JPH0615078B2 - フオトレジスト廃液処理方法 - Google Patents
フオトレジスト廃液処理方法Info
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- JPH0615078B2 JPH0615078B2 JP17189486A JP17189486A JPH0615078B2 JP H0615078 B2 JPH0615078 B2 JP H0615078B2 JP 17189486 A JP17189486 A JP 17189486A JP 17189486 A JP17189486 A JP 17189486A JP H0615078 B2 JPH0615078 B2 JP H0615078B2
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/02—Treatment of water, waste water, or sewage by heating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
- C02F1/444—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis by ultrafiltration or microfiltration
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は，プリント基板製造工程より排出される廃液の
処理方法に関する。特に，廃液を簡単な方法で再生して
現像液又は剥離液として繰り返し使用することのできる
ようにした廃液処理方法に関する。
処理方法に関する。特に，廃液を簡単な方法で再生して
現像液又は剥離液として繰り返し使用することのできる
ようにした廃液処理方法に関する。
［従来の技術］ 従来のプリント基板製造の廃液処理技術では，いずれも
廃液の回収は考慮しておらず，廃液の全量処理を前提と
している。プリント基板製造工程より排出する現像廃
液，剥離廃液は，水溶性フォトレジスト樹脂及び消泡剤
を溶解したアルカリ性廃液であるが，高濃度のフォトレ
ジスト樹脂を含み，高いＣＯＤ例えば，5000〜10000mg/
1,亦，高いＢＯＤ例えば，1000〜3000mg/1の値を示すも
のであり，このため，廃液処理コストは極めて高いもの
であった。
廃液の回収は考慮しておらず，廃液の全量処理を前提と
している。プリント基板製造工程より排出する現像廃
液，剥離廃液は，水溶性フォトレジスト樹脂及び消泡剤
を溶解したアルカリ性廃液であるが，高濃度のフォトレ
ジスト樹脂を含み，高いＣＯＤ例えば，5000〜10000mg/
1,亦，高いＢＯＤ例えば，1000〜3000mg/1の値を示すも
のであり，このため，廃液処理コストは極めて高いもの
であった。
従来，この処理法には，酸−生物−活性炭による処理の
ものと，逆浸透法によるもの等があるが，これらには，
次のような問題点がある。前者においては，生物処理の
効率が低く，ＣＯＤ除去率は５０％以下である。即ち、
生物的に分解することが困難であること，活性炭に対す
る汚濁物負荷が大きく，処理コストを押し挙げること、
廃液の数十倍量という大量の希釈水を必要とすること，
酸添加や中和処理で多量の薬品量が消費されること，生
物処理には大型槽を要し設置面積が大きくなること等，
そして，その処理費用は膨大である。
ものと，逆浸透法によるもの等があるが，これらには，
次のような問題点がある。前者においては，生物処理の
効率が低く，ＣＯＤ除去率は５０％以下である。即ち、
生物的に分解することが困難であること，活性炭に対す
る汚濁物負荷が大きく，処理コストを押し挙げること、
廃液の数十倍量という大量の希釈水を必要とすること，
酸添加や中和処理で多量の薬品量が消費されること，生
物処理には大型槽を要し設置面積が大きくなること等，
そして，その処理費用は膨大である。
また，後者においては，プリント基板製造工程より排出
される廃液は，無機質を２％程度含有しているため，高
い濃縮倍率が確保できない。即ち，浸透圧の上昇により
５倍の濃縮の程度の実用上の限界である。そのために，
廃液の約１／５程度の濃縮液が処理しなければならない
ものとして残るものである。
される廃液は，無機質を２％程度含有しているため，高
い濃縮倍率が確保できない。即ち，浸透圧の上昇により
５倍の濃縮の程度の実用上の限界である。そのために，
廃液の約１／５程度の濃縮液が処理しなければならない
ものとして残るものである。
［発明が解決しょうとする問題点］ プリント基板製造で排出される現像廃液及び剥離廃液
は，水溶性フォトレジスト樹脂及び消泡剤等を溶解した
アルカリ性廃液であり，また，ＣＯＤ，ＢＯＤが高く，
廃液処理コストも高いものである。一方，コストのかか
っている現像液，剥離液を従来は全量処分していた。こ
れに対して，本発明は，廃液処理コストの低減された廃
液処理方法を提供することを目的とする。また，現像
液，剥離液を再生使用できる廃液処理法を提供すること
を目的とする。
は，水溶性フォトレジスト樹脂及び消泡剤等を溶解した
アルカリ性廃液であり，また，ＣＯＤ，ＢＯＤが高く，
廃液処理コストも高いものである。一方，コストのかか
っている現像液，剥離液を従来は全量処分していた。こ
れに対して，本発明は，廃液処理コストの低減された廃
液処理方法を提供することを目的とする。また，現像
液，剥離液を再生使用できる廃液処理法を提供すること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は，プリト基板製造工程より排出する現像廃液又
は剥離廃液を処理する方法おいて，フォトレジスト樹脂
及び消泡剤等を含む現像廃液又は剥離廃液を別々に限外
濾過にかけ，その限外濾過膜を透過した液を，各々現像
液又は剥離液としてくりかえし再使用することを特徴と
するフォトレジスト廃液の処理方法である。
は剥離廃液を処理する方法おいて，フォトレジスト樹脂
及び消泡剤等を含む現像廃液又は剥離廃液を別々に限外
濾過にかけ，その限外濾過膜を透過した液を，各々現像
液又は剥離液としてくりかえし再使用することを特徴と
するフォトレジスト廃液の処理方法である。
［作用］ 従来の廃液処理法では，廃液の全量を処理するが，本発
明による廃液処理法では，廃液量は限外濾過により，約
１／１０〜１／２０に濃縮し，その濃縮液を中和，脱水
濾過，仕上げ処理することにより，処理すべき廃液量を
減少できるものである。従って，最終工程での，例え
ば，逆浸透法により排出され処分すべき廃液量は，（１
／１０〜１／２０）×（１／５）＝１／５０〜１／１０
０程度に低減することが可能になる。また，現像廃液，
剥離廃液中のアルカリ剤，消泡剤についても，その大半
を回収し再使用できる。
明による廃液処理法では，廃液量は限外濾過により，約
１／１０〜１／２０に濃縮し，その濃縮液を中和，脱水
濾過，仕上げ処理することにより，処理すべき廃液量を
減少できるものである。従って，最終工程での，例え
ば，逆浸透法により排出され処分すべき廃液量は，（１
／１０〜１／２０）×（１／５）＝１／５０〜１／１０
０程度に低減することが可能になる。また，現像廃液，
剥離廃液中のアルカリ剤，消泡剤についても，その大半
を回収し再使用できる。
本発明による廃液処理のシステムを第１図に示す。
従来は，プリント基板製造の現像，剥離工程より排出す
る各廃液を混合し，第２，３図に示す方法で処理してい
た。酸−生物−活性炭による処理法（第２図）は，現像
廃液と剥離廃液を合わせ，酸添加によりアルカリ性を酸
性にし，凝集剤を入れ，凝集せしめ，脱水し，脱水スラ
ッジを除去し，その洗浄希釈水をNaOHで中和し，次に，
生物処理し，沈澱せしめ，そのスラッジを除去し，ま
た，沈澱分離された濾液は更に濾過され，活性炭に吸着
され，清浄水は，放流される。この処理法は，前記のよ
うに効率が悪く，活性炭の汚濁物負荷が大きく，コスト
高になり易く，酸添加，中和剤添加などで大量の薬剤を
必要とする。
る各廃液を混合し，第２，３図に示す方法で処理してい
た。酸−生物−活性炭による処理法（第２図）は，現像
廃液と剥離廃液を合わせ，酸添加によりアルカリ性を酸
性にし，凝集剤を入れ，凝集せしめ，脱水し，脱水スラ
ッジを除去し，その洗浄希釈水をNaOHで中和し，次に，
生物処理し，沈澱せしめ，そのスラッジを除去し，ま
た，沈澱分離された濾液は更に濾過され，活性炭に吸着
され，清浄水は，放流される。この処理法は，前記のよ
うに効率が悪く，活性炭の汚濁物負荷が大きく，コスト
高になり易く，酸添加，中和剤添加などで大量の薬剤を
必要とする。
第３図に示される逆浸透法においては，現像廃液と剥離
廃液を合わせ，濾過し，次に，逆浸透法により凝縮し，
透過液は，硫酸等で中和し，希釈し，放流していた。こ
こでは，前記のように原廃液の約１／５の量となる濃縮
液の処理が問題になる。
廃液を合わせ，濾過し，次に，逆浸透法により凝縮し，
透過液は，硫酸等で中和し，希釈し，放流していた。こ
こでは，前記のように原廃液の約１／５の量となる濃縮
液の処理が問題になる。
これに対して，本発明の廃液処理法では，現像，剥離廃
液を各々アルカリ性に保持しつつ，限外濾過膜を通じ
て，濾過するものである。現像廃液では，フォトレジス
ト樹脂成分が，限外濾過膜を通過せずに，濃縮液として
残り，回収系外へ排出されるとともに限外濾過膜の透過
液を現像液としてもどし再び利用するものである。ま
た，剥離廃液の処理では，限外濾過膜を通過した液は，
剥離液として再び使用するためにリサイクルされるもの
である。
液を各々アルカリ性に保持しつつ，限外濾過膜を通じ
て，濾過するものである。現像廃液では，フォトレジス
ト樹脂成分が，限外濾過膜を通過せずに，濃縮液として
残り，回収系外へ排出されるとともに限外濾過膜の透過
液を現像液としてもどし再び利用するものである。ま
た，剥離廃液の処理では，限外濾過膜を通過した液は，
剥離液として再び使用するためにリサイクルされるもの
である。
この限外濾過膜により分離される濃縮液は，原廃液量の
１／１０〜１／２０にまで低減可能である。
１／１０〜１／２０にまで低減可能である。
本発明によるプリント基板製造廃液の処理を可能ならし
める条件は，限外濾過膜のモジュール特性と廃液の成分
との調整が適切でなければならず，本発明方法による限
外濾過膜は以下の条件を満たすものでなければならな
い。
める条件は，限外濾過膜のモジュール特性と廃液の成分
との調整が適切でなければならず，本発明方法による限
外濾過膜は以下の条件を満たすものでなければならな
い。
第１に限外濾過膜のモジュールは，処理すべきフォトレ
ジスト廃液がアルカリ性であるので，耐アルカリ性でな
ければならない。
ジスト廃液がアルカリ性であるので，耐アルカリ性でな
ければならない。
第２に，アルカリ性の廃液に溶解された無機質を透過
し，フォトレジスト成分を除くために，限外濾過膜の分
画分子量は，好適には５０００〜１００００の範囲であ
る。この時，廃液の浮游物質の濃度は，１００００mg／
程度までが許容される。
し，フォトレジスト成分を除くために，限外濾過膜の分
画分子量は，好適には５０００〜１００００の範囲であ
る。この時，廃液の浮游物質の濃度は，１００００mg／
程度までが許容される。
これは，本発明方法によるフォトレジスト廃液の処理法
を，実際のフォトレジストの現像廃液及び剥離廃液の特
性を考慮して，この範囲が定められた。即ち，限外濾過
膜は一般にある一定の分子量範囲の溶質を除去する分子
量分画特性を有するが，この特性と，フォトレジストの
現像廃液及び剥離廃液中に含まれるフォトレジスト，消
泡剤成分及び無機アルカリ剤に対する除去性能を測定し
た結果を第４図に示す。ここで除去率とは，膜処理の供
給原液に対する膜透過液中成分の低減率に相当し，換言
すれば，膜を透過しない成分の比率である。第４図は，
(1)消泡剤なしの現像廃液，即ち，１重量％のNa2CO3液
にフォトレジスト０．２m2/1溶解されたＡ液中のフォト
レジスト成分の除去率，(2)消泡剤なしの剥離廃液，即
ち，２重量％のKOH液にフォトレジスト0.3m2/1溶解され
たＢ液中のフォトレジスト除去率，(3)消泡剤（ポリア
ルキレングリコール）を含むＣ液の消泡剤成分の除去
率，(4)１重量％のNa2CO3を含むＤ液中のソーダ分（NaH
CO3,NaOHなど）溶質成分の除去率及び(5)２重量％のKOH
を含むＥ液中のKOH成分の除去率をグラフに示したもの
である。このグラフより，フォトレジスト成分が１００
％近く除去でき，消泡剤及びアルカリ成分を大部分回収
できる範囲は，分子量分画が，５０００〜１００００の
範囲にある場合であることが分かる。フォトレジスト処
理の現像廃液及び剥離廃液中の有効成分たる，消泡剤及
びアルカリ成分を極力回収することが経済的である。一
方，フォトレジスト成分はできる限り取り除き再生液の
フォトレジスト溶解性能を高く維持する必要がある。こ
のような諸点から本発明による限外濾過膜の特性の範囲
は，上記のように定めた。
を，実際のフォトレジストの現像廃液及び剥離廃液の特
性を考慮して，この範囲が定められた。即ち，限外濾過
膜は一般にある一定の分子量範囲の溶質を除去する分子
量分画特性を有するが，この特性と，フォトレジストの
現像廃液及び剥離廃液中に含まれるフォトレジスト，消
泡剤成分及び無機アルカリ剤に対する除去性能を測定し
た結果を第４図に示す。ここで除去率とは，膜処理の供
給原液に対する膜透過液中成分の低減率に相当し，換言
すれば，膜を透過しない成分の比率である。第４図は，
(1)消泡剤なしの現像廃液，即ち，１重量％のNa2CO3液
にフォトレジスト０．２m2/1溶解されたＡ液中のフォト
レジスト成分の除去率，(2)消泡剤なしの剥離廃液，即
ち，２重量％のKOH液にフォトレジスト0.3m2/1溶解され
たＢ液中のフォトレジスト除去率，(3)消泡剤（ポリア
ルキレングリコール）を含むＣ液の消泡剤成分の除去
率，(4)１重量％のNa2CO3を含むＤ液中のソーダ分（NaH
CO3,NaOHなど）溶質成分の除去率及び(5)２重量％のKOH
を含むＥ液中のKOH成分の除去率をグラフに示したもの
である。このグラフより，フォトレジスト成分が１００
％近く除去でき，消泡剤及びアルカリ成分を大部分回収
できる範囲は，分子量分画が，５０００〜１００００の
範囲にある場合であることが分かる。フォトレジスト処
理の現像廃液及び剥離廃液中の有効成分たる，消泡剤及
びアルカリ成分を極力回収することが経済的である。一
方，フォトレジスト成分はできる限り取り除き再生液の
フォトレジスト溶解性能を高く維持する必要がある。こ
のような諸点から本発明による限外濾過膜の特性の範囲
は，上記のように定めた。
但し，実用上高精密度のパターン形成が要求されない低
密度基板の製造においては，透過液へのフォトレジスト
成分の若干のリークがあっても分画分子量１００００〜
１０００００の限外濾過膜も使用可能である。
密度基板の製造においては，透過液へのフォトレジスト
成分の若干のリークがあっても分画分子量１００００〜
１０００００の限外濾過膜も使用可能である。
この条件に適合する限外濾過モジュールは，膜素材とし
て金属酸化物の無機材料，合成高分子材料の中で，例え
ば，二酸化ジルコニウム系，ポリスルホン系，ポリイミ
ド系，アクリルニトリル系等が良好である。また，モジ
ュールの形式は，チューブラタイプが好適である。
て金属酸化物の無機材料，合成高分子材料の中で，例え
ば，二酸化ジルコニウム系，ポリスルホン系，ポリイミ
ド系，アクリルニトリル系等が良好である。また，モジ
ュールの形式は，チューブラタイプが好適である。
プリント基板製造に用いるフォトレジストの感光の後
に，それを現像するため，即ち，フォトレジストを除去
するための現像工程で使用される現像液，処理すべき現
像廃液，限外濾過された液の性質及び，プリント基板製
造で導体板等をエッチングした後，光重合したフォトレ
ジストを剥離するための剥離液，その剥離廃液，限外濾
過された液等の特性を第１表に示す。
に，それを現像するため，即ち，フォトレジストを除去
するための現像工程で使用される現像液，処理すべき現
像廃液，限外濾過された液の性質及び，プリント基板製
造で導体板等をエッチングした後，光重合したフォトレ
ジストを剥離するための剥離液，その剥離廃液，限外濾
過された液等の特性を第１表に示す。
本発明により，現像廃液を限外濾過により処理し，限外
濾過膜を通過した現像液を再び現像液として，現像処理
に使用するためには，前の現像処理でアルカリ成分が消
費されて，ｐＨ値が低下しているために，限外濾過膜透
過液には，アルカリ液を補給してｐＨの調整を行なう。
亦，剥離液においても，同様にｐＨの調整を行ない，限
外濾過膜透過液を剥離液としてもどす。
濾過膜を通過した現像液を再び現像液として，現像処理
に使用するためには，前の現像処理でアルカリ成分が消
費されて，ｐＨ値が低下しているために，限外濾過膜透
過液には，アルカリ液を補給してｐＨの調整を行なう。
亦，剥離液においても，同様にｐＨの調整を行ない，限
外濾過膜透過液を剥離液としてもどす。
再生現像液のｐＨの調整には，Na2CO3,NaOH溶液を補給
する。現像液中のNaイオンが増加すると，剥離工程で溶
解すべきフォトレジストまでが溶解する恐れがあるが，
本発明方法ではレジストを溶解する前の処理液（現像
液）のｐＨになるまでNaOHを加えるとともに膜濃縮廃液
に対応してNa2CO3の補給量を設定することでNaイオンの
蓄積を防止することができる。
する。現像液中のNaイオンが増加すると，剥離工程で溶
解すべきフォトレジストまでが溶解する恐れがあるが，
本発明方法ではレジストを溶解する前の処理液（現像
液）のｐＨになるまでNaOHを加えるとともに膜濃縮廃液
に対応してNa2CO3の補給量を設定することでNaイオンの
蓄積を防止することができる。
Naイオンの蓄積は，次のようにして防止される。即ち，
処理中液で， Na2CO3＋H2O＝NaHCO3＋NaON のように加水解離し，フォトレジストはR-Hで表わす
と，次のように溶解する。
処理中液で， Na2CO3＋H2O＝NaHCO3＋NaON のように加水解離し，フォトレジストはR-Hで表わす
と，次のように溶解する。
Na2CO3＋H2O→NaHCO3＋NaOH NaOH＋R-H→R-Na＋H2O この反応が進行し，NaOHを消費するにつれ，HCO3 -が豊
富になり，処理液の溶解能力が次第に低下してくる。
富になり，処理液の溶解能力が次第に低下してくる。
許容できない溶解能力まで低下した処理液は廃液として
限外濾過にかけられるが，その透過液中には殆んどレジ
スト成分が残留せず，大部分の無機アルカリ成分のみが
存在含有されている。
限外濾過にかけられるが，その透過液中には殆んどレジ
スト成分が残留せず，大部分の無機アルカリ成分のみが
存在含有されている。
この限外濾過で処理された透過液に,NaOHをレジストの
溶解前のｐＨ値(第１表では,ｐＨ＝１１．５)に達する
まで加えると，次の式の矢印の方向に反応が進行する。
溶解前のｐＨ値(第１表では,ｐＨ＝１１．５)に達する
まで加えると，次の式の矢印の方向に反応が進行する。
Na2CO3＋H2O←NaHCO3＋NaOH 即ち，NaOHが増加すると，平衡が左側に進み，CO3 2-イ
オンが増加し，新鮮な処理液に復元することができる。
オンが増加し，新鮮な処理液に復元することができる。
更に，限外濾過で濃縮され回収系の外に排出される濃縮
液量に相当する量の新鮮な処理液を補充する。これによ
りNaイオンの蓄積や，液量の変動がなしに，処理液廃液
（現像廃液）を再生，リサイクルして使用することがで
きる。
液量に相当する量の新鮮な処理液を補充する。これによ
りNaイオンの蓄積や，液量の変動がなしに，処理液廃液
（現像廃液）を再生，リサイクルして使用することがで
きる。
再生剥離液の成分の調整は，ＮａＯＨ或いはＫＯＨ溶液
でｐＨを１４程度に調整することで十分である。
でｐＨを１４程度に調整することで十分である。
現像及び剥離の両工程より排出され，限外濾過で膜濃縮
される濃縮液は，回収系の外に排出され第１図に示すよ
うに処理される。
される濃縮液は，回収系の外に排出され第１図に示すよ
うに処理される。
現像廃液及び剥離廃液の両方を処理する場合は，各々の
系の限外濾過からでる濃縮液を混合して処理する。アル
カリ水溶液に溶解したフォトレジスト成分は，水中のＯ
Ｈ−イオンの減少とともに不溶化する。上記した本発明
による回収系に続いて，酸添加処理し，次に，脱水処理
し，脱水スラッジを取り除き，濾過する。これらの一連
の処理は，以上のフォトレジスト成分の性質を利用した
ものである。最終工程としては，逆浸透法，紫外線分
解，活性炭吸着或いは生物処理法などにより行なうこと
ができる。その適用処理方法は，設置条件に対応して選
定すべきであるが，圧力調整，限外濾過膜の種類及び数
量の変更等により廃液に溶解している成分，濃度の変化
に対応する逆浸透処理が好適である。
系の限外濾過からでる濃縮液を混合して処理する。アル
カリ水溶液に溶解したフォトレジスト成分は，水中のＯ
Ｈ−イオンの減少とともに不溶化する。上記した本発明
による回収系に続いて，酸添加処理し，次に，脱水処理
し，脱水スラッジを取り除き，濾過する。これらの一連
の処理は，以上のフォトレジスト成分の性質を利用した
ものである。最終工程としては，逆浸透法，紫外線分
解，活性炭吸着或いは生物処理法などにより行なうこと
ができる。その適用処理方法は，設置条件に対応して選
定すべきであるが，圧力調整，限外濾過膜の種類及び数
量の変更等により廃液に溶解している成分，濃度の変化
に対応する逆浸透処理が好適である。
本発明による現像廃液及び剥離廃液の回収系での限外濾
過膜には，分画分子量５０００〜１００００のものを用
いることが好適である。溶解されたフォトレジスト成分
は，この分画分子量以上の分子量の高分子物質であるた
めに，フォトレジスト成分のほぼ全量が濃縮液に移行
し，アルカリ剤と消泡液は透過液に残留するものであ
る。
過膜には，分画分子量５０００〜１００００のものを用
いることが好適である。溶解されたフォトレジスト成分
は，この分画分子量以上の分子量の高分子物質であるた
めに，フォトレジスト成分のほぼ全量が濃縮液に移行
し，アルカリ剤と消泡液は透過液に残留するものであ
る。
この限外濾過膜による濃縮倍率は透過速度等に起因する
経済性によって異なるが，１０〜２０倍が適切である。
経済性によって異なるが，１０〜２０倍が適切である。
次に本発明の処理法の実施例による実証テストを述べる
が，本発明は，これにより限定されるものではない。
が，本発明は，これにより限定されるものではない。
［実施例１］ 第１図の現像廃液，剥離廃液の再生処理システムに基づ
き，現像液（ｐＨ１１．５で，レジスト未溶解のもの）
を回分操作で繰り返し１５回再生した。このような本発
明による現像液の処理について，各々の回での現像廃
液，限外濾過膜透過液及び再生現像液の液質を第５図の
グラフに示す。
き，現像液（ｐＨ１１．５で，レジスト未溶解のもの）
を回分操作で繰り返し１５回再生した。このような本発
明による現像液の処理について，各々の回での現像廃
液，限外濾過膜透過液及び再生現像液の液質を第５図の
グラフに示す。
使用した膜は，ミリポア社のポリスルホン製平膜（分画
分子量１００００，膜面積０．０１２ｍ２）である。限
外濾過膜は操作圧力３kg／cm2で，液温度２０℃，濃縮
倍率２０倍により運転した。成分調整は，供試現像廃液
（ｐＨ１０．５）１０００ミリリットルより得られた９
５０ミリリットルの透過液にNaOHをｐＨ１１．５になる
ように添加した後，新たに調整した現像液５０ミリリッ
トル（濃縮液量に相当する）を添加することによって行
なった。
分子量１００００，膜面積０．０１２ｍ２）である。限
外濾過膜は操作圧力３kg／cm2で，液温度２０℃，濃縮
倍率２０倍により運転した。成分調整は，供試現像廃液
（ｐＨ１０．５）１０００ミリリットルより得られた９
５０ミリリットルの透過液にNaOHをｐＨ１１．５になる
ように添加した後，新たに調整した現像液５０ミリリッ
トル（濃縮液量に相当する）を添加することによって行
なった。
現像液を繰り返し再生し，実験を行なった。その結果ｐ
Ｈ１１．５に調整した後は，再生現像液のNa濃度は一定
であることを確認した。限外濾過の透過液中に，繰り返
し回数の進行とともにレジスト成分（ＴＯＣ：全有機炭
素量）が蓄積されることが認められるが，これは無限に
濃縮されることはない。然し乍ら，毎回５％の新現像液
を補充しているために，その希釈率に見合う濃度で平衡
に達したことが認められた。
Ｈ１１．５に調整した後は，再生現像液のNa濃度は一定
であることを確認した。限外濾過の透過液中に，繰り返
し回数の進行とともにレジスト成分（ＴＯＣ：全有機炭
素量）が蓄積されることが認められるが，これは無限に
濃縮されることはない。然し乍ら，毎回５％の新現像液
を補充しているために，その希釈率に見合う濃度で平衡
に達したことが認められた。
新現像液で１．０cPであった粘度は，レジストが溶解し
た後，１．８cPに増加した。本発明方法による再生処理
では，現像液の粘度についても再生効果があることが認
められた。
た後，１．８cPに増加した。本発明方法による再生処理
では，現像液の粘度についても再生効果があることが認
められた。
プリント基板の現像は，一定温度，一定圧力で現像液を
数十秒にわたりスプレーする方法を採用した，そのスプ
レー流速の低下等による現像不足を防止するため液粘度
の上昇を抑制する必要があった。
数十秒にわたりスプレーする方法を採用した，そのスプ
レー流速の低下等による現像不足を防止するため液粘度
の上昇を抑制する必要があった。
［実施例２］ ポリスルホン系で，分画分子量１００００の限外濾過膜
を用いて現像廃液を，操作圧力２０ｋｇ／cm2で温度２
０〜３０℃の条件で限外濾過にかけリサイクルテストを
行なった。その結果，フォトレジストフィルムの溶解量
はほぼ一定していた。限外濾過膜による溶解有機物の除
去率は約８０％であった。分離性は限外濾過膜の孔径が
小さいほど大きく、限外濾過膜の分画分子量を５０００
にすると，除去率は８５％であった。
を用いて現像廃液を，操作圧力２０ｋｇ／cm2で温度２
０〜３０℃の条件で限外濾過にかけリサイクルテストを
行なった。その結果，フォトレジストフィルムの溶解量
はほぼ一定していた。限外濾過膜による溶解有機物の除
去率は約８０％であった。分離性は限外濾過膜の孔径が
小さいほど大きく、限外濾過膜の分画分子量を５０００
にすると，除去率は８５％であった。
限外濾過の透過液中に含まれる１５〜２０％の有機物は
もとの現像液に含まれていた消泡剤であり，これも回収
することができた。現像廃液からの透過液は，約９５％
まで回収することができる。
もとの現像液に含まれていた消泡剤であり，これも回収
することができた。現像廃液からの透過液は，約９５％
まで回収することができる。
この限外濾過により，現像廃液は，プリント基板製造工
程で使用される液量の１／１０〜１／２０に減容され，
濃縮液として排出される。次に，この濃縮液に，硫酸で
酸添加を行ない，ｐＨ２〜４にした。このことによりレ
ジストの成分の大部分（９０〜９５％）は，不溶化され
る。この不溶化成分を脱水濾過により除去し，その酸処
理濾液に逆浸透処理を行ない，５倍程度濃縮された濃縮
液と，溶解レジスト成分の９９％程度除去したＣＯＤ２
０ｍｇ／ｌ程度以下の透過液として排出される。この透
過液は中和後，放流或いは用水として回収するできる程
度のものであった。
程で使用される液量の１／１０〜１／２０に減容され，
濃縮液として排出される。次に，この濃縮液に，硫酸で
酸添加を行ない，ｐＨ２〜４にした。このことによりレ
ジストの成分の大部分（９０〜９５％）は，不溶化され
る。この不溶化成分を脱水濾過により除去し，その酸処
理濾液に逆浸透処理を行ない，５倍程度濃縮された濃縮
液と，溶解レジスト成分の９９％程度除去したＣＯＤ２
０ｍｇ／ｌ程度以下の透過液として排出される。この透
過液は中和後，放流或いは用水として回収するできる程
度のものであった。
［発明の効果］ 本発明のプリント基板製造の廃液処理方法は，限外濾過
を用いて現像液又は剥離液をリサイクルする廃液処理で
あり，第１に，現像廃液及び剥離廃液を前処理過程でフ
ォトレジストの溶解した高分子物質等を除去し，濃縮さ
れた廃液にしてから酸添加等の廃液処理により有機物を
除くことができること，第２に，現像廃液及び剥離廃液
を前処理でその水，有効物質のみを透過回収し，リサイ
クル利用できること，第３に，フォトレジスト溶解廃液
の処理しなければならない全量を著しく減少させること
ができ，廃液の処理コストを著しく低減できたことなど
の技術的効果が得られた。
を用いて現像液又は剥離液をリサイクルする廃液処理で
あり，第１に，現像廃液及び剥離廃液を前処理過程でフ
ォトレジストの溶解した高分子物質等を除去し，濃縮さ
れた廃液にしてから酸添加等の廃液処理により有機物を
除くことができること，第２に，現像廃液及び剥離廃液
を前処理でその水，有効物質のみを透過回収し，リサイ
クル利用できること，第３に，フォトレジスト溶解廃液
の処理しなければならない全量を著しく減少させること
ができ，廃液の処理コストを著しく低減できたことなど
の技術的効果が得られた。
第１図は，本発明のプリント基板製造の現像廃液又は剥
離廃液を処理するシステムを示す説明図である。 第２図は，従来のプリント基板製造の廃液処理のシステ
ムを示すフローシートである。 第３図は，従来のプリント基板製造の廃液処理の他の例
のシステムを示すフローシートである。 第４図は，限外濾過膜の除去性能を示すグラフである。 第５図は，現像液を繰り返し再生したときの現像廃液，
膜透過再生液のＴＣＯ及び再生現像液のNaの濃度を示す
グラフである。
離廃液を処理するシステムを示す説明図である。 第２図は，従来のプリント基板製造の廃液処理のシステ
ムを示すフローシートである。 第３図は，従来のプリント基板製造の廃液処理の他の例
のシステムを示すフローシートである。 第４図は，限外濾過膜の除去性能を示すグラフである。 第５図は，現像液を繰り返し再生したときの現像廃液，
膜透過再生液のＴＣＯ及び再生現像液のNaの濃度を示す
グラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】プリント基板製造において、アルカリ剤を
含む現像液または剥離液によって水溶性フォトレジスト
を処理する工程より排出する水溶性フォトレジストを含
む現像廃液又は剥離廃液を、別々に限外濾過にかけ、そ
の限外濾過膜を透過した液に、それぞれの処理工程にお
いて、解離、消耗したアルカリ成分を、基板表面のフォ
トレジスト層を処理する前に、それぞれ未使用の現像
液、剥離液のｐＨと同一のｐＨに到達するまで加え、各
々現像液又は剥離液として繰り返し再使用することを特
徴とするフォトレジスト廃液の処理方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17189486A JPH0615078B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | フオトレジスト廃液処理方法 |
| US07/076,372 US4786417A (en) | 1986-07-23 | 1987-07-22 | Management of photoresist materials containing waste solution |
| AT87306477T ATE81476T1 (de) | 1986-07-23 | 1987-07-22 | Behandlung einer photoresistmaterialien enthaltenden abfalloesung. |
| KR1019870007965A KR950014323B1 (ko) | 1986-07-23 | 1987-07-22 | 포토레지스트 폐액의 처리방법 |
| EP87306477A EP0254550B1 (en) | 1986-07-23 | 1987-07-22 | Treatment of photoresist materials containing waste solution |
| DE8787306477T DE3782205T2 (de) | 1986-07-23 | 1987-07-22 | Behandlung einer photoresistmaterialien enthaltenden abfalloesung. |
| CN87105308A CN1010555B (zh) | 1986-07-23 | 1987-07-23 | 含光刻胶的废液的处理 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17189486A JPH0615078B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | フオトレジスト廃液処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331591A JPS6331591A (ja) | 1988-02-10 |
| JPH0615078B2 true JPH0615078B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=15931780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17189486A Expired - Lifetime JPH0615078B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | フオトレジスト廃液処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0615078B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03263048A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-22 | Fujitsu Ltd | フォトマスク用レジストの剥離方法 |
| JPH04172355A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 現像液の補充方法および補充装置 |
| US5112491A (en) * | 1991-03-01 | 1992-05-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Management of waste solution containing photoresist materials |
| US5811224A (en) * | 1994-08-24 | 1998-09-22 | Bayer Corporation | Process for rejuvenating developer in printing plate development |
| JP3671644B2 (ja) * | 1998-01-05 | 2005-07-13 | オルガノ株式会社 | フォトレジスト現像廃液の再生処理方法及び装置 |
| JP2004101999A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Mitsubishi Chemical Engineering Corp | 現像液のリサイクル供給装置 |
| KR101111455B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-03-13 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 현상장치, 현상방법, 및 현상액 순환방법 |
| JP4736124B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2011-07-27 | 凸版印刷株式会社 | 現像装置 |
| JP5627404B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-11-19 | 三菱製紙株式会社 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17189486A patent/JPH0615078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331591A (ja) | 1988-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |