JPH0550128B2 - - Google Patents

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JPH0550128B2
JPH0550128B2 JP59000488A JP48884A JPH0550128B2 JP H0550128 B2 JPH0550128 B2 JP H0550128B2 JP 59000488 A JP59000488 A JP 59000488A JP 48884 A JP48884 A JP 48884A JP H0550128 B2 JPH0550128 B2 JP H0550128B2
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wafer
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computer
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Keiichiro Sakado
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Nippon Kogaku KK
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Publication date
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Publication of JPS60144937A publication Critical patent/JPS60144937A/ja
Publication of JPH0550128B2 publication Critical patent/JPH0550128B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はウエハ等の基板に形成されたアライメ
ントマークの検出装置に関する。
(発明の背景) レーザービーム等でウエハ上に形成されたアラ
イメントマークを走査し、その結果得られる該ア
ライメントマークの位置情報からウエハの位置決
めをする装置は、例えば特開昭57−19726号公報
に開示されている。以下、この装置の概略を説明
する。第1図において、レーザー光源1から出力
されたレーザービームは振動ミラー2、ミラー4
を介して対物レンズ5に入射する。対物レンズ5
から出射したレーザービームは帯状スポツトLSP
となつてウエハW上に投射される。ウエハW上に
は第2図に示すようにLSI、VLSI等の回路パタ
ーンCP及びアライメントマーク6X,6Y,6
θが第1回目の露光動作によつて複数形成されて
いる。ステツプアンドリピート方式の露光装置に
おいては、回路パターンCP、アライメントマー
ク6X,6Y,6θが1組となつてマスクに描画
されており、これで順次ウエハを露光してゆき、
結果的に第2図に示すようなマトリツクス状に配
列される。この場合互いに直交するX、Y軸をウ
エハW上に想定すると、X−アライメントマーク
6XはY軸と平行に、またY、θ−アライメント
マーク6Y,6θはX軸に平行になるように露光
されている。更に、ウエハWのオリエンテーシヨ
ンフラツトはX軸とほぼ平行である。第3図にア
ライメントマーク6X,6Y,6θの具体的な形
状を示す。X−アライメントマーク6Xは微小な
矩形セグメントをX軸に対して所定角度(例えば
45度)傾けてY軸方向に複数配列した回折格子で
ある。Y、θ−アライメントマーク6Y,6θは
微小な矩形セグメントをY軸に対して所定角度傾
けてX軸方向に複数配列した回折格子である。X
−アライメントマーク6Xの長さlx、Y、θ−ア
ライメントマークの長さlY、lθはそれぞれ設計上
特定されている。帯状のレーザスポツトLSPは各
アライメントマークの長手方向と直交する方向に
振動する。
第1図に戻つて、振動ミラー2はレーザー光源
1からのレーザー光の進行方向を振動させる。そ
の結果、帯状レーザースポツトLSPはアライメン
トマーク6(各アライメントマークを代表的に6
で表わす)の長手方向と直交する方向に振動す
る。アライメントマークを検出するには、帯状レ
ーザスポツトを振動させつつウエハWと帯状レー
ザスポツトLSPの相対位置を変化させる(走査す
る)。この走査によつてアライメントマーク6か
ら回折光が発生する。回折光は対物レンズ5、ミ
ラー4を介して光電検出器3に導かれる。この場
合、回折光が生ずるのはアライメントマークに限
定されず、ウエハストリート7上の微小な凹凸
や、ウエハストリート7と回路パターンCPとの
境界部のエツジからも回折光が生ずる。しかし、
一般的には回折格子たるアライメントマーク6か
ら発生する回折光は他の部分から発生する回折光
に対して強度が大きいので、最大の強度をもつ回
折光から得られる光電出力を同期検波することに
よりアライメントマークの位置を検出していた。
ところが、ウエハプロセスの進行にともなつて
アライメントマーク6の形状及びウエハストリー
ト7と回路パターンCPとの境界部のエツジ形状
が変化するので、最大強度の回折光が必ずアライ
メントマークから発生するという保証は得られな
い。そのためアライメントマークの誤検出が度々
発生していた。簡単な解決策としては、アライメ
ントマーク6の近傍に広範囲なパターン禁止領域
を設けることが考えられる。しかしこれではウエ
ハストリート7が広くなつてしまうから、1枚の
ウエハから取り出せるLSIチツプ数が減少すると
いう欠点がある。
(発明の目的) 本発明の目的は、上記欠点を解決しアライメン
トマークの検出率を向上した検出装置を提供する
ことである。
(発明の概要) 第10図に示すように本発明は、ウエハ等の基
板上のアライメントマーク形成領域付近を第1方
向に走査することによつてアライメントマークの
候補を探す第1手段100と、第1方向とは異なつ
た方向をもつとともにアライメントマークの所定
の特徴を検出可能な第2方向に走査する第2手段
101と、第2方向に所定の特徴をもつたアライメ
ントマークの候補をアライメントマークであると
判定する第3手段1020から成る。アライメントマ
ークとして例えば矩形セグメントを複数配列した
回折格子を用いたとすると、先ず第1手段によつ
て上記形成領域付近を第1方向に光電的に走査し
て回折光を検出する。つまりアライメントマーク
の回折光発生機能という第1特徴を検出する。こ
の回折光はアライメントマーク以外からも発生さ
れるから回折光にピークが生じた部分を回折光発
生部分、即ちアライメントマーク候補とする。次
に第2手段によつてアライメントマークの候補を
第2方向(例えばアライメントマークの長手方
向)に光電的に走査して、アライメントマークの
長さという第2特徴を検出する。そして第3手段
によつて第1、第2特徴を備えたアライメントマ
ークの候補をアライメントマークであると判定す
るのである。光電的な走査はレーザースポツトと
ウエハとを相対的に移動することによつて行な
う。
(実施例) 以下、本発明の実施例を説明する。第4図に投
影型露光装置のウエハアライメント装置に本発明
を適用した実施例を示す。この実施例では、X−
アライメントマーク、Y−アライメントマーク、
及びθ−アライメントマークを検出するために、
検出系(第1図のレーザ光源1、振動ミラー2、
ミラー4、対物レンズ5、及び光電検出器3から
成る系に対応するもの)が3組用意されている。
第4図において、互いに直交する軸をx軸及び
y軸としたとき、第1テーブル10はy軸方向に
摺動可能であり、第2テーブル11は第1テーブ
ル10の上をx軸方向に摺動可能である。モータ
12は第1テーブル10をy軸方向に駆動し、ま
たモータ13は第2テーブル11をx軸方向に駆
動する。これらは二次元移動装置を構成する。ウ
エハWを吸着保持するためのウエハチヤツク14
は第2テーブル11上に回転可能に支持されてい
る。従つて、ウエハチヤツク14に載置されたウ
エハは、第1テーブル10を介して第2テーブル
11を移動することによつてy軸方向に、また第
1テーブル10上で第2テーブル11を摺動する
ことによつてx軸方向に移動される。ウエハチヤ
ツク14はモータ15により回転される。第1変
位量測定装置16は第2テーブル11のy軸方向
の移動量を、また第2変位測定装置17は第2テ
ーブル11のx軸方向の移動量をそれぞれ測定す
る。第1、第2変位量測定装置16,17はそれ
ぞれの軸に沿つたテーブルの往動、復動に応じて
それぞれパルス出力を発生する手段と、このパル
ス出力をアツプ/ダウン計数してテーブルの変位
量を計測するカウンタを含んでおり、例えばレー
ザー干渉計、インクリメンタル型エンコーダが使
用される。
レーザー光源18によつて発生されたレーザー
光は振動ミラー19を介してハーフミラー20に
入射する。ハーフミラー20によつて反射された
レーザ光はミラー21及び対物レンズ22を介し
てウエハ上に帯状に投影される。ウエハから反射
してきた回折光は対物レンズ22、ミラー21を
介して第3光電検出器(後述)に導かれる。この
検出系はX−アライメントマークを検出するため
の光電顕微鏡である。ハーフミラー20を通過し
たレーザー光はハーフミラー23,24に入射
し、ハーフミラー24によつて反射されたレーザ
ー光は対物レンズ25を介してウエハ上に帯状に
投影され、そしてウエハから反射してきた回折光
は対物レンズ25、ハーフミラー24を介して第
2光電検出器(後述)に導かれる。この検出系は
θ−アライメントマークを検出するための光電顕
微鏡である。ハーフミラー24を通過したレーザ
ー光はミラー26、対物レンズ27を介してウエ
ハ上に帯状に投影され、そしてウエハから反射し
てきた回折光は対物レンズ27、ミラー26を介
して第1光電検出器(後述)に導かれる。この検
出系はY−アライメントマークを検出するための
光電顕微鏡である。投影レンズ28は回路パター
ンが描かれたマスクの光像をウエハ面上に投影す
るためのものである。尚、投影レンズ28の光軸
に対する各対物レンズ22,25,27の座標位
置及び各対物レンズの光軸間距離は露光装置固有
のものとして予めわかつているものとする。
ウエハアライメントはウエハ上に想定されたX
−Y軸と二次元移動装置のx−y軸とを対応づけ
る動作である。このウエハアライメントに使用さ
れるX、Y、θ−アライメントマークは、ウエハ
上に多数形成されたもののうち、第5図に示すよ
うなX−アライメントマーク6X′、Y−アライ
メントマーク6Y′、及びθ−アライメントマー
ク6θ′である。Y−アライメントマーク6Y′とθ
−アライメントマーク6θ′とは対物レンズ27,
25の光軸間距離にほぼ一致する間隔をもつて位
置するように第1回目露光で形成される。また、
Y、θアライメントマーク6Y′,6θ′の中心間距
離L1、Y−アライメントマーク6Y′の中心とX
−アライメントマーク6X′との距離L2、及びY
−アライメントマーク6Y′とX−アライメント
マーク6X′の中心との距離L3はそれぞれ既知の
値ある。
第6図にはウエハアライメント装置を制御する
回路が示されている。第1光電検出器50、第2
光電検出器51及び第3光電検出器52の出力は
ヘツドアンプ53,54,55によつてそれぞれ
増幅され、更にAD変換器56,57,58によ
つてそれぞれAD変換される。AD変換器56,
57,58はコンピユータバス59を介してマイ
クロコンピユータ、ミニコンピユータ等のコンピ
ユータ60に接続される。第1変位量測定装置1
6のカウンタとして作用するアツプ/ダウンカウ
ンタ61は第2テーブル11のy軸方向の往動に
よつて発生するパルス出力をアツプ入力端子に、
またy軸方向の復動によつて発生するパルス出力
をダウン入力端子にそれぞれ印加される。第2変
位量測定装置17のカウンタとして作用するアツ
プ/ダウンカウンタ62は第2テーブル11のx
軸方向の往動によつて発生するパルス出力をアツ
プ入力端子に、またx軸方向の復動によつて発生
するパルス出力をダウン入力端子にそれぞれ印加
される。アツプ/ダウンカウンタ61,62はコ
ンピユータバス59を介してコンピユータ60と
接続される。カウンタ61のアツプ/ダウン入力
端子へ印加されるパルス出力はオアゲート63を
介してアンドゲート64の一方入力端子に印加さ
れる。アンドゲート64の他方入力端子にはレジ
スタ65の端子Q1の出力が印加される。カウン
タ62のアツプ/ダウン入力端子へ印加されるパ
ルス出力はオアゲート66を介してアンドゲート
67の一方入力端子に印加される。アンドゲート
67の他方入力端子にはレジスタ65の端子Q2
の出力が印加される。レジスタ65はコンピユー
タバス59を介してコンピユータ60と接続さ
れ、アンドゲート64,67の出力端子はコンピ
ユータ60の割込入力端子IR1,IR2にそれぞれ
接続されている。アンドゲート64の出力はAD
変換器57の出力及びアツプ/ダウンカウンタ6
1の計数値を読み取るタイミング信号となる。ま
た、アンドゲート67の出力はAD変換器56の
出力及びアツプ/ダウンカウンタ62の計数値を
読み取るタイミング信号となる。
DA変換器68,69,70はコンピユータバ
ス59を介してコンピユータ60とそれぞれ接続
されている。DA変換器68はコンピユータ60
からの第1テーブル駆動データをDA変換してサ
ーボアンプ71に印加する。DA変換器69はコ
ンピユータ60からの第2テーブル駆動データを
DA変換してサーボアンプ72に印加する。DA
変換器70はコンピユータ60からのウエハチヤ
ツク駆動データをAD変換してサーボアンプ73
に印加する。サーボアンプ71,72,73はモ
ータ12,13,15をそれぞれ駆動する。DA
変換器68,69,70にはモータ12,13,
15の回転方向及び回転速度を指定するデータが
コンピユータ60から転送されてくる。キーボー
ド74はコンピユータ60に対する作動指令、必
要なデータ等を入力するものである。メモリー回
路75はウエハアライメント動作に必要なデータ
を記憶するものである。
次に、第7図a,bに示したフローチヤートを
参照して動作を説明する。ここで、二次元移動装
置の原点設定は既に終了しており、原点に対する
第2テーブル11のx、y軸方向の座標位置とア
ツプ/ダウンカウンタ62,61の計数値とは正
しく対応しているものとする。さて、キーボード
74を操作することによつてウエハアライメント
開始指令がコンピユータ60に入力されると(ス
テツプS1)、コンピユータ60はDA変換器68,
69にウエハチヤツク14(即ち第2テーブル1
1)をウエハ受渡し位置へ移動するための駆動デ
ータを転送するとともにレジスタ65の端子Q1
Q2の出力をHに設定する。そのため、モータ1
2,13はサーボアンプ71,72を介して指定
された方向及び速度で回転し、第2テーブル11
をウエハ受渡し位置へ向けて駆動する。第2テー
ブル11のx、y軸方向の変位に応じて発生する
パルス出力はアツプ/ダウンカウンタ62,61
によつて計数されている。そして該パルス出力が
発生するたびにアンドゲート67,64からはタ
イミング信号(H)が出力されるので、コンピユータ
60はそのたびにアツプ/ダウンカウンタ62,
61の計数値を読み込む。コンピユータ60はメ
モリー回路75に記憶されたウエハ受渡し位置の
x−y座標位置を読み出し、アツプ/ダウンカウ
ンタ62,61の計数値がこの座標値に対応した
ことを判別すると、DA変換器68,69のデー
タをクリアしてモータ12,13の回転を停止す
る。以上がウエハチヤツク14をウエハ受渡し位
置へ移動する動作(ステツプS2)である。この
位置でウエハWはウエハチヤツク14に載置され
る。その際、ウエハWのX軸は対物レンズ25,
27の光軸を結ぶ線分とほぼ平行となるように位
置決めして載置される。従つて、ウエハW上の
Y、θ−アライメントマーク6Y′,6θ′を結ぶ線
分と対物レンズ25,27の光軸を結ぶ線分はほ
ぼ平行になつている。
ウエハ受渡しが終了すると、コンピユータ60
はウエハチヤツク14(即ち第2テーブル11)
を所定のウエハアライメント位置へ移動するため
の駆動データをDA変換器68,69に転送す
る。ウエハWは、ウエハ受渡し時に前述のように
位置決めされてウエハチヤツク14に載置される
から、第2テーブル11を所定のx−y座標位置
に移動すればY、θ−アライメントマーク6Y′,
6θ′は対物レンズ27,25のほぼ真下にもたら
すことができる。モータ12,13によつて移動
される第2テーブル12の座標位置はアツプ/ダ
ウンカウンタ62,61の計数値が対応している
から、コンピユータ60はメモリー回路75に記
憶されたウエハアライメント位置のx−y座標位
置にアツプ/ダウンカウンタ62,61の計数値
が対応したことを判別するとDA変換器68,6
9のデータをクリアしてモータ12,13を停止
させる。これによつてウエハWはウエハアライメ
ント位置にもたらされる(ステツプS3)。このと
きコンピユータ60はレジスタ65の端子Q1
出力をHに、端子Q2の出力をLにそれぞれ設定
する。
次に、アライメントマークの検出動作に入る。
この検出動作は、先ずY3θ−アライメントマーク
6Y′,6θ′の候補を探すことから始まる。コンピ
ユータ60はDA変換器68に駆動データを転送
し、第1、第2テーブル10,11を介してウエ
ハをy軸方向にのみ移動させ(ステツプS4)、同
時にAD変換器56,57のAD変換動作を開始
させる(ステツプS5)。そして、コンピユータ6
0は第2テーブル11の移動につれてDA変換器
56,57から発生されるデジタル出力を読み取
り、両出力のピークを検出する(ステツプS6)。
例えば第8図に示すように第1光電検出器50の
出力にピークP1〜Poが生じたとすると、コンピ
ユータ60は各ピークに対応したAD変換器56
の出力及び各ピークが生じたときのアツプ/ダウ
ンカウンタ61の計数値を対応づけてメモリー回
路75に順次記憶させる(ステツプS7)。同様に
して第2光電検出器51の出力についても各ピー
クに対応したAD変換器57の出力及び各ピーク
が発生したときのアツプ/ダウンカウンタ61の
計数値をメモリー回路75に記憶させる。第2テ
ーブル11の移動量が所定走査量に達したことを
検出すると(ステツプS8)、コンピユータ60は
DA変換器68をクリアしてモータ12の回転を
停止する(ステツプS9)。引き続いて、コンピユ
ータ60は第1、第2光電検出器50,51の出
力の各ピークに対応してメモリー回路75にそれ
ぞれ記憶されたAD変換器56,57の出力とア
ツプ/ダウンカウンタ61の計数値とを、ピーク
値の大きい順にそれぞれ並べ換える(ステツプ
S10)。この並べ換え動作は、第8図において第
1光電検出器50のピーク値の大きい順序がピー
クP4、P6…であつたとすると、メモリー回路7
5のM1番地にピークP4に対応したDA変換出力
と計数値とを格納し、M2番地にピークP6に対応
したDA変換出力と計数値を格納し、以下ピーク
値の大きい順に同様のことを繰り返し、最小ピー
ク値に対応するものをMo番地に格納する。第2
光電検出器57の出力についても同様の並べ換え
動作を行ない、メモリー回路75のN1番地から
Noに各ピークに対応したAD変換出力と計数値と
を格納する。以上の動作のあいだ第2テーブル1
1はx軸方向に動かない。
次に、Y−アライメントマーク6Y′の判定動
作に入る。コンピユータ60はメモリー回路75
のM1番地に格納された計数値に応じた位置へ第
2テーブル11を移動させるべく、DA変換器6
8に駆動データを転送し、第1、第2テーブル1
0,11を介してウエハWをy軸方向にのみ移動
させる(ステツプS11)。コンピユータ60はア
ツプ/ダウンカウンタ61の計数値とメモリー回
路75のM1番地に格納された計数値が一致した
かどうかをモニターし(ステツプS12)、両者が
一致するとモータ12の回転、即ちウエハの送り
を停止する(ステツプS13)。続いて、コンピユ
ータ60はDA変換器69に駆動データを転送し
て第2テーブル11をx軸の一方向に所定オフセ
ツト量ぶん移動してレジスタ65の端子Q1の出
力をLに、端子Q2の出力をHにそれぞれ設定す
る。そして、該オフセツト量ぶん移動した位置か
ら第2テーブルをx軸の他方向へ駆動する(ステ
ツプS14)。このオフセツト量はY−アライメン
トマーク6Y′の長さlYに等しいか、それよりも大
きな値がメモリー回路75に記憶されており、帯
状レーザースポツトLSPがY−アライメントマー
ク6Y′の全域を確実に走査できるようになつて
いる。従つて、帯状レーザースポツトLSPはピー
クP4を発生した部分(ウエハ上の回折光発生部
分)をx軸方向に走査することになる。この走査
によつて、回折光発生部分のx軸方向の長さに応
じた広がりを持つた台形状の光電出力が第1光電
検出器50から出力される。この光電出力の波形
は第9図に示されており、a,b,cは回折光発
生部分の長さの違いによる波形の違いを示す。コ
ンピユータ60はAD変換器56の出力をメモリ
ー回路75に記憶された適当なスライスデータ
(第9図のスライスレベルVthに対応)とデジタ
ル比較することにより、光電出力がスライスレベ
ルVth以上になつたときのアツプ/ダウンカウン
タ62の計数値をメモリー回路75に記憶させ
る。第2テーブル11のx軸方向移動が進んで、
光電出力がスライスレベルVth以下になるとコン
ピユータ60はその時のアツプ/ダウンカウンタ
62の計数値をメモリー回路75に記憶させる。
次にコンピユータ60はメモリー回路75に記憶
されたアツプ/ダウンカウンタ62の2つの計数
値を減算することによつて回折光発生部分の長さ
を計算する(ステツプS15)。このときの長さを
第9図aに示すようなl1であるとすると、Y−ア
ライメントマークの長さは第3図に示すように既
知の長さlYであるから、コンピユータ60は長さ
l1とlYとを比較することによつて回折光発生部分
がY−アライメントマーク6Y′であるかどうか
を判定する(ステツプS16)。もし、l1=lYでなつ
たとすると、コンピユータ60はメモリー回路7
5のM2番地に格納された計数値を読み出し(ス
テツプS16)、以下ステツプS11からステツプS16
の動作を繰り返す。このときの回折光発生部分の
長さが第9図bに示すようなl2であり、l2=lY
あればM2番地に格納された計数値(Ycount)を
Y−アライメントマーク6Y′のy座標位置とし
てメモリー回路75に保持しておく(ステツプ
S18)。
次にθ−アライメントマーク6θ′の判定動作に
移る。この動作のステツプS19ないしステツプ
S26は、メモリー回路75のN1ないしNo番地に
格納された計数値に基づいて第2光電検出器51
の出力のピークに対応した回折光発生部分の長さ
を測定し、測定された長さとθ−アライメントマ
ーク6θ′の既知の長さlθとを比較し、測定された
長さと既知の長さとが一致したときのメモリー回
路75に格納された計数値(θcount)をθ−ア
ライメントマーク6θ′のy座標位置としてメモリ
ー回路75に保持しておくものである。ステツプ
S19ないしステツプS26は判定対象となるアライ
メントマークが異なつているだけで基本的にステ
ツプS11ないしステツプ18と同じである。
続いて、メモリー回路75に保持された計数値
Y countとθ countを比較し(ステツプS27)、
両者が一致していなければウエハWのY軸が二次
元移動装置のy軸に対して回転していることにな
る。そこでコンピユータ60はこの回転量を計算
する(ステツプS28)。Y−アライメントマーク
6Y′とθ−アライメントマーク6θ′との間隔は既
知であり、また計数値Y countと計数値θ
countとの差からY−アライメントマークとθ−
アライメントマークとのずれを知ることができる
から、上記回転量は容易に計算することができ
る。コンピユータ60は計算された回転量に応じ
た駆動データをDA変換器70へ転送し、回転ず
れが補正されるようにモータ15を介してウエハ
チヤツク14を回転する(ステツプS29)。例え
ば、ウエハチヤツク14の回転中心はY−アライ
メントマーク6Y′の真下付近に設定しておき、
ウエハチヤツク14を回転ずれ量ぶん回転する。
回転ずれを補正されたチヤツク14はウエハWの
露光が終了するまでその状態を保たれる。
次に、Y、θ−アライメントマーク検出系によ
つてY、θ−アライメントマーク6Y′,6θ′が、
ウエハチヤツクの回転補正の後も検出されている
かを確認し(ステツプS30)、次に、対物レンズ
22の下方へX−アライメントマーク6X′をも
たらし、AD変換器58の出力により該マーク6
X′を確認する(ステツプS31)。その際、Y−ア
ライメントマーク6Y′とX−アライメントマー
ク6X′とのX、Y軸方向のそれぞれの間隔L2
L3はそれぞれ既知であり、また対物レンズ22
のx−y座標位置も既知であるから、これに基づ
いてコンピユータ60は第2テーブル11をx、
y軸方向へどれだけ移動すればX−アライメント
マーク6X′が対物レンズ22の下方へ位置する
かを計算できる。この計算結果に応じてモータ1
2,13を駆動し、AD変換器58の出力が所定
値以上を示していることが検出できれば、その回
折光発生部分をX−アライメントマーク6X′で
あると判定できる。尚、Y−アライメントマーク
6Y′のx軸方向の中心は光電出力がVth以上にな
つたとき、及びVth以下になつたときのアツプ/
ダウンカウンタ62のそれぞれの計数値から計算
できるから、第2テーブル11の移動による対物
レンズ22とX−アライメントマーク6X′との
位置づけは正確に行なうことができる。X−アラ
イメントマーク6X′は計算により正確に対物レ
ンズ22の光軸下へもたらすことができるから、
X−アライメントマーク6X′の長さlxを測定す
ることは必須のことではない。しかし確実性を望
むならY、θ−アライメントマークと同様のステ
ツプで長さを測定してX−アライメントマーク6
X′を検出してもよい。
以上の動作によつてウエハWのX−Y軸の二次
元移動装置のx−y軸とが回転ずれなしに対応す
ることになる。このウエハアライメント動作が終
了するとステツプアンドリピート露光動作に移
る。
尚、ステツプS11ないしステツプS29でY、θ
−アライメントマーク6Y′,6θ′を検出して回転
ずれ補正を行なつた後に、両マーク間距離L1
測定するステツプを入れればY、θアライメント
マークの誤検出率は更に低下する。この追加ステ
ツプは、ステツプS29の次にレジスタ65の端子
Q1の出力をL、端子Q2の出力をHに設定して第
2テーブル11をx軸方向に移動し、距離L1
動した所で第2テーブル11を停止し(θ−アラ
イメントマーク6θ′を対物レンズ27の下方へ移
動)、次にAD変換器56の出力を読み込んでこ
の出力が前記所定のスライスデータ以上であるこ
とを検出(ピークがあることを検出)するもので
ある。また、ステツプS33の後に第2テーブル1
1のx、y軸方向の移動量を測定するステツプを
追加して、対物レンズ22がX−アライメントマ
ーク6X′を検出するまでの移動量を測定し、第
2テーブル11のx軸方向の移動量と距離L2を、
また第2テーブル11のy軸方向の移動量と距離
L3をそれぞれ比較すればX−アライメントマー
ク6X′の誤検出率も更に低下する。
(発明の効果) 以上のような本発明によればアライメントマー
クの二次元的特徴によつてアライメントマーク検
出を行なうので、誤検出率を低減することがで
き、更にアライメントマーク周辺に設けるパター
ン禁止領域を狭くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のアライメント装置を概略的に表
わした説明図、第2図はウエハの被露光パターン
を示す図、第3図はアライメントマークを具体的
に示す図、第4図は本発明を露光装置のウエハア
ライメント装置に適用した実施例の構造図、第5
図は実施例の動作に使用されるアライメントマー
クを示す図、第6図は上記実施例の動作を制御す
る制御回路のブロツク図、第7図a,bは上記制
御回路の動作を説明するためのフローチヤート、
第8図、第9図は光電検出器の出力波形を示す波
形図、第10図はクレイム対応図である。 (主要部分の符号の説明)、10……第1テー
ブル、11……第2テーブル、16,17……変
位量測定装置、18……レーザー光源、19……
振動ミラー、22,25,27……対物レンズ、
50,51,52……光電検出器、56,57,
58……AD変換器、60……コンピユータ、6
1,62……アツプ/ダウンカウンタ、65……
レジスタ、68,69,70……DA変換器、1
2,13,15……モータ、75……メモリー回
路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板上のアライメントマーク形成領域付近を
    第1方向に走査することによつて、アライメント
    マークの候補を探す第1手段;前記第1方向と異
    なる第2方向に前記アライメントマークの候補を
    走査し、該第2方向における前記アライメントマ
    ークの所定の特徴を検出する第2手段;及び前記
    第2方向に所定の特徴を備えた前記アライメント
    マークの候補をアライメントマークと判定する第
    3手段を備えたことを特徴とするアライメントマ
    ークの検出装置。 2 前記アライメントマークは前記第2方向に直
    線状に一定の長さで伸びた線状のマーク6Y,6
    θから成り、前記第1手段は前記第1方向に関し
    て所定の長さで前記線状マークを含む走査範囲内
    から、前記マークもしくは類似のパターンの光学
    特性に応じて変化する光電子信号波形P1〜Po
    検出する光電検出器50,51,52と、前記光
    電信号波形の中で前記マークに対応した前記第1
    方向に関する波形位置を抽出して記憶する記憶手
    段75とを備え、 前記第2手段は前記記憶手段に記憶された各位
    置で前記第2方向に関する走査を行ない、前記光
    電検出器からの光電信号の波形の長さを計測する
    計測手段(60、S15、S23)を備えたことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項の記載の装置。
JP59000488A 1984-01-05 1984-01-05 アライメントマ−クの検出装置 Granted JPS60144937A (ja)

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JPH0430414A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
US7525671B2 (en) * 2006-04-11 2009-04-28 Micronic Laser Systems Ab Registration method and apparatus therefor

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