JPH10189834A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH10189834A JPH10189834A JP35826896A JP35826896A JPH10189834A JP H10189834 A JPH10189834 A JP H10189834A JP 35826896 A JP35826896 A JP 35826896A JP 35826896 A JP35826896 A JP 35826896A JP H10189834 A JPH10189834 A JP H10189834A
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子搭載面の裏面に放熱板を固着した
半導体装置において、放熱板の専有面積が大きい場合に
生じる樹脂封止時の放熱板の上面と下面での樹脂の流速
の相違に起因する樹脂の未充填を防止すると共に、放熱
性に優れ、信号ピン数の増加の要求を満たすことのでき
る薄型で安定した品質の半導体装置を提供する。 【解決手段】 放熱板６上に貼着される絶縁性テープ７
の半導体素子搭載面に回路パターン１３を配設し、この
回路パターン１３に半導体素子８の電極１０及びリード
フレーム１の先端を接続すると共に、半導体素子搭載面
のみを樹脂封止するようにしている。
半導体装置において、放熱板の専有面積が大きい場合に
生じる樹脂封止時の放熱板の上面と下面での樹脂の流速
の相違に起因する樹脂の未充填を防止すると共に、放熱
性に優れ、信号ピン数の増加の要求を満たすことのでき
る薄型で安定した品質の半導体装置を提供する。 【解決手段】 放熱板６上に貼着される絶縁性テープ７
の半導体素子搭載面に回路パターン１３を配設し、この
回路パターン１３に半導体素子８の電極１０及びリード
フレーム１の先端を接続すると共に、半導体素子搭載面
のみを樹脂封止するようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係るも
のであり、更に詳細には、半導体素子搭載面の裏面側に
放熱板を固着してなる半導体装置に関する。
のであり、更に詳細には、半導体素子搭載面の裏面側に
放熱板を固着してなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の小型化、多機能
化、高集積化に伴い、入出信号ピン数を増加するためリ
ード間隔のより一層の微細化が要求されている。また一
方では、半導体装置の消費電力の増加とそれに伴う発熱
量の増大が半導体装置の信頼性を損ねる原因として大き
な問題となってきている。
化、高集積化に伴い、入出信号ピン数を増加するためリ
ード間隔のより一層の微細化が要求されている。また一
方では、半導体装置の消費電力の増加とそれに伴う発熱
量の増大が半導体装置の信頼性を損ねる原因として大き
な問題となってきている。
【０００３】発熱量の増大に対する対策として、リード
フレームの半導体素子搭載面の裏面に、熱導電性の優れ
た金属製の放熱板を溶接、カシメ、もしくは絶縁性テー
プまたは非導電性接着剤、あるいはこれらを併用するこ
とにより貼着し、半導体素子の発熱を積極的かつ効率的
に半導体装置外部に放出する方法が広く実施されてい
る。
フレームの半導体素子搭載面の裏面に、熱導電性の優れ
た金属製の放熱板を溶接、カシメ、もしくは絶縁性テー
プまたは非導電性接着剤、あるいはこれらを併用するこ
とにより貼着し、半導体素子の発熱を積極的かつ効率的
に半導体装置外部に放出する方法が広く実施されてい
る。
【０００４】図５及び図６はその代表的な例を示してい
る。図６において１はリードフレームであり、このリー
ドフレーム１は、一般にアロイ１９４と指称されている
銅系合金もしくはアロイ４２と指称されている鉄系合金
の帯状材料から、プレスによるスタンピング加工もしく
はエッチング加工またはこれらを併用することにより所
定形状に加工される。
る。図６において１はリードフレームであり、このリー
ドフレーム１は、一般にアロイ１９４と指称されている
銅系合金もしくはアロイ４２と指称されている鉄系合金
の帯状材料から、プレスによるスタンピング加工もしく
はエッチング加工またはこれらを併用することにより所
定形状に加工される。
【０００５】リードフレーム１は、半導体素子搭載領域
から所定の間隔を隔てた位置から放射状に伸びる複数の
インナーリード２と、該インナーリード２から延設され
るアウターリード３と、これらリードを一体的に支持す
るタイバー４と、アウターリード３を一体的に支持する
枠体５からなっている。
から所定の間隔を隔てた位置から放射状に伸びる複数の
インナーリード２と、該インナーリード２から延設され
るアウターリード３と、これらリードを一体的に支持す
るタイバー４と、アウターリード３を一体的に支持する
枠体５からなっている。
【０００６】リードフレーム１の半導体素子搭載面の裏
面側には、リードフレームとは別体形成された放熱板６
がポリイミドなどからなる環状の絶縁性テープ７により
固着されている。放熱板６は、例えば厚さ０．１５〜
０．２５４ｍｍの銅板や、モリブデン、ダイヤモンドフ
ィルム、セラミックなどからなり、その中央部には半導
体素子８がＡｇペーストなどで固着されている。
面側には、リードフレームとは別体形成された放熱板６
がポリイミドなどからなる環状の絶縁性テープ７により
固着されている。放熱板６は、例えば厚さ０．１５〜
０．２５４ｍｍの銅板や、モリブデン、ダイヤモンドフ
ィルム、セラミックなどからなり、その中央部には半導
体素子８がＡｇペーストなどで固着されている。
【０００７】なお図５に示すように、リードフレーム１
のインナーリード２先端は絶縁性テープ７により放熱板
６に固着されており、ＡｕあるいはＡｌ線からなるボン
ディングワイヤ９により半導体素子８の電極１０とイン
ナーリード２が電気的に接続されている。
のインナーリード２先端は絶縁性テープ７により放熱板
６に固着されており、ＡｕあるいはＡｌ線からなるボン
ディングワイヤ９により半導体素子８の電極１０とイン
ナーリード２が電気的に接続されている。
【０００８】その後、タイバー４以内の全域をトランス
ファーモールド法などによって樹脂封止し、樹脂封止体
１１を形成する。更にリードフレーム１のタイバー４及
び枠体５を切断し、樹脂封止体１１から突出するアウタ
ーリード３を所望の形状に成形して、半導体装置が完成
される。
ファーモールド法などによって樹脂封止し、樹脂封止体
１１を形成する。更にリードフレーム１のタイバー４及
び枠体５を切断し、樹脂封止体１１から突出するアウタ
ーリード３を所望の形状に成形して、半導体装置が完成
される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成の半導体装置によれば、放熱板も全て樹脂封
止してしまうのであるが、この場合特に放熱板の専有面
積が大きい場合には、半導体装置をトランスファーモー
ルド法にて樹脂封止する場合、放熱板の上面部及び下面
部では樹脂の流速が異なるため、樹脂の未充填が発生し
やすいという問題点があった。
ような構成の半導体装置によれば、放熱板も全て樹脂封
止してしまうのであるが、この場合特に放熱板の専有面
積が大きい場合には、半導体装置をトランスファーモー
ルド法にて樹脂封止する場合、放熱板の上面部及び下面
部では樹脂の流速が異なるため、樹脂の未充填が発生し
やすいという問題点があった。
【００１０】また、放熱板の専有面積が大きいために封
止樹脂との密着性が低下し、この結果、放熱板と樹脂の
界面で剥離が生じ、これがパッケージクラックを誘発す
る原因となっていた。
止樹脂との密着性が低下し、この結果、放熱板と樹脂の
界面で剥離が生じ、これがパッケージクラックを誘発す
る原因となっていた。
【００１１】更に、半導体素子とリードフレームとの電
気的接続にボンディングワイヤを使用するため、ワイヤ
ループ分だけ半導体装置の厚みが増大し、また信号ピン
数が多いものになると、このようなボンディングワイヤ
間の隙間が狭小化するので、前記樹脂封止時に流入樹脂
の流力により隣接するワイヤ間が接触し、ショートして
しまうという問題があった。
気的接続にボンディングワイヤを使用するため、ワイヤ
ループ分だけ半導体装置の厚みが増大し、また信号ピン
数が多いものになると、このようなボンディングワイヤ
間の隙間が狭小化するので、前記樹脂封止時に流入樹脂
の流力により隣接するワイヤ間が接触し、ショートして
しまうという問題があった。
【００１２】なお、上記問題を解決するために、インナ
ーリードを半導体素子の電極部上まで伸長させ、ボンデ
ィングワイヤを用いることなく、インナーリード先端を
直接半導体素子の電極と接続する方法もあるが、この場
合インナーリード長さが増大するため、信号ピン数の増
加に伴うインナーリード先端間隔の微細化といった要求
には対応することができなかった。本発明は前記実情に
鑑みてなされたものであり、放熱板の専有面積が大きい
ことにに起因する樹脂封止時の未充填や放熱板と樹脂と
の密着性の低下などを防止すると共に、放熱性に優れ、
更には信号ピン数の増加の要求をも満たすことのできる
薄型で安定した品質の半導体装置を提供することを目的
とする。
ーリードを半導体素子の電極部上まで伸長させ、ボンデ
ィングワイヤを用いることなく、インナーリード先端を
直接半導体素子の電極と接続する方法もあるが、この場
合インナーリード長さが増大するため、信号ピン数の増
加に伴うインナーリード先端間隔の微細化といった要求
には対応することができなかった。本発明は前記実情に
鑑みてなされたものであり、放熱板の専有面積が大きい
ことにに起因する樹脂封止時の未充填や放熱板と樹脂と
の密着性の低下などを防止すると共に、放熱性に優れ、
更には信号ピン数の増加の要求をも満たすことのできる
薄型で安定した品質の半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明ではまず半導体装置の放熱板上の半導体素子
搭載面の必要な領域のみを樹脂封止するようにしてい
る。また、半導体素子とインナーリードとの電気的接続
に半導体素子搭載面に複数の回路パターンを形成した絶
縁性テープを使用するようにし、半導体素子の電極及び
インナーリードは直接この回路パターンに接続されるよ
うにしている。
に、本発明ではまず半導体装置の放熱板上の半導体素子
搭載面の必要な領域のみを樹脂封止するようにしてい
る。また、半導体素子とインナーリードとの電気的接続
に半導体素子搭載面に複数の回路パターンを形成した絶
縁性テープを使用するようにし、半導体素子の電極及び
インナーリードは直接この回路パターンに接続されるよ
うにしている。
【００１４】また、望ましくは放熱板の少なくとも封止
樹脂から露出している部分にはめっき処理が行われてお
り、更にリードフレームと絶縁性テープと放熱板の界面
は絶縁性ペーストによりコーティングされている。
樹脂から露出している部分にはめっき処理が行われてお
り、更にリードフレームと絶縁性テープと放熱板の界面
は絶縁性ペーストによりコーティングされている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１及び図２
は、本発明の半導体装置を示す図である。
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１及び図２
は、本発明の半導体装置を示す図である。
【００１６】リードフレーム１は基本的に従来のものと
同一である。ただし本実施形態においては、リードフレ
ーム１と絶縁性テープ７の接合を強化するため、リード
フレーム１に支持リード１２を設けている。また、放熱
板６も従来と同一である。
同一である。ただし本実施形態においては、リードフレ
ーム１と絶縁性テープ７の接合を強化するため、リード
フレーム１に支持リード１２を設けている。また、放熱
板６も従来と同一である。
【００１７】ただしここではポリイミドなどからなる絶
縁性テープ７は環状ではなく方形であり、図３に詳細に
示す通り、この絶縁性テープ７の半導体素子搭載面に
は、半導体素子搭載領域から外方に伸長する複数の回路
パターン１３がスクリーン印刷法、アディティブ法、エ
ッチング法などにより形成されている。
縁性テープ７は環状ではなく方形であり、図３に詳細に
示す通り、この絶縁性テープ７の半導体素子搭載面に
は、半導体素子搭載領域から外方に伸長する複数の回路
パターン１３がスクリーン印刷法、アディティブ法、エ
ッチング法などにより形成されている。
【００１８】回路パターン１３の半導体素子搭載領域に
は、半導体素子８の電極１０に対応してＡｕなどによる
バンプ１４が形成されている。半導体素子８は従来とは
逆、すなわち電極１０を下向きにして実装されることに
なり、バンプ１４に半導体素子８の電極１０が直接接続
されることになる。
は、半導体素子８の電極１０に対応してＡｕなどによる
バンプ１４が形成されている。半導体素子８は従来とは
逆、すなわち電極１０を下向きにして実装されることに
なり、バンプ１４に半導体素子８の電極１０が直接接続
されることになる。
【００１９】回路パターン１３の外方端部にはインナー
リード２が接続される。インナーリード２の先端には、
半田、ろう材、メタライズドペイストなどの加熱溶融接
合材が付けられており、回路パターン１３と位置合わせ
を行った後、インナーリード２と回路パターン１３を当
接した状態で加熱し、あるいは該当接部に近赤外線光
源、遠赤外線光源などから輻射熱を照射する。このよう
に加熱または前記光線の輻射熱によりインナーリード２
先端に付けられた加熱溶融接合材を溶融し、リードフレ
ーム１と回路パターン１３が接合される。つまり、半導
体素子８の電極１０とインナーリード２とは絶縁性テー
プ７上に設けられた回路パターン１３を介して電気的に
接続されることになる。
リード２が接続される。インナーリード２の先端には、
半田、ろう材、メタライズドペイストなどの加熱溶融接
合材が付けられており、回路パターン１３と位置合わせ
を行った後、インナーリード２と回路パターン１３を当
接した状態で加熱し、あるいは該当接部に近赤外線光
源、遠赤外線光源などから輻射熱を照射する。このよう
に加熱または前記光線の輻射熱によりインナーリード２
先端に付けられた加熱溶融接合材を溶融し、リードフレ
ーム１と回路パターン１３が接合される。つまり、半導
体素子８の電極１０とインナーリード２とは絶縁性テー
プ７上に設けられた回路パターン１３を介して電気的に
接続されることになる。
【００２０】このように本発明においては、半導体素子
８の電極１０とインナーリード２との電気的接続にボン
ディングワイヤを使用しないので、後述する樹脂封止工
程において隣接するボンディングワイヤ同士が封止樹脂
の流力により接触し、ショートするというような事態が
生じることがない。また、ボンディングワイヤのループ
高さがない分従来より半導体装置全体を薄型に形成する
ことができる。
８の電極１０とインナーリード２との電気的接続にボン
ディングワイヤを使用しないので、後述する樹脂封止工
程において隣接するボンディングワイヤ同士が封止樹脂
の流力により接触し、ショートするというような事態が
生じることがない。また、ボンディングワイヤのループ
高さがない分従来より半導体装置全体を薄型に形成する
ことができる。
【００２１】また、半導体素子８の電極１０とインナー
リード２との電気的接続を絶縁性テープ７上に配設した
回路パターン１３により行うので、インナーリード２を
半導体素子近傍まで伸長させる必要がなくなり、よって
インナーリード２を短く形成することができる。このた
め、入出力ピン数の増加に伴う一般のリードフレーム加
工の限界を超越したリード間隔の微細化の要求にも応え
ることができる。
リード２との電気的接続を絶縁性テープ７上に配設した
回路パターン１３により行うので、インナーリード２を
半導体素子近傍まで伸長させる必要がなくなり、よって
インナーリード２を短く形成することができる。このた
め、入出力ピン数の増加に伴う一般のリードフレーム加
工の限界を超越したリード間隔の微細化の要求にも応え
ることができる。
【００２２】更に、リードフレーム１の仕様変更が生じ
た場合にも、従来は、例えばプレスによるスタンピング
加工にてリードフレームを製造する場合には、高価なス
タンピング用金型を作り替える必要があったのだが、本
発明によれば、このような仕様変更があった場合にも、
リードフレーム１の外形サイズ及びリード本数に大きな
違いがなければ絶縁性テープ７上の回路パターン１３の
みを変更すれば良いため非常に安価で迅速に事態に対応
することができる。よって例えば半導体素子８のサイズ
などにとらわれることなく自由な設計を行うことができ
るという効果も奏功する。
た場合にも、従来は、例えばプレスによるスタンピング
加工にてリードフレームを製造する場合には、高価なス
タンピング用金型を作り替える必要があったのだが、本
発明によれば、このような仕様変更があった場合にも、
リードフレーム１の外形サイズ及びリード本数に大きな
違いがなければ絶縁性テープ７上の回路パターン１３の
みを変更すれば良いため非常に安価で迅速に事態に対応
することができる。よって例えば半導体素子８のサイズ
などにとらわれることなく自由な設計を行うことができ
るという効果も奏功する。
【００２３】その後、トランスファーモールド法によっ
て半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂などによって樹
脂封止するが、樹脂封止は半導体装置の半導体素子搭載
面の必要な領域、ここではタイバー４以内の領域のみに
しか行わない。すなわち、半導体装置の半導体素子搭載
面の裏面側は樹脂封止されず、半導体素子搭載面の裏面
側に固着された放熱板６は樹脂封止体１１の外部に露出
することになる。
て半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂などによって樹
脂封止するが、樹脂封止は半導体装置の半導体素子搭載
面の必要な領域、ここではタイバー４以内の領域のみに
しか行わない。すなわち、半導体装置の半導体素子搭載
面の裏面側は樹脂封止されず、半導体素子搭載面の裏面
側に固着された放熱板６は樹脂封止体１１の外部に露出
することになる。
【００２４】このような構成をとることにより、半導体
装置を樹脂封止する際に、放熱板６の半導体素子搭載面
とその裏面との樹脂の流速の相違に起因する樹脂の未充
填などの問題を解消することができる。また、放熱板６
の下面側は樹脂封止されないので、この分だけ半導体装
置全体を薄型に形成することができ、更に放熱効率も格
段に向上する。
装置を樹脂封止する際に、放熱板６の半導体素子搭載面
とその裏面との樹脂の流速の相違に起因する樹脂の未充
填などの問題を解消することができる。また、放熱板６
の下面側は樹脂封止されないので、この分だけ半導体装
置全体を薄型に形成することができ、更に放熱効率も格
段に向上する。
【００２５】なお、本実施形態においては、半導体素子
搭載面のタイバー４以内の領域を樹脂封止するようにし
たが、これに限定されず、必要な領域、例えば半導体素
子８近傍のみを樹脂封止するようにしてもよい。しかし
この場合はポッティング法やスクリーン印刷法などを使
用しなければならないため、作業効率という点で見れ
ば、インナーリード２と回路パターン１３の接続部以
内、または本実施形態のようにタイバー４以内をトラン
スファーモールド法により樹脂封止するのが望ましい。
搭載面のタイバー４以内の領域を樹脂封止するようにし
たが、これに限定されず、必要な領域、例えば半導体素
子８近傍のみを樹脂封止するようにしてもよい。しかし
この場合はポッティング法やスクリーン印刷法などを使
用しなければならないため、作業効率という点で見れ
ば、インナーリード２と回路パターン１３の接続部以
内、または本実施形態のようにタイバー４以内をトラン
スファーモールド法により樹脂封止するのが望ましい。
【００２６】このように樹脂封止を行った後、従来と同
様リードフレーム１のタイバー４及び枠体５を切断し、
樹脂封止体１１から突出するアウターリード３を所望の
形状に成形して、半導体装置が完成される。
様リードフレーム１のタイバー４及び枠体５を切断し、
樹脂封止体１１から突出するアウターリード３を所望の
形状に成形して、半導体装置が完成される。
【００２７】望ましくは、放熱板６の少なくとも樹脂封
止体１１から外部に露出した部分にニッケルなどにより
めっき被膜１５を形成する。このようにニッケルめっき
被膜を形成すると、特に放熱板６が金属板である場合に
は、その腐食を防止するという効果が得られる。なお、
このめっき被膜１５はニッケルに限らず、例えば半田な
どでも良い。この場合、例えばアウターリード３に実装
時の半田ぬれ性向上のため半田めっきを施す場合がある
が、この時に同時に放熱板６の露出部分にに半田めっき
を行うことが可能である。
止体１１から外部に露出した部分にニッケルなどにより
めっき被膜１５を形成する。このようにニッケルめっき
被膜を形成すると、特に放熱板６が金属板である場合に
は、その腐食を防止するという効果が得られる。なお、
このめっき被膜１５はニッケルに限らず、例えば半田な
どでも良い。この場合、例えばアウターリード３に実装
時の半田ぬれ性向上のため半田めっきを施す場合がある
が、この時に同時に放熱板６の露出部分にに半田めっき
を行うことが可能である。
【００２８】更に望ましくは、半導体装置の半導体素子
搭載面裏面の放熱板６、絶縁性テープ７、リードフレー
ム１の界面を絶縁性ペースト１６でコーティングする。
搭載面裏面の放熱板６、絶縁性テープ７、リードフレー
ム１の界面を絶縁性ペースト１６でコーティングする。
【００２９】一般的に絶縁性テープ７には吸湿性があ
り、外気にさらしておくとこの性質のためにテープもし
くはテープと放熱板６あるいはリードフレーム１の界面
から半導体装置内部に水分が侵入し、例えば半導体装置
の作動に伴う温度上昇により前記水分が気化膨張し、気
泡やガスを発生させて樹脂界面での剥離やパッケージク
ラックを引き起こすおそれがある。また水分はインナー
リード２を腐食させ、半導体装置の機能特性を損なうお
それをも多分に持っている。そのため特に放熱板６、絶
縁性テープ７、リードフレーム１の界面を絶縁性ペース
ト１６でコーティングすることにより、絶縁性テープ７
及びこれらの界面をを外気から完全に遮断してしまうこ
とが望ましい。
り、外気にさらしておくとこの性質のためにテープもし
くはテープと放熱板６あるいはリードフレーム１の界面
から半導体装置内部に水分が侵入し、例えば半導体装置
の作動に伴う温度上昇により前記水分が気化膨張し、気
泡やガスを発生させて樹脂界面での剥離やパッケージク
ラックを引き起こすおそれがある。また水分はインナー
リード２を腐食させ、半導体装置の機能特性を損なうお
それをも多分に持っている。そのため特に放熱板６、絶
縁性テープ７、リードフレーム１の界面を絶縁性ペース
ト１６でコーティングすることにより、絶縁性テープ７
及びこれらの界面をを外気から完全に遮断してしまうこ
とが望ましい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、放熱板の専有面積が大きいことに起因する樹脂封止
時の樹脂の流速の相違による樹脂の未充填や放熱板と樹
脂との密着性の低下などを防止すると共に、入出信号ピ
ン数の増加に伴う隣接リード間隔の微細化等の要求を満
たすことができ、更に薄型に形成することのできる高品
質の半導体装置を得ることができる。
ば、放熱板の専有面積が大きいことに起因する樹脂封止
時の樹脂の流速の相違による樹脂の未充填や放熱板と樹
脂との密着性の低下などを防止すると共に、入出信号ピ
ン数の増加に伴う隣接リード間隔の微細化等の要求を満
たすことができ、更に薄型に形成することのできる高品
質の半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明の半導体装置の分解斜視図。
【図２】本発明の半導体装置の断面図。
【図３】回路パターンが配設された絶縁性テープを示す
図。
図。
【図４】本発明の他の実施例を示す図。
【図５】従来の半導体装置の断面図。
【図６】従来の半導体装置の分解斜視図。
１ リードフレーム ２ インナーリード ３ アウターリード ４ タイバー ５ 枠体 ６ 放熱板 ７ 絶縁性テープ ８ 半導体素子 ９ ボンディングワイヤ １０ 電極 １１ 樹脂封止体 １２ 支持リード １３ 回路パターン １４ バンプ １５ めっき被膜 １６ 絶縁性ペースト
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子搭載面の中央に半導体素子搭
載領域を有し、前記半導体素子搭載領域から外方に伸長
する複数の回路パターンを配設した絶縁性テープと、前
記半導体素子搭載領域に配設されている回路パターンの
一端部に直接その電極が接続された半導体素子と、前記
回路パターンの他端部に接続されており、前記接続部か
ら外方に伸長する複数のインナーリードと、前記絶縁性
テープの半導体素子搭載面裏面に固着された放熱板とか
らなり、半導体素子搭載面のインナーリードと回路パタ
ーンの接続部以内のみを樹脂封止してなることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 放熱板の、少なくとも封止樹脂から露出
している部分がめっき被覆されてなることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体素子搭載面裏面の放熱板と絶縁性
テープとリードフレームの界面が、絶縁性ペーストによ
りコーティングされてなることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35826896A JP3321006B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35826896A JP3321006B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189834A true JPH10189834A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3321006B2 JP3321006B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18458412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35826896A Expired - Fee Related JP3321006B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3321006B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473336B1 (ko) * | 2002-05-06 | 2005-03-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| US7795545B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-09-14 | Denso Corporation | Hot melt water-resistant structure |
| WO2014094754A1 (de) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronikmodul mit einer mit kunststoff umhüllten elektronische schaltung und verfahren zu dessen herstellung |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35826896A patent/JP3321006B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100473336B1 (ko) * | 2002-05-06 | 2005-03-08 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| US7795545B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-09-14 | Denso Corporation | Hot melt water-resistant structure |
| WO2014094754A1 (de) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronikmodul mit einer mit kunststoff umhüllten elektronische schaltung und verfahren zu dessen herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3321006B2 (ja) | 2002-09-03 |
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