JPH06140538A - クォドフラットパッケージ型ｉｃ - Google Patents
クォドフラットパッケージ型ｉｃInfo
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- JPH06140538A JPH06140538A JP28971492A JP28971492A JPH06140538A JP H06140538 A JPH06140538 A JP H06140538A JP 28971492 A JP28971492 A JP 28971492A JP 28971492 A JP28971492 A JP 28971492A JP H06140538 A JPH06140538 A JP H06140538A
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- JP
- Japan
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- package body
- heat dissipation
- chip
- package
- heat
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＩＣチップ１０１ｃを内蔵したパッケージ本体
１０１とその外周から導出した複数のリード１０２とパ
ッケージ本体１０１底面に接着された放熱シート１０３
で構成されている。放熱シート１０３は２００〜２５０
℃で溶融する樹脂で形成されており、実装時に加熱され
るとパッケージ本体１０１とプリント基板１０４を連結
する。 【効果】熱伝導率のきわめて低い空気を樹脂に置き換え
ることにより、パッケージ本体底面の放熱効率を１０倍
以上向上できるためより高速でハイパワーなクォドフラ
ットパッケージ型ＩＣを提供できる。
１０１とその外周から導出した複数のリード１０２とパ
ッケージ本体１０１底面に接着された放熱シート１０３
で構成されている。放熱シート１０３は２００〜２５０
℃で溶融する樹脂で形成されており、実装時に加熱され
るとパッケージ本体１０１とプリント基板１０４を連結
する。 【効果】熱伝導率のきわめて低い空気を樹脂に置き換え
ることにより、パッケージ本体底面の放熱効率を１０倍
以上向上できるためより高速でハイパワーなクォドフラ
ットパッケージ型ＩＣを提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はクォドフラットパッケー
ジ型ＩＣに関し、特に低熱抵抗用クォドフラットパッケ
ージ型ＩＣに関する。
ジ型ＩＣに関し、特に低熱抵抗用クォドフラットパッケ
ージ型ＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のクォドフラットパッケージ（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）（以下、ＱＦＰと記
す）型ＩＣは、図２（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＣ
チップを封入したパッケージ本体２０１とＩＣチップに
電気的に接続されパッケージ本体２０１の外周から導出
された複数のリード１０２を有する構造となっていた。
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）（以下、ＱＦＰと記
す）型ＩＣは、図２（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＣ
チップを封入したパッケージ本体２０１とＩＣチップに
電気的に接続されパッケージ本体２０１の外周から導出
された複数のリード１０２を有する構造となっていた。
【０００３】この従来のＱＦＰ型ＩＣは、プリント基板
１０４に実装される実装方法としては、まず、配線パタ
ーンが設けられたプリント基板１０４上に半田クリーム
をスクリーン印刷する。次に、ＱＦＰ型ＩＣを配線パタ
ーンに位置決めし、プリント基板１０４上に配置する。
その後、赤外線リフロー炉などで全体を２００〜２５０
℃に加熱して半田クリームを溶融し、リード１０２の先
端をプリント基板１０４の配線端子に半田付けして実装
を完了する。
１０４に実装される実装方法としては、まず、配線パタ
ーンが設けられたプリント基板１０４上に半田クリーム
をスクリーン印刷する。次に、ＱＦＰ型ＩＣを配線パタ
ーンに位置決めし、プリント基板１０４上に配置する。
その後、赤外線リフロー炉などで全体を２００〜２５０
℃に加熱して半田クリームを溶融し、リード１０２の先
端をプリント基板１０４の配線端子に半田付けして実装
を完了する。
【０００４】次に、従来のＱＦＰ型ＩＣの動作状態につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００５】ＩＣチップは動作時に発熱する。この熱は
パッケージ本体２０１内部を熱伝導により伝わりパッケ
ージ本体２０１表面から空気中へ熱放散の状態で放熱さ
れる。放熱経路は、図２（ｂ）に示すように５通りあ
る。即ち、パッケージ本体２０１上面からの放熱経路２
０５，パッケージ本体１０１側面からの放熱経路２０
６，リード１０２表面からの放熱経路２０７，リード１
０２からプリント基板１０４へ熱伝導してプリント基板
１０４表面から放熱する放熱経路２０８，パッケージ本
体２０１底面からの放熱経路２０９の５通りである。
パッケージ本体２０１内部を熱伝導により伝わりパッケ
ージ本体２０１表面から空気中へ熱放散の状態で放熱さ
れる。放熱経路は、図２（ｂ）に示すように５通りあ
る。即ち、パッケージ本体２０１上面からの放熱経路２
０５，パッケージ本体１０１側面からの放熱経路２０
６，リード１０２表面からの放熱経路２０７，リード１
０２からプリント基板１０４へ熱伝導してプリント基板
１０４表面から放熱する放熱経路２０８，パッケージ本
体２０１底面からの放熱経路２０９の５通りである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＩＣの高速化、
ハイパワー化が進みＩＣチップの発熱量が増加しつつあ
る。ＩＣチップは温度が上昇すると動作不良を起こした
り動作スピードが低下したりする。そこで、パッケージ
本体からの放熱を十分行いＩＣチップ温度を低温に保つ
必要がある。従来のＱＦＰ型ＩＣでは、放熱性を向上す
るためにパッケージ本体上面にヒートシンクを付けた
り、パッケージ本体に風を当ててパッケージ本体表面を
空冷するなどの手段が取られていた。しかし、ヒートシ
ンクは重量増加，実装体積増加を伴い高密度実装化に障
害となる。また、空冷ではパッケージ本体表面，側面，
リード面，プリント基板面の放熱性は向上できるがパッ
ケージ本体底面の放熱性は向上できない。パッケージ本
体とプリント基板との間隔が狭く、四方が外部リードで
囲まれているために、風が通り抜けず空気が滞留するた
めである。パッケージ本体は他の部分より温度が高くな
るので、この面の放熱性を向上すればＩＣチップの温度
を効率的に下げることが可能である。しかし、従来のＱ
ＦＰ型ＩＣではパッケージ本体底面の放熱性はパッケー
ジ本体上面の１／１０以下ときわめて悪く、パッケージ
本体全体の放熱性向上を妨げていた。そのため、従来の
ＱＦＰ型ＩＣに搭載できるＩＣチップは動作スピード，
パワーとも制限を受けＱＦＰ型ＩＣの開発に支障をきた
していた。
ハイパワー化が進みＩＣチップの発熱量が増加しつつあ
る。ＩＣチップは温度が上昇すると動作不良を起こした
り動作スピードが低下したりする。そこで、パッケージ
本体からの放熱を十分行いＩＣチップ温度を低温に保つ
必要がある。従来のＱＦＰ型ＩＣでは、放熱性を向上す
るためにパッケージ本体上面にヒートシンクを付けた
り、パッケージ本体に風を当ててパッケージ本体表面を
空冷するなどの手段が取られていた。しかし、ヒートシ
ンクは重量増加，実装体積増加を伴い高密度実装化に障
害となる。また、空冷ではパッケージ本体表面，側面，
リード面，プリント基板面の放熱性は向上できるがパッ
ケージ本体底面の放熱性は向上できない。パッケージ本
体とプリント基板との間隔が狭く、四方が外部リードで
囲まれているために、風が通り抜けず空気が滞留するた
めである。パッケージ本体は他の部分より温度が高くな
るので、この面の放熱性を向上すればＩＣチップの温度
を効率的に下げることが可能である。しかし、従来のＱ
ＦＰ型ＩＣではパッケージ本体底面の放熱性はパッケー
ジ本体上面の１／１０以下ときわめて悪く、パッケージ
本体全体の放熱性向上を妨げていた。そのため、従来の
ＱＦＰ型ＩＣに搭載できるＩＣチップは動作スピード，
パワーとも制限を受けＱＦＰ型ＩＣの開発に支障をきた
していた。
【０００７】本発明の目的は、動作スピード，パワーに
制限されずにＩＣチップを搭載できるＱＦＰ型ＩＣを提
供することにある。
制限されずにＩＣチップを搭載できるＱＦＰ型ＩＣを提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＣチップ
と、該ＩＣチップを封入したパッケージ本体と、前記Ｉ
Ｃチップと電気的に接続され前記パッケージ本体の外周
から導出された複数のリードとを有するクォドフラット
パッケージ型ＩＣにおいて、前記パッケージ本体の底面
に放熱シートを取り付けており、前記放熱シートが２０
０〜２５０℃で溶融する樹脂によって形成されている。
また、前記放熱シートを形成する樹脂がＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣのうちの少なく
とも１種類を粉末の形で含有している。
と、該ＩＣチップを封入したパッケージ本体と、前記Ｉ
Ｃチップと電気的に接続され前記パッケージ本体の外周
から導出された複数のリードとを有するクォドフラット
パッケージ型ＩＣにおいて、前記パッケージ本体の底面
に放熱シートを取り付けており、前記放熱シートが２０
０〜２５０℃で溶融する樹脂によって形成されている。
また、前記放熱シートを形成する樹脂がＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣのうちの少なく
とも１種類を粉末の形で含有している。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例の断面図及びその動作状態の放熱経路を説明する断面
図である。
例の断面図及びその動作状態の放熱経路を説明する断面
図である。
【００１１】第１の実施例は、図１（ａ）に示すよう
に、ＩＣチップ１０１Ｃを封入したパッケージ本体１０
１とパッケージ本体１０１外周から導出された複数のリ
ード１０２とパッケージ本体１０１の底面に接着された
放熱シート１０３とで構成されている。また、パッケー
ジ本体１０１はキャップ１０１ａ，ワイヤ１０１ｂ，Ｉ
Ｃチップ１０１ｃ，ろう材１０１ｄ，封止ガラス１０１
ｅ，ベース１０１ｆにより構成されている。
に、ＩＣチップ１０１Ｃを封入したパッケージ本体１０
１とパッケージ本体１０１外周から導出された複数のリ
ード１０２とパッケージ本体１０１の底面に接着された
放熱シート１０３とで構成されている。また、パッケー
ジ本体１０１はキャップ１０１ａ，ワイヤ１０１ｂ，Ｉ
Ｃチップ１０１ｃ，ろう材１０１ｄ，封止ガラス１０１
ｅ，ベース１０１ｆにより構成されている。
【００１２】次に、第１の実施例の製造方法について述
べる。
べる。
【００１３】まず、ＩＣチップ１０１ｃをろう材１０１
ｄによってベース１０１ｆに固着させＩＣチップ１０１
ｃ上の電極とリード１０２とをワイヤ１０１ｂで電気的
に接続する。リード１０２は封止ガラス１０１ｅにより
あらかじめベース１０１ｆに圧着されている。
ｄによってベース１０１ｆに固着させＩＣチップ１０１
ｃ上の電極とリード１０２とをワイヤ１０１ｂで電気的
に接続する。リード１０２は封止ガラス１０１ｅにより
あらかじめベース１０１ｆに圧着されている。
【００１４】次に、封止ガラス１０１ｅを印刷したキャ
ップ１０１ａをかぶせ４００〜４５０℃に加熱し、１０
〜２０分間保持して封止ガラス１０１ｅを溶融し、キャ
ップ１０１ａ，リード１０２，ベース１０１ｆを封着し
てパッケージ本体１０１を完成させる。次に、リード１
０２に半田めっきを施す。その後、放熱シート１０３を
パッケージ本体１０１底面に接着し、最後に、リード１
０２を所望の形状に成形し第１の実施例のＱＦＰ型ＩＣ
を完成させる。
ップ１０１ａをかぶせ４００〜４５０℃に加熱し、１０
〜２０分間保持して封止ガラス１０１ｅを溶融し、キャ
ップ１０１ａ，リード１０２，ベース１０１ｆを封着し
てパッケージ本体１０１を完成させる。次に、リード１
０２に半田めっきを施す。その後、放熱シート１０３を
パッケージ本体１０１底面に接着し、最後に、リード１
０２を所望の形状に成形し第１の実施例のＱＦＰ型ＩＣ
を完成させる。
【００１５】放熱シート１０３は液状エポキシ樹脂接着
剤を表面に塗布しパッケージ本体１０１底面に貼付けて
１００〜１５０℃で５〜２０分間加熱して接着する。放
熱シート１０３は２００〜２５０℃で溶融，硬化するエ
ポキシ樹脂で形成する。
剤を表面に塗布しパッケージ本体１０１底面に貼付けて
１００〜１５０℃で５〜２０分間加熱して接着する。放
熱シート１０３は２００〜２５０℃で溶融，硬化するエ
ポキシ樹脂で形成する。
【００１６】第１の実施例のＱＦＰ型ＩＣの実装方法
は、図１（ｂ）に示すように、まず、プリント基板１０
４に半田クリームをスクリーン印刷し図１（ａ）のＱＦ
Ｐ型ＩＣを配線パターンに位置決めする。その後、赤外
線リフロー炉で２００〜２５０℃に加熱し、リード１０
２とプリント基板１０４の電極とを半田１０５で接続す
る。この時、放熱シート１０３のエポキシ樹脂が溶融
し、パッケージ本体１０１とプリント基板１０４とを連
結させる。
は、図１（ｂ）に示すように、まず、プリント基板１０
４に半田クリームをスクリーン印刷し図１（ａ）のＱＦ
Ｐ型ＩＣを配線パターンに位置決めする。その後、赤外
線リフロー炉で２００〜２５０℃に加熱し、リード１０
２とプリント基板１０４の電極とを半田１０５で接続す
る。この時、放熱シート１０３のエポキシ樹脂が溶融
し、パッケージ本体１０１とプリント基板１０４とを連
結させる。
【００１７】このように連結されたＱＦＰ型ＩＣの放熱
経路は、パッケージ本体１０１上面からの放熱経路１０
６，パッケージ本体１０１側面からの放熱経路１０７，
リード１０２からの放熱経路１０８，リード１０２から
プリント基板１０４へ熱伝導してプリント基板１０４表
面から放熱する放熱経路１０９，パッケージ本体１０１
底面から放熱シート１０３を経てプリント基板１０４へ
熱伝導してプリント基板１０４表面から放熱する放熱経
路１１０の５通りがある。このうちの前の４通りの経路
は従来のＱＦＰ型ＩＣと同等の放熱効率であるが、５番
目の放熱経路１１０は放熱効率が大幅に改善されてい
る。これは、空気の熱伝導率が６．５×１０-6〔ｃａｌ
／ｓｅｃ・ｃｍ・Ｋ〕であるのに対し、エポキシ樹脂の
熱伝導率が１５．０×１０-4〔ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・
Ｋ〕と大きいため電熱効率が向上するためである。
経路は、パッケージ本体１０１上面からの放熱経路１０
６，パッケージ本体１０１側面からの放熱経路１０７，
リード１０２からの放熱経路１０８，リード１０２から
プリント基板１０４へ熱伝導してプリント基板１０４表
面から放熱する放熱経路１０９，パッケージ本体１０１
底面から放熱シート１０３を経てプリント基板１０４へ
熱伝導してプリント基板１０４表面から放熱する放熱経
路１１０の５通りがある。このうちの前の４通りの経路
は従来のＱＦＰ型ＩＣと同等の放熱効率であるが、５番
目の放熱経路１１０は放熱効率が大幅に改善されてい
る。これは、空気の熱伝導率が６．５×１０-6〔ｃａｌ
／ｓｅｃ・ｃｍ・Ｋ〕であるのに対し、エポキシ樹脂の
熱伝導率が１５．０×１０-4〔ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・
Ｋ〕と大きいため電熱効率が向上するためである。
【００１８】エポキシ樹脂中のボイド，パッケージ本体
１０１底面と放熱シート１０３の接着不足，放熱シート
１０３とプリント基板１０４の接触部のぬれ不足などの
マイナス要因を考慮してもパッケージ本体１０１底面の
放熱効率は１０倍以上向上し、パッケージ本体１０１全
体の放熱性は３０％以上の改善効果が見られた。
１０１底面と放熱シート１０３の接着不足，放熱シート
１０３とプリント基板１０４の接触部のぬれ不足などの
マイナス要因を考慮してもパッケージ本体１０１底面の
放熱効率は１０倍以上向上し、パッケージ本体１０１全
体の放熱性は３０％以上の改善効果が見られた。
【００１９】第２の実施例は、図１（ａ），（ｂ）に示
す第１の実施例と同一構造であるが、放熱シート１０３
のエポキシ樹脂にＡｌ粉末を２０体積％添加している。
第１の実施例の放熱シート１０３に用いたエポキシ樹脂
の熱伝導率は、１５．０×１０-4〔ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃ
ｍ・Ｋ〕であるが、熱伝導率の大きいＡｌ粉末５７００
×１０-4〔ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・Ｋ〕を添加すること
により、約５０％熱伝導率を向上でき、パッケージ本体
１０１底面の熱放散性をさらに高めることができる。
す第１の実施例と同一構造であるが、放熱シート１０３
のエポキシ樹脂にＡｌ粉末を２０体積％添加している。
第１の実施例の放熱シート１０３に用いたエポキシ樹脂
の熱伝導率は、１５．０×１０-4〔ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃ
ｍ・Ｋ〕であるが、熱伝導率の大きいＡｌ粉末５７００
×１０-4〔ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・Ｋ〕を添加すること
により、約５０％熱伝導率を向上でき、パッケージ本体
１０１底面の熱放散性をさらに高めることができる。
【００２０】第２の実施例ではＡｌ粉末を添加したが、
この他に、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｓ
ｉＣ等の粉末を添加してもよい。
この他に、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｓ
ｉＣ等の粉末を添加してもよい。
【００２１】なお、第１，第２の実施例では、ガラス封
止タイプのＱＦＰ型ＩＣについて述べているが、本実施
例は、樹脂封止タイプのＱＦＰ型ＩＣ，積層セラミック
基盤タイプのＱＦＰ型ＩＣ，金属基板タイプのＱＦＰ型
ＩＣにも同様に適用できることは明らかである。
止タイプのＱＦＰ型ＩＣについて述べているが、本実施
例は、樹脂封止タイプのＱＦＰ型ＩＣ，積層セラミック
基盤タイプのＱＦＰ型ＩＣ，金属基板タイプのＱＦＰ型
ＩＣにも同様に適用できることは明らかである。
【００２２】また、放熱シート１０３をパッケージ本体
１０１底面に接着する液状エポキシ樹脂にＡｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ等の粉末を添
加すると、さらに放熱効率を高めることができる。
１０１底面に接着する液状エポキシ樹脂にＡｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ等の粉末を添
加すると、さらに放熱効率を高めることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、パッケー
ジ本体底面に２００〜２５０℃で溶融する樹脂製放熱シ
ートを取り付けているので、半田実装するとパッケージ
本体とプリント基板とが連結する。そのため、パッケー
ジ本体底面から放熱シートを通してプリント基板へ熱放
散ができるので、パッケージ本体の熱放散性が向上し、
従来のＱＦＰ型ＩＣに搭載できなかったハイパワー，高
速型ＩＣチップが搭載可能となる効果がある。
ジ本体底面に２００〜２５０℃で溶融する樹脂製放熱シ
ートを取り付けているので、半田実装するとパッケージ
本体とプリント基板とが連結する。そのため、パッケー
ジ本体底面から放熱シートを通してプリント基板へ熱放
散ができるので、パッケージ本体の熱放散性が向上し、
従来のＱＦＰ型ＩＣに搭載できなかったハイパワー，高
速型ＩＣチップが搭載可能となる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図及びその動作状
態の放熱経路を説明する断面図である。
態の放熱経路を説明する断面図である。
【図２】従来のＱＦＰ型ＩＣの側面図及びその動作状態
の放熱経路を説明する断面図である。
の放熱経路を説明する断面図である。
１０１，２０１ パッケージ本体 １０１ａ キャップ １０１ｂ ワイヤ １０１ｃ ＩＣチップ １０１ｄ ろう材 １０１ｅ 封止ガラス １０１ｆ ベース １０２ リード １０３ 放熱シート １０４ プリント基板 １０５ 半田 １０６，１０７，１０８，１０９，１１０，２０５，２
０６，２０７，２０８，２０９ 放熱経路
０６，２０７，２０８，２０９ 放熱経路
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＣチップと、該ＩＣチップを封入した
パッケージ本体と、前記ＩＣチップと電気的に接続され
前記パッケージ本体の外周から導出された複数のリード
とを有するクォドフラットパッケージ型ＩＣにおいて、
前記パッケージ本体の底面に放熱シートを取り付けたこ
とを特徴とするクォドフラットパッケージ型ＩＣ。 - 【請求項２】 前記放熱シートが２００〜２５０℃で溶
融する樹脂によって形成されていることを特徴とする請
求項１記載のクォドフラットパッケージ型ＩＣ。 - 【請求項３】 前記放熱シートを形成する樹脂がＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣのうち
の少なくとも１種類を粉末の形で含有していることを特
徴とする請求項１記載のクォドフラットパッケージ型Ｉ
Ｃ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28971492A JPH06140538A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | クォドフラットパッケージ型ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28971492A JPH06140538A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | クォドフラットパッケージ型ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140538A true JPH06140538A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17746804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28971492A Pending JPH06140538A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | クォドフラットパッケージ型ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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