JPH0613307A - ベーク処理装置 - Google Patents
ベーク処理装置Info
- Publication number
- JPH0613307A JPH0613307A JP16978692A JP16978692A JPH0613307A JP H0613307 A JPH0613307 A JP H0613307A JP 16978692 A JP16978692 A JP 16978692A JP 16978692 A JP16978692 A JP 16978692A JP H0613307 A JPH0613307 A JP H0613307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ozone gas
- photoresist
- back surface
- hot plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェハのベーク処理装置において、前工程であ
るフォトレジスト塗布処理中にウェハの裏面に付着した
フォトレジストのミストによる汚染をベーク処理中に除
去する。 【構成】ウェハ１をホットプレート２上に設置したプロ
キシミティピン３の上に乗せてベーク処理を行うベーク
処理装置において、プロキシミティピンによって保持さ
れているウェハとホットプレートとの間に形成されてい
るすきまにオゾンガスを流す。 【効果】ウェハの裏面に付着しているフォトレジストを
オゾンガスによりアッシングしてウェハ裏面の汚るを除
去することができる。
るフォトレジスト塗布処理中にウェハの裏面に付着した
フォトレジストのミストによる汚染をベーク処理中に除
去する。 【構成】ウェハ１をホットプレート２上に設置したプロ
キシミティピン３の上に乗せてベーク処理を行うベーク
処理装置において、プロキシミティピンによって保持さ
れているウェハとホットプレートとの間に形成されてい
るすきまにオゾンガスを流す。 【効果】ウェハの裏面に付着しているフォトレジストを
オゾンガスによりアッシングしてウェハ裏面の汚るを除
去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程における半導体基板（以下、ウェハという）に係わ
り、特にフォトリソグラフィープロセスにおけるフォト
レジスト塗布後のベーク処理装置に関する。
程における半導体基板（以下、ウェハという）に係わ
り、特にフォトリソグラフィープロセスにおけるフォト
レジスト塗布後のベーク処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のベーク処理装置は図３に示すよう
に、ヒータ４と熱電対６を組み込み、ヒータにより加熱
された厚板（以下、ホットプレートという）２上にウェ
ハ１を乗せ、温度制御部５の働きによりウェハに所定の
温度でベーク処理を行う。従来よりウェハをホットプレ
ーム上に直接置く方式（いわゆるコンタクトベーク）が
一般的に多く用いられてきたが、この方式ではウェハ裏
面がホットプレート表面と密着する為にウェハ裏面への
ゴミの付着が問題となっている。
に、ヒータ４と熱電対６を組み込み、ヒータにより加熱
された厚板（以下、ホットプレートという）２上にウェ
ハ１を乗せ、温度制御部５の働きによりウェハに所定の
温度でベーク処理を行う。従来よりウェハをホットプレ
ーム上に直接置く方式（いわゆるコンタクトベーク）が
一般的に多く用いられてきたが、この方式ではウェハ裏
面がホットプレート表面と密着する為にウェハ裏面への
ゴミの付着が問題となっている。
【０００３】このため最近ではウェハとホットプレート
を密着させずに０．１〜０．２ｍｍ程度のすきま（以
下、プロキシミティギャップという）を設けてベーク処
理を行ういわゆるプロキシミティベークが主流となって
きている。これは図３に示す様に、ホットプレート２上
に固定されたピン（以下、プロキシミティピンという）
３が設置されており、その上にウェハ１を乗せてベーク
処理を行う方式である。
を密着させずに０．１〜０．２ｍｍ程度のすきま（以
下、プロキシミティギャップという）を設けてベーク処
理を行ういわゆるプロキシミティベークが主流となって
きている。これは図３に示す様に、ホットプレート２上
に固定されたピン（以下、プロキシミティピンという）
３が設置されており、その上にウェハ１を乗せてベーク
処理を行う方式である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】プロキシミティベーク
ではホットプレート表面とウェハ裏面が接触しないの
で、ホットプレート上に多少のゴミ等の汚れが付着して
いてもこれがウェハ裏面に付着することはないという点
で有効な方式ではあるものの、このベーク処理の前工程
であるフォトレジストの塗布処理においてウェハ裏面が
フォトレジストのミスト等によって汚染されていた場合
には、従来のベーク処理装置ではこのウェハ裏面の汚染
状態を保持したままでベース処理を行ってしまうことに
なる。
ではホットプレート表面とウェハ裏面が接触しないの
で、ホットプレート上に多少のゴミ等の汚れが付着して
いてもこれがウェハ裏面に付着することはないという点
で有効な方式ではあるものの、このベーク処理の前工程
であるフォトレジストの塗布処理においてウェハ裏面が
フォトレジストのミスト等によって汚染されていた場合
には、従来のベーク処理装置ではこのウェハ裏面の汚染
状態を保持したままでベース処理を行ってしまうことに
なる。
【０００５】このためにベーク処理の次工程である露光
処理工程に裏面の汚染された状態にあるウェハを供給し
てしまうことになる。現在の半導体集積回路の製造工程
における露光処理には主にステッパーと呼ばれる露光装
置が使われているが、ステッパーの露光処理部でウェハ
を保持するステージは真空吸着方式のために、前工程よ
り裏面の汚染されたウェハが流れてきた場合には、ステ
ッパーのステージがこれにより汚染されてしまうことに
なる。ステッパーのステージにはその性能上きわめて厳
しい平坦度が要求されているがステージが汚染により部
分的に平坦度が悪くなってしまうと、ステッパーの露光
性能に致命的な悪影響を与えてしまい、これにより半導
体集積回路の製造工程における歩留の低下を引き起こし
てしまうことになる。
処理工程に裏面の汚染された状態にあるウェハを供給し
てしまうことになる。現在の半導体集積回路の製造工程
における露光処理には主にステッパーと呼ばれる露光装
置が使われているが、ステッパーの露光処理部でウェハ
を保持するステージは真空吸着方式のために、前工程よ
り裏面の汚染されたウェハが流れてきた場合には、ステ
ッパーのステージがこれにより汚染されてしまうことに
なる。ステッパーのステージにはその性能上きわめて厳
しい平坦度が要求されているがステージが汚染により部
分的に平坦度が悪くなってしまうと、ステッパーの露光
性能に致命的な悪影響を与えてしまい、これにより半導
体集積回路の製造工程における歩留の低下を引き起こし
てしまうことになる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のベーク処理装置
では、プロキシミティギャップにオゾンガスを流す機構
と、このオゾンガスをウェハ表面に回り込まない様にし
て排気させる機構とを具えている。
では、プロキシミティギャップにオゾンガスを流す機構
と、このオゾンガスをウェハ表面に回り込まない様にし
て排気させる機構とを具えている。
【０００７】フォトレジストはオゾンガスによる熱酸化
反応によりアッシングすることが可能である。フォトレ
ジスト塗布処理において、ウェハ裏面がフォトレジスト
のミストによって汚染された場合、本発明のベーク処理
装置で処理することにより、ウェハのベーク処理と同時
にウェハ裏面に付着しているフォトレジストのオゾンガ
スによるアッシングを行うことができる。
反応によりアッシングすることが可能である。フォトレ
ジスト塗布処理において、ウェハ裏面がフォトレジスト
のミストによって汚染された場合、本発明のベーク処理
装置で処理することにより、ウェハのベーク処理と同時
にウェハ裏面に付着しているフォトレジストのオゾンガ
スによるアッシングを行うことができる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例を示す概略図
である。ウェハ１はプロキシミティピン３の上に乗って
おり、ウェハの下面（裏面）側にはホットプレート２が
配置されている。ホットプレート内にはヒータ４と熱電
対６が組み込まれており、温度制御部５の動作によりホ
ットプレートの温度を予め設定した温度に保つことがで
きる。
である。ウェハ１はプロキシミティピン３の上に乗って
おり、ウェハの下面（裏面）側にはホットプレート２が
配置されている。ホットプレート内にはヒータ４と熱電
対６が組み込まれており、温度制御部５の動作によりホ
ットプレートの温度を予め設定した温度に保つことがで
きる。
【００１０】ホットプレートの中心部には吹出口９が設
けられており、オゾンガス発生器７より濃度５ｗｔ％前
後で流量１０Ｌ（リットル）／分程度のオゾンガスをウ
ェハ裏面にき付けることができる。プロキシミティギャ
ップは０．１〜０．２ｍｍであり、吹出口より流入した
オゾンガスはこのすきまを通ってウェハの外周部付近に
相当するホットプレート部分に設けられた排気孔１０よ
り排出される。この時、排気集合ボックス８に設置され
たダンパー１１を調節してオゾンガスの流入量よりも多
い排気量を確保することによりオゾンガスのウェハ表面
への回り込みを防ぐことができる。
けられており、オゾンガス発生器７より濃度５ｗｔ％前
後で流量１０Ｌ（リットル）／分程度のオゾンガスをウ
ェハ裏面にき付けることができる。プロキシミティギャ
ップは０．１〜０．２ｍｍであり、吹出口より流入した
オゾンガスはこのすきまを通ってウェハの外周部付近に
相当するホットプレート部分に設けられた排気孔１０よ
り排出される。この時、排気集合ボックス８に設置され
たダンパー１１を調節してオゾンガスの流入量よりも多
い排気量を確保することによりオゾンガスのウェハ表面
への回り込みを防ぐことができる。
【００１１】通常、ウェハ表面（上面）にフォトレジス
トを塗布した後のベーク処理は１００〜１２０℃の温度
で９０秒程度行われるが、この温度で前述した濃度、流
量のオゾンガスを流した場合、３００ｎｍ（ナノメー
タ）／分程度のフォトレジストに対するアッシングレー
トが得られることから４５０ｎｍ以下の膜厚のフォトレ
ジストであればウェハのベーク処理中にウェハ裏面のフ
ォトレジストを完全に除去することができる。
トを塗布した後のベーク処理は１００〜１２０℃の温度
で９０秒程度行われるが、この温度で前述した濃度、流
量のオゾンガスを流した場合、３００ｎｍ（ナノメー
タ）／分程度のフォトレジストに対するアッシングレー
トが得られることから４５０ｎｍ以下の膜厚のフォトレ
ジストであればウェハのベーク処理中にウェハ裏面のフ
ォトレジストを完全に除去することができる。
【００１２】フォトレジスト処理に於てウェハ裏面（下
面）に付着したフォトレジストのミストのほとんどは４
５０ｎｍ以下の厚さであることから、本発明のベーク処
理装置を使うことによりウェハ裏面にフォトレジストの
ミストによる汚染があった場合でも、ウェハのベーク処
理中にほぼ完全にこの汚染を除去して次工程に裏面のク
リーンな状態のウェハを供給することができる。
面）に付着したフォトレジストのミストのほとんどは４
５０ｎｍ以下の厚さであることから、本発明のベーク処
理装置を使うことによりウェハ裏面にフォトレジストの
ミストによる汚染があった場合でも、ウェハのベーク処
理中にほぼ完全にこの汚染を除去して次工程に裏面のク
リーンな状態のウェハを供給することができる。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例を示す概略図
である。基本的な構成は第１の実施例と同一であるが、
排気口１０の位置がウェハ外周位置よりかなり内側、す
なわちウェハの下方にあることがこの第２の実施例の特
徴である。
である。基本的な構成は第１の実施例と同一であるが、
排気口１０の位置がウェハ外周位置よりかなり内側、す
なわちウェハの下方にあることがこの第２の実施例の特
徴である。
【００１４】現在のフォトレジスト塗布処理装置では、
フォトレジスト塗布膜形成時にウェハ裏面外周部に洗浄
液を吐出させて洗浄するいわゆるバックリンス機構を有
しているため、この部分はフォトレジストのミストによ
る汚染が除去されていることになる。第２の実施例では
バックリンスによる洗浄処理の行なわれていない中央部
分のみのオゾンアッシングを行うため、アッシング面積
を小さくすることによりオゾンガス消費量を削減でき、
また第１の実施例よりもオゾンガスのウェハ表面への回
り込みの可能性を小さくできるというメリットを有して
いる。
フォトレジスト塗布膜形成時にウェハ裏面外周部に洗浄
液を吐出させて洗浄するいわゆるバックリンス機構を有
しているため、この部分はフォトレジストのミストによ
る汚染が除去されていることになる。第２の実施例では
バックリンスによる洗浄処理の行なわれていない中央部
分のみのオゾンアッシングを行うため、アッシング面積
を小さくすることによりオゾンガス消費量を削減でき、
また第１の実施例よりもオゾンガスのウェハ表面への回
り込みの可能性を小さくできるというメリットを有して
いる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハの
ベーク処理中にウェハ裏面に付着しているフォトレジス
トのミストをオゾンガスによりアッシングすることがで
きるため、次工程である露光装置に裏面汚染のないクリ
ーンな裏面状態のウェハを供給することができる。これ
により露光装置のステージがウェハの裏面との接触によ
り汚染するのを防ぐことができ、この汚染を原因とする
露光性能を劣化による歩留の低下を防止することができ
るという効果を有する。
ベーク処理中にウェハ裏面に付着しているフォトレジス
トのミストをオゾンガスによりアッシングすることがで
きるため、次工程である露光装置に裏面汚染のないクリ
ーンな裏面状態のウェハを供給することができる。これ
により露光装置のステージがウェハの裏面との接触によ
り汚染するのを防ぐことができ、この汚染を原因とする
露光性能を劣化による歩留の低下を防止することができ
るという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す概略図。
【図３】従来技術のベーク処理装置を示す概略図。
１ ウェハ ２ ホットプレート ３ プロキシミティピン ４ ヒータ ５ 温度制御部 ６ 熱電対 ７ オゾンガス発生器 ８ 排気集合ボックス ９ 吹出口 １０ 排気口 １１ ダンパー
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板をヒータにより加熱された厚
板上に置き、該半導体基板のベーク処理を行うベーク処
理装置において、ピンにより形成された前記半導体基板
と前記厚板との間の微小な隙間にオゾンガスを流す機構
と、このオゾンガスが前記半導体基板の表面に回り込ま
ないように排気させる機構とを有することを特徴とする
ベーク処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16978692A JP2870303B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | ベーク処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16978692A JP2870303B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | ベーク処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613307A true JPH0613307A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2870303B2 JP2870303B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=15892853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16978692A Expired - Fee Related JP2870303B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | ベーク処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870303B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013093391A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP16978692A patent/JP2870303B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013093391A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2870303B2 (ja) | 1999-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981201 |
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