JPH06135882A - ２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びそれを使用した液晶組成物 - Google Patents
２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びそれを使用した液晶組成物Info
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- JPH06135882A JPH06135882A JP28881792A JP28881792A JPH06135882A JP H06135882 A JPH06135882 A JP H06135882A JP 28881792 A JP28881792 A JP 28881792A JP 28881792 A JP28881792 A JP 28881792A JP H06135882 A JPH06135882 A JP H06135882A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式（Ｉ）で示される２位が不斉炭素
である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びこれ
を含む液晶組成物 【化１】 （式中、Ｒ1 は置換基を有していてもよいアルキル基；
−Ｘ−は−Ｏ−，ｎは０又は１；−Ａ−は窒素原子を含
んでいてもよい６員環により構成される環基；−Ｙ−は
−ＣＯＯ−，−ＣＨ2 Ｏ−，ｍは０又は１；Ｚは水素原
子又はハロゲン原子；Ｒ2 は置換基を有していてもよい
アルキル基又はアリル基；＊は不斉炭素原子を示す。） 【効果】 本発明のテトラロン誘導体及びその液晶組成
物は液晶テレビ等のディスプレイ、光プリンターヘッ
ド、光フーリエ変換素子等に使用する強誘電性液晶組成
物の成分として有用である。
である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びこれ
を含む液晶組成物 【化１】 （式中、Ｒ1 は置換基を有していてもよいアルキル基；
−Ｘ−は−Ｏ−，ｎは０又は１；−Ａ−は窒素原子を含
んでいてもよい６員環により構成される環基；−Ｙ−は
−ＣＯＯ−，−ＣＨ2 Ｏ−，ｍは０又は１；Ｚは水素原
子又はハロゲン原子；Ｒ2 は置換基を有していてもよい
アルキル基又はアリル基；＊は不斉炭素原子を示す。） 【効果】 本発明のテトラロン誘導体及びその液晶組成
物は液晶テレビ等のディスプレイ、光プリンターヘッ
ド、光フーリエ変換素子等に使用する強誘電性液晶組成
物の成分として有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な２位が不斉炭素で
ある２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体に関するも
のであり、詳しくは液晶組成物の成分として有用な２位
が不斉炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導
体に関するものである。
ある２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体に関するも
のであり、詳しくは液晶組成物の成分として有用な２位
が不斉炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶化合物が電気光学表示装置に利用さ
れて以来、数多くの液晶化合物が合成され、ネマチック
液晶またはネマチック−コレステリック液晶が、ねじれ
ネマチックモード表示素子、コレステリック−ネマチッ
ク相転移現象利用表示素子またはゲスト・ホスト効果利
用表示素子等に広く利用されている。
れて以来、数多くの液晶化合物が合成され、ネマチック
液晶またはネマチック−コレステリック液晶が、ねじれ
ネマチックモード表示素子、コレステリック−ネマチッ
ク相転移現象利用表示素子またはゲスト・ホスト効果利
用表示素子等に広く利用されている。
【０００３】しかしこれらの表示素子の応答速度は最高
でも数ｍｓｅｃのオーダーであり、この点が液晶表示素
子の応用範囲をせばめる一因となっている。これに対し
て強誘電性を示す液晶、即ち強誘電性液晶を用いると、
μｓｅｃオーダーの高速で応答が得られるということが
最近になって確認された。従来より知られている強誘電
性液晶の例としては、１９７５年にＲ．Ｂ．Ｍｅｙｅｒ
らにより合成された４−（４′−ｎ−デシルオキシベン
ジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチルエステル
（以下、「ＤＯＢＡＭＢＣ」と記す。）が挙げられる。
ＤＯＢＡＭＢＣはそのカイラルスメクチック相（以下、
「Ｓｍｃ*」と記す。）において強誘電性を示すことを
特徴としている（Ｊ．Ｐｈｙｓｉｑｕｅ．３６ Ｌ−６
９（１９７５））。
でも数ｍｓｅｃのオーダーであり、この点が液晶表示素
子の応用範囲をせばめる一因となっている。これに対し
て強誘電性を示す液晶、即ち強誘電性液晶を用いると、
μｓｅｃオーダーの高速で応答が得られるということが
最近になって確認された。従来より知られている強誘電
性液晶の例としては、１９７５年にＲ．Ｂ．Ｍｅｙｅｒ
らにより合成された４−（４′−ｎ−デシルオキシベン
ジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチルエステル
（以下、「ＤＯＢＡＭＢＣ」と記す。）が挙げられる。
ＤＯＢＡＭＢＣはそのカイラルスメクチック相（以下、
「Ｓｍｃ*」と記す。）において強誘電性を示すことを
特徴としている（Ｊ．Ｐｈｙｓｉｑｕｅ．３６ Ｌ−６
９（１９７５））。
【０００４】そして１９８０年にＮ．Ａ．Ｃｌａｒｋら
がＤＯＢＡＭＢＣを使用した薄膜セルにおいてμｓｅｃ
オーダーの高速応答が得られることを見出して以来（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３６ ８９（１９８
０））、多くの強誘電性液晶の合成研究がなされてき
た。しかしながら、現在において 室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から高温
までのできるだけ広い範囲で強誘電性液晶状態を示す。 水分、空気、光、熱等に対して安定である。 自発分極が大きく低粘性である。 応答速度が速い。 駆動電圧が低い。 等の要求特性の全てを単一化合物で満たす強誘電性液晶
化合物はなく、何種類かの液晶化合物どうし、または液
晶化合物と非液晶化合物を混合した液晶組成物を強誘電
性液晶表示素子に使用することによって目的を達してい
るのが現状である。
がＤＯＢＡＭＢＣを使用した薄膜セルにおいてμｓｅｃ
オーダーの高速応答が得られることを見出して以来（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３６ ８９（１９８
０））、多くの強誘電性液晶の合成研究がなされてき
た。しかしながら、現在において 室温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から高温
までのできるだけ広い範囲で強誘電性液晶状態を示す。 水分、空気、光、熱等に対して安定である。 自発分極が大きく低粘性である。 応答速度が速い。 駆動電圧が低い。 等の要求特性の全てを単一化合物で満たす強誘電性液晶
化合物はなく、何種類かの液晶化合物どうし、または液
晶化合物と非液晶化合物を混合した液晶組成物を強誘電
性液晶表示素子に使用することによって目的を達してい
るのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決する強誘電性液晶表示素子の材料として好適
な、新規な２位が不斉炭素である２，６−ジ置換−１−
テトラロン誘導体を提供することを目的とする。
題点を解決する強誘電性液晶表示素子の材料として好適
な、新規な２位が不斉炭素である２，６−ジ置換−１−
テトラロン誘導体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は請求項２に記載
の一般式（Ｉ）で表わされる２位が不斉炭素である２，
６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及び該誘導体を含む
液晶組成物を要旨とするものである。一般式中、−Ａ−
は窒素原子を含んでいてもよい６員環より構成される環
基を示し、フッ素原子、塩素原子またはシアノ基で置換
されていてもよい。具体的には、
の一般式（Ｉ）で表わされる２位が不斉炭素である２，
６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及び該誘導体を含む
液晶組成物を要旨とするものである。一般式中、−Ａ−
は窒素原子を含んでいてもよい６員環より構成される環
基を示し、フッ素原子、塩素原子またはシアノ基で置換
されていてもよい。具体的には、
【０００７】
【化２】
【０００８】を示す。また、Ｚは水素原子、メチル基、
フッ素原子または塩素原子を示す。本発明の２位が不斉
炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体は前
記一般式（Ｉ）で表わされ、式中、Ｒ1 としては置換基
を有していてもよい炭素数２〜１８のアルキル基を示
し、好ましくは炭素数３〜１２の直鎖または分岐鎖状ア
ルキル基が挙げられ、置換基としてはフッ素原子、塩素
原子等のハロゲン原子が挙げられる。Ｒ1 の代表的なも
のとしては、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル
基、ｎ−ドデシル基等の直鎖状アルキル基；２−メチル
ブチル基、３−メチルブチル基、２−メチルオクチル基
等の光学活性であってもよい分岐鎖状アルキル基；光学
活性でもよい、ハロゲン原子で置換された以下の基−Ｃ
Ｈ（ＣＦ3 ）−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨ2 −ＣＨ（ＣＦ
3 ）−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨＦ−Ｃ8 Ｈ17（ｎ），−
ＣＨ2 −ＣＨＦ−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨ（ＣＨ2 Ｆ）
−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨ（ＣＨＦ2 ）−Ｃ6 Ｈ
13（ｎ），−Ｃ6 Ｆ13（ｎ），−ＣＨＣｌ−Ｃ6 Ｈ
13（ｎ），−ＣＨ2 −ＣＨＣｌ−Ｃ6 Ｆ13（ｎ）等が挙
げられる。
フッ素原子または塩素原子を示す。本発明の２位が不斉
炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体は前
記一般式（Ｉ）で表わされ、式中、Ｒ1 としては置換基
を有していてもよい炭素数２〜１８のアルキル基を示
し、好ましくは炭素数３〜１２の直鎖または分岐鎖状ア
ルキル基が挙げられ、置換基としてはフッ素原子、塩素
原子等のハロゲン原子が挙げられる。Ｒ1 の代表的なも
のとしては、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル
基、ｎ−ドデシル基等の直鎖状アルキル基；２−メチル
ブチル基、３−メチルブチル基、２−メチルオクチル基
等の光学活性であってもよい分岐鎖状アルキル基；光学
活性でもよい、ハロゲン原子で置換された以下の基−Ｃ
Ｈ（ＣＦ3 ）−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨ2 −ＣＨ（ＣＦ
3 ）−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨＦ−Ｃ8 Ｈ17（ｎ），−
ＣＨ2 −ＣＨＦ−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨ（ＣＨ2 Ｆ）
−Ｃ6 Ｈ13（ｎ），−ＣＨ（ＣＨＦ2 ）−Ｃ6 Ｈ
13（ｎ），−Ｃ6 Ｆ13（ｎ），−ＣＨＣｌ−Ｃ6 Ｈ
13（ｎ），−ＣＨ2 −ＣＨＣｌ−Ｃ6 Ｆ13（ｎ）等が挙
げられる。
【０００９】Ｒ2 としてはフッ素原子、塩素原子等のハ
ロゲン原子を置換基として有していても良い炭素数２〜
１８のアルキル基、好ましくは炭素数３〜１２の直鎖ま
たは光学活性であってもよい分岐鎖状アルキル基を、ま
たは−ＣＨ2 −ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ3 （ただしＲ3 は水素原
子または炭素数１〜１５のアルキル基を示す。）で表わ
されるアリル基を示す。Ｒ2 の代表的なものとしては、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノ
ニル基、イソプロピル基、２−メチルブチル基、３−メ
チルブチル基、−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝
ＣＨ−ＣＨ3 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ 2 Ｈ5 ，−ＣＨ
2 ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ3 Ｈ7 等が挙げられる。
ロゲン原子を置換基として有していても良い炭素数２〜
１８のアルキル基、好ましくは炭素数３〜１２の直鎖ま
たは光学活性であってもよい分岐鎖状アルキル基を、ま
たは−ＣＨ2 −ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ3 （ただしＲ3 は水素原
子または炭素数１〜１５のアルキル基を示す。）で表わ
されるアリル基を示す。Ｒ2 の代表的なものとしては、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノ
ニル基、イソプロピル基、２−メチルブチル基、３−メ
チルブチル基、−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝
ＣＨ−ＣＨ3 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ 2 Ｈ5 ，−ＣＨ
2 ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ3 Ｈ7 等が挙げられる。
【００１０】本発明の一般式（Ｉ）の２位が不斉炭素で
ある２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体は例えば公
知の反応によりＲ2 を光学活性に導入することにより製
造することができる。例えばＹが−ＣＯＯ−または−Ｃ
Ｈ2 Ｏ−（ｍ＝１）の場合
ある２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体は例えば公
知の反応によりＲ2 を光学活性に導入することにより製
造することができる。例えばＹが−ＣＯＯ−または−Ｃ
Ｈ2 Ｏ−（ｍ＝１）の場合
【００１１】
【化３】
【００１２】（反応式（ａ）（ｂ）（ｃ）中、Ｒ1 ，Ｒ
2 ，Ｘ，Ｙ，Ａは前記一般式（Ｉ）におけると同意義を
示す。）上記反応式中、（ａ）は例えばピリジン中、あ
るいはジオキサン、ＴＨＦ等のエーテル系溶媒中又はベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中、又は四
塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化
炭化水素系溶媒中、又はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒中、ピリジ
ン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸剤又
は炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等
の無機系脱酸剤の存在下で０〜１５０℃の温度で反応さ
せることにより実施することができる。
2 ，Ｘ，Ｙ，Ａは前記一般式（Ｉ）におけると同意義を
示す。）上記反応式中、（ａ）は例えばピリジン中、あ
るいはジオキサン、ＴＨＦ等のエーテル系溶媒中又はベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒中、又は四
塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化
炭化水素系溶媒中、又はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒中、ピリジ
ン、キノリン、トリエチルアミン等のアミン系脱酸剤又
は炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等
の無機系脱酸剤の存在下で０〜１５０℃の温度で反応さ
せることにより実施することができる。
【００１３】（ｂ）の反応は例えば無溶媒又は塩化メチ
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒中、
ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒中、塩化アルミニウ
ムを０〜１５０℃の温度で反応させることにより実施す
ることができる。（ｃ）の反応は例えばアルゴン、窒素
等の不活性ガス中、トルエン、ベンゼン、ヘキサン等の
炭化水素系溶媒中、又はエーテル、ＴＨＦ等のエーテル
系溶媒中、−７８〜０℃にてキラルリチウムアミド例え
ば
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒中、
ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒中、塩化アルミニウ
ムを０〜１５０℃の温度で反応させることにより実施す
ることができる。（ｃ）の反応は例えばアルゴン、窒素
等の不活性ガス中、トルエン、ベンゼン、ヘキサン等の
炭化水素系溶媒中、又はエーテル、ＴＨＦ等のエーテル
系溶媒中、−７８〜０℃にてキラルリチウムアミド例え
ば
【００１４】
【化４】
【００１５】のような式で表わされる化合物を用いて脱
プロトン化し、ハロゲン化アルキルあるいはハロゲン化
アリルを反応させることにより実施することができる。
（ｃ）の反応は例えばＭ．Ｍｕｒａｋａｔａ，Ｍ．Ｎａ
ｋａｊｉｍａ，Ｋ．Ｋｏｇａ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９０，１６５７
に準じて行なうことができる。本発明の２位が不斉炭素
である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体の具体例
として例えば次の表−１に示すものを挙げることができ
る。
プロトン化し、ハロゲン化アルキルあるいはハロゲン化
アリルを反応させることにより実施することができる。
（ｃ）の反応は例えばＭ．Ｍｕｒａｋａｔａ，Ｍ．Ｎａ
ｋａｊｉｍａ，Ｋ．Ｋｏｇａ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９０，１６５７
に準じて行なうことができる。本発明の２位が不斉炭素
である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体の具体例
として例えば次の表−１に示すものを挙げることができ
る。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】このような本発明の２位が不斉炭素である
２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体はそれら自体あ
るいは他の液晶化合物と混合することにより液晶組成物
用成分として用いることができる。本発明の２位が不斉
炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体を公
知の液晶化合物と組み合わせて液晶組成物とする場合、
液晶化合物としてはエステル系、ジエステル系、アゾキ
シ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、シクロヘキシルヘキサ
ン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系、或いはベン
ゼン環、シクロヘキサン環より成る多環化合物系等が挙
げられる。
２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体はそれら自体あ
るいは他の液晶化合物と混合することにより液晶組成物
用成分として用いることができる。本発明の２位が不斉
炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体を公
知の液晶化合物と組み合わせて液晶組成物とする場合、
液晶化合物としてはエステル系、ジエステル系、アゾキ
シ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系、ビフェニル
系、フェニルシクロヘキサン系、シクロヘキシルヘキサ
ン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系、或いはベン
ゼン環、シクロヘキサン環より成る多環化合物系等が挙
げられる。
【００２１】更に、本発明の２位が不斉炭素である２，
６−ジ置換−１−テトラロン誘導体により液晶組成物を
形成する場合、公知の二色性色素、光安定化剤或いは減
粘剤等の添加剤を併用することもできる。
６−ジ置換−１−テトラロン誘導体により液晶組成物を
形成する場合、公知の二色性色素、光安定化剤或いは減
粘剤等の添加剤を併用することもできる。
【００２２】
【作用】前記一般式（Ｉ）で表わされる２位が不斉炭素
である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体によれ
ば、強誘電性液晶の要求特性を十分に満足する組成物が
提供される。
である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体によれ
ば、強誘電性液晶の要求特性を十分に満足する組成物が
提供される。
【００２３】
【実施例】次に合成例及び実施例を挙げて本発明をより
具体的に説明するが、本発明はその要旨をこえない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ ２−アリル−６−（４−ｎ−オクチルオキシフェニルメ
チルオキシ）テトラロン （一般式（Ｉ）においてＲ1 ＝−Ｃ8 Ｈ17（ｎ），Ｘ＝
−Ｏ−，−Ａ−＝１，４−フェニレン基Ｙ＝−ＣＨ2 Ｏ
−，Ｚ＝−Ｈ，Ｒ2 ＝−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 で表わされ
る化合物）の合成 （１）６−ヒドロキシテトラロン０．６５ｇをアセトニ
トリル１５ｍｌに溶解し、炭酸カリウム１．２２ｇと４
−ｎ−オクチルオキシフェニルメチレンクロライド１．
１２ｇを加え、１３時間加熱還流した後、反応液を水１
００ｍｌ中に注加した。トルエンにて抽出し、有機層を
飽和食塩水にて洗浄後硫酸マグネシウムにて乾燥した。
トルエンを留去した後、シリカゲルカラムクロマトを用
いて精製することにより６−（４−ｎ−オクチルオキシ
フェニルメチルオキシ）テトラロン１．１５ｇを得た。
具体的に説明するが、本発明はその要旨をこえない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ ２−アリル−６−（４−ｎ−オクチルオキシフェニルメ
チルオキシ）テトラロン （一般式（Ｉ）においてＲ1 ＝−Ｃ8 Ｈ17（ｎ），Ｘ＝
−Ｏ−，−Ａ−＝１，４−フェニレン基Ｙ＝−ＣＨ2 Ｏ
−，Ｚ＝−Ｈ，Ｒ2 ＝−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 で表わされ
る化合物）の合成 （１）６−ヒドロキシテトラロン０．６５ｇをアセトニ
トリル１５ｍｌに溶解し、炭酸カリウム１．２２ｇと４
−ｎ−オクチルオキシフェニルメチレンクロライド１．
１２ｇを加え、１３時間加熱還流した後、反応液を水１
００ｍｌ中に注加した。トルエンにて抽出し、有機層を
飽和食塩水にて洗浄後硫酸マグネシウムにて乾燥した。
トルエンを留去した後、シリカゲルカラムクロマトを用
いて精製することにより６−（４−ｎ−オクチルオキシ
フェニルメチルオキシ）テトラロン１．１５ｇを得た。
【００２４】
【表５】 元素分析：計算値 Ｃ：７８．９１％ Ｈ：８．４８％
Ｏ：１２．６１％ 分析値 Ｃ：７８．７８％ Ｈ：８．６４％ Ｏ：１
２．５８％ Ｍａｓｓ：３８０（Ｍ+ ），２６７，２４７，２１９，
１３３，１０７，７７，４３，２９ （２）以下の反応は窒素ガス雰囲気下行なった。臭素化
リチウム２６７ｍｇに、下記の式で表わされる不斉配位
子
Ｏ：１２．６１％ 分析値 Ｃ：７８．７８％ Ｈ：８．６４％ Ｏ：１
２．５８％ Ｍａｓｓ：３８０（Ｍ+ ），２６７，２４７，２１９，
１３３，１０７，７７，４３，２９ （２）以下の反応は窒素ガス雰囲気下行なった。臭素化
リチウム２６７ｍｇに、下記の式で表わされる不斉配位
子
【００２５】
【化５】
【００２６】１．００９ｇの１９ｍｌトルエン溶液を加
え臭素化リチウムを溶解した。−２０℃に冷却し、１．
８５Ｎブチルリチウム／ヘキサン溶液１．５１ｍｌを滴
下し、３０分間攪拌した後、上記（１）で得られたテト
ラロン誘導体１．０６６ｇの８ｍｌトルエン溶液を滴下
し、３０分間攪拌した。−７８℃に冷却しアリルブロミ
ド２．４２ｍｌの５ｍｌトルエン溶液を滴下して−４５
℃で１時間撹拌後、−２０℃にて１４日間反応させた。
１０％クエン酸２８ｍｌを加え室温まで昇温し、水５０
ｍｌ中に注加した。ペンタンとエーテルを用いて抽出
し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水にて順次洗浄後、
硫酸マグネシウムにて乾燥した。溶媒を留去した後シリ
カゲルカラムクロマトを用いて精製することにより、目
的の下記の式で表わされる２，６−ジ置換−１−テトラ
ロン誘導体３６３ｍｇを得た。
え臭素化リチウムを溶解した。−２０℃に冷却し、１．
８５Ｎブチルリチウム／ヘキサン溶液１．５１ｍｌを滴
下し、３０分間攪拌した後、上記（１）で得られたテト
ラロン誘導体１．０６６ｇの８ｍｌトルエン溶液を滴下
し、３０分間攪拌した。−７８℃に冷却しアリルブロミ
ド２．４２ｍｌの５ｍｌトルエン溶液を滴下して−４５
℃で１時間撹拌後、−２０℃にて１４日間反応させた。
１０％クエン酸２８ｍｌを加え室温まで昇温し、水５０
ｍｌ中に注加した。ペンタンとエーテルを用いて抽出
し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水にて順次洗浄後、
硫酸マグネシウムにて乾燥した。溶媒を留去した後シリ
カゲルカラムクロマトを用いて精製することにより、目
的の下記の式で表わされる２，６−ジ置換−１−テトラ
ロン誘導体３６３ｍｇを得た。
【００２７】
【化６】
【００２８】〔α〕26 D −１９．１° （ｃ １．０
０、クロロホルム） ＩＲ（ＫＢｒ）；３４５０，３２００，２９４０，２８
６０，１６７０，１６４０，１６２０，１６００，１５
２０，１４７０，１３８０，１３６０，１３４０，１３
００，１２８０，１２６０，１２３０，１１８０，１１
７０，１１１０，９９０ｃｍ-1 Ｍａｓｓ：４２０（Ｍ+ ），３０８，２１９，１３１，
１０７，７７，４３，２９ この化合物の融点は８９．５℃であった。
０、クロロホルム） ＩＲ（ＫＢｒ）；３４５０，３２００，２９４０，２８
６０，１６７０，１６４０，１６２０，１６００，１５
２０，１４７０，１３８０，１３６０，１３４０，１３
００，１２８０，１２６０，１２３０，１１８０，１１
７０，１１１０，９９０ｃｍ-1 Ｍａｓｓ：４２０（Ｍ+ ），３０８，２１９，１３１，
１０７，７７，４３，２９ この化合物の融点は８９．５℃であった。
【００２９】実施例２ ６−（２−アリルテトラロン）４−ｎ−オクチルオキシ
フェニルベンゾエート（一般式（Ｉ）においてＲ1 ＝−
Ｃ8 Ｈ17（ｎ），Ｘ＝−Ｏ−，−Ａ−＝１，４−フェニ
レン基Ｙ＝−ＣＯＯ−，Ｚ＝−Ｈ，Ｒ2 ＝−ＣＨ2 ＣＨ
＝ＣＨ2 で表わされる化合物）の合成 （１）４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸６８１ｍｇに塩
化チオニル１２ｍｌを加え、３時間半加熱還流した後、
過剰の塩化チオニルを減圧留去し、４−ｎ−オクチルオ
キシ安息香酸塩化物を得た。
フェニルベンゾエート（一般式（Ｉ）においてＲ1 ＝−
Ｃ8 Ｈ17（ｎ），Ｘ＝−Ｏ−，−Ａ−＝１，４−フェニ
レン基Ｙ＝−ＣＯＯ−，Ｚ＝−Ｈ，Ｒ2 ＝−ＣＨ2 ＣＨ
＝ＣＨ2 で表わされる化合物）の合成 （１）４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸６８１ｍｇに塩
化チオニル１２ｍｌを加え、３時間半加熱還流した後、
過剰の塩化チオニルを減圧留去し、４−ｎ−オクチルオ
キシ安息香酸塩化物を得た。
【００３０】この塩化物全量を塩化メチレン１０ｍｌに
溶解した溶液を６−ヒドロキシテトラロン４００ｍｇを
塩化メチレン１０ｍｌとピリジン１０ｍｌに溶解した溶
液中に氷冷下滴下した。４−ジメチルアミノピリジン３
１ｍｇを加え、室温にて２時間撹拌した後、一晩放置
し、水１００ｍｌ中に注加した。クロロホルムにて抽出
し、有機層を２Ｎ塩酸、飽和食塩水にて順次洗浄した
後、硫酸マグネシウムにて乾燥した。クロロホルムを留
去した後、シリカゲルカラムクロマトを用いて精製する
ことにより、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸６−テト
ラロンエステル７８４ｍｇを得た。
溶解した溶液を６−ヒドロキシテトラロン４００ｍｇを
塩化メチレン１０ｍｌとピリジン１０ｍｌに溶解した溶
液中に氷冷下滴下した。４−ジメチルアミノピリジン３
１ｍｇを加え、室温にて２時間撹拌した後、一晩放置
し、水１００ｍｌ中に注加した。クロロホルムにて抽出
し、有機層を２Ｎ塩酸、飽和食塩水にて順次洗浄した
後、硫酸マグネシウムにて乾燥した。クロロホルムを留
去した後、シリカゲルカラムクロマトを用いて精製する
ことにより、４−ｎ−オクチルオキシ安息香酸６−テト
ラロンエステル７８４ｍｇを得た。
【００３１】Ｍａｓｓ：３９４（Ｍ+ ），２９５，２６
１，２３３，１２１，９３，６９，４３，２８ （２）以下の反応は窒素ガス雰囲気下行なった。臭素化
リチウム１７４ｍｇに下記の式で表わされる不斉配位子
１，２３３，１２１，９３，６９，４３，２８ （２）以下の反応は窒素ガス雰囲気下行なった。臭素化
リチウム１７４ｍｇに下記の式で表わされる不斉配位子
【００３２】
【化７】
【００３３】５５９ｍｇの１２ｍｌトルエン溶液を加え
超音波洗浄器を用いて臭素化リチウムを溶解した。−２
０℃に冷却し、１．８５Ｎブチルリチウム／ヘキサン溶
液０．９９ｍｌを滴下し、３０分間撹拌した後、上記
（１）で得られたテトラロン誘導体７２０ｍｇの５ｍｌ
トルエン溶液を滴下し、３０分間撹拌した。−７８℃に
冷却しアリルブロミド１．５８ｍｌの３ｍｌトルエン溶
液を滴下して−４５℃で１時間撹拌後、−２０℃にて２
０日間反応させた。１０％クエン酸１８ｍｌを加え、室
温まで昇温し、水５０ｍｌ中に注加した。ペンタンとエ
ーテルを用いて抽出し有機層を飽和重曹水、飽和食塩水
にて順次洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥した。溶媒
を留去した後、シリカゲルカラムクロマトを用いて精製
することにより、目的の下記の式で表わされる２，６−
ジ置換−１−テトラロン誘導体１１１ｍｇを得た。
超音波洗浄器を用いて臭素化リチウムを溶解した。−２
０℃に冷却し、１．８５Ｎブチルリチウム／ヘキサン溶
液０．９９ｍｌを滴下し、３０分間撹拌した後、上記
（１）で得られたテトラロン誘導体７２０ｍｇの５ｍｌ
トルエン溶液を滴下し、３０分間撹拌した。−７８℃に
冷却しアリルブロミド１．５８ｍｌの３ｍｌトルエン溶
液を滴下して−４５℃で１時間撹拌後、−２０℃にて２
０日間反応させた。１０％クエン酸１８ｍｌを加え、室
温まで昇温し、水５０ｍｌ中に注加した。ペンタンとエ
ーテルを用いて抽出し有機層を飽和重曹水、飽和食塩水
にて順次洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥した。溶媒
を留去した後、シリカゲルカラムクロマトを用いて精製
することにより、目的の下記の式で表わされる２，６−
ジ置換−１−テトラロン誘導体１１１ｍｇを得た。
【００３４】
【化８】
【００３５】〔α〕26 D −９．６° （ｃ ０．５２、
クロロホルム） ＩＲ（ＫＢｒ）；３４５０，３２００，２９５０，２８
７０，１７４０，１６８０，１６５０，１６１０，１５
８０，１５２０，１４８０，１４３０，１４００，１３
７０，１３２０，１２７０，１２４０，１２３０，１１
８０，１１６０，１１３０，１１１０，１０７０，１０
６０，１０２０，１０１０ｃｍ-1 Ｍａｓｓ：４３４（Ｍ+ ），２３３，１２１，９３，６
５，４３，２９ この化合物の相転移温度は以下のごとくである。
クロロホルム） ＩＲ（ＫＢｒ）；３４５０，３２００，２９５０，２８
７０，１７４０，１６８０，１６５０，１６１０，１５
８０，１５２０，１４８０，１４３０，１４００，１３
７０，１３２０，１２７０，１２４０，１２３０，１１
８０，１１６０，１１３０，１１１０，１０７０，１０
６０，１０２０，１０１０ｃｍ-1 Ｍａｓｓ：４３４（Ｍ+ ），２３３，１２１，９３，６
５，４３，２９ この化合物の相転移温度は以下のごとくである。
【００３６】
【表６】
【００３７】実施例３ 下記式（II）（III)および（IV）で表わされる非カイラ
ル液晶化合物を下記に示す割合で混合して母体となる液
晶組成物（Ａ）を得た。
ル液晶化合物を下記に示す割合で混合して母体となる液
晶組成物（Ａ）を得た。
【００３８】
【化９】
【００３９】この液晶組成物（Ａ）の相転移温度は、以
下の通りである。
下の通りである。
【表７】 この液晶組成物（Ａ）と下記式で表わされる実施例１の
化合物とを下記に示す割合で混合して液晶組成物（Ｂ）
を得た。
化合物とを下記に示す割合で混合して液晶組成物（Ｂ）
を得た。
【００４０】
【表８】 ２−アリル−６−（４−ｎ−オクチルオキシフェニルメチルオキシ）テトラロ ン ９．１ｗｔ％ 液晶組成物（Ａ） ９０．９ｗｔ％ この液晶組成物（Ｂ）の相転移温度と物性値は以下の通
りである。 物性値 測定温度 自発分極(Ps) チルト角(2θ) 応答速度(τ) （℃） (nc/cm2) （°） （μsec) ２５．０ −２．８５ ２８．４ ２４０ ３３．５(Tc-10℃) −２．１４ ２３．９ ２０８ 物性値の測定にあたってはポリイミド配向膜にラビング
処理を施した厚さ２μｍ程度のセルを用い、自発分極は
三角波法、応答速度は１０ＶP-P の矩形波を印加し０−
９０％の透過光強度により測定した。
りである。 物性値 測定温度 自発分極(Ps) チルト角(2θ) 応答速度(τ) （℃） (nc/cm2) （°） （μsec) ２５．０ −２．８５ ２８．４ ２４０ ３３．５(Tc-10℃) −２．１４ ２３．９ ２０８ 物性値の測定にあたってはポリイミド配向膜にラビング
処理を施した厚さ２μｍ程度のセルを用い、自発分極は
三角波法、応答速度は１０ＶP-P の矩形波を印加し０−
９０％の透過光強度により測定した。
【００４１】
【発明の効果】本発明で提供されるテトラロン誘導体お
よびその組成物は、液晶テレビ等のディスプレイ、光プ
リンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等
に使用する強誘電性液晶組成物用成分として極めて有用
である。
よびその組成物は、液晶テレビ等のディスプレイ、光プ
リンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等
に使用する強誘電性液晶組成物用成分として極めて有用
である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/753 Ｄ 9279−4Ｈ Ｆ 9279−4Ｈ 69/757 Ｚ 9279−4Ｈ 69/76 Ａ 9279−4Ｈ Ｚ 9279−4Ｈ 69/773 9279−4Ｈ 69/92 9279−4Ｈ 69/94 9279−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 237/14 239/34 8615−4Ｃ 241/18 8615−4Ｃ Ｃ０９Ｋ 19/32 7457−4Ｈ 19/34 7457−4Ｈ
Claims (4)
- 【請求項１】 ２位が不斉炭素である２，６−ジ置換−
１−テトラロン誘導体。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）で表わされる２位が不斉炭
素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体。 【化１】 （式中、Ｒ1 は置換基を有していてもよいアルキル基を
示し、−Ｘ−は−Ｏ−を示し、ｎは０又は１を示し、−
Ａ−は窒素原子を含んでいてもよい６員環により構成さ
れる環基を示し、−Ｙ−は、−ＣＯＯ−または−ＣＨ2
Ｏ−を示し、ｍは０又は１を示し、Ｚは水素原子または
ハロゲン原子を示し、Ｒ2 は置換基を有していてもよい
アルキル基または置換基を有していてもよいアリル基を
示し、＊は不斉炭素原子を示す。） - 【請求項３】 請求項１の２位が不斉炭素である２，６
−ジ置換−１−テトラロン誘導体を含む液晶組成物。 - 【請求項４】 請求項２の一般式（Ｉ）で表わされる２
位が不斉炭素である２，６−ジ置換−１−テトラロン誘
導体を含む液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28881792A JPH06135882A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びそれを使用した液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28881792A JPH06135882A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びそれを使用した液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06135882A true JPH06135882A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17735127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28881792A Pending JPH06135882A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ２，６−ジ置換−１−テトラロン誘導体及びそれを使用した液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06135882A (ja) |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP28881792A patent/JPH06135882A/ja active Pending
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