JPH0613481A - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents
電子部品収納用パッケージInfo
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- JPH0613481A JPH0613481A JP16712392A JP16712392A JPH0613481A JP H0613481 A JPH0613481 A JP H0613481A JP 16712392 A JP16712392 A JP 16712392A JP 16712392 A JP16712392 A JP 16712392A JP H0613481 A JPH0613481 A JP H0613481A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- insulating base
- semiconductor element
- package
- electronic part
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】内部の気密封止を完全とし、内部に収容する電
子部品を長期にわたり正常、且つ安定に作動させること
ができる薄型の電子部品収納用パッケージを提供するこ
とにある。 【構成】絶縁基体１と蓋体２とから成り、内部に電子部
品３を収容するための空所を有する電子部品収納用パッ
ケージにおいて、前記絶縁基体１及び蓋体２の少なくと
も一方が酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃
至27.0重量％含有させた焼結体で形成されている。
子部品を長期にわたり正常、且つ安定に作動させること
ができる薄型の電子部品収納用パッケージを提供するこ
とにある。 【構成】絶縁基体１と蓋体２とから成り、内部に電子部
品３を収容するための空所を有する電子部品収納用パッ
ケージにおいて、前記絶縁基体１及び蓋体２の少なくと
も一方が酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃
至27.0重量％含有させた焼結体で形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、水晶振動
子、弾性表面波素子等の電子部品を収容する電子部品収
納用パッケージに関するものである。
子、弾性表面波素子等の電子部品を収容する電子部品収
納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子部品収納用パッケージ、例え
ば半導体素子を収容するためのパッケージは、アルミナ
セラミックス等の電気絶縁材料から成り、中央部に半導
体素子を収容する空所を形成するための凹部を有し、上
面に封止用の低融点ガラス層が被着された絶縁基体と、
同じくアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、中央部に半導体素子を収容する空所を形成するため
の凹部を有し、下面に封止用の低融点ガラス層が被着さ
れた蓋体と、内部に収容する半導体素子を外部の電気回
路に電気的に接続するための外部リード端子とから構成
されており、絶縁基体の上面に外部リード端子を載置さ
せるとともに予め被着させておいた封止用の低融点ガラ
ス層を溶融させることによって外部リード端子を絶縁基
体に仮止めし、次に前記絶縁基体の凹部に半導体素子を
取着するとともに該半導体素子の各電極（入出力電極）
をボンディングワイヤーを介して外部リード端子に電気
的に接続し、しかる後、絶縁基体と蓋体とをその相対向
する各々の主面に被着さておいた封止用の低融点ガラス
層を溶融一体化させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器を
気密に封止することによって製品としての半導体装置と
なる。
ば半導体素子を収容するためのパッケージは、アルミナ
セラミックス等の電気絶縁材料から成り、中央部に半導
体素子を収容する空所を形成するための凹部を有し、上
面に封止用の低融点ガラス層が被着された絶縁基体と、
同じくアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、中央部に半導体素子を収容する空所を形成するため
の凹部を有し、下面に封止用の低融点ガラス層が被着さ
れた蓋体と、内部に収容する半導体素子を外部の電気回
路に電気的に接続するための外部リード端子とから構成
されており、絶縁基体の上面に外部リード端子を載置さ
せるとともに予め被着させておいた封止用の低融点ガラ
ス層を溶融させることによって外部リード端子を絶縁基
体に仮止めし、次に前記絶縁基体の凹部に半導体素子を
取着するとともに該半導体素子の各電極（入出力電極）
をボンディングワイヤーを介して外部リード端子に電気
的に接続し、しかる後、絶縁基体と蓋体とをその相対向
する各々の主面に被着さておいた封止用の低融点ガラス
層を溶融一体化させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器を
気密に封止することによって製品としての半導体装置と
なる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら近時、Ｉ
Ｃカード等、情報処理装置は薄型化が急激に進み、該情
報処理装置に搭載される半導体装置もその厚みを薄くし
たものが要求されるようになり、同時に半導体装置を構
成する半導体素子収納用パッケージもその絶縁基体或い
は蓋体の厚みを0.2mm 程度としてパッケージ全体の厚み
を薄型化することが要求されるようになってきた。
Ｃカード等、情報処理装置は薄型化が急激に進み、該情
報処理装置に搭載される半導体装置もその厚みを薄くし
たものが要求されるようになり、同時に半導体装置を構
成する半導体素子収納用パッケージもその絶縁基体或い
は蓋体の厚みを0.2mm 程度としてパッケージ全体の厚み
を薄型化することが要求されるようになってきた。
【０００４】そこで上述した従来の半導体素子収納用パ
ッケージの絶縁基体、或いは蓋体の厚みを0.2mm 程度と
し、パッケージ全体の厚みを薄くした場合、パッケージ
の絶縁基体及び蓋体は通常、アルミナセラミックス等の
電気絶縁材料より成り該アルミナセラミックスは脆弱で
機械的強度が弱いことから、絶縁基体或いは蓋体の厚み
を薄くすると容器の機械的強度が大幅に低下してしま
い、その結果、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半
導体素子を気密に封止し、半導体装置となした後、絶縁
基体或いは蓋体に外力が印加されると該外力によって絶
縁基体或いは蓋体が容易に破損し、容器内部の気密封止
が破れて内部に収容する半導体素子を長期にわたり正
常、且つ安定に作動させることができなくなるという欠
点を有していた。
ッケージの絶縁基体、或いは蓋体の厚みを0.2mm 程度と
し、パッケージ全体の厚みを薄くした場合、パッケージ
の絶縁基体及び蓋体は通常、アルミナセラミックス等の
電気絶縁材料より成り該アルミナセラミックスは脆弱で
機械的強度が弱いことから、絶縁基体或いは蓋体の厚み
を薄くすると容器の機械的強度が大幅に低下してしま
い、その結果、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半
導体素子を気密に封止し、半導体装置となした後、絶縁
基体或いは蓋体に外力が印加されると該外力によって絶
縁基体或いは蓋体が容易に破損し、容器内部の気密封止
が破れて内部に収容する半導体素子を長期にわたり正
常、且つ安定に作動させることができなくなるという欠
点を有していた。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は内部の気密封止を完全とし、内部に収容
する電子部品を長期にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることができる薄型の電子部品収納用パッケージを提供
することにある。
で、その目的は内部の気密封止を完全とし、内部に収容
する電子部品を長期にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることができる薄型の電子部品収納用パッケージを提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体と蓋
体とから成り、内部に電子部品を収容するための空所を
有する電子部品収納用パッケージにおいて、前記絶縁基
体及び蓋体の少なくとも一方が酸化アルミニウムに酸化
ジルコニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させた焼結体で
形成されていることを特徴とするものである。
体とから成り、内部に電子部品を収容するための空所を
有する電子部品収納用パッケージにおいて、前記絶縁基
体及び蓋体の少なくとも一方が酸化アルミニウムに酸化
ジルコニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させた焼結体で
形成されていることを特徴とするものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明
する。
する。
【０００８】図１は、本発明の電子部品収納用パッケー
ジを半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
に適用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は
蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３
を収容するための容器が構成される。
ジを半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
に適用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は
蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３
を収容するための容器が構成される。
【０００９】前記絶縁基体１及び蓋体２にはそれぞれの
中央部に半導体素子３を収容する空所を形成するための
凹部が設けてあり、絶縁基体１の凹部１ａ底面には半導
体素子３がガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接
着固定される。
中央部に半導体素子３を収容する空所を形成するための
凹部が設けてあり、絶縁基体１の凹部１ａ底面には半導
体素子３がガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接
着固定される。
【００１０】前記絶縁基体１及び蓋体２は酸化アルミニ
ウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させ
た焼結体から成り、例えば酸化アルミニウム（Al2 O
3 ) 、酸化ジルコニウム(ZrO2 ) 、酸化珪素(SiO2 )
、酸化カルシウム(CaO) 、酸化マグネシウム(MgO) 等
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合した原料粉末を図１
に示す絶縁基体１及び蓋体２の形状に対応したプレス型
内に充填させるとともに一定圧力を印加して成形し、し
かる後、前記成形品を約1500℃の温度で焼成することに
よって製作される。
ウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させ
た焼結体から成り、例えば酸化アルミニウム（Al2 O
3 ) 、酸化ジルコニウム(ZrO2 ) 、酸化珪素(SiO2 )
、酸化カルシウム(CaO) 、酸化マグネシウム(MgO) 等
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合した原料粉末を図１
に示す絶縁基体１及び蓋体２の形状に対応したプレス型
内に充填させるとともに一定圧力を印加して成形し、し
かる後、前記成形品を約1500℃の温度で焼成することに
よって製作される。
【００１１】前記絶縁基体１及び蓋体２を構成する酸化
アルミニウムに酸化ジルコニウムを1.0 乃至23.0重量％
含有させた焼結体はその機械強度が60Kg/mm 2 と大きい
ことから、厚みを0.2mm 程度に薄くしても外力印加によ
って破損することは殆どない。
アルミニウムに酸化ジルコニウムを1.0 乃至23.0重量％
含有させた焼結体はその機械強度が60Kg/mm 2 と大きい
ことから、厚みを0.2mm 程度に薄くしても外力印加によ
って破損することは殆どない。
【００１２】また、前記酸化アルミニウムに酸化ジルコ
ニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させた焼結体はその熱
膨張係数が約７．１×１０-6／℃であり、半導体素子を
構成するシリコンの熱膨張率に近いことから、絶縁基体
１に半導体素子３を固定した後、絶縁基体１と半導体素
子３の両者に熱が印加されても両者間に大きな熱応力が
発生することは無く、該応力によって半導体素子３が絶
縁基体１より剥離することはない。
ニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させた焼結体はその熱
膨張係数が約７．１×１０-6／℃であり、半導体素子を
構成するシリコンの熱膨張率に近いことから、絶縁基体
１に半導体素子３を固定した後、絶縁基体１と半導体素
子３の両者に熱が印加されても両者間に大きな熱応力が
発生することは無く、該応力によって半導体素子３が絶
縁基体１より剥離することはない。
【００１３】尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を構成する
酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを含有させた焼結
体は酸化ジルコニウムの含有率が1.0 重量％未満、若し
くは23.0重量％を越えると、焼結体の機械的強度が低下
し、厚みを薄くした絶縁基体１や蓋体２に適用すると、
半導体素子３を収容する容器の気密封止の信頼性が大幅
に劣化してしまう。従って、前記酸化アルミニウムに酸
化ジルコニウムを含有させた焼結体は酸化ジルコニウム
の含有量が2.0 乃至27.0重量％の範囲に限定される。
酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを含有させた焼結
体は酸化ジルコニウムの含有率が1.0 重量％未満、若し
くは23.0重量％を越えると、焼結体の機械的強度が低下
し、厚みを薄くした絶縁基体１や蓋体２に適用すると、
半導体素子３を収容する容器の気密封止の信頼性が大幅
に劣化してしまう。従って、前記酸化アルミニウムに酸
化ジルコニウムを含有させた焼結体は酸化ジルコニウム
の含有量が2.0 乃至27.0重量％の範囲に限定される。
【００１４】前記絶縁基体１及び蓋体２にはまたその相
対向する各々の主面に封止用の低融点ガラス層６ａ、６
ｂが予め被着形成されており、絶縁基体１及び蓋体２の
各々に被着されている封止用の低融点ガラス層６ａ、６
ｂを加熱溶融させ、一体化させることにより絶縁基体１
と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に封
止する。
対向する各々の主面に封止用の低融点ガラス層６ａ、６
ｂが予め被着形成されており、絶縁基体１及び蓋体２の
各々に被着されている封止用の低融点ガラス層６ａ、６
ｂを加熱溶融させ、一体化させることにより絶縁基体１
と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に封
止する。
【００１５】前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に被着される封止用の低融点ガラス層６ａ、６ｂは、
例えば酸化鉛７５．０重量％、酸化チタン９．０重量
％、酸化ホウ素７．５重量％、酸化亜鉛２．０重量％等
のガラスから成り、該ガラス粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して得たガラスペーストを従来周知のスク
リーン印刷等の厚膜手法を採用することにより絶縁基体
１及び蓋体２の相対向する各々の主面に被着される。
面に被着される封止用の低融点ガラス層６ａ、６ｂは、
例えば酸化鉛７５．０重量％、酸化チタン９．０重量
％、酸化ホウ素７．５重量％、酸化亜鉛２．０重量％等
のガラスから成り、該ガラス粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して得たガラスペーストを従来周知のスク
リーン印刷等の厚膜手法を採用することにより絶縁基体
１及び蓋体２の相対向する各々の主面に被着される。
【００１６】尚、前記封止用の低融点ガラス層６ａ、６
ｂはその熱膨張係数を絶縁基体１及び蓋体２の熱膨張係
数に近似した値にしておくと、絶縁基体１及び蓋体２と
を封止用低融点ガラス層６ａ、６ｂを介して接合し、容
器を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用
低融点ガラス層６ａ、６ｂとの間には両者の熱膨張係数
の相違に起因する熱応力が発生することは殆どなく、絶
縁基体１と蓋体２とを封止用低融点ガラス層６ａ、６ｂ
を介して強固に接合することが可能となる。従って、封
止用低融点ガラス層６ａ、６ｂはその熱膨張係数を絶縁
基体１及び蓋体２の熱膨張係数に合わせておくことが好
ましい。
ｂはその熱膨張係数を絶縁基体１及び蓋体２の熱膨張係
数に近似した値にしておくと、絶縁基体１及び蓋体２と
を封止用低融点ガラス層６ａ、６ｂを介して接合し、容
器を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用
低融点ガラス層６ａ、６ｂとの間には両者の熱膨張係数
の相違に起因する熱応力が発生することは殆どなく、絶
縁基体１と蓋体２とを封止用低融点ガラス層６ａ、６ｂ
を介して強固に接合することが可能となる。従って、封
止用低融点ガラス層６ａ、６ｂはその熱膨張係数を絶縁
基体１及び蓋体２の熱膨張係数に合わせておくことが好
ましい。
【００１７】また、前記絶縁基体１と蓋体２との間には
導電性材料、例えばコバール（Fe-Ni-Co合金）や４２ア
ロイ（Fe-Ni 合金）等の金属から成る外部リード端子７
が配されており、該外部リード端子７には半導体素子３
の各電極がボンディングワイヤー８を介して電気的に接
続され、外部リード端子７を外部電気回路に接続するこ
とによって半導体素子３は外部電気回路に接続されるこ
ととなる。
導電性材料、例えばコバール（Fe-Ni-Co合金）や４２ア
ロイ（Fe-Ni 合金）等の金属から成る外部リード端子７
が配されており、該外部リード端子７には半導体素子３
の各電極がボンディングワイヤー８を介して電気的に接
続され、外部リード端子７を外部電気回路に接続するこ
とによって半導体素子３は外部電気回路に接続されるこ
ととなる。
【００１８】前記外部リード端子７は、絶縁基体１と蓋
体２とから成る容器を封止用の低融点ガラス６ａ、６ｂ
を溶融一体化させて気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着固定される。
体２とから成る容器を封止用の低融点ガラス６ａ、６ｂ
を溶融一体化させて気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着固定される。
【００１９】尚、前記外部リード端子７はコバール金属
等のインゴット（塊）を従来周知の圧延加工法及び打ち
抜き加工法を採用し所定の形状に形成することによって
製作される。
等のインゴット（塊）を従来周知の圧延加工法及び打ち
抜き加工法を採用し所定の形状に形成することによって
製作される。
【００２０】また、前記外部リード端子７は外部電気回
路との電気的導通を良好とするために、また酸化腐食す
るのを有効に防止するためにその外表面にニッケル、金
等の良導電性で、且つ耐食性に優れる金属を1.0 乃至2
0.0μm の厚みにメッキにより層着させておくことが好
ましい。
路との電気的導通を良好とするために、また酸化腐食す
るのを有効に防止するためにその外表面にニッケル、金
等の良導電性で、且つ耐食性に優れる金属を1.0 乃至2
0.0μm の厚みにメッキにより層着させておくことが好
ましい。
【００２１】かくして、本発明の半導体素子収納用パッ
ケージによれば、絶縁基体１に設けた凹部１ａ底面に接
着剤を介して半導体素子３を取着固定するとともに該半
導体素子３の各電極をポンディングワイヤー８により外
部リード端子７に接続させ、しかる後、絶縁基体１と蓋
体２とをその両者の相対向する主面に予め被着させてお
いた封止用の低融点ガラス６ａ、６ｂを溶融一体化させ
ることによって接合すると絶縁基体１と蓋体２とから成
る容器の内部に半導体素子３が気密に封止されて最終製
品としての半導体装置となる。
ケージによれば、絶縁基体１に設けた凹部１ａ底面に接
着剤を介して半導体素子３を取着固定するとともに該半
導体素子３の各電極をポンディングワイヤー８により外
部リード端子７に接続させ、しかる後、絶縁基体１と蓋
体２とをその両者の相対向する主面に予め被着させてお
いた封止用の低融点ガラス６ａ、６ｂを溶融一体化させ
ることによって接合すると絶縁基体１と蓋体２とから成
る容器の内部に半導体素子３が気密に封止されて最終製
品としての半導体装置となる。
【００２２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では絶縁基
体１と蓋体２との両方を酸化アルミニウムに酸化ジルコ
ニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させた焼結体で形成し
た例で説明したが、絶縁基体１及び蓋体２のいずれか一
方のみを酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃
至27.0重量％含有させた焼結体で形成してもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では絶縁基
体１と蓋体２との両方を酸化アルミニウムに酸化ジルコ
ニウムを2.0 乃至27.0重量％含有させた焼結体で形成し
た例で説明したが、絶縁基体１及び蓋体２のいずれか一
方のみを酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃
至27.0重量％含有させた焼結体で形成してもよい。
【００２３】また上述の実施例では、半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージを例に採って説明した
が、水晶振動子や弾性表面波素子等の電子部品を収容す
るパッケージにも適用可能である。
する半導体素子収納用パッケージを例に採って説明した
が、水晶振動子や弾性表面波素子等の電子部品を収容す
るパッケージにも適用可能である。
【００２４】
【実験例】次に本発明の作用効果を以下の実験例により
説明する。
説明する。
【００２５】先ず表１に示す如く、酸化アルミニウムに
酸化ジルコニウムを所定量含有させた種々の焼結体を得
るとともに、これを用いて外径寸法が長さ40mm、幅4mm
、厚さ3mm の基板試料を得る。
酸化ジルコニウムを所定量含有させた種々の焼結体を得
るとともに、これを用いて外径寸法が長さ40mm、幅4mm
、厚さ3mm の基板試料を得る。
【００２６】次に前記基板試料をＪＩＳーＲ１６０１に
規程の４点曲げ試験により強度を調べ、その強度を基板
の機械的強度として評価した。
規程の４点曲げ試験により強度を調べ、その強度を基板
の機械的強度として評価した。
【００２７】尚、前記３点曲げ試験は基板材料３０個に
ついて行い、その平均値を強度として算出した。
ついて行い、その平均値を強度として算出した。
【００２８】また試験番号１は比較試料であり、従来の
パッケージに使用されている酸化アルミニウムから成っ
ているものである。
パッケージに使用されている酸化アルミニウムから成っ
ているものである。
【００２９】上記の結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】上記実験結果からも分かるように従来の酸
化アルミニウムから成る基板はその強度が45Kg/mm 2 程
度で機械的強度が弱く薄型化が進む電子部品収納用パッ
ケージの絶縁基体や蓋体に使用すると、容器内部の気密
封止の信頼性が大幅に低下してしまうのに対し、本発明
の酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0
重量％含有させたものはその強度が60Kg/mm 2 以上と強
く、電子部品収納用パッケージの絶縁基体や蓋体に適用
すると、容器の気密封止の信頼性が大幅に向上する。
化アルミニウムから成る基板はその強度が45Kg/mm 2 程
度で機械的強度が弱く薄型化が進む電子部品収納用パッ
ケージの絶縁基体や蓋体に使用すると、容器内部の気密
封止の信頼性が大幅に低下してしまうのに対し、本発明
の酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0
重量％含有させたものはその強度が60Kg/mm 2 以上と強
く、電子部品収納用パッケージの絶縁基体や蓋体に適用
すると、容器の気密封止の信頼性が大幅に向上する。
【００３２】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、絶縁基体及び蓋体の少なくとも一方を酸化アルミ
ニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0重量％含有さ
せた焼結体で形成したことから、絶縁基体若しくは蓋体
の機械的強度を極めて強いものとなすことができ、その
結果、絶縁基体と蓋体とから成る容器に外力が印加され
ても該容器の気密封止は保持され、容器内部に収容する
電子部品を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる。
れば、絶縁基体及び蓋体の少なくとも一方を酸化アルミ
ニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0重量％含有さ
せた焼結体で形成したことから、絶縁基体若しくは蓋体
の機械的強度を極めて強いものとなすことができ、その
結果、絶縁基体と蓋体とから成る容器に外力が印加され
ても該容器の気密封止は保持され、容器内部に収容する
電子部品を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる。
【図１】本発明を半導体素子収納用パッケージに適用し
た場合の一実施例を示す断面図である。
た場合の一実施例を示す断面図である。
１・・・絶縁基体 ２・・・蓋体 ３・・・半導体素子
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体と蓋体とから成り、内部に電子部
品を収容するための空所を有する電子部品収納用パッケ
ージにおいて、前記絶縁基体及び蓋体の少なくとも一方
が酸化アルミニウムに酸化ジルコニウムを2.0 乃至27.0
重量％含有させた焼結体で形成されていることを特徴と
する電子部品収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16712392A JP2750237B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 電子部品収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16712392A JP2750237B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 電子部品収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613481A true JPH0613481A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2750237B2 JP2750237B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=15843870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16712392A Expired - Fee Related JP2750237B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 電子部品収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750237B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0723291A3 (en) * | 1995-01-19 | 1997-01-08 | Fuji Electric Co Ltd | Zirconium-enriched Al203 substrate with directly bonded copper |
| US5675181A (en) * | 1995-01-19 | 1997-10-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Zirconia-added alumina substrate with direct bonding of copper |
| US9119297B2 (en) | 2010-11-01 | 2015-08-25 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc. | Electronic component element housing package |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16712392A patent/JP2750237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0723291A3 (en) * | 1995-01-19 | 1997-01-08 | Fuji Electric Co Ltd | Zirconium-enriched Al203 substrate with directly bonded copper |
| US5675181A (en) * | 1995-01-19 | 1997-10-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Zirconia-added alumina substrate with direct bonding of copper |
| US9119297B2 (en) | 2010-11-01 | 2015-08-25 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc. | Electronic component element housing package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750237B2 (ja) | 1998-05-13 |
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