JPH06120090A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH06120090A JPH06120090A JP26337192A JP26337192A JPH06120090A JP H06120090 A JPH06120090 A JP H06120090A JP 26337192 A JP26337192 A JP 26337192A JP 26337192 A JP26337192 A JP 26337192A JP H06120090 A JPH06120090 A JP H06120090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- electrolytic capacitor
- lead wire
- semiconductor layer
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】陽極引き出し線への半導体層の這い上がり及び
陽極体の陽極引き出し線導出面の半導体層の厚さに起因
する漏れ電流のバラツキを少なくする。 【構成】半導体層這い上がり防止板4と陽極体2との間
に、絶縁性材料3を挿入し、陽極体2から半導体層這い
上がり防止板4を浮かせる。これにより、陽極引き出し
線1への半導体層6の這い上がりを少なくでき、かつ、
陽極体2の陽極引き出し線1の導出面の半導体層6を厚
くすることができるため、漏れ電流のバラツキを少なく
することができる。
陽極体の陽極引き出し線導出面の半導体層の厚さに起因
する漏れ電流のバラツキを少なくする。 【構成】半導体層這い上がり防止板4と陽極体2との間
に、絶縁性材料3を挿入し、陽極体2から半導体層這い
上がり防止板4を浮かせる。これにより、陽極引き出し
線1への半導体層6の這い上がりを少なくでき、かつ、
陽極体2の陽極引き出し線1の導出面の半導体層6を厚
くすることができるため、漏れ電流のバラツキを少なく
することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体電解コンデンサに
関し、特にコンデンサ素子の構造に関する。
関し、特にコンデンサ素子の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、固体電解コンデンサは、図5に示
すようにタンタル,アルミニウム等の弁作用を有する金
属粉末に陽極引き出し線1を突出させて、プレス成型
し、高温焼結して、陽極体2を形成する。次に、陽極引
き出し線1に半導体層這い上がり防止板4を挿入する。
しかる後、陽極体2を電解液中に浸積し、陽極酸化して
誘電体としての五酸化タンタル皮膜層5を形成させた
後、硝酸マンガン水溶液の中に浸積し、その後、熱分解
を行うことを数回繰り返して二酸化マンガンの半導体層
6を形成する。この後グラファイト,銀ペーストに浸
積、硬化して陰極層7を形成する。次に、陽極リード線
8を抵抗溶接等により、陽極引き出し線1に接続した
後、陰極層7に陰極リード線9をはんだ付けにより接続
する。次に、エポキシ系の樹脂11などで外装して固体
電解コンデンサを完成する。
すようにタンタル,アルミニウム等の弁作用を有する金
属粉末に陽極引き出し線1を突出させて、プレス成型
し、高温焼結して、陽極体2を形成する。次に、陽極引
き出し線1に半導体層這い上がり防止板4を挿入する。
しかる後、陽極体2を電解液中に浸積し、陽極酸化して
誘電体としての五酸化タンタル皮膜層5を形成させた
後、硝酸マンガン水溶液の中に浸積し、その後、熱分解
を行うことを数回繰り返して二酸化マンガンの半導体層
6を形成する。この後グラファイト,銀ペーストに浸
積、硬化して陰極層7を形成する。次に、陽極リード線
8を抵抗溶接等により、陽極引き出し線1に接続した
後、陰極層7に陰極リード線9をはんだ付けにより接続
する。次に、エポキシ系の樹脂11などで外装して固体
電解コンデンサを完成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の固体電解コ
ンデンサでは、半導体層這い上がり防止板4と陽極体2
が接触しているので、半導体層6が陽極引き出し線1に
這い上がり易く、また、半導体層這い上がり防止板4と
ペレット2との接触面の半導体層6の厚みが薄くなるた
め、機械的ストレスに弱く、漏れ電流のバラツキが大き
いという問題点があった。
ンデンサでは、半導体層這い上がり防止板4と陽極体2
が接触しているので、半導体層6が陽極引き出し線1に
這い上がり易く、また、半導体層這い上がり防止板4と
ペレット2との接触面の半導体層6の厚みが薄くなるた
め、機械的ストレスに弱く、漏れ電流のバラツキが大き
いという問題点があった。
【0004】本発明の目的は、陽極引き出し線への半導
体層の這い上がりを防止でき、かつ陽極体の陽極引き出
し線導出面の半導体層を厚くできその結果漏れ電流のバ
ラツキが小さくできる固体電解コンデンサを提供するこ
とにある。
体層の這い上がりを防止でき、かつ陽極体の陽極引き出
し線導出面の半導体層を厚くできその結果漏れ電流のバ
ラツキが小さくできる固体電解コンデンサを提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサは、弁作用を有する金属粉末をプレス成型し、高温
焼結して形成した陽極体と、陽極体から導出した陽極引
き出し線と、陽極引き出し線に挿入した半導体層這い上
がり防止板と、誘電体となる金属酸化皮膜層と、半導体
層と、陰極層と、陽極リード線と、陰極リード線と、樹
脂などからなる固体電解コンデンサにおいて、半導体層
這い上がり防止板と陽極体の間に絶縁材料を挿入し、半
導体這い上がり防止板を陽極体から浮かせた固体電解コ
ンデンサである。
ンサは、弁作用を有する金属粉末をプレス成型し、高温
焼結して形成した陽極体と、陽極体から導出した陽極引
き出し線と、陽極引き出し線に挿入した半導体層這い上
がり防止板と、誘電体となる金属酸化皮膜層と、半導体
層と、陰極層と、陽極リード線と、陰極リード線と、樹
脂などからなる固体電解コンデンサにおいて、半導体層
這い上がり防止板と陽極体の間に絶縁材料を挿入し、半
導体這い上がり防止板を陽極体から浮かせた固体電解コ
ンデンサである。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は、本発明の一実施例のタンタル固体電解コン
デンサの断面図である。
る。図1は、本発明の一実施例のタンタル固体電解コン
デンサの断面図である。
【0007】図1に示すように、タンタル粉末に直径
0.4mmの陽極引き出し線1を突出させてプレス成型
し、高温焼結して直径5.0×高さ7.2mmの円柱上
の陽極体2を形成した。次に、直径1.0×高さ0.5
mmの穴を有するエポキシ系の絶縁性材料3を陽極引き
出し線1に挿入した。この後、直径4.0×高さ0.8
mmで中央に直径0.5mmの穴を有するテフロン型
(商品名)の半導体層這い上がり防止板4を陽極引き出
し線1に挿入した。次に、リン酸水溶液中に浸積し、陽
極酸化して五酸化タンタル皮膜層5を形成した後、硝酸
マンガン水溶液中に浸積し、その後、250℃30分で
熱分解を行うことを10回繰り返して二酸化マンガンの
半導体層6を形成した。しかる後、グラファイト、銀ペ
ーストに浸積、硬化して、陰極層7を形成して、定格電
圧35V、公称静電容量47μFのコンデンサ素子を得
た。この後、陽極リード線8を抵抗溶接により、陽極引
き出し線1に接続した後、陰極層7に陰極リード線9を
はんだ付けにより接続した。次に、エポキシ系の樹脂1
1で外装して本発明のタンタル固体電解コンデンサを得
た。以上本発明のタンタル固体電解コンデンサと従来の
タンタル固体電解コンデンサ各1000Pについて陽極
引き出し線1への半導体層6の這い上がりを調査した結
果、表1に示すように、本発明のタンタル固体電解コン
デンサが大幅に少なくなっている。
0.4mmの陽極引き出し線1を突出させてプレス成型
し、高温焼結して直径5.0×高さ7.2mmの円柱上
の陽極体2を形成した。次に、直径1.0×高さ0.5
mmの穴を有するエポキシ系の絶縁性材料3を陽極引き
出し線1に挿入した。この後、直径4.0×高さ0.8
mmで中央に直径0.5mmの穴を有するテフロン型
(商品名)の半導体層這い上がり防止板4を陽極引き出
し線1に挿入した。次に、リン酸水溶液中に浸積し、陽
極酸化して五酸化タンタル皮膜層5を形成した後、硝酸
マンガン水溶液中に浸積し、その後、250℃30分で
熱分解を行うことを10回繰り返して二酸化マンガンの
半導体層6を形成した。しかる後、グラファイト、銀ペ
ーストに浸積、硬化して、陰極層7を形成して、定格電
圧35V、公称静電容量47μFのコンデンサ素子を得
た。この後、陽極リード線8を抵抗溶接により、陽極引
き出し線1に接続した後、陰極層7に陰極リード線9を
はんだ付けにより接続した。次に、エポキシ系の樹脂1
1で外装して本発明のタンタル固体電解コンデンサを得
た。以上本発明のタンタル固体電解コンデンサと従来の
タンタル固体電解コンデンサ各1000Pについて陽極
引き出し線1への半導体層6の這い上がりを調査した結
果、表1に示すように、本発明のタンタル固体電解コン
デンサが大幅に少なくなっている。
【0008】
【表1】
【0009】また、本発明のタンタル固体電解コンデン
サと従来のタンタル固体電解コンデンサと比較試験を行
った結果、直流電圧35V、1分印加後の漏れ電流は、
図3(a)の本発明のタンタル固体電解コンデンサの漏
れ電流分布図及び図3(b)の従来のタンタル固体電解
コンデンサの漏れ電流分布図に示す如く、本発明のタン
タル固体電解コンデンサの方がバラツキが小さい。
サと従来のタンタル固体電解コンデンサと比較試験を行
った結果、直流電圧35V、1分印加後の漏れ電流は、
図3(a)の本発明のタンタル固体電解コンデンサの漏
れ電流分布図及び図3(b)の従来のタンタル固体電解
コンデンサの漏れ電流分布図に示す如く、本発明のタン
タル固体電解コンデンサの方がバラツキが小さい。
【0010】図2は、本発明の他の実施例により製造さ
れたタンタル固体電解コンデンサの断面図である。
れたタンタル固体電解コンデンサの断面図である。
【0011】図2に示すように、タンタル粉末に直径
0.4mmの陽極引き出し線1を突出させてプレス成型
し、高温焼結して直径5.0×高さ6.65mmの円柱
状の陽極体2を形成した。次に、直径約1.0mmの球
状にエポキシ系の絶縁性樹脂12を陽極引き出し線1に
ディスペンサーにより塗布した後、150℃、30分で
加熱硬化した。この後、直径4.0×高さ0.8mmで
中央に直径0.5mmの穴を有するテフロン(商品名)
系の半導体層這い上がり防止板4を陽極引き出し線1に
挿入した。次に実施例1と同様に、五酸化タンタル皮膜
層5,半導体層6,陰極層7を形成して、定格電圧6.
3V,公称静電容量330μFのコンデンサ素子を得
た。この後、陽極リード線8を陽極リード引き出し線1
に、陰極リード線9を陰極層7に接続した後、エポキシ
系の樹脂11で外装して、本発明のタンタル固体電解コ
ンデンサを得た。以上、本発明のタンタル固体電解コン
デンサと従来のタンタル固体電解コンデンサ各1000
Pについて、陽極引き出し線1への半導体層6の這い上
がりを調査した結果表2に示すように、実施例1と同様
に本発明のタンタル固体電解コンデンサが大幅に少なく
なっている。
0.4mmの陽極引き出し線1を突出させてプレス成型
し、高温焼結して直径5.0×高さ6.65mmの円柱
状の陽極体2を形成した。次に、直径約1.0mmの球
状にエポキシ系の絶縁性樹脂12を陽極引き出し線1に
ディスペンサーにより塗布した後、150℃、30分で
加熱硬化した。この後、直径4.0×高さ0.8mmで
中央に直径0.5mmの穴を有するテフロン(商品名)
系の半導体層這い上がり防止板4を陽極引き出し線1に
挿入した。次に実施例1と同様に、五酸化タンタル皮膜
層5,半導体層6,陰極層7を形成して、定格電圧6.
3V,公称静電容量330μFのコンデンサ素子を得
た。この後、陽極リード線8を陽極リード引き出し線1
に、陰極リード線9を陰極層7に接続した後、エポキシ
系の樹脂11で外装して、本発明のタンタル固体電解コ
ンデンサを得た。以上、本発明のタンタル固体電解コン
デンサと従来のタンタル固体電解コンデンサ各1000
Pについて、陽極引き出し線1への半導体層6の這い上
がりを調査した結果表2に示すように、実施例1と同様
に本発明のタンタル固体電解コンデンサが大幅に少なく
なっている。
【0012】
【表2】
【0013】また、本発明のタンタル固体電解コンデン
サと従来のタンタル固体電解コンデンサと比較試験を行
った結果、直流電圧6.3V、1分印加後の漏れ電流
は、図4(a)の本発明のタンタル固体電解コンデンサ
の漏れ電流分布図及び図4(b)の従来のタンタル固体
電解コンデンサの漏れ電流分布図に示す如く、本発明の
タンタル固体電解コンデンサの方がバラツキが小さい。
サと従来のタンタル固体電解コンデンサと比較試験を行
った結果、直流電圧6.3V、1分印加後の漏れ電流
は、図4(a)の本発明のタンタル固体電解コンデンサ
の漏れ電流分布図及び図4(b)の従来のタンタル固体
電解コンデンサの漏れ電流分布図に示す如く、本発明の
タンタル固体電解コンデンサの方がバラツキが小さい。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体電解
コンデンサは、半導体層這い上がり防止板と陽極体の間
に絶縁性材料を挿入し、半導体層這い上がり防止板を陽
極体から浮かせているので、陽極引き出し線への半導体
層の這い上がりを防止でき、かつ、陽極体の陽極引き出
し線導出面の半導体層を厚くできるため、漏れ電流のバ
ラツキが小さいという結果を有する。
コンデンサは、半導体層這い上がり防止板と陽極体の間
に絶縁性材料を挿入し、半導体層這い上がり防止板を陽
極体から浮かせているので、陽極引き出し線への半導体
層の這い上がりを防止でき、かつ、陽極体の陽極引き出
し線導出面の半導体層を厚くできるため、漏れ電流のバ
ラツキが小さいという結果を有する。
【図1】本発明の実施例1のタンタル固体電解コンデン
サの断面図である。
サの断面図である。
【図2】本発明の実施例2のタンタル固体電解コンデン
サの断面図である。
サの断面図である。
【図3】本発明の実施例1及び従来例1の試作品の漏れ
電流分布図で、図3(a)は実施例1の漏れ電流の分布
図、図3(b)は従来例1の漏れ電流の分布図である。
電流分布図で、図3(a)は実施例1の漏れ電流の分布
図、図3(b)は従来例1の漏れ電流の分布図である。
【図4】本発明の実施例2及び従来例2の試作品の漏れ
電流の分布図で、図4(a)は実施例2の漏れ電流の分
布図、図4(b)は、従来例2の漏れ電流の分布図であ
る。
電流の分布図で、図4(a)は実施例2の漏れ電流の分
布図、図4(b)は、従来例2の漏れ電流の分布図であ
る。
【図5】従来例のタンタル固体電解コンデンサの断面図
である。
である。
1 陽極引き出し線 2 陽極体 3 絶縁性材料 4 半導体層這い上がり防止板 5 五酸化タンタル皮膜層 6 半導体層 7 陰極層 8 陽極リード線 9 陰極リード線 10 はんだ層 11 樹脂 12 絶縁性樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 弁作用を金属粉末をプレス成型し、高温
焼結して形成した陽極体と、該陽極体から導出した陽極
引き出し線と、該陽極引き出し線に挿入した半導体層這
い上がり防止板と、誘電体となる金属酸化皮膜層と、半
導体層と、陰極層と、陽極リード線と、陰極リード線
と、樹脂などによる外装とからなる固体電解コンデンサ
において、前期半導体層這い上がり防止板と陽極体の間
に絶縁性材料を挿入し、半導体這い上がり防止板を陽極
体から浮かせたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26337192A JPH06120090A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26337192A JPH06120090A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06120090A true JPH06120090A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17388566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26337192A Pending JPH06120090A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06120090A (ja) |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP26337192A patent/JPH06120090A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5707407A (en) | Method of forming chip-formed solid electrolytic capacitor without an anode lead projecting from anode member | |
JP3881480B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製法 | |
JP3229121B2 (ja) | 固体電解コンデンサの構造 | |
US4494299A (en) | Method of manufacturing solid electrolytic capacitors | |
US3345544A (en) | Solid aluminum capacitors having a proted dielectric oxide film | |
US3475658A (en) | Solid tantalum capacitor and method of making same | |
JPH06120090A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH04216608A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2850823B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0794369A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH05326341A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH04119623A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US3320494A (en) | Method and capacitor comprising oxide electrolyte derived from permanganic acid | |
JP3266205B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS6225879Y2 (ja) | ||
JPH09293646A (ja) | タンタル固体電解コンデンサ | |
JPH07106204A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH06349689A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2850819B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS6342522Y2 (ja) | ||
JPH05182869A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JPS6044821B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH03215924A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS62238615A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH03116812A (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991109 |