JPS60144937A - アライメントマ−クの検出装置 - Google Patents

アライメントマ−クの検出装置

Info

Publication number
JPS60144937A
JPS60144937A JP59000488A JP48884A JPS60144937A JP S60144937 A JPS60144937 A JP S60144937A JP 59000488 A JP59000488 A JP 59000488A JP 48884 A JP48884 A JP 48884A JP S60144937 A JPS60144937 A JP S60144937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment mark
wafer
marks
output
alignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59000488A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0550128B2 (ja
Inventor
Keiichiro Sakado
坂戸 啓一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp, Nippon Kogaku KK filed Critical Nikon Corp
Priority to JP59000488A priority Critical patent/JPS60144937A/ja
Publication of JPS60144937A publication Critical patent/JPS60144937A/ja
Publication of JPH0550128B2 publication Critical patent/JPH0550128B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はウェハ等の基板に形成されたアライメントマー
クの検出装置に関する。
(発明の背景) レーザービーム等でウェハ上に形成されたアライメント
マークを走査し、その結果得られる該アライメントマー
クの位置情報からウェハの位置決めをする装置は、例え
ば特開昭57−19726号公報に開示されている。以
下、この装置の概略を説明する。第1図において、レー
ザー光源1から出力されたレーザービームは振動ミラー
2、ミラー4を介して対物レンズ5に入射する。対物レ
ンズ5から出射したレーザービームは帯状スポットLS
PとなってウェハW上に投射される。ウェハW上には第
2図に示すようにLSI、■LSI等の回路パターンC
P及びアライメントマーク6X。
6Y16θが第1回目の露光動作によって複数形成され
ている。ステップアンドリピート方式の露俟装置におい
ては、回路パターンCP、アライメントマーク6X、6
Y、6θが1絹となってマスクに描画されており、これ
で順次ウェハを露光してゆき、結果的に第2図に示すよ
うなマトリックス状に配列される。この場合互いに直交
するX、Y軸をウェハW上に想定すると、X−アライメ
ントマーク6XはY軸と平行に、またY・、θナアライ
メントマーク6Y160はY軸に平行になるように側光
されている。更に、ウェハWのオリエンテーションフラ
ットはY軸とほぼ平行である。第3図にアライメントマ
ーク6X、6Y、6θの具体的な形状を示す。X−アラ
イメントマーク6Xは微小な矩形セグメントをY軸に対
して所定角度(例えば45度)傾けてY軸方向に複数配
列した回折格子である。Y、θ−アライメントマーク6
Y160は微小な矩形セグメントをY軸に対して所定角
度傾けてX軸方向に複数配列した回折格子である。X−
アライメントマーク6Xの長さlx、Y、θ−アライメ
ントマークの長さllY、llθはそれぞれ設計上特定
されている。帯状のレーザー光源)LSPは各アライメ
ントマークの長手方向と直交する方向に振動する。
第1図に戻って、振動ミラー2はレーザー光源1からの
レーザー光の進行方向を振動させる。その結果、帯状レ
ーザー光源ッ)LSPはアライメントマーク6(各アラ
イメントマークを代表的に6で表わす)の長手方向と直
交する方向に振動する。アライメントマークを検出する
には、帯状レーザスポットを振動させっつウェハWと帯
状レーザー光源)LSPの相対位置を変化させる(走査
する)。
この走査によってアライメントマーク6がら回折光が発
生する。回折光は対物レンズ5.ミラー4を介して光電
検出器3に導かれる。この場合、回折光が生ずるのはア
ライメントマークに1slVfflされず、ウェハスト
リート7上の微小な凹凸や、ウェハストリート7と回路
パターンCPとの境界部のエツジからも回折光が生ずる
。しがし、一般的には回折格子たるアライメントマーク
6がら発生する回折光は他の部分から発生する回折光に
対して強度が大きいので、最大の強度をもつ回折光がら
得られる光電出力を同期検波することによりアライメン
トマークの位置を検出していた。
ところが、ウェハプロセスの進行にともなってアライメ
ントマーク6の形状及びウェハストリート7と回路パタ
ーンCPとの境界部のエツジ形状が変化するので、最大
強度の回折光が必ずアライメントマークから発生すると
いう保証は得られない。そのためアライメントマークの
諌検出が度々発生していた。簡単な解決策としては、ア
ライメントマーク6の近傍に広範囲なパターン禁止領域
を設けることが考えられる。しかしこれではウェハスト
リート7が広くなってしまうがら、1枚のウェハから取
り出せるLSIチップ数が減少するという欠点がある。
(発明の目的) 本発明の目的は、上記欠点を解決しアライメントマーク
の検出率を向上した検出装置を提供することである。
(発明の概要) 第10図に示すように本発明は、ウェハ等の基板上のア
ライメントマーク形成領域付近を第1方向に走査するこ
とによってアライメントマークの候補を探す第1手段1
00と、第1方向とは異なった方向をもつとともにアラ
イメントマークの所定の特徴を検出可能な第2方向に走
査する第2手段101と、第2方向に所定の特徴をもっ
たアライメントマークの候補をアライメントマークであ
ると判定する第3手段102とから成る。アライヌ−よ
って上記形成領域付近を第1方向に光電的に走査して回
折光を検出する。つまりアライメントマークの回折光発
生機能という第1特徴を検出する。
この回折光はアライメントマーク以外からも発生される
から回折光にピークが生じた部分を回折光発生部分、即
ちアライメントマーク候補とする。
次に第2手段によってアライメントマークの候補を第2
方向(例えばアライメントマークの長手方向)に光電的
に走査して、アライメントマークの長さという第2特徴
を検出する。そして第3手段によって第1、第2特徴を
備えたアライメントマークの候補をアライメントマーク
であると判定するのである。光電的な走査はレーザース
ポットとウェハとを相対的に移動することによって行な
う。
(実施例) 以下、本発明の詳細な説明する。第4図に投影型側光装
置のウェハアライメント装置に本発明を適用した実施例
を示す。この実施例では、X−アライメントマーク、Y
−アライメントマーク、及びθ−アライメントマークを
検出するために、検出系(第1図のレーザ光跡1、振動
ミラー2、ミラー4、対物レンズ5、及び光電検出器3
から成る系に対応するもの)が3絹用意されている。
第4図において、互いに直交する軸をX軸及びy軸とし
たとき、第1テーブル10はy軸方向に摺動可能であり
、第2テーブル11は第1テーブル10の上をX軸方向
に摺動可能である。モータ12は第1テーブル10をy
軸方向に駆動しくまたモータ13は第2テーブル11を
X軸方向に駆動する。これらは二次元移動装置を構成す
る。ウゴハWを吸着保持するためのウェハチャック14
は第2テーブル11上に回転可能に支持されている。
従って、ウェハチャック14に載置されたウェハは、第
1テーブル10を介して第2テーブル11を移動するこ
とによってy軸方向に、また第1テーブル10上で第2
テーブル11を摺動することによってX軸方向に移動さ
れる。ウェハチャック14はモータ15により回転され
る。第1変位量測定装置16は第2テーブル11のy軸
方向の移動量を、また第2変位測定装置17は第2テー
ブル11のX軸方向の移動量をそれぞれ測定する。
第1、第2変位量測定装置16.17はそれぞれの軸に
沿ったテーブルの往動、復動に応じてそれぞれパルス出
力を発生する手段と、このパルス出力をアップ/ダウン
計数してテーブルの変位量を計測するカウンタを含んで
おり、例えばレーザー干渉計、インクリメンタル型エン
コーダが使用される。
レーザー光源18によって発生されたレーザー光は振動
ミラー19を介してハーフミラ−20に入射する。ハー
フミラ−20によって反射されたレーザ光はミラー21
及び対物レンズ22を介してウェハ上に帯状に投影され
る。ウェハから反射してきた回折光は対物レンズ22、
ミラー21を介して第3光電検出器(後述)に導かれる
。この検出系はX−アライメントマークを検出するため
の光電顕微鏡、である。ハーフミラ−20を通過したレ
ーザー光はハーフミラ−23,24に入射し、ハーフミ
ラ−24によって反射されたレーザー光は対物レンズ2
5を介してウェハ上に帯状に投影され1、干してウェハ
から反射してきた回折光は対物レンズ25、ハーフミラ
−24を介して第2光電検出器(後述)に導かれる。こ
の検出系はθ−アライメントマークを検出するための光
電顕微鏡である。ハーフミラ−24を通過したレーザー
光はミラー26、対物レンズ27を介してウェハ上に帯
状に投影され、そしてウェハから反射してきた回折光は
対物レンズ27、ミラー26を介して第1光電検出器(
後述)に導かれる。この検出系ハY −7ライメントマ
ークを検出するための光電顕微鏡である。投影レンズ2
8は回路パターンが描かれたマスクの光像をウェハ面上
に投影するためのものである。尚、投影レンズ28の光
軸に対する各対物レンズ22.25.27の座標位置及
び各対物レンズの光軸間距離は露光装置固有のものとし
て予めわかっているものとする。
ウェハアライメントは、ウェハ上に想定されたX−y軸
と二次元移動装置のx −y軸と全対応づける動作であ
る。このウェハアライメントに使用されるX、 Y、θ
−アライメントマークは、ウェハ上に多数形成されたも
ののうち、第5図に示すようなX−アライメントマーク
6X’、−Y−アライメントマーク6Y′、及びθ−ア
ライメントマーク6θ′である。Y−アライメントマー
ク6Y’とθ−アライメントマーク60′とは対物レン
ズ27.25の光軸間距離にほぼ一致する間隔をもって
位置するように第1回目露光で形成される。また、¥8
θアライメントマーク6Y′、60′の中心間距離L1
、Y−アライメントマーク6Y’の中心とX−アライメ
ントマーク6X’との距離L2、及びY−アライメント
マーク6Y’とX−アライメントマーク6X’の中心と
の距111jL3はそれぞれ既知の値である。
第6図にはウェハアライメント装置を制御する回路が示
されている。第1光電検出器50、第2光電検出器51
及び第3光電検出器52の出力はヘッドアンプ53.5
4.55によってそれぞれ増幅され、更にAD変換器5
6.57.58によってそれぞれAD変換される。AD
変換器56.57.58はコンピュータバス59を介し
てマイクロコンピュータ、ミニコンビエータ等のコンピ
ュータ60に接続される。第1変位量測定装置16のカ
ウンタとして作用するアップ/ダウンカウンタ61は第
2テーブル11のy軸方向の往動によって発生するパル
ス出力をアップ入力端子に、またy軸方向の復動によっ
て発生するノぐルス出力をダウン入力端子にそれぞれ印
加される。第2変位量測定装置17のカウンタとして作
用するアップ/ダウンカウンタ62は第2テーブル11
のX軸方向の往動によって発生するパルス出力なアップ
入力端子に、またX軸方向の復動によって発生するパル
ス出力をダウン入力端子にそれぞれ印加される。アップ
/ダウンカウンタ61.62はコンピュータバス59を
介してコンピュータ60と接続される。カウンタ61の
アップ/ダウン入力端子へ印加されるパルス出力はオア
ゲート63を介してアンドゲート64の一方入力端子に
印加される。アンドゲート64の他方入力端子にはレジ
スタ65の端子Q、1の出力が印加される。カウンタ6
2のアップ/ダウン入力端子へ印加されるパルス出力は
オアゲート66を介してアンドゲート67の一方入力端
子に印加される。アンドゲート67の他方入力端子には
レジスタ65の端子Q2の出力が印加される。レジスタ
65はコンピュータバス59を介してコンピュータ60
と接続され、アントゲ−)64.67の出力端子はコン
ピュータ60の割込入力端チェR1、工R2にそれぞれ
接続されている。
アンドゲート64の出力はAD変換器57の出力及びア
ップ/ダウンカウンタ61の計数値を読み数るタイミン
グ信号となる。また、アンドゲート67の出力はAD変
換器56の出力及びアップ/ダウンカウンタ62の計数
値を読み取るタイミング信号となる。
DA変換器68.69.70はコンピュータバス59を
介してコンピュータ60とそれぞれ接続されてイル。D
A変換器68はコンピュータ60からの第1テーブル駆
動データをDA変換してサーボアンプ71に印加する。
DA変換器69はコンピュータ60からの第2テーブル
駆動データをDA変換してサーボアンプ72に印加する
。DA変換器70はコンピュータ60からのウェハチャ
ック駆動データをAD変換してサーボアンプ73に印加
する。サーボアンプ71.72.73はモータ12.1
3.15をそれぞれ駆動する。DA変換器68.69.
70にはモータ12.13.15の回転方向及び回転速
度を指定するデータがコンピュータ60から転送されて
くる。
キーボード74はコンピュータ60に対する作動指令、
必要なデータ等を入力するものである。メモリー回路7
5はウェハアライメント動作に必要なデータを記憶する
ものである。
次に、第7図(a)、(b)に示したフローチャートを
参照して動作を説明する。ここで、二次元移動装置の原
点設定は既に終了しており、原点に対する第2テーブル
11のxz y軸方向の座標位置とアップ/ダウンカウ
ンタ62.61の計数値とは正しく対応しているものと
する。さて、キーボード74を操作することによってウ
ェハアライメント開始指令がコンピュータ60に入力さ
れると(ステップS1)、コンピュータ60はDA変換
器68.69にウェハチャック14゛(即ち第2テーブ
ル11)をウェハ受渡し位置へ移動するための駆動デー
タを転送するとともにレジスタ65の端子Q1、Q2の
出力をHに設定する。そのため、モータ12.13はサ
ーボアンプ71.72を介して指定された方向及び速度
で回転し、第2テーブル11をウェハ受渡し位置へ向け
て駆動する。第2テーブル11のx、Sy軸方向の変位
に応じて発生するパルス出力はアップ/ダウンカウンタ
62.61によって計数されている。そして該パルス出
力が発生するたびにアンドゲート67.64からはタイ
ミング信号0が出力されるので、コンピュータ60はそ
のたびにアップ/ダウンカウンタ62.61の計数値を
読み込む。コンピュータ60はメモリー回路75に記憶
されたウェハ受渡し位置のx −y座標位置を読み出し
、アップ/ダウンカウンタ62.61の計数値がこの座
標値に対応したことを判別すると、DAfl[68,6
9のデータをクリアしてモータ12.13の回転を停止
する。以上がウェハチャック14をウェハ受渡し位置へ
移動する動作(ステンブ82)である。この位置でウェ
ハWはウェハチャック14に載置される。その際、ウェ
ハWのX軸は対物レンズ25.27の光軸を結ぶ線分と
ほぼ平行となるように位置決めして載置される。従って
、ウェハW上のY1θ−アライメントマーク6Y′、6
0′を結ぶ線分と対物レンズ25.27の光軸を結ぶ線
分はほぼ平行になっている。
ウェハ受渡しが終了すると、コンピュータ6゜はウェハ
チャック14(即ち第2テーブル11)を所定のウェハ
アライメント位置へ移動するための駆動データをDA変
換器68.69に転送する。ウェハWは、ウェハ受渡し
時に前述のように位置決めされてウェハチャック14に
載置されるから、第2テーブル11を所定のx −y座
標位置に移動すればY、θ−アライメントマーク6Y’
、6θlは対物レンズ27.25のほぼ真下にもたらす
ことができる。モータ12.13によって移動される第
2テーブル12の座標位置はアップ/ダウンカウンタ6
2.61の計数値が対応しているから、コンピュータ6
eはメモリー回路75に記憶されたウェハアライメント
位置のx −y座標位置にアップ/ダウンカウンタ62
.61の計数値が対応したことを判別するとDA変換器
68.69のデータをクリアしてモータ12.13を停
止させる。これによってウェハWはウェハアライメント
位置にもたらされる(ステップ83)。このときコンピ
ュータ60はレジスタ65の端子Qlの出力をHに、端
子Q2の出力をLにそれぞれ設定する。
次に、アライメントマークの検出動作に入る。
この検出動作は、先ずYlo−アライメントマーク6Y
’、60′の候補を探すことから始まる。コンピュータ
60はDA変換器68に駆動データを転送し、第1、第
2テーブル10.11を介してウェハをy軸方向にのみ
移動させ(ステップS4)、同時にAD変換器56.5
7のAD変換動作を開始させる(ステップ85)。そし
て、コンピュータ60は第2テーブル11の移動につれ
てDA変換器56.57から発生されるデジタル出力を
読み取り、面出力のピークを検出する(ステップ86)
。例えば第8図に示すように第1光電検出器50の出力
にピークP1〜Pnが生じたとすると、コンピュータ6
0は各ピークに対応したAD変換器56の出力及び各ピ
ークが生じたときのアップ/ダウンカウンタ61の計数
値を対応づけてメモリー回路75にたAD変換器57の
出力及び各ピークが発生したときのアップ/ダウンカウ
ンタ61の計数価ラメモリ−回路75に記憶させる。第
2テーブル11の移1(lI量が所定走査量に達したこ
とを検出すると(ステップS8)、コンピュータ60は
DA変換器68をクリアしてモータ12の回転を停止す
る(ステップ89)。
引き紗いて、コンピュータ60は第1、第2光電検出器
50.51の出力の各ピークに対応してメモリー回路7
5にそれぞれ記憶されたAD変換器56.57の出力と
アップ/ダウンカウンタ61の計数値とを、ピーク値の
大きい順にそれぞれ並べ、換える(ステップ510)。
この並べ換え動作は、第8図において第1光電検出器5
0のピーク値の大きい順序がピークP4、P6・・・・
・・であったとすると、メモリー回路75のM 11番
地にピークP4に対応したDA変換出力と指数値とを格
納し、N2番地にピークP6に対応したDA変換出力と
計数値を格納し、以下ピーク値の大きい順に同様のこと
’16り返し、最小ピーク4jlfに対応するものをM
n番地に格納する。第2光電検出器57の出力について
も同様の並べ換え動作を行ない、メモリー回路75のN
1番地からNn番地に各ピークに対応したAD変換出力
と計数値とを格納する。以上の動作のあいだ第2テーブ
ル11はX軸方向に動がない。
次に、Y−アライメントマーク6Y’の判定動作に入る
。コンピュータ60はメモリー回路75のN1番地に格
納された計数値に応じた位置へ第2テーブル11を移動
させるべく、DA変換器68に駆動データを転送し、第
1、第2テーブル10,11を介してウェハWをy軸方
向にのみ移動させる(ステップ511)。コンピュータ
60はアップ/ダウンカウンタ61の計数値とメモリー
回路75のN1番地に格納された計数値が一致したがど
ぅがヲモニターしくステップ812)、両者が一致する
とモータ12の回転、即ちウェハの送りを停止する(ス
テップ513)。続いて、コンピュータ60はDA変換
器69に駆動データを転送して第2テーブル11をX軸
の一方向に所定オフセラ)l″ぶん移動してレジスタ6
5の端子Q1の出力をLに、端子Q2の出力iHにそれ
ぞれ設定する。そして、該オフセット量ぶん移動した位
置から第2テーブルをX軸の他方向へ駆動する(ステッ
プ514)。
このオフセット量はY−アライメントマーク6Y’の長
さlYに等しいか、それよりも大きな値がメモリー回路
75に記憶されており、帯状レーザースポットLSPが
Y−アライメントマーク6Y’の全域を確実に走査でき
るようになっている。従って、帯状レーザースボッ)L
SPはピークP4を発生した部分(ウェハ上の回折光発
生部分)をX軸方向に走査することになる。この走査に
よって、回折光発生部分のX軸方向の長さに応じた広が
りを持った台形状の光電出力が第1光電検出器50から
出力される。この光電出力の波形は第9図に示されてお
り、(a)、(b)、(C)は回折光発生部分の長さの
違いによる波形の違いを示す。コンピュータ60はAD
変換器56の出力をメモリー回路75に記憶された適当
なスライスデータ(第9図のスライスレベルvthに対
応)とデジタル比較することにより、光電出力がスライ
スレベル■th以上になったときのアップ/ダウンカウ
ンタ62の計数値をメモリー回路75に記憶させる。第
2テーブル11の3:#方向移動が進んで、光電出力が
スライスレベルvth以下になるとコンピュータ60は
その時のアップ/ダウンカウンタ62の計数値をメモリ
ー回路75に記憶させる。次にコンピュータ60はメモ
リー回路75に記憶されたアップ/ダウンカウンタ62
の2つの計数値を減算することによって回折光発生部分
の長さを計算する(ステップ515)。このときの長さ
を第9図(a)に示すような11であるとすると、Y−
アライメントマークの長さは第3図に示すように既知の
長さlYであるから、コンピュータ60は長さ11と7
Yとを比較することによって回折光発生部分がY−アラ
イメントマーク6Y’であるかどうかを判定する(ステ
ップ816)。もし、11=lYでなかったとすると、
コンピュータ60はメモリー回路75のM2番地に格納
された計数値を読み出しくステップ816)、以下ステ
ップ811がらステップ816の動作を綽り返す。この
ときの回折光発生部分の長さが第9図(b)に示すよう
な12であり、l2−lYであればM2番地に格納され
た計数値(Y coun t )をY−アライメントマ
ーク6Y’のy座標位置としてメモリー回路75に保持
しておく (ステップ818)。
次にθ−アライメントマーク6θ′の判定動作に移る。
この動作のステップ819ないしステップ826は、メ
モリー回路75のN1ないしNn番地に格納された計数
値に基づいて第2光電検出器51の出力のピークに対応
した回折光発生部分の長さを測定し、測定された長さと
θ−アライメントマーク60′の既知の長さlθとを比
較し、測定された長さと既知の長さとが一致したときの
メモリー回路75に格納された計数値(θcount 
)をθ−アライメントマーク6θ′のy座標位置として
メモリー回路75に保持しておくものである。ステップ
S19ないしステップ826は判定対象となるアライメ
ントマークが異なっているだけで基本的にステップSl
lないしステップ818と同じである。
続いて、メモリー回路75に保持さゎた計数値Y co
untとθcount f比較しくステップ527)、
両者が一致していなければウェハ■のY軸が二次元移動
装置のy軸に対して回転していることになる。そこでコ
ンピュータ60はこの回転jt+計算する(ステップ8
28)。Y−アライメントマータロY’とθ−アライメ
ントマーク60′との間隔は既知であり、また計数値Y
 countと計数値θC,oun tとの差からY−
アライメントマークとθ−アライメントマークとのずれ
を知ることができるから、上記回転量は容易に計算する
ことができる。
コンピュータ60は計算きれた回転量に応じた駆動デー
タをDA変換器70へ転送し、回転ずれが補正されるよ
うにモータ15を介してウェハチャック14を回転する
(ステップ529)。例えば、ウェハチー?7り14の
回転中心はY−アライメントマーり6Y’の真下付近に
設定しておき、ウェハチャック14を回転ずれ量ぶん回
転する。回転ずれを補正されたチャック14はウェハW
の露光が終了するまでその状態を保たれる。
次に y、θ−アライメントマーク検出系によってY、
θ−アライメントマーク6Y’、6θ′・が、ウェハチ
ャックの回転補正の後も検出されているかを確認しくス
テップ530)、次に、対物レンズ22の下方へX−ア
ライメントマーク6X’をもたらし、AD変換器58の
出力により該マーク6X’を確認する(ステップ531
)。その際、Y−アライメントマーク6Y’とX−アラ
イメントマーク6X’とのX1Y軸方向のそれぞれの間
隔L2、L3はそれぞれ既知であり、また対物レンズ2
2のx −y座標位置も既知であるから、これに基づい
てコンピュータ60は第2テーブル11をZ% y軸方
向へどれだけ移動すればX−アライメントマーク6X’
が対物レンズ22の下方へ位置するかを計算できる。こ
の計算結果に応じてモータ12.13を駆動し、AD変
換器58の出力が所定値以上な示していることが検出で
きれば、その回折光発生部分をX−アライメントマーク
6X’であると判定できる。尚、Y−アライメントマー
ク6Y’のX軸方向の中心は光電出力がvth以上にな
ったとき、及びvth以下になったときのアップ/ダウ
ンカウンタ62のそれぞれの計数値から計算できるから
、第2チーシル11の移動による対物レンズ22とX−
アライメントマーク6X’との位置づけは正確に行なう
ことができる。X−アライメントマーク6X’は計算に
より正確に対物レンズ22の光軸下へもたらすことがで
きるから、X−アライメントマーク6X’の長さllx
を測定することは必須のことではない。
しかし確実性を望むならYlo−アライメントマークと
同様のステップで長さを測定してX−アライメントマー
ク6X’を検出してもよい。
以上の動作によってウェハWのX−Y軸と二次元移動装
置のx −y軸とが回転すれなしに対応することになる
。このウェハアライメント動作が終了するとステップア
ンドリピート露光動作に移る。
尚、ステップ811ないしステップ829でη、θ−ア
ライメントマーク6Y′、6θ′を検出して回転ずれ補
正を行なった後に、両マーク間距離L1を測定するステ
ップを入れればY1θアライメントマークの誤検出率は
更に低下する。この追加ステップは、ステップ829の
次にレジスタ65の端子Q1の出力をL1端子Q′2の
出力をHに設定して第2テーブル11をX軸方向に移動
し、ff:#Lu移動した所で第2テーブル11を停止
しくθ−アライメントマーク6θ′を対物レンズ27の
下方へ移動)、次にAD変換器56の出力を読み込んで
この出力が前記所定のスライスデータ以上であることを
検出(ピークがあることを検出)するものである。また
、ステップ833の後に第2テーブル11のx、y軸方
向の移動量を測定するステップを追加して、対物レンズ
22がX−アライメントマーク6X’を検出するまでの
移動量を測定し、第2テーブル11のX軸方向の移動量
と距@L2を、また第2テーブル11のy軸方向の移動
量と距離L3をそれぞれ比較すればX−アライメントマ
ーク6X/の誤検出率も更に低下する。
(発明の効果) 以上のような本発明によればアライメントマークの二次
元的特徴によってアライメントマーク検出を行なうので
、誤検出率を低減することができ、更にアライメントマ
ーク周辺に設けるパターン禁止領域を狡くすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のアライメント装置を概略的に表わした説
明図、第2図はウェハの被露光パターンを示す図、第3
図はアライメントマークを具体的に示す図、第4図は本
発明を露光装置のウエノ・アライメント装置に適用した
実施例の構造図、第5図は実施例の動作に使用されるア
ライメントマークを示す図、第6図は上記実施例の動作
を制御する制御回路のブロック図、第7図(a)、(b
)は上記制御回路の動作を説明するためのフローチャー
ト、第8図、第9図は光電検出器の出力波形を示T波形
図、第10図はフレイム対応図である。 (主要部分の符号の説明) 10・・・・・・・・・第1テーブル 11・・・・・
・・・・第2テーブル16.17・・・・・・変位引測
定装置 18・・・・・・レーザー光源19・・・・・
・・・・・・・振動ミラー 22.25.27・・・対
物レンズ50.51.52・・・・・・光電検出器56
.57.58・・・AD変換器60・・・・・・・・・
コンピユー々 61.62・・・・・・アップ/ダウンカウンタ65・
・・・・・レジスタ 68.69.70・・・DA変換
器12.13.15・・・・・・モータ 75・・・・
・・メモリー回路出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆′男 第1図 第2図 第5図 第4図 第6図 第7図(の 第7図(8)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上のアライメンートマーク形成領域付近を第1方向
    に走査Tることによって、アライメントマークの候補を
    探す第1手段;前記第1方向と異なる第2方向に前記ア
    ライメントマークの候補を走査シ、該第2方向における
    前記アライメントマークの所定の特徴を検出する第2手
    段;及び前記第2方向に所定の特徴を備えた前記アライ
    メントマークの候補をアライメントマークと判定する第
    3手段を備工たことを特徴とするアライメントマークの
    検出装置。
JP59000488A 1984-01-05 1984-01-05 アライメントマ−クの検出装置 Granted JPS60144937A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59000488A JPS60144937A (ja) 1984-01-05 1984-01-05 アライメントマ−クの検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59000488A JPS60144937A (ja) 1984-01-05 1984-01-05 アライメントマ−クの検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60144937A true JPS60144937A (ja) 1985-07-31
JPH0550128B2 JPH0550128B2 (ja) 1993-07-28

Family

ID=11475149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59000488A Granted JPS60144937A (ja) 1984-01-05 1984-01-05 アライメントマ−クの検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60144937A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62155532A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Nec Corp 半導体ウエ−ハの位置合せマ−クの形成方法
JPH0430414A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
JP2009533702A (ja) * 2006-04-11 2009-09-17 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 位置合わせ方法及びそのための装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62155532A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Nec Corp 半導体ウエ−ハの位置合せマ−クの形成方法
JPH0430414A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
US5194744A (en) * 1990-05-25 1993-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Compact reticle/wafer alignment system
JP2009533702A (ja) * 2006-04-11 2009-09-17 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 位置合わせ方法及びそのための装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0550128B2 (ja) 1993-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3374413B2 (ja) 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法
JP2606285B2 (ja) 露光装置および位置合わせ方法
US4566795A (en) Alignment apparatus
US5777722A (en) Scanning exposure apparatus and method
JP2530587B2 (ja) 位置決め装置
JPH0419545B2 (ja)
JPS61174717A (ja) 位置合わせ装置
US4829193A (en) Projection optical apparatus with focusing and alignment of reticle and wafer marks
JPH0122977B2 (ja)
WO1985001834A1 (en) Optical exposure apparatus
US4425537A (en) X-Y Addressable workpiece positioner and mask aligner using same
JP2004342900A (ja) 露光装置並びにレチクル形状測定装置及び方法
JPS60144937A (ja) アライメントマ−クの検出装置
JPH11186129A (ja) 走査型露光方法及び装置
JP3831720B2 (ja) 多重干渉ビームを使用するレチクル焦点測定システムおよびレチクル焦点測定方法
JPH0443407B2 (ja)
US6317196B1 (en) Projection exposure apparatus
US4566796A (en) Method of determining position on a wafer
JP2023077924A (ja) 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JPH0430175B2 (ja)
JPS607483Y2 (ja) 電子ビ−ム露光装置
JP3237022B2 (ja) 投影露光装置
JP2679940B2 (ja) 位置決め装置
JP2899196B2 (ja) スキャン型露光装置
JP2513281B2 (ja) 位置合わせ装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term