JPH0612751B2 - 露光装置における位置合わせ装置 - Google Patents
露光装置における位置合わせ装置Info
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- JPH0612751B2 JPH0612751B2 JP58044700A JP4470083A JPH0612751B2 JP H0612751 B2 JPH0612751 B2 JP H0612751B2 JP 58044700 A JP58044700 A JP 58044700A JP 4470083 A JP4470083 A JP 4470083A JP H0612751 B2 JPH0612751 B2 JP H0612751B2
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- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、露光装置における位置合わせ装置に関す
る。
る。
その概要は、ウエハの位置合わせとマスクの位置合わせ
とをそれぞれ独立の位置決め機構で行い、ウエハの位置
合わせは、露光光線より長い、露光し難い波長の光線を
用いて、ウエハ上の合わせマークの像を光学的にイメー
ジセンサ上に投影して行うものである。このことによ
り、その位置合わせが簡単にでき、ウエハ上の合わせマ
ークの崩れを防止でき、後工程の位置合わせが正確にで
きる。
とをそれぞれ独立の位置決め機構で行い、ウエハの位置
合わせは、露光光線より長い、露光し難い波長の光線を
用いて、ウエハ上の合わせマークの像を光学的にイメー
ジセンサ上に投影して行うものである。このことによ
り、その位置合わせが簡単にでき、ウエハ上の合わせマ
ークの崩れを防止でき、後工程の位置合わせが正確にで
きる。
ところで、露光装置における位置合わせ装置、特に、縮
小投影露光装置におけるそれは、精密な位置合わせが要
求される。そのため、ウエハ上の合わせマークからウエ
ハの位置を検出して、ウエハを乗せた移動台をマスク側
に対して動かしてマスクの投影像とウエハの合わせマー
クとの位置合わせを行う必要がある。なお、この位置合
わせはマスク側を動かしても可能であり、マスクの動き
は、その縮小率である、例えば、1/10に縮小される
ので、精密な調整がし易い。ここで、マークの位置検出
には、縮小投影レンズを利用するものと別のレンズを利
用するものとがあり、また、その検出位置は、少なくと
も、X方向,Y方向の2方向について行われる。
小投影露光装置におけるそれは、精密な位置合わせが要
求される。そのため、ウエハ上の合わせマークからウエ
ハの位置を検出して、ウエハを乗せた移動台をマスク側
に対して動かしてマスクの投影像とウエハの合わせマー
クとの位置合わせを行う必要がある。なお、この位置合
わせはマスク側を動かしても可能であり、マスクの動き
は、その縮小率である、例えば、1/10に縮小される
ので、精密な調整がし易い。ここで、マークの位置検出
には、縮小投影レンズを利用するものと別のレンズを利
用するものとがあり、また、その検出位置は、少なくと
も、X方向,Y方向の2方向について行われる。
しかしながら、この種の従来の露光装置の位置合わせ装
置にあっては、具体的な位置決めの仕方としては、露光
光線と同一の波長の光線により行われるものであって、
例えば、ウエハ上の合わせマークの像とマスク上の位置
合わせマークの像とを光学的に重畳して走査形のマーク
検出器上に投影して位置決めを行うものである。その結
果、ウエハ上に設けられた位置合わせマークが露光され
てしまうことが起こる。
置にあっては、具体的な位置決めの仕方としては、露光
光線と同一の波長の光線により行われるものであって、
例えば、ウエハ上の合わせマークの像とマスク上の位置
合わせマークの像とを光学的に重畳して走査形のマーク
検出器上に投影して位置決めを行うものである。その結
果、ウエハ上に設けられた位置合わせマークが露光され
てしまうことが起こる。
このような従来の位置合わせ装置の構成の一例として、
その概要を示す第1図に基づき、説明すると、第1図に
見る如く、露光光線の光源1(水銀ランプ1aとコンデ
ンサレンズ1b等から構成されている)により発生した
光線のうち露光光線Lが、ハーフミラー2,顕微鏡7,
全・反射ミラー3を経てマスク10(この明細書におい
ては、マスク又はレチクルをこれらを含めた概念として
マスクをもってこれを代表し、使用するものである)上
の端部に開口として形成されるアライメントマーク(合
わせマーク)4を通り、縮小レンズ5により縮小され、
ウエハ9上のアライメントマーク6に照射される。
その概要を示す第1図に基づき、説明すると、第1図に
見る如く、露光光線の光源1(水銀ランプ1aとコンデ
ンサレンズ1b等から構成されている)により発生した
光線のうち露光光線Lが、ハーフミラー2,顕微鏡7,
全・反射ミラー3を経てマスク10(この明細書におい
ては、マスク又はレチクルをこれらを含めた概念として
マスクをもってこれを代表し、使用するものである)上
の端部に開口として形成されるアライメントマーク(合
わせマーク)4を通り、縮小レンズ5により縮小され、
ウエハ9上のアライメントマーク6に照射される。
ここに照射された光線Lは、ここで、反射され、再び、
縮小レンズ5を経て、マスク10上のアライメントマー
ク4の位置に至り、全・反射ミラー3,顕微鏡7を経
て、拡大され、ハーフミラー2に至る。そして、これを
透過して、その光線がマーク検出器8の検出面上に照射
されて、ここにウエハ9上のアライメントマーク6の像
が結像される。このときマスク10上のアライメントマ
ーク4の反射光も同様に全・反射ミラー3,顕微鏡7を
経て、拡大され、ハーフミラー2に至り、これを透過し
た光線がマーク検出器8の検出面上に照射される。そし
て、ここにマスク10上のアライメントマーク4の像が
同時にマーク検出器8の検出面上に結像されるものであ
る。
縮小レンズ5を経て、マスク10上のアライメントマー
ク4の位置に至り、全・反射ミラー3,顕微鏡7を経
て、拡大され、ハーフミラー2に至る。そして、これを
透過して、その光線がマーク検出器8の検出面上に照射
されて、ここにウエハ9上のアライメントマーク6の像
が結像される。このときマスク10上のアライメントマ
ーク4の反射光も同様に全・反射ミラー3,顕微鏡7を
経て、拡大され、ハーフミラー2に至り、これを透過し
た光線がマーク検出器8の検出面上に照射される。そし
て、ここにマスク10上のアライメントマーク4の像が
同時にマーク検出器8の検出面上に結像されるものであ
る。
したがって、マーク検出器8上には、ウエハ9上のアラ
イメントマーク6の像とマスク10上のアライメントマ
ーク4の像とがともに重畳して、投影されることにな
る。その結果、これらの像を走査することにより、その
位置関係が検出でき、これにより位置決めを行うことが
できる。
イメントマーク6の像とマスク10上のアライメントマ
ーク4の像とがともに重畳して、投影されることにな
る。その結果、これらの像を走査することにより、その
位置関係が検出でき、これにより位置決めを行うことが
できる。
なお、この露光装置にあっては、マスク10とウエハ9
との距離と、縮小レンズ5と、そして露光光線の波長と
の関係により、ウエハ9上のアライメントマーク6の像
とマスク10上のアライメントマーク4の像とが重畳す
るようにあらかじめ設定されている。
との距離と、縮小レンズ5と、そして露光光線の波長と
の関係により、ウエハ9上のアライメントマーク6の像
とマスク10上のアライメントマーク4の像とが重畳す
るようにあらかじめ設定されている。
このような位置合わせ装置によると、その位置合わせ
は、露光光線によらざるを得なくなる。ところが、ウエ
ハ9上のアライメントマーク6は、一般に、エッチング
等によりウエハ9上に凹凸部(穴等)として形成されて
いるものであって、この凹凸部は露光光線を受けると、
露光されて、後工程の、例えばエッチングのとき、この
アライメントマーク6が崩れて消失してしまうことにな
る。このアライメントマーク6は、後工程においても基
準位置とされるため、これが崩れることにより、正確な
位置決めができず、IC等の半導体素子の製造,マスク
の製造等に当たっては、その品質が悪くなったり、歩留
りが落ちるという問題が発生する。
は、露光光線によらざるを得なくなる。ところが、ウエ
ハ9上のアライメントマーク6は、一般に、エッチング
等によりウエハ9上に凹凸部(穴等)として形成されて
いるものであって、この凹凸部は露光光線を受けると、
露光されて、後工程の、例えばエッチングのとき、この
アライメントマーク6が崩れて消失してしまうことにな
る。このアライメントマーク6は、後工程においても基
準位置とされるため、これが崩れることにより、正確な
位置決めができず、IC等の半導体素子の製造,マスク
の製造等に当たっては、その品質が悪くなったり、歩留
りが落ちるという問題が発生する。
一方、マーク検出器は、スリットの振動や鏡の回動を利
用して投影像を走査する方式を採ることが多く、この場
合には、その機械的駆動の結果、信頼性が劣るものとな
る。さらに、電子的に検出するものとして、ウエハとマ
スクとのアライメントマークを重てダイオード・アレイ
等により検出する方式もあるが、これは、重畳した像を
検出する関係で、これらのアライメントマークの位置ず
れを読むために別の光源を必要とし、その構成が複雑と
なる欠点がある。しかも、ウエハとマスクの像を同時に
検出し、これらを相対的に、位置合わせするので、位置
合わせし難いものである。
用して投影像を走査する方式を採ることが多く、この場
合には、その機械的駆動の結果、信頼性が劣るものとな
る。さらに、電子的に検出するものとして、ウエハとマ
スクとのアライメントマークを重てダイオード・アレイ
等により検出する方式もあるが、これは、重畳した像を
検出する関係で、これらのアライメントマークの位置ず
れを読むために別の光源を必要とし、その構成が複雑と
なる欠点がある。しかも、ウエハとマスクの像を同時に
検出し、これらを相対的に、位置合わせするので、位置
合わせし難いものである。
この発明は、このような従来技術の問題,欠点を除去す
るとともに、ウエハ上のアライメントマークが崩れた
り、消失し難く、その位置合わせが簡単且つ正確な、露
光装置における位置合わせ装置を提供することを目的と
している。
るとともに、ウエハ上のアライメントマークが崩れた
り、消失し難く、その位置合わせが簡単且つ正確な、露
光装置における位置合わせ装置を提供することを目的と
している。
このような目的を達成するために、この発明は、ウエハ
の位置合わせとマスクの位置合わせとを分離し、もっ
て、重畳した像を作る位置合わせによることなく、位置
合わせするものであって、ウエハ及びマスクの位置合わ
せは、露光し難い光線の波長に合わせた結像位置にイメ
ージセンサを対応させて設け、アライメントマークの像
をイメージセンサ上に投影してその位置を基準位置と比
較することにより行うというものである。
の位置合わせとマスクの位置合わせとを分離し、もっ
て、重畳した像を作る位置合わせによることなく、位置
合わせするものであって、ウエハ及びマスクの位置合わ
せは、露光し難い光線の波長に合わせた結像位置にイメ
ージセンサを対応させて設け、アライメントマークの像
をイメージセンサ上に投影してその位置を基準位置と比
較することにより行うというものである。
しかして、この発明の露光装置における位置合わせ装置
の構成は、マスク上のマスクパターンを露光光学系を介
してウエハ上に露光する露光装置において、前記ウエハ
上の合わせマークの像を前記露光光学系を通じて光学的
に第1イメージセンサ上に投影して得た位置検出信号と
予め設定された前記マスク対応のウエハ基準位置とを比
較してウエハの位置合わせをするウエハ位置決め機構
と、前記マスク上の合わせマークの像を光学的に第2イ
メージセンサ上に投影して得た位置検出信号と予め設定
された当該マスク対応のマスク基準位置とを比較してマ
スクの位置合わせをするマスク位置決め機構とを備え、
前記各イメージセンサ上に投影するために使用する光線
は、前記露光の際使用する光線の波長より長い波長に選
定されているというものである。
の構成は、マスク上のマスクパターンを露光光学系を介
してウエハ上に露光する露光装置において、前記ウエハ
上の合わせマークの像を前記露光光学系を通じて光学的
に第1イメージセンサ上に投影して得た位置検出信号と
予め設定された前記マスク対応のウエハ基準位置とを比
較してウエハの位置合わせをするウエハ位置決め機構
と、前記マスク上の合わせマークの像を光学的に第2イ
メージセンサ上に投影して得た位置検出信号と予め設定
された当該マスク対応のマスク基準位置とを比較してマ
スクの位置合わせをするマスク位置決め機構とを備え、
前記各イメージセンサ上に投影するために使用する光線
は、前記露光の際使用する光線の波長より長い波長に選
定されているというものである。
このようにすることにより、ウエハ上のアライメントマ
ークは、ほとんど露光されずに済み、かつ、簡単且つ正
確に位置合わせができるものである。
ークは、ほとんど露光されずに済み、かつ、簡単且つ正
確に位置合わせができるものである。
以下、この発明の一実施例について図面に基づいて説明
する。
する。
第2図は、この発明を適用した露光装置における位置合
わせ装置の概念的構成図である。
わせ装置の概念的構成図である。
なお、同図において、第1図と同一の構成要素は、同一
の符号を付して示している。したがって、その説明は割
愛する。
の符号を付して示している。したがって、その説明は割
愛する。
位置合わせ装置20は、ウエハ位置合わせ機構11とマ
スク位置合わせ機構12、ウエハ移動装置13、マスク
移動装置14、そして制御部15とから構成されてい
る。
スク位置合わせ機構12、ウエハ移動装置13、マスク
移動装置14、そして制御部15とから構成されてい
る。
制御部15は、演算処理装置とメモリとを有していて、
ウエハ位置合わせ機構11のイメージセンサ24からの
検出信号及びマスク位置合わせ機構12のイメージセン
サ26からの検出信号を受けて、各検出信号と、制御部
15の内部のメモリに記憶したマスク対応のウエハ基準
値及びマスク基準値とを比較して、その差値に対応する
制御信号をウエハ移動装置13及びマスク移動装置14
にそれぞれ送出する。ウエハ移動装置13,マスク移動
装置14は、それぞれこの制御信号を受けて、ウエハ9
及びマスク10を所定のウエハ基準位置及びマスク基準
位置に設定する制御をする。ここに、ウエハ移動装置1
3は、ウエハ駆動回路13a,ウエハ移動台13bとを
具え、また、マスク移動装置14は、同様なマスク駆動
回路,マスク移動台とを具えていて、これら駆動回路に
制御信号が供給されて、移動台が所定方向に移動され
る。
ウエハ位置合わせ機構11のイメージセンサ24からの
検出信号及びマスク位置合わせ機構12のイメージセン
サ26からの検出信号を受けて、各検出信号と、制御部
15の内部のメモリに記憶したマスク対応のウエハ基準
値及びマスク基準値とを比較して、その差値に対応する
制御信号をウエハ移動装置13及びマスク移動装置14
にそれぞれ送出する。ウエハ移動装置13,マスク移動
装置14は、それぞれこの制御信号を受けて、ウエハ9
及びマスク10を所定のウエハ基準位置及びマスク基準
位置に設定する制御をする。ここに、ウエハ移動装置1
3は、ウエハ駆動回路13a,ウエハ移動台13bとを
具え、また、マスク移動装置14は、同様なマスク駆動
回路,マスク移動台とを具えていて、これら駆動回路に
制御信号が供給されて、移動台が所定方向に移動され
る。
さて、ウエハ位置合わせ機構11は、コンデンサーレン
ズ22とマスク10上の端部にある第1のアライメント
マーク4a、ハーフミラー23、縮小レンズ5、ウエハ
9上のアライメントマーク6、顕微鏡7、そして第1イ
メージセンサ24とからなり、一方、マスク位置合わせ
機構12は、前記位置合わせ機構11と共用するコンデ
ンサーレンズ22、マスク10上の第2のアライメント
マーク4b、顕微鏡25、そして第2イメージセンサ2
6とから構成されている。ここに、ウエハ位置合わせ機
構11と制御部15及びウエハ移動装置13とからなる
位置決め機構がこの発明におけるウエハ位置決め機構の
1つの具体例であり、マスク位置合わせ機構12と制御
部15及びマスク移動装置14とからなる位置決め機構
がこの発明におけるマスク位置決め機構の1つの具体例
である。
ズ22とマスク10上の端部にある第1のアライメント
マーク4a、ハーフミラー23、縮小レンズ5、ウエハ
9上のアライメントマーク6、顕微鏡7、そして第1イ
メージセンサ24とからなり、一方、マスク位置合わせ
機構12は、前記位置合わせ機構11と共用するコンデ
ンサーレンズ22、マスク10上の第2のアライメント
マーク4b、顕微鏡25、そして第2イメージセンサ2
6とから構成されている。ここに、ウエハ位置合わせ機
構11と制御部15及びウエハ移動装置13とからなる
位置決め機構がこの発明におけるウエハ位置決め機構の
1つの具体例であり、マスク位置合わせ機構12と制御
部15及びマスク移動装置14とからなる位置決め機構
がこの発明におけるマスク位置決め機構の1つの具体例
である。
21は、光学フィルタであって、水銀ランプ1a(光
源)からの光線の波長を露光光線Lの波長Mから波長N
に変えるフィルタである。ここで、波長Nは、ウエハ9
上に塗布されているレジストが露光され難い波長、例え
ば、露光光線Lの波長Mより長いものである。
源)からの光線の波長を露光光線Lの波長Mから波長N
に変えるフィルタである。ここで、波長Nは、ウエハ9
上に塗布されているレジストが露光され難い波長、例え
ば、露光光線Lの波長Mより長いものである。
水銀ランプ1aからの光線は、この光学フィルタ21を
経たのち、その波長がNの光線Kとして、コンデンサー
レンズ22を通過し、マスク10上の端部にある第1の
アライメントマーク4aに至り、さらに、ハーフミラー
23、縮小レンズ5を経て、ウエハ9上のアライメント
マーク6に照射される。そして、その反射光は、再び、
縮小レンズ5を経てハーフミラー23に至り、ここで、
反射された光線が顕微鏡7で拡大されて、CCD,ダイ
オード・アレイ等の検出面を持つイメージセンサ24上
に結像される。そこで、これがイメージセンサ24にお
いて走査されて、その検出信号は、制御部15に送出さ
れる。制御部15がこの検出信号を受けると、その内部
のメモリに記憶されたマスク対応のあらかじめ設定され
たウエハ基準位置とこれとを比較して、その差値に応じ
て制御信号をウエハ移動装置13に送出する。その結
果、ウエハ9の移動台が動かされ、所定の位置に位置合
わせされる。
経たのち、その波長がNの光線Kとして、コンデンサー
レンズ22を通過し、マスク10上の端部にある第1の
アライメントマーク4aに至り、さらに、ハーフミラー
23、縮小レンズ5を経て、ウエハ9上のアライメント
マーク6に照射される。そして、その反射光は、再び、
縮小レンズ5を経てハーフミラー23に至り、ここで、
反射された光線が顕微鏡7で拡大されて、CCD,ダイ
オード・アレイ等の検出面を持つイメージセンサ24上
に結像される。そこで、これがイメージセンサ24にお
いて走査されて、その検出信号は、制御部15に送出さ
れる。制御部15がこの検出信号を受けると、その内部
のメモリに記憶されたマスク対応のあらかじめ設定され
たウエハ基準位置とこれとを比較して、その差値に応じ
て制御信号をウエハ移動装置13に送出する。その結
果、ウエハ9の移動台が動かされ、所定の位置に位置合
わせされる。
一方、マスク10上には、第2のアライメントマーク4
bが第1のアライメントマーク4aと反対の端部に設け
られていて、これを透過した光線が顕微鏡25で拡大さ
れて、イメージセンサ26上にその像が投影されて、そ
こに結像する。そして、これがイメージセンサ26にお
いて走査されて、その検出信号は、制御部15に送出さ
れる。前記と同様に、制御部15は、その内部のメモリ
に記憶されたマスク対応のあらかじめ設定されたマスク
基準位置とこれとを比較し、その差値に応じた制御信号
をマスク移動装置14に送出する。その結果、マスク1
0の移動台が動かされ、マスク10が所定の位置に位置
合わせされる。なお、この場合の光線は露光光線でもウ
エハ位置合わせ機構のとき用いた光線でもどちらでもよ
い。
bが第1のアライメントマーク4aと反対の端部に設け
られていて、これを透過した光線が顕微鏡25で拡大さ
れて、イメージセンサ26上にその像が投影されて、そ
こに結像する。そして、これがイメージセンサ26にお
いて走査されて、その検出信号は、制御部15に送出さ
れる。前記と同様に、制御部15は、その内部のメモリ
に記憶されたマスク対応のあらかじめ設定されたマスク
基準位置とこれとを比較し、その差値に応じた制御信号
をマスク移動装置14に送出する。その結果、マスク1
0の移動台が動かされ、マスク10が所定の位置に位置
合わせされる。なお、この場合の光線は露光光線でもウ
エハ位置合わせ機構のとき用いた光線でもどちらでもよ
い。
ここに、マスク10上のアライメントマーク4aと4b
とは開口の大きさが異なり、マスク10上のアライメン
トマーク4bは、より小さい孔として形成されている。
したがって、従来の重畳の場合よりも位置決め精度を高
く採ることができる。
とは開口の大きさが異なり、マスク10上のアライメン
トマーク4bは、より小さい孔として形成されている。
したがって、従来の重畳の場合よりも位置決め精度を高
く採ることができる。
ところで、イメージセンサ24と26に対応するメモリ
上に記憶されるウエハ基準位置とマスク基準位置とは、
あらかじめそれぞれ各マスクに対応してウエハとマスク
とが正確に位置付けられる位置を求め、これを記憶テー
ブルのなかにマスク対応に数値として記憶しておくもの
である。そして、この数値は、キーボード(図示せず)
等によりマスクのコードを入力することで選択されるも
のである。なお、イメージセンサ24,26の検出信号
としては、イメージセンサに座標(例えば、一次元の距
離で表される座標)を設定して、その所定の位置の数値
として検出するようにしてもよい。
上に記憶されるウエハ基準位置とマスク基準位置とは、
あらかじめそれぞれ各マスクに対応してウエハとマスク
とが正確に位置付けられる位置を求め、これを記憶テー
ブルのなかにマスク対応に数値として記憶しておくもの
である。そして、この数値は、キーボード(図示せず)
等によりマスクのコードを入力することで選択されるも
のである。なお、イメージセンサ24,26の検出信号
としては、イメージセンサに座標(例えば、一次元の距
離で表される座標)を設定して、その所定の位置の数値
として検出するようにしてもよい。
次に、この位置合わせ装置の動作について簡単に説明す
る。
る。
まず、ウエハ9に対して、露光すべきパターンを持つマ
スクを選択する。そして、そのマスク10上のアライメ
ントマーク4bに光線を照射して、キーボードからその
マスクのコードを入力する。
スクを選択する。そして、そのマスク10上のアライメ
ントマーク4bに光線を照射して、キーボードからその
マスクのコードを入力する。
このことにより、イメージセンサ26からの信号が制御
部15に入力され、マスクは所定のマスク基準位置にセ
ットされる。
部15に入力され、マスクは所定のマスク基準位置にセ
ットされる。
次に、フィルタ21をセットして、ウエハ9上のアライ
メントマーク6にフィルタ21を通した光線Kを照射す
る。そこで、イメージセンサ24からの信号が制御部1
5に入力され、ウエハ6は所定のウエハ基準位置にセッ
トされることになる。
メントマーク6にフィルタ21を通した光線Kを照射す
る。そこで、イメージセンサ24からの信号が制御部1
5に入力され、ウエハ6は所定のウエハ基準位置にセッ
トされることになる。
なお、この位置合わせの順序は、マスク側を先にして
も、ウエハ側を先にしてもどちらでもよい。また、この
実施例では単にその方向を限定せず位置決めを説明して
いるが、X方向の位置決めもY方向の位置決めも同様で
あり、これをX方向又はY方向に対応させればよいもの
である。したがって、各マスク位置合わせ機構12,ウ
エハ位置合わせ機構13の位置決めは、X,Y方向につ
いて行われるが、イメージセンサがX,Y方向を同時に
検出するものであれば、これらは、同時に制御できる。
すなわち、X方向,Y方向の検出信号を受け、これを時
分割的にそれぞれ独立に制御し、X方向,Y方向に対応
する移動装置にそれぞれ送出すればよい。また、X又は
Y方向の一方だけの位置合わせで済むときには、当然、
一方向の位置決めだけでよいことはもちろんである。
も、ウエハ側を先にしてもどちらでもよい。また、この
実施例では単にその方向を限定せず位置決めを説明して
いるが、X方向の位置決めもY方向の位置決めも同様で
あり、これをX方向又はY方向に対応させればよいもの
である。したがって、各マスク位置合わせ機構12,ウ
エハ位置合わせ機構13の位置決めは、X,Y方向につ
いて行われるが、イメージセンサがX,Y方向を同時に
検出するものであれば、これらは、同時に制御できる。
すなわち、X方向,Y方向の検出信号を受け、これを時
分割的にそれぞれ独立に制御し、X方向,Y方向に対応
する移動装置にそれぞれ送出すればよい。また、X又は
Y方向の一方だけの位置合わせで済むときには、当然、
一方向の位置決めだけでよいことはもちろんである。
以上詳述してきたが、この実施例にあっては、マスク1
0上のアライメントマーク4bの幅を細長く採れるの
で、マスクに対するイメージセンサ26上の視野を全体
的に有効に利用でき、精度のよい制御が可能で、その位
置が設定し易い。同様に、ウエハに対するイメージセン
サ24に対してマスク10上のアライメントマーク4a
が邪魔にならないので、このイメージセンサ24の視野
も広く採れ、有効に利用できる。
0上のアライメントマーク4bの幅を細長く採れるの
で、マスクに対するイメージセンサ26上の視野を全体
的に有効に利用でき、精度のよい制御が可能で、その位
置が設定し易い。同様に、ウエハに対するイメージセン
サ24に対してマスク10上のアライメントマーク4a
が邪魔にならないので、このイメージセンサ24の視野
も広く採れ、有効に利用できる。
その結果、ウエハ9上のアライメントマーク6,マスク
10上のアライメントマーク4bの各像をイメージセン
サ上の視野に入れることが容易となる。そこで、例え
ば、これらの像をイメージセンサの視野にいれるローデ
ィング装置の精度を必要とせず、ローディングが簡単に
行える。結像光路はλ(波長)の関数であり、露光光路
とアライメント光路が同じである場合でアライメント時
に露光光より長い波長にした際、露光領域(第1図の構
成におけるアライメント光軸上の縮小レンズ5とマスク
10との間)に補正用のレンズを設ける必要があるが、
本実施例では、ウエハ上の合わせマーク像とマスク上の
合わせマーク像をそれぞれ独立して読み取るのでアライ
メントは露光とは独立の光学結像系にて行うことがで
き、このような補正用の光学系を必要とせず露光領域の
干渉を防止できる。
10上のアライメントマーク4bの各像をイメージセン
サ上の視野に入れることが容易となる。そこで、例え
ば、これらの像をイメージセンサの視野にいれるローデ
ィング装置の精度を必要とせず、ローディングが簡単に
行える。結像光路はλ(波長)の関数であり、露光光路
とアライメント光路が同じである場合でアライメント時
に露光光より長い波長にした際、露光領域(第1図の構
成におけるアライメント光軸上の縮小レンズ5とマスク
10との間)に補正用のレンズを設ける必要があるが、
本実施例では、ウエハ上の合わせマーク像とマスク上の
合わせマーク像をそれぞれ独立して読み取るのでアライ
メントは露光とは独立の光学結像系にて行うことがで
き、このような補正用の光学系を必要とせず露光領域の
干渉を防止できる。
また、実施例では、フィルタを使用して露光光線とは異
なる波長の光線を得ているが、これは、波長の異なる別
の光源から得てもよい。
なる波長の光線を得ているが、これは、波長の異なる別
の光源から得てもよい。
ウエハ位置決め機構のウエハ位置合わせ機構11は、マ
スク10上のアライメントマーク4aを介して光線を照
射する構成を採っているが、必ずしも、このような開口
を通して照射する必要はない。露光し難い光線によりウ
エハ9の位置合わせができるものならば光線の照射形態
はどのようなものでもよい。
スク10上のアライメントマーク4aを介して光線を照
射する構成を採っているが、必ずしも、このような開口
を通して照射する必要はない。露光し難い光線によりウ
エハ9の位置合わせができるものならば光線の照射形態
はどのようなものでもよい。
この発明は、実施例として縮小投影形の露光装置を中心
に説明してきたが、これに限定されることなく、密着露
光,近接露光,1:1露光等各種の露光装置に適用でき
ることはもちろんである。
に説明してきたが、これに限定されることなく、密着露
光,近接露光,1:1露光等各種の露光装置に適用でき
ることはもちろんである。
以上の説明から理解できるように、この発明は、予めマ
スクに対応したウエハ基準位置及びマスク基準位置を設
定し、これら両基準位置と第1及び第2のイメージセン
サの位置検出信号との比較を個別に行うことで、ウエハ
の位置合わせとマスクの位置合わせとを分離し、もっ
て、重畳した像を作る位置合わせによることなく位置合
わせすることができるものであり、しかもイメージセン
サから出力される検出信号はマークの座標情報のみを表
しており、この検出信号と予め設定された基準位置とを
比較するようにしているので、マークと基準位置とを重
畳させてイメージセンサ上に投影する場合のようにマー
ク信号と基準位置信号とを弁別する必要がなく信号処理
を簡単に行うことができると共に、ウエハとマスクの位
置合わせを簡単且つ正確で自動的に行うことができる。
スクに対応したウエハ基準位置及びマスク基準位置を設
定し、これら両基準位置と第1及び第2のイメージセン
サの位置検出信号との比較を個別に行うことで、ウエハ
の位置合わせとマスクの位置合わせとを分離し、もっ
て、重畳した像を作る位置合わせによることなく位置合
わせすることができるものであり、しかもイメージセン
サから出力される検出信号はマークの座標情報のみを表
しており、この検出信号と予め設定された基準位置とを
比較するようにしているので、マークと基準位置とを重
畳させてイメージセンサ上に投影する場合のようにマー
ク信号と基準位置信号とを弁別する必要がなく信号処理
を簡単に行うことができると共に、ウエハとマスクの位
置合わせを簡単且つ正確で自動的に行うことができる。
そして、アライメントする際は、露光の際に使用する光
線の波長より長い波長で行うので、ウエハ上に設けられ
た位置合わせマークが露光されることを防止でき、後工
程でアライメントマークが崩れ消失することを防止でき
る。さらに、前記のようにアライメントと露光時の光線
の波長を変えても、ウエハ上の合わせマーク像とマスク
上の合わせマーク像とを夫々独立して読取るのでアライ
メントは露光とは独立の光学結像系にて行うことがで
き、露光領域に他の光学系を設ける必要もなく露光領域
の干渉を防止できる。
線の波長より長い波長で行うので、ウエハ上に設けられ
た位置合わせマークが露光されることを防止でき、後工
程でアライメントマークが崩れ消失することを防止でき
る。さらに、前記のようにアライメントと露光時の光線
の波長を変えても、ウエハ上の合わせマーク像とマスク
上の合わせマーク像とを夫々独立して読取るのでアライ
メントは露光とは独立の光学結像系にて行うことがで
き、露光領域に他の光学系を設ける必要もなく露光領域
の干渉を防止できる。
また、ウエハ及びマスクの位置合わせをイメージセンサ
により行うので、機械的駆動部がなく、アライメントの
信頼性も高くなる。
により行うので、機械的駆動部がなく、アライメントの
信頼性も高くなる。
第1図は、従来の位置合わせ装置の概要構成を示す説明
図、第2図は、この発明を適用した露光装置における位
置合わせ装置の概念的構成図である。 1……光源、9……ウエハ、10……マスク 11……ウエハ位置合わせ機構 12……マスク位置合わせ機構 13……ウエハ移動装置、14……マスク移動装置、1
5……制御部、20……位置合わせ装置、21……フィ
ルタ、22……コンデンサーレンズ、23……ハーフミ
ラー 24,26……イメージセンサ
図、第2図は、この発明を適用した露光装置における位
置合わせ装置の概念的構成図である。 1……光源、9……ウエハ、10……マスク 11……ウエハ位置合わせ機構 12……マスク位置合わせ機構 13……ウエハ移動装置、14……マスク移動装置、1
5……制御部、20……位置合わせ装置、21……フィ
ルタ、22……コンデンサーレンズ、23……ハーフミ
ラー 24,26……イメージセンサ
Claims (1)
- 【請求項1】マスク上のマスクパターンを露光光学系を
介してウエハ上に露光する露光装置において、前記ウエ
ハ上の合わせマークの像を前記露光光学系を通じて光学
的に第1イメージセンサ上に投影して得た位置検出信号
と予め設定された前記マスク対応のウエハ基準位置とを
比較してウエハの位置合わせをするウエハ位置決め機構
と、前記マスク上の合わせマークの像を光学的に第2イ
メージセンサ上に投影して得た位置検出信号と予め設定
された当該マスク対応のマスク基準位置とを比較してマ
スクの位置合わせをするマスク位置決め機構とを備え、
前記各イメージセンサ上に投影するために使用する光線
は、前記露光の際使用する光線の波長より長い波長であ
ることを特徴とする露光装置における位置合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044700A JPH0612751B2 (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 露光装置における位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044700A JPH0612751B2 (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 露光装置における位置合わせ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170841A JPS59170841A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0612751B2 true JPH0612751B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=12698689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044700A Expired - Lifetime JPH0612751B2 (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 露光装置における位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612751B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116836A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光方式におけるアライメント方法 |
| JPS63274139A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Canon Inc | 位置合せ装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5286778A (en) * | 1976-01-14 | 1977-07-19 | Toshiba Corp | Mask aligning method for x-ray exposure |
| JPS52122476A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-14 | Hitachi Ltd | Aligning method of reticles |
| JPS602772B2 (ja) * | 1976-11-01 | 1985-01-23 | 株式会社日立製作所 | 露光装置 |
| JPS5496374A (en) * | 1978-01-17 | 1979-07-30 | Hitachi Ltd | Automatic positioning device |
| JPS5657039A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-19 | Fujitsu Ltd | Forming method of metal pattern |
| JPS57164528A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Wafer alignment device |
| JPS587823A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-17 | Hitachi Ltd | アライメント方法およびその装置 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP58044700A patent/JPH0612751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59170841A (ja) | 1984-09-27 |
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