JPH06140403A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06140403A JPH06140403A JP29019392A JP29019392A JPH06140403A JP H06140403 A JPH06140403 A JP H06140403A JP 29019392 A JP29019392 A JP 29019392A JP 29019392 A JP29019392 A JP 29019392A JP H06140403 A JPH06140403 A JP H06140403A
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- Japan
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- titanium nitride
- forming
- titanium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層構造でありながらエレクトロマイグレ−
ション耐性に優れた配線構造を得ること。 【構成】 ＴｉＮ膜１３を酸素でスタッフした後にＴｉ
Ｎ膜を所定深さだけエッチング除去することにより、ま
ず、ＴｉＮ膜の表面に形成されたＴｉＯＮ層を除去し、
その後、Ａｌ合金を形成する。これにより、残ったＴｉ
Ｎ膜は、ＴｉＯＮ層の部分には及ばないが酸素でスタッ
フされ、しかも、Ａｌ合金はＴｉＮ膜の（１１１）配向
を引き継いで（１１１）方位に成長する。また、ＴｉＮ
膜１６を酸素でスタッフするとＴｉＮ膜１６の表面にＴ
ｉＯＮ層が形成されるが、その上にＴｉＮ膜１７を再度
形成し、その後Ａｌ合金１８を形成する。これにより、
Ａｌ合金はＴｉＮ膜の配向を引き継いで成長する。
ション耐性に優れた配線構造を得ること。 【構成】 ＴｉＮ膜１３を酸素でスタッフした後にＴｉ
Ｎ膜を所定深さだけエッチング除去することにより、ま
ず、ＴｉＮ膜の表面に形成されたＴｉＯＮ層を除去し、
その後、Ａｌ合金を形成する。これにより、残ったＴｉ
Ｎ膜は、ＴｉＯＮ層の部分には及ばないが酸素でスタッ
フされ、しかも、Ａｌ合金はＴｉＮ膜の（１１１）配向
を引き継いで（１１１）方位に成長する。また、ＴｉＮ
膜１６を酸素でスタッフするとＴｉＮ膜１６の表面にＴ
ｉＯＮ層が形成されるが、その上にＴｉＮ膜１７を再度
形成し、その後Ａｌ合金１８を形成する。これにより、
Ａｌ合金はＴｉＮ膜の配向を引き継いで成長する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
であって、特に積層配線の形成技術に関する。
であって、特に積層配線の形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来例における半導体装置の製造
プロセスを示す断面図である。
プロセスを示す断面図である。
【０００３】まず、シリコン（Ｓｉ）基板１上に、通常
のプレ−ナ技術によってトランジスタ２を形成する。３
は選択酸化法によって形成された素子分離領域である。
前記トランジスタ２及びＳｉ基板１の上面に層間絶縁膜
としてのＢＰＳＧ膜４をＣＶＤ法により堆積した後、レ
ジストパタ−ンを用いてドライエッチングによりコンタ
クトホ−ル５を形成する（Ａ）。
のプレ−ナ技術によってトランジスタ２を形成する。３
は選択酸化法によって形成された素子分離領域である。
前記トランジスタ２及びＳｉ基板１の上面に層間絶縁膜
としてのＢＰＳＧ膜４をＣＶＤ法により堆積した後、レ
ジストパタ−ンを用いてドライエッチングによりコンタ
クトホ−ル５を形成する（Ａ）。
【０００４】次に、マグネトロンスパッタ法を用いて、
チタン（Ｔｉ）薄膜６、窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜７、
アルミニウム（Ａｌ）合金８を順次積層し、積層配線を
形成する。
チタン（Ｔｉ）薄膜６、窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜７、
アルミニウム（Ａｌ）合金８を順次積層し、積層配線を
形成する。
【０００５】前記Ｔｉ膜６はＳｉ基板１に対し、良好な
電気的接続関係を得るために用いられ、ＴｉＮ膜７はＳ
ｉ基板１とＡｌ合金８との拡散反応を抑制するためのバ
リア（障壁）として用いられている。
電気的接続関係を得るために用いられ、ＴｉＮ膜７はＳ
ｉ基板１とＡｌ合金８との拡散反応を抑制するためのバ
リア（障壁）として用いられている。
【０００６】斯かる半導体装置にあっては、スパッタ法
で形成したＴｉＮ膜７は柱状結晶構造を示すため、膜中
の粒界やマイクロクラックを拡散経路としてＡｌ合金８
のＡｌとＳｉ基板１のＳｉとが相互拡散し、結果、Ｓｉ
基板１に形成してあるＰＮ接合を破壊し、リ−ク電流を
増大させる危惧がある。
で形成したＴｉＮ膜７は柱状結晶構造を示すため、膜中
の粒界やマイクロクラックを拡散経路としてＡｌ合金８
のＡｌとＳｉ基板１のＳｉとが相互拡散し、結果、Ｓｉ
基板１に形成してあるＰＮ接合を破壊し、リ−ク電流を
増大させる危惧がある。
【０００７】そこで、真空中でＴｉ膜、ＴｉＮ膜を形成
した後に、一旦Ｓｉ基板を大気中の酸素に触れさせるこ
とが提案されている（J.Appl.Phys.,Vol.65,No.6,15 Ma
rch1989参照）。このようにＴｉＮ膜を大気中の酸素に
触れさせると、ＴｉＮ膜中の粒界がスタッフされ（結合
が強められ）、特に、ＴｉＮ膜の表面に酸素添加窒化チ
タン（ＴｉＯＮ）層が形成される。粒界が酸素でスタッ
フされると、ＡｌとＳｉとの相互拡散を抑制することが
でき、接合リークを低減させることができる。
した後に、一旦Ｓｉ基板を大気中の酸素に触れさせるこ
とが提案されている（J.Appl.Phys.,Vol.65,No.6,15 Ma
rch1989参照）。このようにＴｉＮ膜を大気中の酸素に
触れさせると、ＴｉＮ膜中の粒界がスタッフされ（結合
が強められ）、特に、ＴｉＮ膜の表面に酸素添加窒化チ
タン（ＴｉＯＮ）層が形成される。粒界が酸素でスタッ
フされると、ＡｌとＳｉとの相互拡散を抑制することが
でき、接合リークを低減させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来例のような積層構
造（Ａｌ合金／ＴｉＯＮ／ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜構造）の配
線は、コンタクト抵抗が安定していること、ＰＮ接合の
リ−ク電流が低いこと等の理由により採用されてきた。
造（Ａｌ合金／ＴｉＯＮ／ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜構造）の配
線は、コンタクト抵抗が安定していること、ＰＮ接合の
リ−ク電流が低いこと等の理由により採用されてきた。
【０００９】一方、半導体装置の信頼性を左右する重要
な要素として、配線のエレクトロマイグレ−ション耐性
があるが、これに関しては、前記積層構造のものは、Ａ
ｌ合金単層構造のものに比べて劣っている。
な要素として、配線のエレクトロマイグレ−ション耐性
があるが、これに関しては、前記積層構造のものは、Ａ
ｌ合金単層構造のものに比べて劣っている。
【００１０】これは、積層構造のＡｌ合金は単層構造の
ものに比べて結晶の粒径が小さくなることやＴｉＯＮ層
がＴｉＮ膜とＡｌ合金膜との間を分断するためＡｌ合金
膜の（１１１）方位の配向性が変化してしまうことに起
因する(Thin Solid Films75(1981)253-259参照)。
ものに比べて結晶の粒径が小さくなることやＴｉＯＮ層
がＴｉＮ膜とＡｌ合金膜との間を分断するためＡｌ合金
膜の（１１１）方位の配向性が変化してしまうことに起
因する(Thin Solid Films75(1981)253-259参照)。
【００１１】このうち、結晶の粒径については、Ａｌの
スパッタ温度を調整することにより改善できるが、配向
性については改善が困難なのが現状である。
スパッタ温度を調整することにより改善できるが、配向
性については改善が困難なのが現状である。
【００１２】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、
斯かる問題点を解消するものである。
斯かる問題点を解消するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体装
置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ
−ルを形成する工程と、少なくともこのコンタクトホ−
ル内にチタン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒
化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜に酸素
を添加する工程と、前記窒化チタン膜を所定深さだけエ
ッチング除去した後にアルミニウム合金膜を形成する工
程とを行うものである。
置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ
−ルを形成する工程と、少なくともこのコンタクトホ−
ル内にチタン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒
化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜に酸素
を添加する工程と、前記窒化チタン膜を所定深さだけエ
ッチング除去した後にアルミニウム合金膜を形成する工
程とを行うものである。
【００１４】また、本発明における半導体装置の製造方
法は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−ルを形成
する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル内にチタ
ン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化チタン膜
を形成する工程と、この窒化チタン膜を酸素雰囲気中で
アニ−ル処理する工程と、この窒化チタン膜の上に更に
窒化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜の上
にアルミニウム合金膜を形成する工程とを行うものであ
る。
法は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−ルを形成
する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル内にチタ
ン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化チタン膜
を形成する工程と、この窒化チタン膜を酸素雰囲気中で
アニ−ル処理する工程と、この窒化チタン膜の上に更に
窒化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜の上
にアルミニウム合金膜を形成する工程とを行うものであ
る。
【００１５】また、本発明における半導体装置の製造方
法は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−ルを形成
する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル内にチタ
ン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化チタン膜
を形成する工程と、この窒化チタン膜の形成時に酸素ガ
スを添加する工程と、この窒化チタン膜の上に更に窒化
チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜の上にア
ルミニウム合金膜を形成する工程とを行うものである。
法は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−ルを形成
する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル内にチタ
ン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化チタン膜
を形成する工程と、この窒化チタン膜の形成時に酸素ガ
スを添加する工程と、この窒化チタン膜の上に更に窒化
チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜の上にア
ルミニウム合金膜を形成する工程とを行うものである。
【００１６】
【作用】即ち、窒化チタン膜を酸素でスタッフした後に
窒化チタン膜を所定深さだけエッチング除去することに
より、まず、窒化チタン膜の表面に形成されたＴｉＯＮ
層を除去し、その後、Ａｌ合金を形成する。これによ
り、残った窒化チタン膜は、ＴｉＯＮ層の部分には及ば
ないが酸素でスタッフされ、しかも、Ａｌ合金はＴｉＮ
膜の（１１１）配向を引き継いで（１１１）方位に成長
する。
窒化チタン膜を所定深さだけエッチング除去することに
より、まず、窒化チタン膜の表面に形成されたＴｉＯＮ
層を除去し、その後、Ａｌ合金を形成する。これによ
り、残った窒化チタン膜は、ＴｉＯＮ層の部分には及ば
ないが酸素でスタッフされ、しかも、Ａｌ合金はＴｉＮ
膜の（１１１）配向を引き継いで（１１１）方位に成長
する。
【００１７】また、窒化チタン膜を酸素でスタッフする
と窒化チタン膜の表面にＴｉＯＮ層が形成されるが、そ
の上に更に窒化チタン膜を再度形成し、その後、Ａｌ合
金を形成する。これにより、Ａｌ合金はＴｉＮ膜の（１
１１）配向を引き継いで（１１１）方位に成長する。
と窒化チタン膜の表面にＴｉＯＮ層が形成されるが、そ
の上に更に窒化チタン膜を再度形成し、その後、Ａｌ合
金を形成する。これにより、Ａｌ合金はＴｉＮ膜の（１
１１）配向を引き継いで（１１１）方位に成長する。
【００１８】しかも、請求項２や３の発明にあっては、
窒化チタン膜を酸素でスタッフする場合、単に大気に放
出するのではなく、窒化チタン膜を酸素雰囲気中でアニ
−ル処理したり、窒化チタン膜の形成時に酸素ガスを添
加したりするので、バリヤ性のより高いものとなる。
窒化チタン膜を酸素でスタッフする場合、単に大気に放
出するのではなく、窒化チタン膜を酸素雰囲気中でアニ
−ル処理したり、窒化チタン膜の形成時に酸素ガスを添
加したりするので、バリヤ性のより高いものとなる。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例を各図面に基づいて説明す
る。図１は第１実施例における半導体装置の製造プロセ
スを示す断面図である。
る。図１は第１実施例における半導体装置の製造プロセ
スを示す断面図である。
【００２０】まず、ｐ形のシリコン（Ｓｉ）基板１に選
択酸化法（ＬＯＣＯＳ）法によりフィ−ルド酸化膜３を
形成し、Ｓｉ基板１にリン（Ｐ）をイオン注入してＮ形
の拡散層９を形成する。更に、ＣＶＤ法により層間絶縁
膜としてのシリコン酸化膜１０を６００ｎｍ堆積した
後、通常のリソグラフィ技術、エッチング技術により前
記拡散層９に通じるコンタクトホ−ル１１を形成する
（Ａ）。
択酸化法（ＬＯＣＯＳ）法によりフィ−ルド酸化膜３を
形成し、Ｓｉ基板１にリン（Ｐ）をイオン注入してＮ形
の拡散層９を形成する。更に、ＣＶＤ法により層間絶縁
膜としてのシリコン酸化膜１０を６００ｎｍ堆積した
後、通常のリソグラフィ技術、エッチング技術により前
記拡散層９に通じるコンタクトホ−ル１１を形成する
（Ａ）。
【００２１】次に、前記コンタクトホ−ル１１内及び酸
化膜１０上に、マグネトロンスパッタ法を用い、真空中
でチタン（Ｔｉ）膜１２を５０ｎｍ、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜１３を１２０ｎｍ堆積させる。その後、基板１を
一度大気中に放出して前記ＴｉＮ膜１３を大気中の酸素
でスタッフする（この時、図示しないがＴｉＮ膜１３の
表面にはＴｉＯＮ膜が形成される）（Ｂ）。
化膜１０上に、マグネトロンスパッタ法を用い、真空中
でチタン（Ｔｉ）膜１２を５０ｎｍ、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜１３を１２０ｎｍ堆積させる。その後、基板１を
一度大気中に放出して前記ＴｉＮ膜１３を大気中の酸素
でスタッフする（この時、図示しないがＴｉＮ膜１３の
表面にはＴｉＯＮ膜が形成される）（Ｂ）。
【００２２】そして、スパッタエッチ法により前記Ｔｉ
Ｎ膜１３の表面を深さ２０ｎｍだけエッチング除去する
（Ｃ）。
Ｎ膜１３の表面を深さ２０ｎｍだけエッチング除去する
（Ｃ）。
【００２３】最後に、再びマグネトロンスパッタ法によ
り、前記ＴｉＮ膜１３上にＡｌ合金膜１４（例えばＡｌ
−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％））を形成する。これ
により、ＴｉＮ膜１３の（１１１）配向を引き継いでＡ
ｌ合金膜１４が（１１１）方位で成長する。
り、前記ＴｉＮ膜１３上にＡｌ合金膜１４（例えばＡｌ
−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％））を形成する。これ
により、ＴｉＮ膜１３の（１１１）配向を引き継いでＡ
ｌ合金膜１４が（１１１）方位で成長する。
【００２４】その後は、通常のリソグラフィ技術、エッ
チング技術によりＡｌ合金膜１４を配線として加工す
る。
チング技術によりＡｌ合金膜１４を配線として加工す
る。
【００２５】尚、本実施例では、ＴｉＮ膜１３を酸素で
スタッフする手段として、一度基板を大気に放出した
が、次の第２、第３実施例のように、ＴｉＮ膜１３の形
成時に酸素ガスを添加したり、基板を希釈酸素雰囲気中
でアニ−ル処理してもよい。
スタッフする手段として、一度基板を大気に放出した
が、次の第２、第３実施例のように、ＴｉＮ膜１３の形
成時に酸素ガスを添加したり、基板を希釈酸素雰囲気中
でアニ−ル処理してもよい。
【００２６】図２は本発明の第２実施例における半導体
装置の製造プロセスを示す断面図である。
装置の製造プロセスを示す断面図である。
【００２７】まず、第１実施例と同様にＰ形Ｓｉ基板１
上にトランジスタ２、フィ−ルド酸化膜３、シリコン酸
化膜１０、コンタクトホ−ル１１を形成する（Ａ）。
上にトランジスタ２、フィ−ルド酸化膜３、シリコン酸
化膜１０、コンタクトホ−ル１１を形成する（Ａ）。
【００２８】次に、前記コンタクトホ−ル１１内及び酸
化膜１０上に、マグネトロンスパッタ法を用い、真空中
でチタン（Ｔｉ）膜１５を５０ｎｍ、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜１６を５０ｎｍ堆積させ、その後、基板ユニット
を希釈酸素雰囲気中でアニ−ル処理することにより、Ｔ
ｉＮ膜１６を酸素でスタッフする（この時、図示しない
が第１実施例と同様ＴｉＮ膜１６の表面にＴｉＯＮ膜が
形成される）（Ｂ）。
化膜１０上に、マグネトロンスパッタ法を用い、真空中
でチタン（Ｔｉ）膜１５を５０ｎｍ、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜１６を５０ｎｍ堆積させ、その後、基板ユニット
を希釈酸素雰囲気中でアニ−ル処理することにより、Ｔ
ｉＮ膜１６を酸素でスタッフする（この時、図示しない
が第１実施例と同様ＴｉＮ膜１６の表面にＴｉＯＮ膜が
形成される）（Ｂ）。
【００２９】最後に、再びマグネトロンスパッタ法によ
り、真空中で、ＴｉＮ膜１７及びＡｌ合金膜１８（例え
ばＡｌ−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％））を連続して
形成する。これにより、ＴｉＮ膜１７の（１１１）配向
を引き継いでＡｌ合金膜１８が（１１１）方位で成長す
る。
り、真空中で、ＴｉＮ膜１７及びＡｌ合金膜１８（例え
ばＡｌ−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％））を連続して
形成する。これにより、ＴｉＮ膜１７の（１１１）配向
を引き継いでＡｌ合金膜１８が（１１１）方位で成長す
る。
【００３０】下表は本発明の実施例と従来例の夫々の構
造におけるＡｌ合金薄膜の配向性をＸ線回折法で調べた
結果を示している。表中は従来例を示し、はＡｌ
合金（AlSiCu）単層構造、はAlSiCu//TiN/Ti積層構造
である。また、は本実施例を示し、は第１実施例
（AlSiCu/スパッタエッチ//TiN/Ti積層構造）、は第２実施
例（AlSiCu/TiN//TiN/Ti積層構造）である。
造におけるＡｌ合金薄膜の配向性をＸ線回折法で調べた
結果を示している。表中は従来例を示し、はＡｌ
合金（AlSiCu）単層構造、はAlSiCu//TiN/Ti積層構造
である。また、は本実施例を示し、は第１実施例
（AlSiCu/スパッタエッチ//TiN/Ti積層構造）、は第２実施
例（AlSiCu/TiN//TiN/Ti積層構造）である。
【００３１】下表から明らかな通り、本発明の実施例
の構造は、従来例の構造に比べて、Ａｌ合金薄膜
の（１１１）配向性が優れていることが分かる。
の構造は、従来例の構造に比べて、Ａｌ合金薄膜
の（１１１）配向性が優れていることが分かる。
【００３２】尚、下表において、Ｘ線回折法ではＡｌ
（３１１）方位も示していたが、このデ−タはＴｉＮ
（２２２）のデ−タと重なって検出することになるので
誤差が大きく、判断の対象から除外した。
（３１１）方位も示していたが、このデ−タはＴｉＮ
（２２２）のデ−タと重なって検出することになるので
誤差が大きく、判断の対象から除外した。
【００３３】
【表１】
【００３４】また、図３は前記〜の構造の半導体回
路に所定電流を流したときに、回路が故障するまでの時
間（平均故障時間、即ち、この時間が長いほどエレクト
ロマイグレ−ション耐性が良好であるといえる）を測定
したものである。
路に所定電流を流したときに、回路が故障するまでの時
間（平均故障時間、即ち、この時間が長いほどエレクト
ロマイグレ−ション耐性が良好であるといえる）を測定
したものである。
【００３５】図から明らかな通り、本発明の実施例
の構造によれば、従来例の構造に比べて、エレクト
ロマイグレ−ション耐性が数倍〜数十倍も良好であるこ
とが分かる。
の構造によれば、従来例の構造に比べて、エレクト
ロマイグレ−ション耐性が数倍〜数十倍も良好であるこ
とが分かる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法にあって
は、Ａｌ合金膜が窒化チタン膜の配向を引き継いで成長
するので、積層構造でありながら、エレクトロマイグレ
−ション耐性に優れた配線を得ることができる。
は、Ａｌ合金膜が窒化チタン膜の配向を引き継いで成長
するので、積層構造でありながら、エレクトロマイグレ
−ション耐性に優れた配線を得ることができる。
【００３７】しかも、請求項２や３の発明にあっては、
窒化チタン膜を酸素でスタッフする場合、単に大気に放
出するのではなく、窒化チタン膜を酸素雰囲気中でアニ
−ル処理したり、窒化チタン膜の形成時に酸素ガスを添
加したりするので、バリヤ性のより高いものとなり、Ａ
ｌとＳｉの相互拡散をより良好に防止することができ
る。
窒化チタン膜を酸素でスタッフする場合、単に大気に放
出するのではなく、窒化チタン膜を酸素雰囲気中でアニ
−ル処理したり、窒化チタン膜の形成時に酸素ガスを添
加したりするので、バリヤ性のより高いものとなり、Ａ
ｌとＳｉの相互拡散をより良好に防止することができ
る。
【図１】本発明の第１実施例における半導体装置の製造
プロセスを示す断面図である。
プロセスを示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例における半導体装置の製造
プロセスを示す断面図である。
プロセスを示す断面図である。
【図３】本発明の実施例と従来例との装置の平均故障時
間を比較した特性図である。
間を比較した特性図である。
【図４】従来例における半導体装置の製造プロセスを示
す断面図である。
す断面図である。
１ 半導体基板 １１ コンタクトホ−ル １２，１５ チタン膜 １３，１６，１７ 窒化チタン膜 １４，１８ アルミニウム合金膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−
ルを形成する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル
内にチタン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化
チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜に酸素を
添加する工程と、前記窒化チタン膜を所定深さだけエッ
チング除去した後にアルミニウム合金膜を形成する工程
とを行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−
ルを形成する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル
内にチタン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化
チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜を酸素雰
囲気中でアニ−ル処理する工程と、この窒化チタン膜の
上に更に窒化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタ
ン膜の上にアルミニウム合金膜を形成する工程とを行う
ことを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホ−
ルを形成する工程と、少なくともこのコンタクトホ−ル
内にチタン膜を形成する工程と、このチタン膜上に窒化
チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜の形成時
に酸素ガスを添加する工程と、この窒化チタン膜の上に
更に窒化チタン膜を形成する工程と、この窒化チタン膜
の上にアルミニウム合金膜を形成する工程とを行うこと
を特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019392A JPH06140403A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019392A JPH06140403A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140403A true JPH06140403A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17752961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29019392A Pending JPH06140403A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140403A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475907B1 (en) | 1999-04-20 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Semiconductor device having a barrier metal layer and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29019392A patent/JPH06140403A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475907B1 (en) | 1999-04-20 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Semiconductor device having a barrier metal layer and method for manufacturing the same |
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