JPH0613319A - 気相成長装置用クリーニング方法及び装置 - Google Patents
気相成長装置用クリーニング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0613319A JPH0613319A JP17051892A JP17051892A JPH0613319A JP H0613319 A JPH0613319 A JP H0613319A JP 17051892 A JP17051892 A JP 17051892A JP 17051892 A JP17051892 A JP 17051892A JP H0613319 A JPH0613319 A JP H0613319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- reaction vessel
- susceptor
- reaction container
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】反応容器内面の汚れを抑制しつつクリーニング
を行うことができる気相成長装置用クリーニング方法を
提供する。 【構成】反応容器11内でクリーニング対象物であるサ
セプタ4及びトレー8と反応容器11との中間に中間筒
体22を配置した状態で、サセプタ4及びトレー8のク
リーニングを行う。
を行うことができる気相成長装置用クリーニング方法を
提供する。 【構成】反応容器11内でクリーニング対象物であるサ
セプタ4及びトレー8と反応容器11との中間に中間筒
体22を配置した状態で、サセプタ4及びトレー8のク
リーニングを行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハの表面にGaA
s等の薄膜を形成する気相成長装置のトレーやサセプタ
等のクリーニング対象物のクリーニングを行う気相成長
装置用クリーニング方法及び装置に関するものである。
s等の薄膜を形成する気相成長装置のトレーやサセプタ
等のクリーニング対象物のクリーニングを行う気相成長
装置用クリーニング方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図8は、従来の気相成長装置の構成を示
したものである。図において、1は気相成長用の反応容
器、2は反応容器1の上部に設けた原料ガス供給口、3
は反応容器1の下部に設けた排気口、4は反応容器1の
内部に配置したサセプタ、5はサセプタ4の回転・昇降
軸、6は回転・昇降軸5を回転するモータ、7は回転・
昇降軸5を昇降するモータ、8はサセプタ4上に載置さ
れているトレー、9はトレー8上に載置されているウエ
ハ、10は反応容器1の外周に配置されている誘導加熱
コイルよりなる加熱手段である。
したものである。図において、1は気相成長用の反応容
器、2は反応容器1の上部に設けた原料ガス供給口、3
は反応容器1の下部に設けた排気口、4は反応容器1の
内部に配置したサセプタ、5はサセプタ4の回転・昇降
軸、6は回転・昇降軸5を回転するモータ、7は回転・
昇降軸5を昇降するモータ、8はサセプタ4上に載置さ
れているトレー、9はトレー8上に載置されているウエ
ハ、10は反応容器1の外周に配置されている誘導加熱
コイルよりなる加熱手段である。
【0003】このような気相成長装置では、加熱手段1
0でサセプタ4を加熱しつつ、且つサセプタ4をモータ
6で回転しつつ、原料ガス供給口2より原料ガスを供給
し、ウエハ9の上面に薄膜を気相成長させる。
0でサセプタ4を加熱しつつ、且つサセプタ4をモータ
6で回転しつつ、原料ガス供給口2より原料ガスを供給
し、ウエハ9の上面に薄膜を気相成長させる。
【0004】このようにして気相成長を行っていくと、
その都度徐々にサセプタ4やトレー8の表面に原料ガス
による反応生成物が付着して汚れていく。サセプタ4や
トレー8を汚れたままにしておくと、その後の気相成長
作業時に汚れの付着物が剥離して舞い上がり、ウエハ9
に付着したりして、ウエハ9の品質低下を招く問題点が
ある。
その都度徐々にサセプタ4やトレー8の表面に原料ガス
による反応生成物が付着して汚れていく。サセプタ4や
トレー8を汚れたままにしておくと、その後の気相成長
作業時に汚れの付着物が剥離して舞い上がり、ウエハ9
に付着したりして、ウエハ9の品質低下を招く問題点が
ある。
【0005】図9は、汚れたサセプタ4やトレー8等の
クリーニング対象物のドライクリーニングを行うクリー
ニング装置の従来例を示したものである。図において、
11はクリーニング用の反応容器、12は配管13を経
てクリーニング用ガスを反応容器11内に供給するクリ
ーニング用ガス供給口、14は反応容器11の底板部1
1aに設けた排気口、15は圧力制御弁16を介して排
気口14に接続されている真空ポンプ、17は反応容器
11内で汚れたサセプタ4やトレー8を支持してその回
転・昇降を行う回転・昇降軸、18は回転・昇降軸17
を回転するモータ、19は回転・昇降軸17を昇降する
モータ、20a,20bは反応容器11の外周に配置さ
れている1対の板状のプラズマ用電極である。プラズマ
用電極20aは高周波電源21に接続され、プラズマ用
電極20bは接地されている。
クリーニング対象物のドライクリーニングを行うクリー
ニング装置の従来例を示したものである。図において、
11はクリーニング用の反応容器、12は配管13を経
てクリーニング用ガスを反応容器11内に供給するクリ
ーニング用ガス供給口、14は反応容器11の底板部1
1aに設けた排気口、15は圧力制御弁16を介して排
気口14に接続されている真空ポンプ、17は反応容器
11内で汚れたサセプタ4やトレー8を支持してその回
転・昇降を行う回転・昇降軸、18は回転・昇降軸17
を回転するモータ、19は回転・昇降軸17を昇降する
モータ、20a,20bは反応容器11の外周に配置さ
れている1対の板状のプラズマ用電極である。プラズマ
用電極20aは高周波電源21に接続され、プラズマ用
電極20bは接地されている。
【0006】次に、このような装置によるクリーニング
対象物のドライクリーニング方法について説明する。ク
リーニング対象物である汚れたサセプタ4やトレー8を
反応容器11内にセットし、該反応容器11内を真空ポ
ンプ15で真空引きする。また、クリーニング用ガス供
給口12より反応容器11内にクリーニング用ガスを供
給する。反応容器11内の圧力をプラズマ発生を行える
圧力になるように圧力制御弁16で制御する。かかる状
態で、プラズマ用電極20a,20b間に高周波電源2
1から高周波電圧を印加すると、反応容器11内にプラ
ズマが発生し、このプラズマによりサセプタ4やトレー
8の汚れを分解し、気化させる。この汚れの分解ガスを
クリーニング用ガス供給口12よりのクリーニング用ガ
スの流れで反応容器11内の下側に導き、真空ポンプ1
5で吸取り、図示しない除害処理装置で無害化させて排
出する。
対象物のドライクリーニング方法について説明する。ク
リーニング対象物である汚れたサセプタ4やトレー8を
反応容器11内にセットし、該反応容器11内を真空ポ
ンプ15で真空引きする。また、クリーニング用ガス供
給口12より反応容器11内にクリーニング用ガスを供
給する。反応容器11内の圧力をプラズマ発生を行える
圧力になるように圧力制御弁16で制御する。かかる状
態で、プラズマ用電極20a,20b間に高周波電源2
1から高周波電圧を印加すると、反応容器11内にプラ
ズマが発生し、このプラズマによりサセプタ4やトレー
8の汚れを分解し、気化させる。この汚れの分解ガスを
クリーニング用ガス供給口12よりのクリーニング用ガ
スの流れで反応容器11内の下側に導き、真空ポンプ1
5で吸取り、図示しない除害処理装置で無害化させて排
出する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなクリーニング方法では、反応容器11の内表面には
プラズマが発生し難いので、汚れ分解ガスが反応容器1
1の内表面に付着し、反応容器11の内表面を汚す問題
点があった。このため反応容器11自信をクリーニング
するという面倒なクリーニングの頻度が高くなる問題点
があった。反応容器11の内面が汚れていると、サセプ
タ4やトレー8のクリーニング時に、反応容器11の内
面の汚れが分解気化して、クリーニング雰囲気を悪化さ
せ、クリーニング効果を低下させることになり、好まし
くない。
うなクリーニング方法では、反応容器11の内表面には
プラズマが発生し難いので、汚れ分解ガスが反応容器1
1の内表面に付着し、反応容器11の内表面を汚す問題
点があった。このため反応容器11自信をクリーニング
するという面倒なクリーニングの頻度が高くなる問題点
があった。反応容器11の内面が汚れていると、サセプ
タ4やトレー8のクリーニング時に、反応容器11の内
面の汚れが分解気化して、クリーニング雰囲気を悪化さ
せ、クリーニング効果を低下させることになり、好まし
くない。
【0008】本発明の目的は、反応容器内面の汚れを抑
制しつつクリーニングを行うことができる気相成長装置
用クリーニング方法及び装置を提供することにある。
制しつつクリーニングを行うことができる気相成長装置
用クリーニング方法及び装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の手段を説明すると、次の通りである。
発明の手段を説明すると、次の通りである。
【0010】請求項1に記載の発明は、反応容器内にク
リーニング対象物を置き、前記クリーニング対象物の汚
れを気化させて除去する気相成長装置用クリーニング方
法において、前記反応容器内で前記クリーニング対象物
と該反応容器との中間に中間筒体を配置した状態で、前
記クリーニング対象物のクリーニングを行うことを特徴
とする。
リーニング対象物を置き、前記クリーニング対象物の汚
れを気化させて除去する気相成長装置用クリーニング方
法において、前記反応容器内で前記クリーニング対象物
と該反応容器との中間に中間筒体を配置した状態で、前
記クリーニング対象物のクリーニングを行うことを特徴
とする。
【0011】請求項2に記載の発明は、反応容器内にク
リーニング対象物を置き、前記クリーニング対象物の汚
れを気化させて除去する気相成長装置用クリーニング装
置において、前記反応容器内で前記クリーニング対象物
と該反応容器との中間に中間筒体が配置されていること
を特徴とする。
リーニング対象物を置き、前記クリーニング対象物の汚
れを気化させて除去する気相成長装置用クリーニング装
置において、前記反応容器内で前記クリーニング対象物
と該反応容器との中間に中間筒体が配置されていること
を特徴とする。
【0012】
【作用】請求項1に記載の気相成長装置用クリーニング
方法のように、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間に中間筒体を配置した状態で、該クリー
ニング対象物のクリーニングを行うと、クリーニング対
象物の汚れの分解により発生した汚れガスが反応容器の
内表面側に移動しようとするのを、該中間筒体が阻止
し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガスを排気
口より反応容器の外に排出することができる。従って、
汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑制するこ
とができ、該反応容器のクリーニング頻度を低下させる
ことができる。
方法のように、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間に中間筒体を配置した状態で、該クリー
ニング対象物のクリーニングを行うと、クリーニング対
象物の汚れの分解により発生した汚れガスが反応容器の
内表面側に移動しようとするのを、該中間筒体が阻止
し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガスを排気
口より反応容器の外に排出することができる。従って、
汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑制するこ
とができ、該反応容器のクリーニング頻度を低下させる
ことができる。
【0013】請求項2に記載の気相成長装置用クリーニ
ング装置のように、反応容器内でクリーニング対象物と
該反応容器との中間に中間筒体を配置すると、クリーニ
ング時にクリーニング対象物の汚れの分解により発生し
た汚れガスが反応容器の内表面側に移動しようとするの
を、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れのガイドと
して該汚れガスを排出することができる。
ング装置のように、反応容器内でクリーニング対象物と
該反応容器との中間に中間筒体を配置すると、クリーニ
ング時にクリーニング対象物の汚れの分解により発生し
た汚れガスが反応容器の内表面側に移動しようとするの
を、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れのガイドと
して該汚れガスを排出することができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照して詳細に
説明する。なお、前述した図9と対応する部分には、同
一符号を付けて示している。
説明する。なお、前述した図9と対応する部分には、同
一符号を付けて示している。
【0015】図1は、本発明に係るクリーニング装置の
第1実施例を示したものである。本実施例では、サセプ
タ4やトレー8等のクリーニング対象物のクリーニング
を行うに際し、これらサセプタ4やトレー8と反応容器
11の内表面との中間に石英等からなる中間筒体22を
配置する。該中間筒体22は、円筒状又は四角,六角等
の角筒状を有し、その両開口部が上下に位置する向きで
配置する。
第1実施例を示したものである。本実施例では、サセプ
タ4やトレー8等のクリーニング対象物のクリーニング
を行うに際し、これらサセプタ4やトレー8と反応容器
11の内表面との中間に石英等からなる中間筒体22を
配置する。該中間筒体22は、円筒状又は四角,六角等
の角筒状を有し、その両開口部が上下に位置する向きで
配置する。
【0016】次に、このような装置によるクリーニング
対象物のドライクリーニング方法について説明する。ク
リーニング対象物である汚れたサセプタ4やトレー8を
反応容器11内にセットし、該反応容器11内を真空ポ
ンプ15で真空引きする。また、クリーニング用ガス供
給口12より反応容器11内にクリーニング用ガスを供
給する。反応容器11内の圧力を、プラズマ発生を行え
る圧力になるように圧力制御弁16を制御する。
対象物のドライクリーニング方法について説明する。ク
リーニング対象物である汚れたサセプタ4やトレー8を
反応容器11内にセットし、該反応容器11内を真空ポ
ンプ15で真空引きする。また、クリーニング用ガス供
給口12より反応容器11内にクリーニング用ガスを供
給する。反応容器11内の圧力を、プラズマ発生を行え
る圧力になるように圧力制御弁16を制御する。
【0017】かかる状態で、プラズマ用電極20a,2
0b間に高周波電源21から高周波電圧を印加すると、
反応容器11内にプラズマが発生する。このとき中間筒
体22がサセプタ4やトレー8と反応容器11の内表面
との中間に位置しているので、プラズマは該中間筒体2
2の内外両表面にも発生する。
0b間に高周波電源21から高周波電圧を印加すると、
反応容器11内にプラズマが発生する。このとき中間筒
体22がサセプタ4やトレー8と反応容器11の内表面
との中間に位置しているので、プラズマは該中間筒体2
2の内外両表面にも発生する。
【0018】このプラズマによりサセプタ4やトレー8
の汚れを分解し、気化させる。このとき中間筒体22は
その内外両表面にプラズマが発生しているので、該中間
筒体22は汚れガスの付着を阻止し、しかも反応容器1
1の内表面側への汚れガスの移動も阻止する。
の汚れを分解し、気化させる。このとき中間筒体22は
その内外両表面にプラズマが発生しているので、該中間
筒体22は汚れガスの付着を阻止し、しかも反応容器1
1の内表面側への汚れガスの移動も阻止する。
【0019】この汚れガスをクリーニング用ガス供給口
12よりのクリーニング用ガスの流れと、中間筒体22
のガイド作用により、反応容器11内の下側に導き、真
空ポンプ15で吸取り、図示しない除害処理装置で無害
化させて排出する。クリーニング後のサセプタ4やトレ
ー8は、反応容器11内をパージガスでパージしてから
取り出す。反応容器11から排出される有害ガスを含む
パージガスも除害処理装置で無害化させて排出する。
12よりのクリーニング用ガスの流れと、中間筒体22
のガイド作用により、反応容器11内の下側に導き、真
空ポンプ15で吸取り、図示しない除害処理装置で無害
化させて排出する。クリーニング後のサセプタ4やトレ
ー8は、反応容器11内をパージガスでパージしてから
取り出す。反応容器11から排出される有害ガスを含む
パージガスも除害処理装置で無害化させて排出する。
【0020】プラズマを用いてドライクリーニングを行
う場合、GaAs系の汚れに対しては、塩素系,ハロゲ
ン系のクリーニング用ガスを使用すると効果がある。ま
た、なるべく高い圧力で、且つプラズマのパワーも高い
方がクリーニング効果が大きいが、一般に圧力は10-5To
rr以上、パワーは10W以上を使用する。
う場合、GaAs系の汚れに対しては、塩素系,ハロゲ
ン系のクリーニング用ガスを使用すると効果がある。ま
た、なるべく高い圧力で、且つプラズマのパワーも高い
方がクリーニング効果が大きいが、一般に圧力は10-5To
rr以上、パワーは10W以上を使用する。
【0021】実験結果 GaAs系の汚れが付いたトレー8を塩素ガスを用いて
クリーニングした。圧力は約1Torr、高周波プラズマの
パワーは300 W、塩素ガス10 l/minをアルゴンガスで濃
度が50%となるように希釈してクリーニングした。その
結果、約5分でトレー8の汚れの処理が終了した。中間
筒体22の有無で反応容器11の内表面側の汚れに差が
でた。
クリーニングした。圧力は約1Torr、高周波プラズマの
パワーは300 W、塩素ガス10 l/minをアルゴンガスで濃
度が50%となるように希釈してクリーニングした。その
結果、約5分でトレー8の汚れの処理が終了した。中間
筒体22の有無で反応容器11の内表面側の汚れに差が
でた。
【0022】図2は、反応容器11を透明な石英ガラス
で形成した場合、中間筒体22の有無によるクリーニン
グ後の反応容器11の透明度の差を示す。この図は、ク
リーニングした回数と、その都度レーザ光を反応容器1
1に照射し、透過した光量を測定した結果を示したもの
である。
で形成した場合、中間筒体22の有無によるクリーニン
グ後の反応容器11の透明度の差を示す。この図は、ク
リーニングした回数と、その都度レーザ光を反応容器1
1に照射し、透過した光量を測定した結果を示したもの
である。
【0023】図から明らかなように、本発明のクリーニ
ング方法によれば、クリーニング後の汚れの付着量は、
従来のクリーニング方法の約1/4であった。
ング方法によれば、クリーニング後の汚れの付着量は、
従来のクリーニング方法の約1/4であった。
【0024】図3は、気相成長装置の反応容器1から汚
れたサセプタ4やトレー8を大気に触れさせずにクリー
ニング装置の反応容器11に移動してクリーニングを行
う例を示したものである。
れたサセプタ4やトレー8を大気に触れさせずにクリー
ニング装置の反応容器11に移動してクリーニングを行
う例を示したものである。
【0025】図において、23は反応容器1の下にゲー
トバルブ24を介して接続されているサセプタ退避容
器、25は反応容器1とサセプタ退避容器23とにバル
ブ26a,26bを介して接続されている真空ポンプ、
26cは真空ポンプ25の排出口に接続されている除害
処理装置である。
トバルブ24を介して接続されているサセプタ退避容
器、25は反応容器1とサセプタ退避容器23とにバル
ブ26a,26bを介して接続されている真空ポンプ、
26cは真空ポンプ25の排出口に接続されている除害
処理装置である。
【0026】27はサセプタ退避容器23にゲートバル
ブ28を介して接続された搬入・搬出容器、29は搬入
・搬出容器27の搬入・搬出口、30は搬入・搬出口2
9の開閉蓋、31は搬入・搬出容器27にバルブ32を
介して接続されている真空ポンプである。
ブ28を介して接続された搬入・搬出容器、29は搬入
・搬出容器27の搬入・搬出口、30は搬入・搬出口2
9の開閉蓋、31は搬入・搬出容器27にバルブ32を
介して接続されている真空ポンプである。
【0027】33は反応容器11内の圧力を検出して圧
力制御弁16に弁制御信号を与える圧力計、34は真空
ポンプ15の排出口に接続されている除害処理装置、3
5は反応容器11の下にゲートバルブ36を介して接続
されているサセプタ退避容器である。該サセプタ退避容
器35には、バルブ100を介して真空ポンプ31が接
続されている。37は搬入・搬出容器27とサセプタ退
避容器35との接続部に設けられているゲートバルブ、
38はサセプタ4,トレー8,ウエハ9等の搬送を行う
搬送アーム、39は搬送アーム38を駆動する搬送アー
ム駆動モータ、200は圧力計33と圧力制御弁16と
の間の排気管201の途中に接続されているバルブであ
る。
力制御弁16に弁制御信号を与える圧力計、34は真空
ポンプ15の排出口に接続されている除害処理装置、3
5は反応容器11の下にゲートバルブ36を介して接続
されているサセプタ退避容器である。該サセプタ退避容
器35には、バルブ100を介して真空ポンプ31が接
続されている。37は搬入・搬出容器27とサセプタ退
避容器35との接続部に設けられているゲートバルブ、
38はサセプタ4,トレー8,ウエハ9等の搬送を行う
搬送アーム、39は搬送アーム38を駆動する搬送アー
ム駆動モータ、200は圧力計33と圧力制御弁16と
の間の排気管201の途中に接続されているバルブであ
る。
【0028】次に、このような装置の操作について説明
する。反応容器1内でウエハ24に対して気相成長が終
了したら、バルブ26aを開け、真空ポンプ25を作動
し、原料ガス供給口2からパージガスを流し、反応容器
1内の原料ガスのパージを行う。反応容器1から真空ポ
ンプ25を経て排出されるガスは除害処理装置26cで
無害化させて排出する。
する。反応容器1内でウエハ24に対して気相成長が終
了したら、バルブ26aを開け、真空ポンプ25を作動
し、原料ガス供給口2からパージガスを流し、反応容器
1内の原料ガスのパージを行う。反応容器1から真空ポ
ンプ25を経て排出されるガスは除害処理装置26cで
無害化させて排出する。
【0029】反応容器1内のパージが終了したらバルブ
26aを閉じ、回転・昇降軸5を下降させ、サセプタ4
等が搬入・搬出容器27に対向する位置にする。サセプ
タ4等の下降が終了したらゲートバルブ24を閉じる。
この状態になったら、ゲートバルブ36を閉じ、ゲート
バルブ28,37を開け、搬送アーム38でサセプタ4
等を搬入・搬出容器27に移動し、ゲートバルブ28を
閉じ、開閉蓋30を開けてウエハ9を取出す。このウエ
ハ9の取出し作業時には、図示しないが搬入・搬出口2
9の外に接続されている図示しない搬入・搬出室内を真
空引きしておいて、搬入・搬出容器27内に空気が入ら
ないようにして行う。
26aを閉じ、回転・昇降軸5を下降させ、サセプタ4
等が搬入・搬出容器27に対向する位置にする。サセプ
タ4等の下降が終了したらゲートバルブ24を閉じる。
この状態になったら、ゲートバルブ36を閉じ、ゲート
バルブ28,37を開け、搬送アーム38でサセプタ4
等を搬入・搬出容器27に移動し、ゲートバルブ28を
閉じ、開閉蓋30を開けてウエハ9を取出す。このウエ
ハ9の取出し作業時には、図示しないが搬入・搬出口2
9の外に接続されている図示しない搬入・搬出室内を真
空引きしておいて、搬入・搬出容器27内に空気が入ら
ないようにして行う。
【0030】このときサセプタ4等のクリーニングが必
要の時には、ゲートバルブ28を閉じ、バルブ32,1
00を開け、真空ポンプ31により搬入・搬出容器27
及びサセプタ退避容器35内を真空引きし、バルブ3
2,100を閉じる。一方、バルブ200を開き、真空
ポンプ15により反応容器11内を真空引きする。次
に、サセプタ4等を搬送アーム38でサセプタ退避容器
35内に移動し、該サセプタ4等を回転・昇降軸17の
上に乗せる。次に、ゲートバルブ37を閉じ、ゲートバ
ルブ36を開け、回転・昇降軸17を反応容器11内に
上昇させる。かかる状態で、サセプタ4等のクリーニン
グを前述したようにして反応容器11内で行う。
要の時には、ゲートバルブ28を閉じ、バルブ32,1
00を開け、真空ポンプ31により搬入・搬出容器27
及びサセプタ退避容器35内を真空引きし、バルブ3
2,100を閉じる。一方、バルブ200を開き、真空
ポンプ15により反応容器11内を真空引きする。次
に、サセプタ4等を搬送アーム38でサセプタ退避容器
35内に移動し、該サセプタ4等を回転・昇降軸17の
上に乗せる。次に、ゲートバルブ37を閉じ、ゲートバ
ルブ36を開け、回転・昇降軸17を反応容器11内に
上昇させる。かかる状態で、サセプタ4等のクリーニン
グを前述したようにして反応容器11内で行う。
【0031】クリーニングが終了したら反応容器11内
のガスのパージを行い、回転・昇降軸17の下降により
クリーニング済みのサセプタ4等をサセプタ退避容器3
5に移動し、ゲートバルブ36,バルブ200を閉じ、
ゲートバルブ37を開け、搬送アーム38でサセプタ4
等を搬入・搬出容器27に移動し、サセプタ4上のトレ
ー8に搬入・搬出口29からウエハ9を乗せる。
のガスのパージを行い、回転・昇降軸17の下降により
クリーニング済みのサセプタ4等をサセプタ退避容器3
5に移動し、ゲートバルブ36,バルブ200を閉じ、
ゲートバルブ37を開け、搬送アーム38でサセプタ4
等を搬入・搬出容器27に移動し、サセプタ4上のトレ
ー8に搬入・搬出口29からウエハ9を乗せる。
【0032】かかる状態で、搬入・搬出口30を閉じ、
バルブ32,100を開け、真空ポンプ31で搬入・搬
出容器27内及びサセプタ退避容器35内を真空引きす
る。また、バルブ26bを開け、真空ポンプ25でサセ
プタ退避容器23内を真空引きし、バルブ26bを閉じ
る。その後、ゲートバルブ28を開け、搬送アーム38
でサセプタ4等をサセプタ退避容器23に移動し、該サ
セプタ4等を回転・昇降軸5の上に乗せる。その後、搬
送アーム38をサセプタ退避容器35側に退避させ、ゲ
ートバルブ28,37を閉じる。
バルブ32,100を開け、真空ポンプ31で搬入・搬
出容器27内及びサセプタ退避容器35内を真空引きす
る。また、バルブ26bを開け、真空ポンプ25でサセ
プタ退避容器23内を真空引きし、バルブ26bを閉じ
る。その後、ゲートバルブ28を開け、搬送アーム38
でサセプタ4等をサセプタ退避容器23に移動し、該サ
セプタ4等を回転・昇降軸5の上に乗せる。その後、搬
送アーム38をサセプタ退避容器35側に退避させ、ゲ
ートバルブ28,37を閉じる。
【0033】次に、ゲートバルブ24を開け、回転・昇
降軸5を上昇させ、サセプタ4等を反応容器1内に位置
させ、気相成長作業に入る。
降軸5を上昇させ、サセプタ4等を反応容器1内に位置
させ、気相成長作業に入る。
【0034】図4(A)〜(C)は、プラズマでクリー
ニングを行なう場合に反応容器11の外周に設けるプラ
ズマ用電極の他の例を示したものである。
ニングを行なう場合に反応容器11の外周に設けるプラ
ズマ用電極の他の例を示したものである。
【0035】図4(A)では、反応容器11の外周にプ
ラズマ用電極20を螺旋状に設け、その一端を高周波電
源21に接続し、他端を接地している。
ラズマ用電極20を螺旋状に設け、その一端を高周波電
源21に接続し、他端を接地している。
【0036】図4(B)では、反応容器11の外周にリ
ング状のプラズマ用電極20a,20bを互いに平行す
る向きで設け、一方のプラズマ用電極20aを高周波電
源21に接続し、他方のプラズマ用電極20bを接地し
ている。
ング状のプラズマ用電極20a,20bを互いに平行す
る向きで設け、一方のプラズマ用電極20aを高周波電
源21に接続し、他方のプラズマ用電極20bを接地し
ている。
【0037】図4(C)では、T型の反応容器11を用
い、該反応容器11の外周にプラズマ用電極20を螺旋
状に設け、その一端を高周波電源21に接続し、他端を
接地している。
い、該反応容器11の外周にプラズマ用電極20を螺旋
状に設け、その一端を高周波電源21に接続し、他端を
接地している。
【0038】図5(A)(B)は、サセプタ4等のクリ
ーニングを、中間筒体22を内蔵する反応容器11内で
該サセプタ4等を加熱することにより行なうクリーニン
グ装置の例を示したものである。
ーニングを、中間筒体22を内蔵する反応容器11内で
該サセプタ4等を加熱することにより行なうクリーニン
グ装置の例を示したものである。
【0039】図5(A)では反応容器11の外に加熱源
としてランプヒータ40を設け、図5(B)では反応容
器11の外に加熱源として高周波加熱コイル41及び該
コイル41に給電する高周波電源42を設けている。
としてランプヒータ40を設け、図5(B)では反応容
器11の外に加熱源として高周波加熱コイル41及び該
コイル41に給電する高周波電源42を設けている。
【0040】このように加熱源で反応容器11内のサセ
プタ4等を加熱すると、該サセプタ4等の表面の汚れが
熱分解されてガス化される。このとき中間筒体22も一
緒に加熱され、温度が高い状態にあるので、サーモフォ
レシス効果により汚れガスが付きにくい状態にあり、し
かも該中間筒体22により汚れガスが反応容器11の内
表面側へ移動するのを阻止する。従って、汚れガスは、
上方のクリーニング用ガス供給口12から供給されるク
リーニングガスの流れと、中間筒体22のガイド作用に
より、下方に流され前述した排気口14より排出され
る。
プタ4等を加熱すると、該サセプタ4等の表面の汚れが
熱分解されてガス化される。このとき中間筒体22も一
緒に加熱され、温度が高い状態にあるので、サーモフォ
レシス効果により汚れガスが付きにくい状態にあり、し
かも該中間筒体22により汚れガスが反応容器11の内
表面側へ移動するのを阻止する。従って、汚れガスは、
上方のクリーニング用ガス供給口12から供給されるク
リーニングガスの流れと、中間筒体22のガイド作用に
より、下方に流され前述した排気口14より排出され
る。
【0041】図6は、サセプタ4等のクリーニングを、
中間筒体22を内蔵する反応容器11内でプラズマを発
生させ、且つ該サセプタ4等を加熱することにより行な
うクリーニング装置の例を示したものである。即ち、こ
の実施例では、図4(B)と図5(B)との構造を組み
合わせた例を示したものである。
中間筒体22を内蔵する反応容器11内でプラズマを発
生させ、且つ該サセプタ4等を加熱することにより行な
うクリーニング装置の例を示したものである。即ち、こ
の実施例では、図4(B)と図5(B)との構造を組み
合わせた例を示したものである。
【0042】図7は、反応容器11内の中間筒体22を
横向きにし、且つプラズマ用電極20a,20bを反応
容器11内の上下に配置したクリーニング装置の例を示
したものである。
横向きにし、且つプラズマ用電極20a,20bを反応
容器11内の上下に配置したクリーニング装置の例を示
したものである。
【0043】上記実施例では、クリーニング用の反応容
器11内に中間筒体22を配置してクリーニングを行な
う例について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、気相成長用の反応容器1内に中間筒体22
を配置してクリーニングを行なうこともできる。
器11内に中間筒体22を配置してクリーニングを行な
う例について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、気相成長用の反応容器1内に中間筒体22
を配置してクリーニングを行なうこともできる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記の効果を得ることができる。
記の効果を得ることができる。
【0045】請求項1に記載の気相成長装置用クリーニ
ング方法では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間に中間筒体を配置した状態で、該クリー
ニング対象物のクリーニングを行うので、クリーニング
対象物の汚れの分解により発生した汚れガスが反応容器
の内表面側に移動しようとするのを、該中間筒体が阻止
し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガスを排気
口より反応容器の外に排出することができる。従って、
汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑制でき、
該反応容器のクリーニング頻度を低下させることがで
き、稼働率を上げることができる。
ング方法では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間に中間筒体を配置した状態で、該クリー
ニング対象物のクリーニングを行うので、クリーニング
対象物の汚れの分解により発生した汚れガスが反応容器
の内表面側に移動しようとするのを、該中間筒体が阻止
し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガスを排気
口より反応容器の外に排出することができる。従って、
汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑制でき、
該反応容器のクリーニング頻度を低下させることがで
き、稼働率を上げることができる。
【0046】請求項2に記載の気相成長装置用クリーニ
ング装置では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間に中間筒体を配置したので、クリーニン
グ時にクリーニング対象物の汚れの分解により発生した
汚れガスが反応容器の内表面側に移動しようとするの
を、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れのガイドと
して該汚れガスを排出することができる。
ング装置では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間に中間筒体を配置したので、クリーニン
グ時にクリーニング対象物の汚れの分解により発生した
汚れガスが反応容器の内表面側に移動しようとするの
を、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れのガイドと
して該汚れガスを排出することができる。
【図1】本発明に係る気相成長装置用クリーニング装置
の一例の縦断面図である。
の一例の縦断面図である。
【図2】反応容器内に中間筒体を配置してクリーニング
を行なった場合と、反応容器内に中間筒体を配置せずに
クリーニングを行なった場合の、クリーニング回数と反
応容器のレーザ光強度減衰率の関係を示す線図である。
を行なった場合と、反応容器内に中間筒体を配置せずに
クリーニングを行なった場合の、クリーニング回数と反
応容器のレーザ光強度減衰率の関係を示す線図である。
【図3】本発明に係る気相成長装置用クリーニング装置
の他の例の縦断面図である。
の他の例の縦断面図である。
【図4】(A)(B)(C)は本発明のクリーニング装
置で用いるプラズマ用電極の他の3種の例を示した側面
図及び縦断面図である。
置で用いるプラズマ用電極の他の3種の例を示した側面
図及び縦断面図である。
【図5】(A)(B)は本発明に係る気相成長装置用ク
リーニング装置の他の2種の例を示す縦断面図である。
リーニング装置の他の2種の例を示す縦断面図である。
【図6】本発明に係る気相成長装置用クリーニング装置
の他の例を示す縦断面図である。
の他の例を示す縦断面図である。
【図7】本発明に係る気相成長装置用クリーニング装置
の他の例を示す縦断面図である。
の他の例を示す縦断面図である。
【図8】従来の気相成長装置を示す縦断面図である。
【図9】従来のクリーニング装置を示す縦断面図であ
る。
る。
1 反応容器 2 原料ガス供給口 3 排気口 4 サセプタ 5 回転・昇降軸 6,7 モータ 8 トレー 9 ウエハ 10 加熱手段 11 反応容器 12 クリーニング用ガス供給口 13 配管 14 排気口 15 真空ポンプ 16 圧力制御弁 17 回転・昇降軸 18,19 モータ 20a,20b プラズマ用電極 21 高周波電源 22 中間筒体 23 サセプタ退避容器 24 ゲートバルブ 25 真空ポンプ 26a,26b バルブ 26c 除害処理装置 27 搬入・搬出装置 28 ゲートバルブ 29 搬入・搬出口 30 開閉蓋 31 真空ポンプ 32 バルブ 33 圧力計 34 除害処理装置 35 サセプタ退避容器 36,37 ゲートバルブ 38 搬送アーム 39 搬送アーム駆動モータ 40 ランプヒータ 41 高周波加熱コイル 42 高周波電源 100,200 バルブ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年7月9日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【作用】請求項1に記載の気相成長装置用クリーニング
方法のように、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間内に
中間筒体を配置した状態で、該クリーニング対象物のク
リーニングを行うと、前記活性種との反応によりクリー
ニング対象物の汚れの分解により発生した汚れガスが反
応容器の内表面側に移動しようとするのを、該中間筒体
が阻止し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガス
を排気口より反応容器の外に排出することができる。従
って、汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑制
することができ、該反応容器のクリーニング頻度を低下
させることができる。
方法のように、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間内に
中間筒体を配置した状態で、該クリーニング対象物のク
リーニングを行うと、前記活性種との反応によりクリー
ニング対象物の汚れの分解により発生した汚れガスが反
応容器の内表面側に移動しようとするのを、該中間筒体
が阻止し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガス
を排気口より反応容器の外に排出することができる。従
って、汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑制
することができ、該反応容器のクリーニング頻度を低下
させることができる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】請求項2に記載の気相成長装置用クリーニ
ング装置のように、反応容器内でクリーニング対象物と
該反応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間
内に中間筒体を配置すると、クリーニング時に前記活性
種との反応によりクリーニング対象物の汚れの分解によ
り発生した汚れガスが反応容器の内表面側に移動しよう
とするのを、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れの
ガイドとして該汚れガスを排出することができる。
ング装置のように、反応容器内でクリーニング対象物と
該反応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間
内に中間筒体を配置すると、クリーニング時に前記活性
種との反応によりクリーニング対象物の汚れの分解によ
り発生した汚れガスが反応容器の内表面側に移動しよう
とするのを、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れの
ガイドとして該汚れガスを排出することができる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】このプラズマにより発生する化学活性種と
の反応によりサセプタ4やトレー8の汚れを分解し、気
化させる。このとき中間筒体22はその内外両表面にプ
ラズマが発生しているので、該中間筒体22は汚れガス
の付着を阻止し、しかも反応容器11の内表面側への汚
れガスの移動も阻止する。
の反応によりサセプタ4やトレー8の汚れを分解し、気
化させる。このとき中間筒体22はその内外両表面にプ
ラズマが発生しているので、該中間筒体22は汚れガス
の付着を阻止し、しかも反応容器11の内表面側への汚
れガスの移動も阻止する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正内容】
【0038】図5(A)(B)は、サセプタ4等のクリ
ーニングを、中間筒体22を内蔵する反応容器11内で
該サセプタ4等を加熱することにより行なうクリーニン
グ装置の例を示したものである。この場合でも、中間筒
体22は、反応容器11内でクリーニング対象物と該反
応容器11との中間である化学活性種の存在が多い空間
内に配置されている。
ーニングを、中間筒体22を内蔵する反応容器11内で
該サセプタ4等を加熱することにより行なうクリーニン
グ装置の例を示したものである。この場合でも、中間筒
体22は、反応容器11内でクリーニング対象物と該反
応容器11との中間である化学活性種の存在が多い空間
内に配置されている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0045
【補正方法】変更
【補正内容】
【0045】請求項1に記載の気相成長装置用クリーニ
ング方法では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間内に
中間筒体を配置した状態で、該クリーニング対象物のク
リーニングを行うので、前記活性種との反応によりクリ
ーニング対象物の汚れの分解により発生した汚れガスが
反応容器の内表面側に移動しようとするのを、該中間筒
体が阻止し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガ
スを排気口より反応容器の外に排出することができる。
従って、汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑
制でき、該反応容器のクリーニング頻度を低下させるこ
とができ、稼働率を上げることができる。
ング方法では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間内に
中間筒体を配置した状態で、該クリーニング対象物のク
リーニングを行うので、前記活性種との反応によりクリ
ーニング対象物の汚れの分解により発生した汚れガスが
反応容器の内表面側に移動しようとするのを、該中間筒
体が阻止し、該中間筒体を流れのガイドとして該汚れガ
スを排気口より反応容器の外に排出することができる。
従って、汚れガスが反応容器の内表面に付着するのを抑
制でき、該反応容器のクリーニング頻度を低下させるこ
とができ、稼働率を上げることができる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0046
【補正方法】変更
【補正内容】
【0046】請求項2に記載の気相成長装置用クリーニ
ング装置では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間内に
中間筒体を配置したので、クリーニング時に前記活性種
との反応によりクリーニング対象物の汚れの分解により
発生した汚れガスが反応容器の内表面側に移動しようと
するのを、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れのガ
イドとして該汚れガスを排出することができる。
ング装置では、反応容器内でクリーニング対象物と該反
応容器との中間である化学活性種の存在が多い空間内に
中間筒体を配置したので、クリーニング時に前記活性種
との反応によりクリーニング対象物の汚れの分解により
発生した汚れガスが反応容器の内表面側に移動しようと
するのを、該中間筒体が阻止し、該中間筒体を流れのガ
イドとして該汚れガスを排出することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 反応容器内にクリーニング対象物を置
き、前記クリーニング対象物の汚れを気化させて除去す
る気相成長装置用クリーニング方法において、 前記反応容器内で前記クリーニング対象物と該反応容器
との中間に中間筒体を配置した状態で、前記クリーニン
グ対象物のクリーニングを行うことを特徴とする気相成
長装置用クリーニング方法。 - 【請求項2】 反応容器内にクリーニング対象物を置
き、前記クリーニング対象物の汚れを気化させて除去す
る気相成長装置用クリーニング装置において、 前記反応容器内で前記クリーニング対象物と該反応容器
との中間に中間筒体が配置されていることを特徴とする
気相成長装置用クリーニング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17051892A JPH0613319A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 気相成長装置用クリーニング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17051892A JPH0613319A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 気相成長装置用クリーニング方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0613319A true JPH0613319A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15906429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17051892A Pending JPH0613319A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 気相成長装置用クリーニング方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0613319A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020213237A1 (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 株式会社Sumco | 気相成長方法及び気相成長装置 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP17051892A patent/JPH0613319A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020213237A1 (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 株式会社Sumco | 気相成長方法及び気相成長装置 |
JP2020178030A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 株式会社Sumco | 気相成長方法及び気相成長装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4191137B2 (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
WO2000070666A1 (fr) | Technique de traitement et dispositif correspondant | |
JPH09330885A (ja) | プロセスチャンバクリーニング中にセラミックウエハを用いてサセプタを保護する方法及び装置 | |
TWI618115B (zh) | 基板處理裝置以及清洗腔室的方法 | |
JPH0613319A (ja) | 気相成長装置用クリーニング方法及び装置 | |
JPH0613751B2 (ja) | 連続スパッタ装置 | |
JPH11125491A (ja) | 連続式熱処理炉 | |
JP3066691B2 (ja) | マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法 | |
JPH0786187A (ja) | マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法 | |
JPS6057937A (ja) | 紫外線洗浄方法 | |
JP2744934B2 (ja) | 縦型処理装置 | |
JP2002305190A (ja) | 熱処理装置及びその清浄方法 | |
JPH01225127A (ja) | 基板清浄化方法及び基板加熱装置 | |
KR20080078570A (ko) | 처리 용기의 대기 개방 방법 및 기억 매체 | |
KR0166381B1 (ko) | 진공처리장치 | |
JPH02143418A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP2007096103A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JPH08260152A (ja) | プラズマcvd法および装置 | |
JPH05140743A (ja) | 真空処理装置 | |
JPS59126774A (ja) | 気相金属堆積装置 | |
JPH03134176A (ja) | 真空処理装置用ユニット | |
JP2000323425A (ja) | 処理装置 | |
JPH08330285A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH058672Y2 (ja) | ||
JP2002008997A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 |