JPS59170841A - 露光装置における位置合わせ装置 - Google Patents

露光装置における位置合わせ装置

Info

Publication number
JPS59170841A
JPS59170841A JP58044700A JP4470083A JPS59170841A JP S59170841 A JPS59170841 A JP S59170841A JP 58044700 A JP58044700 A JP 58044700A JP 4470083 A JP4470083 A JP 4470083A JP S59170841 A JPS59170841 A JP S59170841A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
wafer
alignment
light beam
image sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58044700A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0612751B2 (ja
Inventor
Toshio Fukazawa
深沢 俊夫
Masami Nagashima
永島 雅美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSK Ltd filed Critical NSK Ltd
Priority to JP58044700A priority Critical patent/JPH0612751B2/ja
Publication of JPS59170841A publication Critical patent/JPS59170841A/ja
Publication of JPH0612751B2 publication Critical patent/JPH0612751B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ごの発明は、露光装置における位置合わせ装置に関する
その概要は、ウェハの位置合わせとマスクの位置合わせ
とをそれぞれ独立の位置決め機構で行い、ウェハの位置
合わせは、露光光線とは異なる、露光し難い波長の光線
を用いて、ウェハ上の合わせマークの像を光学的にイメ
ージセンサ上に投影して行うものである。このことによ
り、その位置合わせが簡単にでき、ウェハ上の合わせマ
ークの崩れを防止でき、後工程の位置合わせが正確にで
きる。
ところで、露光装置における位置合わせ装置、特に、縮
小投影露光装置におけるそれは、精密な位置合わせが要
求される。そのため、ウェハ上の合わせマークからウェ
ハの位置を検出して、ウェハを乗せた移動台をマスク側
に対して動かしてマスクの投影像とウェハの合わせマー
クとの位置合わせを行う必要がある。なお、この位置合
わせはマスク側を動かしても可能であり、マスクの動き
は1.その縮小率である、例えば、1/10に縮小され
るので、精密な調整がし易い。ここで、マークの位置検
出には、縮小投影レンズを利用するものと別のレンズを
利用するものとがあり、また、その検出位置は、少なく
とも、X方向、Y方向の2方向について行われる。
しかしながら、この種の従来の露光装置の位置合わせ装
置にあっては、具体的な位置決めの仕方としては、露光
光線と同一の波長の光線により行 。
ねれるものであって、例えば、ウェハ上の會ヤせマーク
の像とマスク上の位置合わせマークあ像とを光学的に重
畳して走査形のマーク検出器上に投影して位置決めを行
うものである。その結果、ウェハ上に設けられた位置合
わせマークが露光されてしまうことが起’こる。  ′ このような従来の位置合わせ装置の構成の一例として、
その概要を示す第1図に、基づき、説明すると、第1図
に見る如<、4g米光線の光源1 (水銀ランプ1aと
コンデンサレンズ1b等から構成されている)により発
生した光線のうち露光光線りが、ハーフミラ−2,−徹
鏡7.全・反射ミラー3を経てマスク10(この明細書
においては、マスク又はレチクルをこれらを含めた概念
としてマスクをもってこれを代表し、使用するものであ
る)上の端部に開口として形成されるアライメントマー
ク(合わせマーク)4を通り、縮小レンズ5により縮小
され、ウェハ9上のアライメントマーク6に照射される
ここに照射された光線りは、ここで、反射され、再び、
縮小レンズ5を経て、マスク10上のアラ□ イメント
マーク4の位置に至り、全・反射ミラー3、顕微鏡7を
経耳、2、拡大され、ハーフミラ−2に至る。そして、
これを透過して、その光線がマーク検出器8の検出面上
に照射されて、ここにウェハ9上のアライメントマーク
6の像が結像される。このときマスク10上のアライメ
ントマーク4の反射光も同様に全・反射ミラー3.顕微
鏡7を経て、拡大され、ハーフミラ−2に至り、これ。
を透過した光線がマーク検出器8の検出面上に照射され
る。そして、ここにマスク、10上のアライメントマー
ク4の像が同時にマーク検、出器8の検出面上に結像さ
れるもので*る。        □したがって、マー
ク検出器8上には、ウェハ9′上のアライメントマーク
6めiとマスク10上のアライメントマ□−?4の像と
がともに重畳して、投影されることになる。その結果、
これらの像を走査することにより、その位置関係が検出
でき、これにより位置決めを行うことができる。
なお、この露光装置にあっては、マスク1oとウェハ9
との距離と、縮小レンズ5と、そして露光光線の波長と
の関係により、ウェハ9上の7ライメントマーク6の像
とマスク10上のアライメントマーク4の像とが重畳す
るようにあらかじめ設定されている。
このような位置合わせ装置によると、その位置合わせは
、露光光線によらざるを得なくなる。ところが、ウェハ
9上のアライメントマーク6は、一般に、エツチング等
によりウェハ9上に凹凸部(穴等)として形成されてい
る(のであって、この凹凸部は露光光線を受けると、露
光□されて、後工程の、例えばエツチングのどき、この
アライメントマーク6が崩れて消失してしまうことにな
る。
このア・ライメントマーク6は、後工程に牢いても基準
位置とされるためJこれが崩れることにより、正確な位
置決めができず、I’C等の半導体素子の製造、マスク
の製造等に当たっては、その品質が悪くなったり、歩留
りが落ちるという画題が発生する。
一方、マーク検出器は、スリットの振動や鏡の□回動を
利用して投影像を走査する方式を採ることが多く、この
場合には、その戴械的駆動の結果、信頼性が劣るものと
なる。さらにζ電子的に検出するものとして、□ウェハ
とマスクとのアライメントマークを重てダイ牙←□ド・
アレイ等により検出する方式もあるが、これは、□重畳
した像を検出する関係で、これらのアライメントマーク
の位置ずれを読むために別の光源を必要とし、その構成
が複雑となる欠点がある。しかも、ウェハとマスクの像
を同時に検出し、これらを相対的に、位置合わせするの
で、位置合わせし難いものである。
この発明は、このような従来技術の向題、欠点□を除去
するとともに、ウエノぐ上のアライメントマークが崩れ
たり、消失し難く、その位置合わせが簡単な、露光装置
における位置合わせ装置を提供することを目的とし□て
いる。□ このような目的を達成するために、この発明は、露光し
難い光線を用いて位置合□わせするとG)う発想のもと
に、ウェハの位置合わせとマスクの位置合わせとを分離
し、もって、重畳した像を作る位置合わせによることな
く、位置合わせするものであって1.ウェハの位置合わ
せは、露光し難い光線の波長に合わせた結像位置にイメ
ージセンサを対応させて設り、アライメントマークの像
をイメージセンサ上に投影してその位置を基準位置と比
較することにより行うというものである。
しかし“乙この発明の露光装置における位置合わせ装置
の構成は、ウェハー」二の合わせマークの像を光学的に
イメージセンサ上に投影して位置合ねせをする第1の位
置決め機構と、マスク上の合わせマークを基準位置に位
置合わせをする第2の位置決め機構とを備え、前記イメ
ージセンサ上に投影するために使用する光線は、前記露
光の際使用する光線の波長とは異なる、露光し難い波長
であるというものからなる。
この、ようにすることにより、ウェハ上のアライメント
ークークは、はとんど露光されずに済み、がっ、簡単に
位置合わせができるものである。
以丁、この発明の一実施例について図面に基づいて説明
する。
第2図は、この発刊を適用した露光装置における位置合
わせ装置の概念的構成図である。
なお、同図において、第1図と同一の構成要素は、同一
の符号を付して示している。したがって、その説明は割
愛する。
位置合わせ装置20は、ウェハ位置合わせ機構11とマ
スク位置合わせ機構12、ウェハ移動装置1(3、マス
ク移動装置14、そして制御部15とから構成されてい
る。
制御部15は、演算処理装置とメモリとを有し−ζいて
、ウェハ位置合わせ機構11のイメージセンサ24から
の検出信号及びマスク位置合わせ機構12のイメージセ
ンサ26からの検出信号を受けで、各検出信号と、制御
部15の内部のメモリに記憶したマスク対応の基準値と
を比較して1.その差値に対応する制御信号をウェハ移
動装置13及びマスク移動装置14にそれぞれ送出する
。ウェハ移動装置13.マスク移動装置14は、それぞ
れこの制御信号を受げて、ウェハ9及び72、スフ10
を所定の基準位置に設定する制御をする。ここに、ウェ
ハ移動装W13は、ウェハ駆動回路13a、 ウェハ移
動台13bとを具え、また、マスク移動装置14は、同
様なマスク駆動回路、マスク移動台とを具えていて、こ
れら駆動回路に制御信号が供給されて、移動台が所定方
向に移動される。
さて、ウェハ位置合わせ機構11は、コンデンサ−1,
・ンズ22とマスク1o上の端部にある第1のアライメ
ントマーク4a、ハーフミラ−23、縮小レンズ5、ウ
ェハ9上のアライメントマーク6、顕微鏡7、そしてイ
メージセンサ24とがらなり、一方、マスク位置合わせ
機構12は、前記位置合わせ機構11と共用するコンデ
ンサーレンズ22、マスク1o上の第2のアライメント
マーク4b、顕微鏡25、そしてイメージセンサ26と
から構成され−Cいる。ここに、ウェハ位置合わせ機構
11と制御部15及びウェハ移動装置I3とからなる位
置決め機構がこの発明における第1の位置決め機構の1
つの具体例であり、マスク位置合わせ機構12と制御部
15及びマスク移動装置14とからなる位置決め機構が
この発明における第2の位置決め機構の1つの具体例で
ある。
21は、光学フィルタであって、水銀ランプ1a (光
源)からの光線の波長を露光光線I、の波長Mから波長
Nに変えるフィルタである。ここで、波長Nは、ウェハ
9上に塗布されているレンズ1へか露光され雌い波長、
例えば、露光光線1、の波長Mより長いものである。
水銀ランプ1aからの光線は、この光学フィルタ21を
経たのち、その波長がNの光線にとし7て、コンデンサ
ーレンズ22を通過し、マスク10上の端部にある第1
のプライメン1−マーク4a番:至り、さらに、ハーフ
ミラ−23、縮小レンズ5を経て、ウェハ9上のアライ
メントマーク6に照射される。そして、その反射光は、
再び、縮小レンズ5を経てハーフミラ−23に至り、こ
こで、反射された光線が顕微鏡7で拡大されて、CCD
ダイオード・アレイ等の検出面を持つイメージセン+2
イ上に結像さKるやそこで、正れがイメージセンサ24
において走査されて、そあ検出信号は、制御部1i′に
送出基れ暮゛。゛制御部1′5がこの検出信号を受ける
と、+ow部のタモ1ノにi憶さ五たマスク対応のあら
かじめ設定さRん基準位置とこれとを比較して、そ□の
差値に応じて制御信号をウェハ移動装置13に送出する
。その結果、ウェハ9の移動吾が動かさ糺、□所′壺ア
□位置に位置合わせされる。
一方、−v*y 1 0上〆はべ、・”mi”Wア−>
イ/ 7 )マーク4bが第1のアライメントマー?4
aと反対の端部に設げられていて、これを透過した光線
が顕微鏡25で拡大さ′翁、て、′イメージセンサ26
上にその像が投影されて、そこに結像する。そして、こ
れがイメージセンサ26において走査されて、その検出
信号は、制御部15に送出される。
前記と同様に、制御部16はて:その内部のメ□モリに
配位されたマスク前応のあ:″うかじめ設定基れた基準
位置とこれ□とを在校しJそ□の′7′礒に応じた制御
信号をマスク移動□装置14に送出す□る。その結果、
マスク10の竺動杏が動かされ、マスク10が所定の位
置に免−合わせされる。な諸この場合の光線は露光晃線
でも第1の位置合わ喜機構のこ!に、マスク10上のア
ライメントマーク4aと4b′&は開口や大きさが異な
り、マスク10上のアライメント÷−り4bは、より小
さい孔として形、成されてム、)、る。したがって、従
来の重畳の場合よりも位置′休め精度を高く採ることが
できる。
ところで、イで−ジセンサ24と26に対応するメモリ
上に記憶される基で位置は、あらかじめそれぞ□れ各マ
、ス?に対応してウェハとマスクとが正確に位置付けら
糺る位置を求め、これを記憶テーブルのなか粁マスク対
応に数値、とじて記憶して。
おくも、のでiる□。そして、この数□値は1.キーテ
ート(図示せず)等によりマスクのコードを入力するこ
とで選択されるものである。なお、イメージセンサ2’
4,2’6の検出信号とし゛ては、イメージセンサに座
標(例えば、−次、屍の距離で表される座標)を設定し
て、その所定の位置の□数値として検出するようにして
もよい。
次に、この位置合わせ装置、の動、作、につい、て簡単
に説明する。    、      。
まず、ウェハ、9に対して、声些すべきパターンを持つ
マスクを選択する。そ、して、+ρマネク10上のアラ
イメントマーク4bに光呻を照、射して、キーボードか
らそのマスクのコードをへ力烹る。
このことにより、イメージセンサ26か:らの信号が制
御部15に入力され、マス、りは所専の甚平位置にセン
トされる。
次に、フィルタ21をセットして、ウェハ9上のアライ
メントマーク6にフィルタ21牽通した光線KQ熱照射
る。、そ、こで、イメージセンサと6か、らの信号が制
御部15に入力、され、ウエノソ6は所定の基準位置に
セントされることにな矛。
な、お、この位置合わせの順序も、マスク側を先にして
、も、ウニ介側を岑鉦して十どpらでもよい。
また、この実施、例では、単にその方、向を限定せず位
置決めを説明しているが、X、方向の位置決めもY方向
の位置決めも同様であり、これをX方向又はY方向に対
応させればよいものである。したがって、各マスク位置
合わせ機構1?、ウェハ位置合わせ機!!!↓3の位置
決めは、x、 X方向について行われるが、イメージセ
ンサがX、Y方向を同時に検出するものであれば、これ
ら(よ、同時に制御で竺る。、すなわち、X方向、Y方
卵の検出信号を受け、これを時分割的にそれぞれ独立に
制御し、X方向、Y方向に対応する移動装置にそれぞれ
送出すればよい。また、X又はY方向の一方だけの位置
合わせて済りときには、当然、一方向の位置決めだけで
よいことはもちろんである。
以上詳述してきたが、この実施例にあっては、マろり1
0上のアライメントマーク4b、の幅を細長く採れるの
で、マスクに対するイメージセンサ26上の憚野を全体
的にW%に利用でき、精度のよい制御が可能で、その位
置が設定し易い。同様に、:ウエハに対するイメージセ
ンサ24に対してマ不り10上のアライメントマーク4
aが邪魔にならないので、このイメージセンサ24の視
野も広(採れ、有効に利用できる。
その結果、ウェハ9上のアライメントマーク6゜マスク
10」二のアライメントマーク4bの各像をイメージセ
ンサ上の視野に入れることが容易となる。そこで、例え
ば、これらの像をイメージセンサの視野にいれるローデ
ィング装置の精度を必要とせず、ローディングが簡単に
行える。
また、実施例では、フィルタを使用して露光光線とは異
なる波長の光線を得ているが、これば、波長の異なる別
の光源から得てもよい。
第1の位置決め機構のウェハ位置合わせ機構11は、マ
スク10上のアライメントマーク4aを介して光線を照
射する構成を採っているが、必ずしも、このような開口
を通して照射する必要はない。露光し難い光線によりウ
ェハ10の位置合わせができるものならば光線の照射形
態はどのようなものでもよい。
第2の位置決め機構のマスク位置合わせ機構12は、ウ
ェハ側はど十分な精度を出さなくてもよいので、イメー
ジセンサを用いることなく、機械的な位置合わせ機構で
もよい。
この発明は、実施例として縮小投影形の露光装置を中心
に説明してきたが、これに限定されることなく、密着露
光、近接露光、1:1露光等各種の露光装置に適用でき
ることばもちろんである。
以北の説明から理解できるように、この発明は、ウェハ
上の合わせマークの像を光学的にイメージセンサ上に投
影して位置合わせをする第1の位置決め機構と、マスク
上の合わせマークを基準位置に位置合わせをする第2の
位置決め機構とを備えるものであって、イメージセンサ
上に投影するために使用する光線は、前記露光の際使用
する光線の波長とは異なる露光し難い波長にしているの
で、マスクとウェハとの位置合わせは、それぞれ独立に
、独立の基準位置に位置合わせして行うことができ、簡
単に行える。しかも、ウェハの位置合わせば、露光し難
い光線により行えるので、ウェハ上の合わせマークの崩
れを防止でき、後工程の位置合わせが正確にできる。
また、ウェハの位置合わせをイメージセンサにより行う
ので、機械駆動部がなく、信頼性も高くなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の位置合わせ装置の概要構成を示す説明
図、第2図は、この発明を通用した露光装置における位
置合わせ装置の概念的構成図である。 1− 光源 9− ウェハ 10− マスク11− ウ
ェハ位置合わせ機構 12−−−マスク位置合わせ機構 13− ウェハ移動装置 14− マスク移動値W15
 − 制御部 2〇 −位置合わせ装置 21− フィ
ルタ 22− コンデンサーレンズ 23− ハーフミ
ラ− 24,26−イメージセンサ 特許出願人 日本精工株式会社 代理人 弁理士 森  哲也 弁理士 内藤 嘉昭 弁理士 清水  正 弁理士 提出 債是

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスクのパターンをウェハ上に露光する露光装置におい
    て、前記ウェハ上の合わせマークの像を光学的にイメー
    ジセンサ上に投影して位置合わせをする第1の位置決め
    機構と、前記マスク上の合わせマークを基準位置に位置
    合わせをする第2の位置決め機構とを備え、前記イメー
    ジセンサ上に投影するために使用する光線は、前記露光
    の際使用する光線の波長とは異なる、露光し難い波長で
    あることを特徴とする露光装置における位置合わせ装置
JP58044700A 1983-03-17 1983-03-17 露光装置における位置合わせ装置 Expired - Lifetime JPH0612751B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58044700A JPH0612751B2 (ja) 1983-03-17 1983-03-17 露光装置における位置合わせ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58044700A JPH0612751B2 (ja) 1983-03-17 1983-03-17 露光装置における位置合わせ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59170841A true JPS59170841A (ja) 1984-09-27
JPH0612751B2 JPH0612751B2 (ja) 1994-02-16

Family

ID=12698689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58044700A Expired - Lifetime JPH0612751B2 (ja) 1983-03-17 1983-03-17 露光装置における位置合わせ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0612751B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61116836A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Hitachi Ltd 縮小投影露光方式におけるアライメント方法
JPS63274139A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Canon Inc 位置合せ装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5286778A (en) * 1976-01-14 1977-07-19 Toshiba Corp Mask aligning method for x-ray exposure
JPS52122476A (en) * 1976-04-07 1977-10-14 Hitachi Ltd Aligning method of reticles
JPS5356975A (en) * 1976-11-01 1978-05-23 Hitachi Ltd Exposure apparatus
JPS5496374A (en) * 1978-01-17 1979-07-30 Hitachi Ltd Automatic positioning device
JPS5657039A (en) * 1979-10-17 1981-05-19 Fujitsu Ltd Forming method of metal pattern
JPS57164528A (en) * 1981-04-03 1982-10-09 Oki Electric Ind Co Ltd Wafer alignment device
JPS587823A (ja) * 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Ltd アライメント方法およびその装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5286778A (en) * 1976-01-14 1977-07-19 Toshiba Corp Mask aligning method for x-ray exposure
JPS52122476A (en) * 1976-04-07 1977-10-14 Hitachi Ltd Aligning method of reticles
JPS5356975A (en) * 1976-11-01 1978-05-23 Hitachi Ltd Exposure apparatus
JPS5496374A (en) * 1978-01-17 1979-07-30 Hitachi Ltd Automatic positioning device
JPS5657039A (en) * 1979-10-17 1981-05-19 Fujitsu Ltd Forming method of metal pattern
JPS57164528A (en) * 1981-04-03 1982-10-09 Oki Electric Ind Co Ltd Wafer alignment device
JPS587823A (ja) * 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Ltd アライメント方法およびその装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61116836A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Hitachi Ltd 縮小投影露光方式におけるアライメント方法
JPH0516649B2 (ja) * 1984-11-13 1993-03-05 Hitachi Ltd
JPS63274139A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Canon Inc 位置合せ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0612751B2 (ja) 1994-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4153371A (en) Method and apparatus for reduction-projection type mask alignment
US5365051A (en) Projection exposure apparatus
JPS6028137B2 (ja) 工作物上にマスクをコピ−する方法
JPH01309324A (ja) 露光装置および位置合わせ方法
KR19990045608A (ko) 웨이퍼 주변 노광장치
US6927854B2 (en) Projection exposure device and position alignment device and position alignment method
JPH0122977B2 (ja)
JPS59170841A (ja) 露光装置における位置合わせ装置
JP2662236B2 (ja) 投影露光方法およびその装置
JPH0612754B2 (ja) 投影露光装置
JP2000329521A (ja) パターン測定方法および位置合わせ方法
JP2786946B2 (ja) フィルム露光装置及びフィルム露光方法
JPH0430175B2 (ja)
JPS63138730A (ja) ギヤツプ・位置合せ装置
JP2000106345A (ja) 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH0451048B2 (ja)
JPH08162393A (ja) 位置合わせ装置
KR20240057996A (ko) 노광장치 및 물품 제조방법
JP2605266B2 (ja) 露光装置及びパターン露光方法
JP2599899B2 (ja) 投影露光におけるウエーハの位置合せ方法
JPS5828748A (ja) 転写装置の位置合わせ装置
JP2949328B2 (ja) 光露光方法
JPH0550128B2 (ja)
JP2000150369A (ja) 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPS6097623A (ja) 露光装置