JPH06128750A - 真空処理装置の高周波電極 - Google Patents
真空処理装置の高周波電極Info
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- JPH06128750A JPH06128750A JP4306510A JP30651092A JPH06128750A JP H06128750 A JPH06128750 A JP H06128750A JP 4306510 A JP4306510 A JP 4306510A JP 30651092 A JP30651092 A JP 30651092A JP H06128750 A JPH06128750 A JP H06128750A
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- plate
- electrode
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】シャワープレート上に突起を作らず、しかもシ
ャワープレートの熱変形を無くする真空処理装置の高周
波電極を提供する。 【構成】加熱ヒータで加熱される基板と対向するように
配置された放電電極を、ボトムプレート2の周縁部に立
設された電極枠3を覆うようにシャワープレート7を配
置して構成した高周波電極において、前記シャワープレ
ート7の周縁部に、シャワープレート7とで隙間を形成
するようにスライドアングル15を設けると共に、電極
枠3の上端部に上記スライドアングル15を摺動自在に
挟持する隙間を設け、また上記ボトムプレート3上に複
数個の板バネ12をその板バネ12の撓み方向を前記シ
ャワープレート7の中心付近から周辺方向へ向けて設け
ると共に、その板バネ12にシャワープレート固定具1
3を取付け、更にそのシャワープレート固定具13に前
記シャワープレート7を固定する。
ャワープレートの熱変形を無くする真空処理装置の高周
波電極を提供する。 【構成】加熱ヒータで加熱される基板と対向するように
配置された放電電極を、ボトムプレート2の周縁部に立
設された電極枠3を覆うようにシャワープレート7を配
置して構成した高周波電極において、前記シャワープレ
ート7の周縁部に、シャワープレート7とで隙間を形成
するようにスライドアングル15を設けると共に、電極
枠3の上端部に上記スライドアングル15を摺動自在に
挟持する隙間を設け、また上記ボトムプレート3上に複
数個の板バネ12をその板バネ12の撓み方向を前記シ
ャワープレート7の中心付近から周辺方向へ向けて設け
ると共に、その板バネ12にシャワープレート固定具1
3を取付け、更にそのシャワープレート固定具13に前
記シャワープレート7を固定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はプラズマCVD装置、
エッチング装置等の真空処理装置の高周波電極に関する
ものである。
エッチング装置等の真空処理装置の高周波電極に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】プラズマCVD装置、エッチング装置等
の真空処理装置は、真空槽内に高周波電極と基板とを対
向して配置し、更に、その基板の背後に加熱ヒーターを
配置し、その加熱ヒーターからの熱で基板を加熱するよ
うにしている。このような真空処理装置の高周波電極の
従来例が図6および図7に示されている。これらの図に
おいて、内部にガス導入通路1aをもつ高周波導入軸1
の先端部にはボトムプレート2が固定され、そのボトム
プレート2の周縁部には電極枠3が立設され、更に、そ
の電極枠3の一端には多数のガス噴出口4aを持つシャ
ワープレート4がシャワープレート押え板5を介してネ
ジ6により取り付けられている。また、ボトムプレート
2の背後にはこれと隙間をもってアースプレート7が配
置され、更に、そのアースプレート7の周縁部にはアー
スシールド8が立設され、そのアースシールド8は硝子
9によって電極枠3と隙間を持ち、アースプレート7と
アースシールド8とがアース電位になっている。なお、
図中、10は硝子である。
の真空処理装置は、真空槽内に高周波電極と基板とを対
向して配置し、更に、その基板の背後に加熱ヒーターを
配置し、その加熱ヒーターからの熱で基板を加熱するよ
うにしている。このような真空処理装置の高周波電極の
従来例が図6および図7に示されている。これらの図に
おいて、内部にガス導入通路1aをもつ高周波導入軸1
の先端部にはボトムプレート2が固定され、そのボトム
プレート2の周縁部には電極枠3が立設され、更に、そ
の電極枠3の一端には多数のガス噴出口4aを持つシャ
ワープレート4がシャワープレート押え板5を介してネ
ジ6により取り付けられている。また、ボトムプレート
2の背後にはこれと隙間をもってアースプレート7が配
置され、更に、そのアースプレート7の周縁部にはアー
スシールド8が立設され、そのアースシールド8は硝子
9によって電極枠3と隙間を持ち、アースプレート7と
アースシールド8とがアース電位になっている。なお、
図中、10は硝子である。
【0003】このような真空処理装置の高周波電極にお
いて、高周波導入軸1のガス導入通路1aを流れるガス
をシャワープレート4のガス噴出口4aより真空槽内に
噴出させる一方で、高周波導入軸1に高周波電力を印加
すると、シャワープレート4が高電圧になり、基板とシ
ャワープレート4との間で放電が起こり、プラズマが発
生し、基板上に膜が形成されたり、または、基板上の膜
がエッチングされたりする。その場合、基板は加熱ヒー
ターからの熱で加熱されるが、同時に、シャワープレー
ト4も加熱ヒーターからの輻射熱によって加熱され、シ
ャワープレート4が熱膨張しようとする。
いて、高周波導入軸1のガス導入通路1aを流れるガス
をシャワープレート4のガス噴出口4aより真空槽内に
噴出させる一方で、高周波導入軸1に高周波電力を印加
すると、シャワープレート4が高電圧になり、基板とシ
ャワープレート4との間で放電が起こり、プラズマが発
生し、基板上に膜が形成されたり、または、基板上の膜
がエッチングされたりする。その場合、基板は加熱ヒー
ターからの熱で加熱されるが、同時に、シャワープレー
ト4も加熱ヒーターからの輻射熱によって加熱され、シ
ャワープレート4が熱膨張しようとする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の真空処理装置の
高周波電極は、上記のようにシャワープレート4が加熱
ヒーターからの輻射熱によって加熱され、熱膨張しよう
とする。しかしながら、シャワープレート4はシャワー
プレート押え板5を介してネジ6によって電極枠3の一
端に取り付けられているため、シャワープレート4の熱
膨張は阻止され、シャワープレート4自身が熱変形する
ようになる。そのため、シャワープレート4の電位が不
均一になり、それが原因で、基板上に形成される膜の膜
厚および膜質分布が不均一になる問題があった。
高周波電極は、上記のようにシャワープレート4が加熱
ヒーターからの輻射熱によって加熱され、熱膨張しよう
とする。しかしながら、シャワープレート4はシャワー
プレート押え板5を介してネジ6によって電極枠3の一
端に取り付けられているため、シャワープレート4の熱
膨張は阻止され、シャワープレート4自身が熱変形する
ようになる。そのため、シャワープレート4の電位が不
均一になり、それが原因で、基板上に形成される膜の膜
厚および膜質分布が不均一になる問題があった。
【0005】また、シャワープレート4を電極枠3の一
端にシャワープレート押え板5を介してネジ6で取り付
けることによって、シャワープレート4の上にシャワー
プレート押え板5が突起するようになる。そのため、シ
ャワープレート押え板5の突起により、シャワープレー
ト4の電位が不均一になり、それが原因で、基板上に形
成される膜の膜厚および膜質分布が不均一になる問題が
あった。
端にシャワープレート押え板5を介してネジ6で取り付
けることによって、シャワープレート4の上にシャワー
プレート押え板5が突起するようになる。そのため、シ
ャワープレート押え板5の突起により、シャワープレー
ト4の電位が不均一になり、それが原因で、基板上に形
成される膜の膜厚および膜質分布が不均一になる問題が
あった。
【0006】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、シャワープレート上に突起を作らず、しかもシャ
ワープレートの熱変形を無くすることの可能な真空処理
装置の高周波電極を提供することである。
して、シャワープレート上に突起を作らず、しかもシャ
ワープレートの熱変形を無くすることの可能な真空処理
装置の高周波電極を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、加熱ヒーターで加熱される基板と対向
するように配置される放電電極を、ボトムプレートの周
縁部に立設された電極枠を覆うようにシャワープレート
を配置して構成した真空処理装置の高周波電極におい
て、上記シャワープレートの周縁部に、シャワープレー
ト下面とで隙間を形成するようにスライドアングルを設
けると共に、上記電極枠の上端部に上記スライドアング
ルを摺動自在に挟持する隙間を設け、また、上記ボトム
プレート上に複数個の板バネを、その板バネの撓み方向
を上記シャワープレートの中心付近から周辺方向に向け
て設け、更に、そのシャワープレート固定具に上記シャ
ワープレートを固定したことを特徴とするものである。
に、この発明は、加熱ヒーターで加熱される基板と対向
するように配置される放電電極を、ボトムプレートの周
縁部に立設された電極枠を覆うようにシャワープレート
を配置して構成した真空処理装置の高周波電極におい
て、上記シャワープレートの周縁部に、シャワープレー
ト下面とで隙間を形成するようにスライドアングルを設
けると共に、上記電極枠の上端部に上記スライドアング
ルを摺動自在に挟持する隙間を設け、また、上記ボトム
プレート上に複数個の板バネを、その板バネの撓み方向
を上記シャワープレートの中心付近から周辺方向に向け
て設け、更に、そのシャワープレート固定具に上記シャ
ワープレートを固定したことを特徴とするものである。
【0008】
【作用】この発明においては、基板を加熱する加熱ヒー
ターの熱により、放電電極のシャワープレートが加熱さ
れて熱膨張する。しかしながら、シャワープレートは、
その周縁部に設けたスライドアングルが電極枠に摺動自
在に挟持されており、また撓み方向がシャワープレート
の中心付近から周辺方向に向けてボトムプレート上に設
けられた板バネに、シャワープレート固定具を介して固
定されているため、シャワープレートの熱膨張による伸
びは、電極枠に対するスライドアングルの摺動および板
バネの撓みによるシャワープレート固定具の移動により
シャワープレートの面方向に限って許容される。そのた
め、シャワープレートの熱膨張による熱変形が極力押さ
えられるようになる。また、シャワープレート固定具の
シャワープレートへの固定は皿ネジで締結できるので、
シャワープレート表面の突起をなくすことができる。
ターの熱により、放電電極のシャワープレートが加熱さ
れて熱膨張する。しかしながら、シャワープレートは、
その周縁部に設けたスライドアングルが電極枠に摺動自
在に挟持されており、また撓み方向がシャワープレート
の中心付近から周辺方向に向けてボトムプレート上に設
けられた板バネに、シャワープレート固定具を介して固
定されているため、シャワープレートの熱膨張による伸
びは、電極枠に対するスライドアングルの摺動および板
バネの撓みによるシャワープレート固定具の移動により
シャワープレートの面方向に限って許容される。そのた
め、シャワープレートの熱膨張による熱変形が極力押さ
えられるようになる。また、シャワープレート固定具の
シャワープレートへの固定は皿ネジで締結できるので、
シャワープレート表面の突起をなくすことができる。
【0009】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例は図1〜図5に示
されており、これらの図において、内部にガス導入通路
1aをもつ高周波導入軸1の先端部にはボトムプレート
2が固定され、そのボトムプレート2の周縁部には電極
枠3が立設され、電極枠3によって四角形の形状が形成
されている。更に、多数のガス噴出口4aを持つシャワ
ープレート4が四角形の電極枠3を覆うように配置され
ている。また、ボトムプレート2には複数のブラケット
11が放射状に取り付けられ、そして、各ブラケット1
1には板バネ12が固定されている。更に、各板バネ1
2にはシャワープレート固定具13が取り付けられ、そ
して、これらのシャワープレート固定具13にはシャワ
ープレート4が皿ネジ14によって固定されている。ボ
トムプレート2の背後にはこれと隙間をもってアースプ
レート7が配置され、更に、そのアースプレート7の周
縁部にはアースシールド8が立設され、そのアースシー
ルド8は絶縁物9によって電極枠3と隙間を持ち、アー
スプレート7とアースシールド8とがアース電位になっ
ている。なお、図中、10は絶縁物である。また、シャ
ワープレート4の周縁部下面にはスライドアングル15
がシャワープレート4の下面との間に隙間16を形成す
るように取り付けられ、ボトムプレート2の周縁部に立
設された電極枠3の周囲には電極アングル17が電極枠
3の上面との間に隙間18を形成するように取り付けら
れている。そして、これらスライドアングル15および
電極アングルの刃部15a、17aはそれぞれ隙間1
8、16に摺動自在に挟まり、シャワープレート4と電
極枠3との間の気密性を保持できるようになっている。
しながら説明する。この発明の実施例は図1〜図5に示
されており、これらの図において、内部にガス導入通路
1aをもつ高周波導入軸1の先端部にはボトムプレート
2が固定され、そのボトムプレート2の周縁部には電極
枠3が立設され、電極枠3によって四角形の形状が形成
されている。更に、多数のガス噴出口4aを持つシャワ
ープレート4が四角形の電極枠3を覆うように配置され
ている。また、ボトムプレート2には複数のブラケット
11が放射状に取り付けられ、そして、各ブラケット1
1には板バネ12が固定されている。更に、各板バネ1
2にはシャワープレート固定具13が取り付けられ、そ
して、これらのシャワープレート固定具13にはシャワ
ープレート4が皿ネジ14によって固定されている。ボ
トムプレート2の背後にはこれと隙間をもってアースプ
レート7が配置され、更に、そのアースプレート7の周
縁部にはアースシールド8が立設され、そのアースシー
ルド8は絶縁物9によって電極枠3と隙間を持ち、アー
スプレート7とアースシールド8とがアース電位になっ
ている。なお、図中、10は絶縁物である。また、シャ
ワープレート4の周縁部下面にはスライドアングル15
がシャワープレート4の下面との間に隙間16を形成す
るように取り付けられ、ボトムプレート2の周縁部に立
設された電極枠3の周囲には電極アングル17が電極枠
3の上面との間に隙間18を形成するように取り付けら
れている。そして、これらスライドアングル15および
電極アングルの刃部15a、17aはそれぞれ隙間1
8、16に摺動自在に挟まり、シャワープレート4と電
極枠3との間の気密性を保持できるようになっている。
【0010】このような実施例において、高周波導入軸
1のガス導入通路1aを流れるガスをシャワープレート
4のガス噴出口4aより真空槽内に噴出させる一方で、
高周波導入軸1に高周波電力を印加すると、シャワープ
レート4が高電圧になり、基板とシャワープレート4と
の間で放電が起こり、プラズマが発生し、基板上に膜が
形成されたり、または、基板上の膜がエッチングされた
りする。その際、基板を加熱する加熱ヒーターからの輻
射熱によって、シャワープレート4が加熱され、シャワ
ープレート4が熱膨張する。
1のガス導入通路1aを流れるガスをシャワープレート
4のガス噴出口4aより真空槽内に噴出させる一方で、
高周波導入軸1に高周波電力を印加すると、シャワープ
レート4が高電圧になり、基板とシャワープレート4と
の間で放電が起こり、プラズマが発生し、基板上に膜が
形成されたり、または、基板上の膜がエッチングされた
りする。その際、基板を加熱する加熱ヒーターからの輻
射熱によって、シャワープレート4が加熱され、シャワ
ープレート4が熱膨張する。
【0011】そのとき、シャワープレート4の熱膨張に
伴い、ボトムプレート2に取り付けられたブラケット1
1に固定されている板バネ12がシャワープレート4の
面方向に撓んでシャワープレート固定具13が移動する
と共に、電極枠3と電極アングル17とで形成された隙
間18に挟持されたスライドアングル1が隙間18内で
摺動する。そのため、シャワープレート4の熱膨張によ
る熱変形が極力押さえられる。また、シャワープレート
固定具13のシャワープレート4への固定は、皿ネジ1
4で締結されるので、シャワープレート4の表面の突起
をなくすることができ、シャワープレート4の表面の平
面度を保つことが可能になる。
伴い、ボトムプレート2に取り付けられたブラケット1
1に固定されている板バネ12がシャワープレート4の
面方向に撓んでシャワープレート固定具13が移動する
と共に、電極枠3と電極アングル17とで形成された隙
間18に挟持されたスライドアングル1が隙間18内で
摺動する。そのため、シャワープレート4の熱膨張によ
る熱変形が極力押さえられる。また、シャワープレート
固定具13のシャワープレート4への固定は、皿ネジ1
4で締結されるので、シャワープレート4の表面の突起
をなくすることができ、シャワープレート4の表面の平
面度を保つことが可能になる。
【0012】ところで、上記実施例は、ブラケット1
1、板バネ12、シャワープレート固定具13を放射状
に配置しているが、電極の大きさによっては、これらを
対角線方向にだけ配置してもよい。また、電極の形状は
四角形になっているが、円形であっても良い。
1、板バネ12、シャワープレート固定具13を放射状
に配置しているが、電極の大きさによっては、これらを
対角線方向にだけ配置してもよい。また、電極の形状は
四角形になっているが、円形であっても良い。
【0013】
【発明の効果】この発明は、上記のようにシャワープレ
ートの熱膨張に呼応して、シャワープレート固定具が板
バネの撓みによりシャワープレートの面方向に移動し、
スライドアングルが電極枠に対して気密性を保って摺動
するため、シャワープレートの熱膨張による熱変形が極
力押さえられる。また、シャワープレート固定具のシャ
ワープレートへの固定は皿ネジで締結されるので、シャ
ワープレート表面の突起をなくすることができ、シャワ
ープレート表面の平面度を保つことが出来る。したがっ
て、シャワープレート上に突起を作らず、しかもシャワ
ープレートの熱変形を無くすることが可能になり、シャ
ワープレートの電位が均一化して、基板上に形成される
膜の膜厚および膜質分布が均一になる。
ートの熱膨張に呼応して、シャワープレート固定具が板
バネの撓みによりシャワープレートの面方向に移動し、
スライドアングルが電極枠に対して気密性を保って摺動
するため、シャワープレートの熱膨張による熱変形が極
力押さえられる。また、シャワープレート固定具のシャ
ワープレートへの固定は皿ネジで締結されるので、シャ
ワープレート表面の突起をなくすることができ、シャワ
ープレート表面の平面度を保つことが出来る。したがっ
て、シャワープレート上に突起を作らず、しかもシャワ
ープレートの熱変形を無くすることが可能になり、シャ
ワープレートの電位が均一化して、基板上に形成される
膜の膜厚および膜質分布が均一になる。
【図1】この発明の実施例の平面図
【図2】この発明の実施例の断面図
【図3】図2のA部の詳細立面図
【図4】図2のA部の詳細平面図
【図5】図2のB部の詳細立面図
【図6】従来の真空処理装置の高周波電極の平面図
【図7】従来の真空処理装置の高周波電極の断面図
1・・・・・・・高周波導入軸 1a・・・・・・ガス導入通路 2・・・・・・・ボトムプレート 3・・・・・・・電極枠 4・・・・・・・シャワープレート 4a・・・・・・ガス噴出口 7・・・・・・・アースプレート 8・・・・・・・アースシールド 9・・・・・・・絶縁物 10・・・・・・絶縁物 11・・・・・・ブラケット 12・・・・・・板バネ 13・・・・・・シャワープレート固定具 14・・・・・・皿ネジ 15・・・・・・スライドアングル 17・・・・・・電極アングル
フロントページの続き (72)発明者 清水 康男 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 一山 政博 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 諏訪 秀則 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 黒川 邦明 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 小形 英之 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】加熱ヒーターで加熱される基板と対向する
ように配置される放電電極を、ボトムプレートの周縁部
に立設された電極枠を覆うようにシャワープレートを配
置して構成した真空処理装置の高周波電極において、上
記シャワープレートの周縁部に、シャワープレート下面
とで隙間を形成するようにスライドアングルを設けると
共に、上記電極枠の上端部に上記スライドアングルを摺
動自在に挟持する隙間を設け、また、上記ボトムプレー
ト上に複数個の板バネを、その板バネの撓み方向を上記
シャワープレートの中心付近から周辺方向に向けて設
け、更に、そのシャワープレート固定具に上記シャワー
プレートを固定したことを特徴とする真空処理装置の高
周波電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30651092A JP3155844B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 真空処理装置の高周波電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30651092A JP3155844B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 真空処理装置の高周波電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06128750A true JPH06128750A (ja) | 1994-05-10 |
JP3155844B2 JP3155844B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=17957900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30651092A Expired - Lifetime JP3155844B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 真空処理装置の高周波電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3155844B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003012165A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited | Gas treating device and gas treating method |
JP2005256172A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-22 | Applied Materials Inc | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
JP2010168609A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 薄膜形成装置 |
WO2010143327A1 (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | シャープ株式会社 | プラズマcvd装置 |
JP2011137228A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-14 | Orbotech Lt Solar Llc | 真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリ |
WO2020100376A1 (ja) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 株式会社アルバック | 真空加熱装置、リフレクタ装置 |
CN113261390A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-13 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP30651092A patent/JP3155844B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003012165A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited | Gas treating device and gas treating method |
JP2004076023A (ja) * | 2001-08-01 | 2004-03-11 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置およびガス処理方法 |
JP2009041111A (ja) * | 2001-08-01 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
JP2005256172A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-22 | Applied Materials Inc | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
JP2011089208A (ja) * | 2004-02-24 | 2011-05-06 | Applied Materials Inc | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
JP2010168609A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2010285667A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sharp Corp | プラズマcvd装置 |
WO2010143327A1 (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | シャープ株式会社 | プラズマcvd装置 |
JP2011137228A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-14 | Orbotech Lt Solar Llc | 真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリ |
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