JPH06125166A - 回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ［目的］ 半田ディップによって回路部品のリードを回
路基板の接続用ランドに半田付けする際に、切断誘導部
を構成するスリットまたは小孔を通して回路基板の上面
に半田が上ってきて半田の粒が回路基板の上面に浮遊す
るのを防止する。 ［構成］ 開口を形成するためのスリット１１と小孔１
２によって囲まれる領域に銅箔が露出して成る半田吸収
用ランド１３を形成しておく。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はその上に回路部品をマウ
ントして所定の回路を形成するようにした回路基板に係
り、とくにスリットまたは間欠的な小孔から成る切断誘
導部を形成しておき、切断誘導部のところで破断して開
口または切欠きを形成するようにした回路基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】各種の電子回路を組立てるために、回路
基板が用いられる。回路基板は絶縁材料の基板上に銅箔
を接合し、この銅箔をエッチングして配線パターンや接
続用ランドを形成するようにしたものであって、上記接
続用ランドに回路部品の電極あるいはリードが接続され
るようにし、これによって配線パターンを介して回路部
品が互いに接続され、所定の電子回路を形成するように
している。

【０００３】回路基板は必ずしも矩形の形状を有すると
は限らず、組込まれる位置に応じて各種の複雑な形状を
とることになる。また場合によっては、他の部品、例え
ばスピーカの駆動部が挿入されるための開口を設けるこ
とがある。このようにコーナの部分を切欠いたり内部に
開口を形成した回路基板が広く用いられている。

【０００４】ところがこのような切欠きや開口を有する
回路基板上にに回路部品をマウントし、そのリードを半
田付けするために半田ディップ槽に供給すると、上記半
田ディップ槽の半田の噴流が開口や切欠きを通して回路
基板の上面に上って必要でない場所に半田が付着する可
能性があった。そこで上記の切欠きや開口を形成する部
分については、切断誘導部を介して回路基板を残してお
き、半田ディップの後に上記切断誘導部のところで回路
基板を切断して開口あるいは切欠きを形成するようにし
ていた。このような対策によって、半田ディップの際に
半田噴流によって半田が回路基板の上面に上ることが防
止されるようになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが上記のような
対策を施しても、破断によって開口や切欠きを形成する
ために回路基板に予め形成されているスリットまたは間
欠的な小孔によって、半田ディップの際に半田の噴流の
一部が上記のスリットまたは小孔を通して回路基板の上
面に上ってくることがある。そしてこのような半田は回
路基板の上面に付着することになる。付着した半田の粒
は簡単にとれるものの、このような回路基板の保管ある
いは搬送中にとれてそのまま基板内に浮遊することにな
り、この状態で回路基板が電子機器に組込まれる可能性
がある。

【０００６】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、切断誘導部を構成するスリットや小孔
を通して回路基板の上面に上ってきた半田が回路基板上
において浮遊するのを防止し、これによって製品に不良
が発生するのを未然に防ぐようにした回路基板を提供す
ることを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、スリット
または間欠的な小孔から成る切断誘導部を形成してお
き、前記切断誘導部のところで破断して開口または切欠
きを形成するようにした回路基板において、前記切断誘
導部で囲まれる領域であって半田ディップの際に半田噴
流と接触する面とは反対側の面に半田吸収用ランドを形
成するようにしたことを特徴とする回路基板に関するも
のである。

【０００８】第２の発明は、上記第１の発明において、
前記切断誘導部の外側に半田吸収用ランドを形成するよ
うにしたことを特徴とする回路基板に関するものであ
る。

【０００９】第３の発明は、上記第２の発明において、
前記切断誘導部の外側に形成されている半田吸収用ラン
ドが間欠的に形成されているドット状のランドから成る
ことを特徴とする回路基板に関するものである。

【００１０】

【作用】第１の発明によれば、半田ディップの際に切断
誘導部を構成するスリットまたは小孔から回路基板の上
面に上ってきた半田は、切断誘導部で囲まれる領域に形
成された半田吸収用ランドによって吸収されることにな
る。そしてこの後に切断誘導部によって回路基板の一部
が除去されるために、半田が付着した半田吸収用ランド
の部分も捨てられるために、半田が異物となることがな
くなる。

【００１１】第２の発明によれば、切断誘導部の外側に
も半田吸収用ランドが形成されているために、半田ディ
ップの際にスリットまたは小孔を通して回路基板の上面
に上ってきた半田は、切断誘導部の内側の半田吸収用ラ
ンドと切断誘導部の外側の半田吸収用ランドとによって
それぞれ吸収されることになる。

【００１２】第３の発明によれば、切断誘導部の外側に
はドット状のランドから成る半田吸収用ランドが形成さ
れるようになっているために、半田ディップの際にスリ
ットまたは小孔を通して回路基板の上面に上ってきた半
田は、切断誘導部の内側の半田吸収用ランドおよび外側
のドット状の半田吸収用ランドによって吸収される。

【００１３】

【実施例】図１は本発明の一実施例に係る回路基板を示
すものであって、この回路基板１０は合成樹脂、セラミ
ック等の絶縁材料によって作られている。そして回路基
板１０の所定の位置には開口を形成するためのスリット
１１が設けられるとともに、このスリット１１の両側の
終端間には小孔１２が設けられている。そして上記スリ
ット１１によって囲まれる領域には、銅箔を露出させた
状態で残存させた半田吸収用ランド１３が形成されてい
る。なおこの回路基板１０には、２箇所にそれぞれ上記
スリット１１と小孔１２とから成る切断誘導部が形成さ
れるようになっている。

【００１４】このような回路基板１０上には図１および
図２に示すように各種の回路部品１６がマウントされる
ようになっている。とくにリード付き部品については図
２に示すように、そのリード１７がリード挿通孔１８を
挿通された状態で回路基板１０上にマウントされるよう
になっている。そしてこのような回路基板１０が半田デ
ィップ槽２１に供給され、この半田ディップ槽２１によ
って回路部品１６のリード１７の半田付けが行なわれる
ようになっている。

【００１５】半田ディップ槽２１の下部にはヒータ２２
が配されており、このヒータ２２によって半田を溶融し
た状態で保持するようにしている。またヒータ２２の上
側には加圧ポンプ２３が配されており、このポンプ２３
によって溶融した半田を上方へ圧送するようになってい
る。そして加圧ポンプ２３の上方には噴流ガイド２４が
配されており、この噴流ガイド２４によって半田の噴流
を形成させ、その上を通過する回路基板１０の下面に噴
流２５を接触させるようにしている。

【００１６】従ってこのような半田ディップ槽２１の上
部を回路基板１０が水平な姿勢で通過すると、この回路
基板１０の下面に突出している回路部品１６のリード１
７が回路基板１０の下面に形成されている配線パターン
に半田付けされることになる。

【００１７】このような半田ディップによる半田付けの
際に、図１に示す回路基板１０の開口を形成するための
スリット１１や小孔１２を通して、回路基板１０の表面
に半田２６が上ってくる。このような半田は図１に明示
するように、スリット１１の内側の領域に形成されてい
る半田吸収用ランド１３によって吸収されるようになっ
ている。

【００１８】すなわち半田ディップの際に図１において
図面の裏側の面に半田を浸して半田付けを行なうが、こ
のときにスリット１１を通して半田が上る場合がある。
このような半田を回路基板１０の上面に設けた半田吸収
用ランド１３によって積極的に半田付けすることによっ
て、回路基板１０の上面に半田の粒が浮遊するのを防止
している。なおスリット１１と小孔１２とから成る部分
は後から除去され、開口が形成されるようになってお
り、このためにこの回路基板１０を組込んだ後に回路基
板１０の上面に異物が残ることはない。

【００１９】図１３はこのような回路基板１０を組込ん
だ音響機器を示している。上記回路基板１０のスリット
１１および小孔１２の部分によって一対の開口２８、２
９がそれぞれ形成される。そして大きい方の開口２８に
はスピーカ３０の駆動部が挿入される。これに対して小
さい方の開口２９と対応する部分にはバリコン３１がマ
ウントされる。そしてこのバリコン３１の軸と連結され
るようにプーリ３２が取付けられるようになっている。
プーリ３２は小さな開口２９を挿通した状態でバリコン
３１の回転軸にねじ止めされるようになっている。そし
て回路基板１０はシャーシ３３によって支持されるとと
もに、キャビネット３４内に配されるようになってい
る。キャビネット３４には多数の小孔から成る音孔３５
が形成されており、この音孔３５の部分にスピーカ３０
が取付けられるようになっている。

【００２０】このように本実施例の回路基板１０におい
ては、半田ディップの際に回路基板１０の上面に上がる
半田の吸収を目的とした半田吸収用ランド１３をスリッ
ト１１によって囲まれる領域に設けるようにしている。
従って半田ディップの際に半田が回路基板１０の上面に
上った場合にも、この半田が半田吸収用ランド１３によ
って吸収されてい半田の粒子が回路基板１０の上面に付
着することがなくなる。しかもスリット１１の内側の領
域は捨て基板として切断除去されて捨てられるために、
半田が異物となることがなくなる。

【００２１】次に上記実施例の変形例を図４によって説
明する。この変形例においては、開口を形成するための
スリット１１および小孔１２の内側の領域に半田吸収用
ランド１３を形成するとともに、スリット１１と小孔１
２とから成る切断誘導部の外側にはほぼ円形にこれらを
囲むように細条の半田吸収用ランド４１を形成するよう
にしている。

【００２２】半田ディップの際にスリット１１および小
孔１２を通して上る半田は必ずしもスリット１１の内側
に流動するとは限らず、場合によってはスリット１１の
外周側に流動する可能性がある。ところが細条の半田吸
収用ランド４１が土手の機能を果すために、外側へ流れ
るように上ってくる半田が細条の半田吸収用ランド４１
によって吸収されることになり、それよりも外側に半田
が拡がるのが防止される。なお細条の半田吸収用ランド
４１は開口を形成した後も残存するが、この部分に付着
する半田の量が少なく、とくに支障を及ぼすことはな
い。

【００２３】図５はさらに別の変形例を示しており、こ
の変形例においては、スリット１１の外側にドット状の
半田吸収用ランド４２を形成するようにしたものであ
る。このようなドット状の半田吸収用ランド４２によっ
ても、図４に示すような細条の半田吸収用ランド４１と
同様に、外側へ流動する半田を吸収して付着させること
ができ、上記変形例と同様の作用効果を奏することが可
能になる。

【００２４】

【発明の効果】第１の発明は、回路基板の切断誘導部で
囲まれる領域であって半田ディップの際に半田噴流と接
触する面とは反対側の面に半田吸収用ランドを形成する
ようにしたものである。従って半田ディップの際に切断
誘導部を構成するスリットまたは小孔を通して回路基板
の上面に上ってくる半田を半田吸収用ランドに付着させ
て吸収することが可能になり、回路基板の上面に半田の
粒が浮遊するのが防止される。

【００２５】第２の発明によれば、切断誘導部の外側に
さらに半田吸収用ランドが形成されているために、切断
誘導部を構成するスリットまたは小孔を通して上ってき
た半田であって外側へ流動しようとする半田がこの半田
吸収用ランドによって吸収されることになる。

【００２６】第３の発明によれば、切断誘導部の外側の
半田吸収用ランドがドット状のランドから構成されてい
るために、切断誘導部を構成するスリットまたは小孔を
通して上ってきた半田は切断誘導部の外側に形成されて
いる半田吸収用ランドに吸収され、外周側へ流動するの
が防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の回路基板の平面図である。

【図２】回路基板の半田ディップの状態を示す半田ディ
ップ槽の縦断面図である。

【図３】回路基板を組込んだ音響機器の縦断面図であ
る。

【図４】変形例の回路基板の要部平面図である。

【図５】別の変形例の回路基板の要部平面図である。

【符号の説明】

１０ 回路基板 １１ スリット １２ 小孔 １３ 半田吸収用ランド １６ 回路部品 １７ リード １８ リード挿通孔 ２１ 半田ディップ槽 ２２ ヒータ ２３ 加圧ポンプ ２４ 噴流ガイド ２５ 半田の噴流 ２６ 半田 ２８、２９ 開口 ３０ スピーカ ３１ バリコン ３２ プーリ ３３ シャーシ ３４ キャビネット ３５ 音孔 ４１ 細条の半田吸収用ランド ４２ ドット状の半田吸収用ランド

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スリットまたは間欠的な小孔から成る切
   断誘導部を形成しておき、前記切断誘導部のところで破
   断して開口または切欠きを形成するようにした回路基板
   において、 前記切断誘導部で囲まれる領域であって半田ディップの
   際に半田噴流と接触する面とは反対側の面に半田吸収用
   ランドを形成するようにしたことを特徴とする回路基
   板。
2. 【請求項２】 前記切断誘導部の外側に半田吸収用ラン
   ドを形成するようにしたことを特徴とする請求項１に記
   載の回路基板。
3. 【請求項３】 前記切断誘導部の外側に形成されている
   半田吸収用ランドが間欠的に形成されているドット状の
   ランドから成ることを特徴とする請求項２に記載の回路
   基板。