタ)アクリレートであり、具体的にはペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレートが
例示される。
能(メタ)アクリレートであり、具体的にはペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレートが
例示される。
【0018】この一般式で示される化合物の添加量
は、ベースレジンに対して、5重量%以上80重量%以
下、好ましくは、20重量%以上70重量%以下の範囲
である。本化合物の添加は、保護コート剤に物理的擦傷
から金属薄膜層を保護するために必要な硬度、耐擦傷性
を付与すると共に、金属薄膜層への密着性を与えるもの
である。添加量が5重量%未満の場合、目的とする硬
度、耐擦傷性を得ることができず、また、80重量%を
越える場合、保護コート剤の硬化収縮率が高くなるので
好ましくない。
は、ベースレジンに対して、5重量%以上80重量%以
下、好ましくは、20重量%以上70重量%以下の範囲
である。本化合物の添加は、保護コート剤に物理的擦傷
から金属薄膜層を保護するために必要な硬度、耐擦傷性
を付与すると共に、金属薄膜層への密着性を与えるもの
である。添加量が5重量%未満の場合、目的とする硬
度、耐擦傷性を得ることができず、また、80重量%を
越える場合、保護コート剤の硬化収縮率が高くなるので
好ましくない。
【0019】一般式で示される化合物としては、例え
ば、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラメタクリレートであり、一般式
で示される化合物としては、例えば、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサメタクリレートである。
ば、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラメタクリレートであり、一般式
で示される化合物としては、例えば、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサメタクリレートである。
【0020】これらの添加量は、ベースレジンに対し
て、それぞれ0重量%以上30重量%以下、好ましく
は、0重量%以上25重量%以下の範囲である。これら
の化合物は架橋剤として添加されるが、30重量%を越
えて添加された場合、架橋度が高くなり過ぎるため硬化
した保護コート層の金属薄膜層への密着性が低下してし
まい好ましくない。
て、それぞれ0重量%以上30重量%以下、好ましく
は、0重量%以上25重量%以下の範囲である。これら
の化合物は架橋剤として添加されるが、30重量%を越
えて添加された場合、架橋度が高くなり過ぎるため硬化
した保護コート層の金属薄膜層への密着性が低下してし
まい好ましくない。
【0021】一般式で示される化合物は、2官能(メ
タ)アクリレートであり、具体的にはエチレングリコー
ルジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、1,3−プロパンジオールジアクリレート、1,3
−プロパンジオールジメタクリレート、1,4−ブタン
ジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメ
タクリレート、1,5−ペンタンジオールジアクリレー
ト、1,5−ペンタンジオールジメタクリレート、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサ
ンジオールジメタクリレート、1,7−ヘプタンジオー
ルジアクリレート、1,7−ヘプタンジオールジメタク
リレート、1,8−オクダンジオールジアクリレート、
1,8−オクダンジオールジメタクリレート、1,9−
ノナンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオー
ルジメタクリレート、1,10−デカンジオールジアク
リレート、1,10−デカンジオールジメタクリレート
などが例示できる。
タ)アクリレートであり、具体的にはエチレングリコー
ルジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、1,3−プロパンジオールジアクリレート、1,3
−プロパンジオールジメタクリレート、1,4−ブタン
ジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメ
タクリレート、1,5−ペンタンジオールジアクリレー
ト、1,5−ペンタンジオールジメタクリレート、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサ
ンジオールジメタクリレート、1,7−ヘプタンジオー
ルジアクリレート、1,7−ヘプタンジオールジメタク
リレート、1,8−オクダンジオールジアクリレート、
1,8−オクダンジオールジメタクリレート、1,9−
ノナンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオー
ルジメタクリレート、1,10−デカンジオールジアク
リレート、1,10−デカンジオールジメタクリレート
などが例示できる。
【0022】一般式で示される化合物は、コート剤の
粘度調整およびポリカーボネート基板への接着性を発現
するために5重量%以上50重量%以下の添加量で使用
される。5重量%より低い濃度では実質的に接着性が発
現されず、また50重量%を越えて添加した場合、目的
とする保護特性が発現されない。
粘度調整およびポリカーボネート基板への接着性を発現
するために5重量%以上50重量%以下の添加量で使用
される。5重量%より低い濃度では実質的に接着性が発
現されず、また50重量%を越えて添加した場合、目的
とする保護特性が発現されない。
【0023】一般式で示される化合物はイソボルニル
アクリレート、イソボルニルメタクリレートであるが、
本化合物はコート剤の粘度調整および水分透過率を低下
させるために、疎水的な構造を導入するために用いられ
る。その添加量は0重量%以上50重量%以下、好まし
くは5重量%以上45重量%以下の範囲で使用される。
50重量%を越えて添加された場合、この化合物は一官
能であるために形成された膜が、3次元架橋構造を取り
にくくなるため好ましくない。
アクリレート、イソボルニルメタクリレートであるが、
本化合物はコート剤の粘度調整および水分透過率を低下
させるために、疎水的な構造を導入するために用いられ
る。その添加量は0重量%以上50重量%以下、好まし
くは5重量%以上45重量%以下の範囲で使用される。
50重量%を越えて添加された場合、この化合物は一官
能であるために形成された膜が、3次元架橋構造を取り
にくくなるため好ましくない。
【0024】以上に示した各化合物を混合し保護コート
剤のベースレジンを調製する。この際、アクリレート体
とメタクリレート体とを混合して使用してもよいが、ア
クリレート体のほうが反応性が高く、より好ましい。
剤のベースレジンを調製する。この際、アクリレート体
とメタクリレート体とを混合して使用してもよいが、ア
クリレート体のほうが反応性が高く、より好ましい。
【0025】以上のようなベースレジンを重合すること
によって、保護コート剤を得ることができる。重合は、
熱、紫外線、X線、又は電子線のような慣用方法を用い
て行うことができるが、ハンドリング等の点で紫外線に
よる重合が好ましい。尚、紫外線源としては、高圧水銀
灯等が好ましい。
によって、保護コート剤を得ることができる。重合は、
熱、紫外線、X線、又は電子線のような慣用方法を用い
て行うことができるが、ハンドリング等の点で紫外線に
よる重合が好ましい。尚、紫外線源としては、高圧水銀
灯等が好ましい。
【0026】紫外線で硬化させるために少なくとも一種
以上の光重合開始剤を添加するが、この開始剤としては
1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾ
フェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、2,2
−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン1−オン、ジ
エトキシアセトフェノン、4−ジメチルアミノアセトフ
ェノンなどが例示される。これらは単体または2種以上
を混合して使用でき、その添加量はベースレジンに対し
て0.1〜10重量%である。10重量%を越えて添加
した場合、形成されるコート層の3次元架橋密度の低下
および経時的ブリードアウトによる表面汚染を引起こす
場合がある。また0.1重量%未満の添加量では実質的
に開始剤効率が0に等しく実用的でない。
以上の光重合開始剤を添加するが、この開始剤としては
1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾ
フェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフ
ェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、2,2
−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン1−オン、ジ
エトキシアセトフェノン、4−ジメチルアミノアセトフ
ェノンなどが例示される。これらは単体または2種以上
を混合して使用でき、その添加量はベースレジンに対し
て0.1〜10重量%である。10重量%を越えて添加
した場合、形成されるコート層の3次元架橋密度の低下
および経時的ブリードアウトによる表面汚染を引起こす
場合がある。また0.1重量%未満の添加量では実質的
に開始剤効率が0に等しく実用的でない。
【0027】また均一な塗布性を付与し、オレンジピー
ルやクレーターなどの塗膜欠陥の発生を抑制する目的か
ら、ベースレジンに対して少なくとも一種以上のレベリ
ング剤を添加する。このレベリング剤としては一般にシ
リコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤が知られて
おり、これらを特に制限なく使用できる。これらの添加
量はベースレジンに対して通常0.005〜3重量%で
ある。
ルやクレーターなどの塗膜欠陥の発生を抑制する目的か
ら、ベースレジンに対して少なくとも一種以上のレベリ
ング剤を添加する。このレベリング剤としては一般にシ
リコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤が知られて
おり、これらを特に制限なく使用できる。これらの添加
量はベースレジンに対して通常0.005〜3重量%で
ある。
【0028】シリコーン系界面活性剤としては、信越化
学工業(株)製、商品名「KP323」、「KP32
4」、商品名「ポリエーテル変性シリコーンオイルKF
−351」、「KF−352」、「KF−615」、日
本ユニカー(株)製、商品名「L−77」、「L−76
02」などが挙げられる。
学工業(株)製、商品名「KP323」、「KP32
4」、商品名「ポリエーテル変性シリコーンオイルKF
−351」、「KF−352」、「KF−615」、日
本ユニカー(株)製、商品名「L−77」、「L−76
02」などが挙げられる。
【0029】フッ素系界面活性剤としては、旭硝子
(株)製、商品名「サーフロンS−381」、「S−3
82」、大日本インキ化学工業(株)製、商品名「メガ
ファックF−142D」、「F−177」などが挙げら
れる。
(株)製、商品名「サーフロンS−381」、「S−3
82」、大日本インキ化学工業(株)製、商品名「メガ
ファックF−142D」、「F−177」などが挙げら
れる。
【0030】さらにトラックピッチ1.35μm、溝幅
400〜420nm、ピット幅500〜520nmの微
細な凹凸を有する金属薄膜への十分なコート性(塗れ
性)を付与するためにシランカップリング剤を添加す
る。
400〜420nm、ピット幅500〜520nmの微
細な凹凸を有する金属薄膜への十分なコート性(塗れ
性)を付与するためにシランカップリング剤を添加す
る。
【0031】本発明に使用されるシランカップリング剤
としては、例えば、ビニルトリス(β−メトキシエトキ
シ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エ
チルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ
−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルト
リメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ヘ
キサメチルジシラザン、γ−クロロプロピルメチルジメ
トキシシラザンなどがあるが、特に好ましくはγ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランである。
としては、例えば、ビニルトリス(β−メトキシエトキ
シ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エ
チルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ
−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルト
リメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ヘ
キサメチルジシラザン、γ−クロロプロピルメチルジメ
トキシシラザンなどがあるが、特に好ましくはγ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランである。
【0032】これらのシランカップリング剤は単独、ま
たは2種類以上組合わせて使用され、その添加量はシラ
ンカップリング剤全量としてベースレジンに対して0.
1〜10重量%の範囲で添加される。0.1重量%未満
では実質的に添加効果が認められず、また10重量%を
越えて添加された場合、保存安定性が低下するなどの問
題が発生することがある。
たは2種類以上組合わせて使用され、その添加量はシラ
ンカップリング剤全量としてベースレジンに対して0.
1〜10重量%の範囲で添加される。0.1重量%未満
では実質的に添加効果が認められず、また10重量%を
越えて添加された場合、保存安定性が低下するなどの問
題が発生することがある。
【0033】さらに本発明の保護コート剤には、その性
能を損なわない範囲において熱安定剤、酸化防止剤、そ
の他の添加剤を加えてもよい。
能を損なわない範囲において熱安定剤、酸化防止剤、そ
の他の添加剤を加えてもよい。
【0034】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の保護コート剤は微細な凹凸を有する金属薄膜層への十
分な塗布性、密着性を有しており、この保護コート剤に
より形成された保護コート層は耐擦傷性、金属薄膜層の
化学的保護能に優れている。
の保護コート剤は微細な凹凸を有する金属薄膜層への十
分な塗布性、密着性を有しており、この保護コート剤に
より形成された保護コート層は耐擦傷性、金属薄膜層の
化学的保護能に優れている。
【0035】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。
するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。
【0036】実施例1 ペンタエリスリトールトリアクリレート800gおよび
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート200gを混
合してベースレジンを調製した。このベースレジン10
00gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加剤
(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を1
g、シランカップリング剤としてγ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシランを1g、紫外線重合開始剤と
して1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを3
0g添加して保護コート剤を調製した。
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート200gを混
合してベースレジンを調製した。このベースレジン10
00gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加剤
(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を1
g、シランカップリング剤としてγ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシランを1g、紫外線重合開始剤と
して1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを3
0g添加して保護コート剤を調製した。
【0037】次いでトラックピッチ1.35μm、溝幅
415nm、ピット幅510nmに設計された案内溝お
よびピットを有する直径90mmのポリカーボネート製
基板上に窒化ケイ素からなる保護層を膜厚500オング
ストロームにスパッタし、この保護層上にテルビウム、
鉄、コバルトからなる合金薄膜をスパッタリングにより
厚さ0.1μmに積層し、磁性薄膜層とした。次いでこ
の磁性薄膜層上に保護層として再び窒化ケイ素を500
オングストローム、反射層としてアルミニウムを800
オングストロームの膜厚にスパッタリングを行い積層し
た。
415nm、ピット幅510nmに設計された案内溝お
よびピットを有する直径90mmのポリカーボネート製
基板上に窒化ケイ素からなる保護層を膜厚500オング
ストロームにスパッタし、この保護層上にテルビウム、
鉄、コバルトからなる合金薄膜をスパッタリングにより
厚さ0.1μmに積層し、磁性薄膜層とした。次いでこ
の磁性薄膜層上に保護層として再び窒化ケイ素を500
オングストローム、反射層としてアルミニウムを800
オングストロームの膜厚にスパッタリングを行い積層し
た。
【0038】このようにして作製したディスクの金属薄
膜層上に上記のコート剤1.5gをディスペンスした
後、スピンコートし160mW/cmの高圧水銀灯を用
いてディスク上150mmの高さから20秒間紫外線を
照射して厚さ10μmの保護コート層を硬化させた。
膜層上に上記のコート剤1.5gをディスペンスした
後、スピンコートし160mW/cmの高圧水銀灯を用
いてディスク上150mmの高さから20秒間紫外線を
照射して厚さ10μmの保護コート層を硬化させた。
【0039】この光磁気ディスクを温度80℃、湿度8
5%RHの環境下において4000時間保存した後に、
バイトエラーレイトを検査した。検査成績を表1に示
す。
5%RHの環境下において4000時間保存した後に、
バイトエラーレイトを検査した。検査成績を表1に示
す。
【0040】実施例2 ペンタエリスリトールトリアクリレート700g、イソ
ボルニルアクリレート200g、及び1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレート100gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP323」)を1g、シランカッ
プリング剤としてβ−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシランを1g、紫外線重合開始
剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
を30g添加して保護コート剤を調製した。
ボルニルアクリレート200g、及び1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレート100gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP323」)を1g、シランカッ
プリング剤としてβ−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシランを1g、紫外線重合開始
剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
を30g添加して保護コート剤を調製した。
【0041】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0042】実施例3 ペンタエリスリトールトリアクリレート600g、イソ
ボルニルアクリレート300g、及び1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレート100gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP323」)を1g、シランカッ
プリング剤としてγ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンを1g、紫外線重合開始剤として1−ヒドロキシシク
ロヘキシルフェニルケトンを30gおよびベンゾフェノ
ンを30g添加して保護コート剤を調製した。
ボルニルアクリレート300g、及び1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレート100gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP323」)を1g、シランカッ
プリング剤としてγ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンを1g、紫外線重合開始剤として1−ヒドロキシシク
ロヘキシルフェニルケトンを30gおよびベンゾフェノ
ンを30g添加して保護コート剤を調製した。
【0043】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0044】実施例4 ペンタエリスリトールトリアクリレート500g、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート200g、及び
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを混
合してベースレジンを調製した。このベースレジン10
00gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加剤
(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を1
g、シランカップリング剤としてN−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランを1g、紫外線重合開
始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ンを30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保護
コート剤を調製した。
タエリスリトールテトラアクリレート200g、及び
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを混
合してベースレジンを調製した。このベースレジン10
00gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加剤
(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を1
g、シランカップリング剤としてN−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランを1g、紫外線重合開
始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ンを30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保護
コート剤を調製した。
【0045】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0046】実施例5 トリメチロールプロパントリアクリレート500g、ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、及
び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを
混合してベースレジンを調製した。このベースレジン1
000gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加
剤(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を
1g、シランカップリング剤としてN−フェニル−γ−
アミノプロピルトリメトキシシランを1g、紫外線重合
開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保
護コート剤を調製した。
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、及
び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを
混合してベースレジンを調製した。このベースレジン1
000gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加
剤(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を
1g、シランカップリング剤としてN−フェニル−γ−
アミノプロピルトリメトキシシランを1g、紫外線重合
開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保
護コート剤を調製した。
【0047】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0048】実施例6 トリメチロールプロパントリアクリレート500g、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート100g、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート100g、及び
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを混
合してベースレジンを調製した。このベースレジン10
00gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加剤
(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を1
g、シランカップリング剤としてγ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシランを3g、紫外線重合開始剤と
して1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを3
0gおよびベンゾフェノンを30g添加して保護コート
剤を調製した。
ンタエリスリトールテトラアクリレート100g、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート100g、及び
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを混
合してベースレジンを調製した。このベースレジン10
00gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加剤
(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を1
g、シランカップリング剤としてγ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシランを3g、紫外線重合開始剤と
して1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを3
0gおよびベンゾフェノンを30g添加して保護コート
剤を調製した。
【0049】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0050】実施例7 ペンタエリスリトールトリアクリレート500g、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート100g、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート100g、及びイ
ソボルニルアクリレート300gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、シランカッ
プリング剤としてβ−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシランを3g、紫外線重合開始
剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
を30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保護コ
ート剤を調製した。
タエリスリトールテトラアクリレート100g、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート100g、及びイ
ソボルニルアクリレート300gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、シランカッ
プリング剤としてβ−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシランを3g、紫外線重合開始
剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
を30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保護コ
ート剤を調製した。
【0051】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0052】実施例8 ペンタエリスリトールトリアクリレート500g、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート150g、及びイ
ソボルニルアクリレート150gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、シランカッ
プリング剤としてγ−メタクリロキシプロピルトリメト
キシシランを3g、紫外線重合開始剤として1−ヒドロ
キシシクロヘキシルフェニルケトンを30gおよびベン
ゾフェノンを30g添加して保護コート剤を調製した。
ンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート150g、及びイ
ソボルニルアクリレート150gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、シランカッ
プリング剤としてγ−メタクリロキシプロピルトリメト
キシシランを3g、紫外線重合開始剤として1−ヒドロ
キシシクロヘキシルフェニルケトンを30gおよびベン
ゾフェノンを30g添加して保護コート剤を調製した。
【0053】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0054】実施例9 ペンタエリスリトールトリアクリレート400g、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート100g、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート100g、1,6
−ヘキサンジオールジアクリレート200g、及びイソ
ボルニルアクリレート200gを混合してベースレジン
を調製した。このベースレジン1000gに対してレベ
リング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、シランカッ
プリング剤としてN−フェニル−γ−アミノプロピルト
リメトキシシランを3g、紫外線重合開始剤として1−
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを30gおよ
びベンゾフェノンを30g添加して保護コート剤を調製
した。
タエリスリトールテトラアクリレート100g、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート100g、1,6
−ヘキサンジオールジアクリレート200g、及びイソ
ボルニルアクリレート200gを混合してベースレジン
を調製した。このベースレジン1000gに対してレベ
リング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、シランカッ
プリング剤としてN−フェニル−γ−アミノプロピルト
リメトキシシランを3g、紫外線重合開始剤として1−
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを30gおよ
びベンゾフェノンを30g添加して保護コート剤を調製
した。
【0055】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表1に示す。
【0056】比較例1 ペンタエリスリトールトリアクリレート700g、イソ
ボルニルアクリレート200g、及び1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレート100gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP323」)を1g、紫外線重合
開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを30g添加して保護コート剤を調製した。
ボルニルアクリレート200g、及び1,6−ヘキサン
ジオールジアクリレート100gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP323」)を1g、紫外線重合
開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを30g添加して保護コート剤を調製した。
【0057】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表2に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表2に示す。
【0058】また、実施例1で用いたポリカーボネート
基板のかわりに、トラックピッチ1.60μm、溝幅5
20nm、ピット幅620nmに設計された案内溝およ
びピットを有する直径90mmのポリカーボネート製基
板を用いて、その基板上に実施例1と同様の金属薄膜層
をスパッタリングによって構成した。この金属薄膜層上
に上記保護コート剤を用いて保護コートを行い同様の環
境保存試験を実施し、バイトエラーレイトを検査した。
検査成績を表2に示す。
基板のかわりに、トラックピッチ1.60μm、溝幅5
20nm、ピット幅620nmに設計された案内溝およ
びピットを有する直径90mmのポリカーボネート製基
板を用いて、その基板上に実施例1と同様の金属薄膜層
をスパッタリングによって構成した。この金属薄膜層上
に上記保護コート剤を用いて保護コートを行い同様の環
境保存試験を実施し、バイトエラーレイトを検査した。
検査成績を表2に示す。
【0059】比較例2 トリメチロールプロパントリアクリレート500g、ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、及
び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを
混合してベースレジンを調製した。このベースレジン1
000gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加
剤(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を
1g、紫外線重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘ
キシルフェニルケトンを30gおよびベンゾフェノンを
30g添加して保護コート剤を調製した。
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、及
び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート300gを
混合してベースレジンを調製した。このベースレジン1
000gに対してレベリング剤としてシリコーン系添加
剤(信越化学工業(株)製、商品名「KP324」)を
1g、紫外線重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘ
キシルフェニルケトンを30gおよびベンゾフェノンを
30g添加して保護コート剤を調製した。
【0060】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表2に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表2に示す。
【0061】また、実施例1で用いたポリカーボネート
基板のかわりに、トラックピッチ1.60μm、溝幅5
20nm、ピット幅620nmに設計された案内溝およ
びピットを有する直径90mmのポリカーボネート製基
板を用いて、その基板上に実施例1と同様の金属薄膜層
をスパッタリングによって構成した。この金属薄膜層上
に上記保護コート剤を用いて保護コートを行い同様の環
境保存試験を実施し、バイトエラーレイトを検査した。
検査成績を表2に示す。
基板のかわりに、トラックピッチ1.60μm、溝幅5
20nm、ピット幅620nmに設計された案内溝およ
びピットを有する直径90mmのポリカーボネート製基
板を用いて、その基板上に実施例1と同様の金属薄膜層
をスパッタリングによって構成した。この金属薄膜層上
に上記保護コート剤を用いて保護コートを行い同様の環
境保存試験を実施し、バイトエラーレイトを検査した。
検査成績を表2に示す。
【0062】比較例3 ペンタエリスリトールトリアクリレート500g、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート150g、及びイ
ソボルニルアクリレート150gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、紫外線重合
開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保
護コート剤を調製した。
ンタエリスリトールヘキサアクリレート200g、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート150g、及びイ
ソボルニルアクリレート150gを混合してベースレジ
ンを調製した。このベースレジン1000gに対してレ
ベリング剤としてシリコーン系添加剤(信越化学工業
(株)製、商品名「KP324」)を1g、紫外線重合
開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トンを30gおよびベンゾフェノンを30g添加して保
護コート剤を調製した。
【0063】実施例1と同様のポリカーボネート基板上
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表2に示す。
に、同様にして金属薄膜層をスパッタリングによって構
成した。この金属薄膜層上に上記保護コート剤を用いて
保護コートを行い同様の環境保存試験を実施し、バイト
エラーレイトを検査した。検査成績を表2に示す。
【0064】また、実施例1で用いたポリカーボネート
基板のかわりに、トラックピッチ1.60μm、溝幅5
20nm、ピット幅620nmに設計された案内溝およ
びピットを有する直径90mmのポリカーボネート製基
板を用いて、その基板上に実施例1と同様の金属薄膜層
をスパッタリングによって構成した。この金属薄膜層上
に上記保護コート剤を用いて保護コートを行い同様の環
境保存試験を実施し、バイトエラーレイトを検査した。
検査成績を表2に示す。
基板のかわりに、トラックピッチ1.60μm、溝幅5
20nm、ピット幅620nmに設計された案内溝およ
びピットを有する直径90mmのポリカーボネート製基
板を用いて、その基板上に実施例1と同様の金属薄膜層
をスパッタリングによって構成した。この金属薄膜層上
に上記保護コート剤を用いて保護コートを行い同様の環
境保存試験を実施し、バイトエラーレイトを検査した。
検査成績を表2に示す。
【0065】
【表1】
【0066】
【表2】
Claims (1)
- 【請求項1】 下記一般式、、、、およびで
示される(メタ)アクリル酸エステル誘導体を、それぞ
れ下記a、b、c、d、e(重量パーセント)の範囲で
含んでなるコート剤に、レベリング剤およびシランカッ
プリング剤を添加してなることを特徴とする保護コート
剤。 5≦a≦80 、0≦b≦30 、 0≦c≦30 、
5≦d≦50、0≦e≦50 、かつ、a+b+c+
d+e=100 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31875592A JPH06158019A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 保護コート剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31875592A JPH06158019A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 保護コート剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06158019A true JPH06158019A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18102579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31875592A Pending JPH06158019A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 保護コート剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06158019A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004359834A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Mitsubishi Chemicals Corp | 耐汚染性付与剤及びそれを用いた耐汚染性物品 |
JP2007309539A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 全熱交換器 |
JP2008285686A (ja) * | 2008-08-22 | 2008-11-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 耐汚染性付与剤及びそれを用いた耐汚染性物品 |
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US8372575B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet-curing resin material for pattern transfer and magnetic recording medium manufacturing method using the same |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP31875592A patent/JPH06158019A/ja active Pending
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