JPH06120062A - 円柱セラミックインダクタの製造方法 - Google Patents
円柱セラミックインダクタの製造方法Info
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- JPH06120062A JPH06120062A JP29204592A JP29204592A JPH06120062A JP H06120062 A JPH06120062 A JP H06120062A JP 29204592 A JP29204592 A JP 29204592A JP 29204592 A JP29204592 A JP 29204592A JP H06120062 A JPH06120062 A JP H06120062A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタの品質に影響を与えるデラミネー
ション等が発生せず、所望のコイル用導体が形成でき、
かつ低コストで量産性に優れたセラミックインダクタの
製造方法の提供。 【構成】 セラミック磁性体から調製された円柱状ロッ
ド６の全面に金属メッキ層７を形成し、このメッキ層７
をレーザー加工でトリミングすることにより所定のスパ
イラル状コイル導体８を形成し、次いで別に準備した、
磁性体材料と同質のセラミック坏土と一緒に押出し成形
機に装入し、該円柱状ロッドを芯としてその外周をセラ
ミック坏土で覆うようにして押出し成形し、得られた円
柱状成形体をチップ素子に切断後、焼成及び端面への外
部端子付与の各工程からなることを特徴とする。
ション等が発生せず、所望のコイル用導体が形成でき、
かつ低コストで量産性に優れたセラミックインダクタの
製造方法の提供。 【構成】 セラミック磁性体から調製された円柱状ロッ
ド６の全面に金属メッキ層７を形成し、このメッキ層７
をレーザー加工でトリミングすることにより所定のスパ
イラル状コイル導体８を形成し、次いで別に準備した、
磁性体材料と同質のセラミック坏土と一緒に押出し成形
機に装入し、該円柱状ロッドを芯としてその外周をセラ
ミック坏土で覆うようにして押出し成形し、得られた円
柱状成形体をチップ素子に切断後、焼成及び端面への外
部端子付与の各工程からなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、円柱セラミックインダ
クタに関する。
クタに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小型化、薄型化が強まる中
で、インダクタについては、従来のコアに巻線を施した
ものから現在では、磁性体に内設された導体パターンが
コイルを形成するように積層された積層セラミックイン
ダクタが注目されるようになった。
で、インダクタについては、従来のコアに巻線を施した
ものから現在では、磁性体に内設された導体パターンが
コイルを形成するように積層された積層セラミックイン
ダクタが注目されるようになった。
【０００３】この積層セラミックインダクタの製造方法
には、導体ペーストと磁性体ペーストとを交互にスクリ
ーン印刷するいわゆる印刷法と、磁性体スラリーから得
られるグリーンシートの所定位置に設けたスルーホール
によって、該シート上に印刷されたコイル用導体パター
ンを接続するいわゆるシート法が挙げられる。
には、導体ペーストと磁性体ペーストとを交互にスクリ
ーン印刷するいわゆる印刷法と、磁性体スラリーから得
られるグリーンシートの所定位置に設けたスルーホール
によって、該シート上に印刷されたコイル用導体パター
ンを接続するいわゆるシート法が挙げられる。
【０００４】なお、上記いずれの方法においても、積層
工程ではある面積に多数個同時に印刷されるので、積層
完了後、所定のチップ寸法に応じて切断が行なわれる。
工程ではある面積に多数個同時に印刷されるので、積層
完了後、所定のチップ寸法に応じて切断が行なわれる。
【０００５】積層セラミックインダクタの製造方法をシ
ート法に従ってその概要を述べると以下の通りである。
ート法に従ってその概要を述べると以下の通りである。
【０００６】すなわち、磁性体材料にバインダーを加え
てスラリー化し、得られたスラリーをドクターブレード
法等によりシート化した後、一定の大きさに裁断したセ
ラミックグリーンシートの所定位置にスルーホールをあ
け、コイル用導体パターンを印刷する。
てスラリー化し、得られたスラリーをドクターブレード
法等によりシート化した後、一定の大きさに裁断したセ
ラミックグリーンシートの所定位置にスルーホールをあ
け、コイル用導体パターンを印刷する。
【０００７】次いで、図６の積層分解図に見られるよう
に、スルーホールが形成されていない複数枚のセラミッ
クグリーンシート１を重ねて下部ダミーシートとし、そ
の最上層にコイル導体引き出し部を有する導体パターン
を印刷し、その上にスルーホール３が形成され所望の導
体パターン２が印刷されたシートをコイルが形成される
ように順次重ね、その最後にコイル導体引き出し部を印
刷したシートを置き、さらに同様にして上部ダミーシー
トを積層し、これらを圧着一体化して積層体とする。
に、スルーホールが形成されていない複数枚のセラミッ
クグリーンシート１を重ねて下部ダミーシートとし、そ
の最上層にコイル導体引き出し部を有する導体パターン
を印刷し、その上にスルーホール３が形成され所望の導
体パターン２が印刷されたシートをコイルが形成される
ように順次重ね、その最後にコイル導体引き出し部を印
刷したシートを置き、さらに同様にして上部ダミーシー
トを積層し、これらを圧着一体化して積層体とする。
【０００８】得られた積層体をチップ寸法に応じて裁断
後、乾燥、バレル研磨、焼成等を経て焼成体とし、さら
に外部端子用の電極ペーストを塗布、焼付けた後、メッ
キ処理を施して外部電極端子を付与する。
後、乾燥、バレル研磨、焼成等を経て焼成体とし、さら
に外部端子用の電極ペーストを塗布、焼付けた後、メッ
キ処理を施して外部電極端子を付与する。
【０００９】図７は上記のようにして製造された積層セ
ラミックインダクタの一部切欠き状態で示した斜視図で
あって、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトシートからなる
焼成体４の中をコイル用導体パターン２が周回し、端面
には外部電極端子５が形成されている。
ラミックインダクタの一部切欠き状態で示した斜視図で
あって、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトシートからなる
焼成体４の中をコイル用導体パターン２が周回し、端面
には外部電極端子５が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記シート法あるいは
印刷法とも、工法の相違はあるが、導体パターンを印刷
してコイル導体を形成するもので、該導体パターンの厚
みを大きくすることは困難である。
印刷法とも、工法の相違はあるが、導体パターンを印刷
してコイル導体を形成するもので、該導体パターンの厚
みを大きくすることは困難である。
【００１１】また、何らかの方法手段によって厚くでき
たとしても導体パターンをセラミックシート上に印刷し
て形成するため、シート上の導体パターンの部分と印刷
されていない部分とでは積層圧着後に大きなひずみが生
じ、印刷されていない部分のシート間同士が密着不充分
の形でデラミネーションを起しやすくなり、インダクタ
の品質が不安定になるという問題の他に、一般にインダ
クタの許容電流は内部導体の厚みと幅により決まるた
め、フェライトコアにコイル線を巻回したインダクタに
比べて上記積層セラミックインダクタの許容電流値が低
く使用用途が狭くなるという課題があった。
たとしても導体パターンをセラミックシート上に印刷し
て形成するため、シート上の導体パターンの部分と印刷
されていない部分とでは積層圧着後に大きなひずみが生
じ、印刷されていない部分のシート間同士が密着不充分
の形でデラミネーションを起しやすくなり、インダクタ
の品質が不安定になるという問題の他に、一般にインダ
クタの許容電流は内部導体の厚みと幅により決まるた
め、フェライトコアにコイル線を巻回したインダクタに
比べて上記積層セラミックインダクタの許容電流値が低
く使用用途が狭くなるという課題があった。
【００１２】したがって本発明の目的は、インダクタの
品質に影響を与えるデラミネーション等が発生せずに、
所望のコイル用導体の厚みが形成でき、かつ低コストで
量産性に優れたセラミックインダクタの製造方法を提供
することにある。
品質に影響を与えるデラミネーション等が発生せずに、
所望のコイル用導体の厚みが形成でき、かつ低コストで
量産性に優れたセラミックインダクタの製造方法を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成すべく研究の結果、まず低温焼結型の例えばＮｉ−Ｚ
ｎフェライト磁性体粉末とバインダーとを混練して調製
したセラミック原料を円柱状ロッドに加工し、このロッ
ドの全面に所望の厚さのメッキ層を施す。
成すべく研究の結果、まず低温焼結型の例えばＮｉ−Ｚ
ｎフェライト磁性体粉末とバインダーとを混練して調製
したセラミック原料を円柱状ロッドに加工し、このロッ
ドの全面に所望の厚さのメッキ層を施す。
【００１４】得られたメッキ層を、レーザー加工でトリ
ミングすることによってスパイラル状のコイル導体に形
成する。
ミングすることによってスパイラル状のコイル導体に形
成する。
【００１５】次いで、別に準備した前記磁性体材料と同
質のセラミック坏土と一緒に押出し成形機に装入し、該
円柱状ロッドを芯としてその外周を同質のセラミック坏
土で覆うようにして押出し成形し、以後は常法によりチ
ップ素子への切断、焼成、外部端子の塗布焼付け及びメ
ッキ仕上げ等の処理を施す一連の工法を採用すれば、前
記課題が解決され、かつ量産性にも優れた製造方法とな
しうることを見いだし本発明に到達した。
質のセラミック坏土と一緒に押出し成形機に装入し、該
円柱状ロッドを芯としてその外周を同質のセラミック坏
土で覆うようにして押出し成形し、以後は常法によりチ
ップ素子への切断、焼成、外部端子の塗布焼付け及びメ
ッキ仕上げ等の処理を施す一連の工法を採用すれば、前
記課題が解決され、かつ量産性にも優れた製造方法とな
しうることを見いだし本発明に到達した。
【００１６】したがって本発明は、（イ）フェライト磁
性体、好ましくは低温焼結型磁性体材料にバインダーを
加えて調製したセラミック原料を成形して所定の径を有
する円柱状ロッドとし、該ロッドの表面に所定の厚さを
有する金属メッキ層、好ましくは銅メッキ層上に銀メッ
キ層を施したメッキ層を形成し； （ロ）得られた金属メッキ層をレーザー加工によりトリ
ミングすることにより、表面に複数のスパイラルコイル
が一定の間隔で形成された円柱状ロッドを用意し； （ハ）前記磁性体と同質のセラミック坏土を収納するホ
ッパー状の容器を有し、該容器の下部排出端に、前記表
面にコイル導体が形成された円柱状ロッドの断面より若
干大きい円形の断面をもつセラミック坏土押出し用の第
１ノズルと、該第１ノズルの内側にあって、その端面も
第１ノズルの端面より若干内側にくるように配置され、
かつ前記セラミック坏土収納容器の中央部に配置された
クロスヘッドに直結されてその出口を構成している第２
ノズルとを有し、さらに容器のセラミック坏土に圧力を
加えて第１ノズルから坏土を押出すための押圧手段とを
有してなる成形機を用意し； （ニ）成形機のクロスヘッド内を通して、第２ノズルか
ら円柱状ロッドを送り出しながら、押圧手段により第１
ノズルからセラミック坏土を押出し、これによって円柱
状ロッドの全周に前記坏土を付着させながら押出し成形
し、得られた所望の外径をもつ坏土被覆円柱状成形体
を、前記隣接するスパイラルコイルの中間点に相当する
切断面で切断して、焼成し、各焼成体の前記切断面に相
当する両端面に外部電極を形成することからなることを
特徴とする円柱セラミックインダクタの製造方法を提供
するものである。
性体、好ましくは低温焼結型磁性体材料にバインダーを
加えて調製したセラミック原料を成形して所定の径を有
する円柱状ロッドとし、該ロッドの表面に所定の厚さを
有する金属メッキ層、好ましくは銅メッキ層上に銀メッ
キ層を施したメッキ層を形成し； （ロ）得られた金属メッキ層をレーザー加工によりトリ
ミングすることにより、表面に複数のスパイラルコイル
が一定の間隔で形成された円柱状ロッドを用意し； （ハ）前記磁性体と同質のセラミック坏土を収納するホ
ッパー状の容器を有し、該容器の下部排出端に、前記表
面にコイル導体が形成された円柱状ロッドの断面より若
干大きい円形の断面をもつセラミック坏土押出し用の第
１ノズルと、該第１ノズルの内側にあって、その端面も
第１ノズルの端面より若干内側にくるように配置され、
かつ前記セラミック坏土収納容器の中央部に配置された
クロスヘッドに直結されてその出口を構成している第２
ノズルとを有し、さらに容器のセラミック坏土に圧力を
加えて第１ノズルから坏土を押出すための押圧手段とを
有してなる成形機を用意し； （ニ）成形機のクロスヘッド内を通して、第２ノズルか
ら円柱状ロッドを送り出しながら、押圧手段により第１
ノズルからセラミック坏土を押出し、これによって円柱
状ロッドの全周に前記坏土を付着させながら押出し成形
し、得られた所望の外径をもつ坏土被覆円柱状成形体
を、前記隣接するスパイラルコイルの中間点に相当する
切断面で切断して、焼成し、各焼成体の前記切断面に相
当する両端面に外部電極を形成することからなることを
特徴とする円柱セラミックインダクタの製造方法を提供
するものである。
【００１７】
【作用】本発明の方法によれば、円柱状ロッドの全面に
施されるメッキ層、したがって得られるスパイラルコイ
ルの厚みを増して許容電流を大きくすることができる。
施されるメッキ層、したがって得られるスパイラルコイ
ルの厚みを増して許容電流を大きくすることができる。
【００１８】また、本発明に係る円柱状セラミックイン
ダクタでは、図４及び図５に見られるように、前者はス
パイラルターンが３ターンの場合、後者は５ターンの場
合であり、いずれも端面に外部電極端子５を有し、円柱
状ロッド６上に施された銀メッキ層のレーザー加工の
際、スパイラルコイル８の巻数を変えることにより容易
にインダクタンスを変化させることができる。
ダクタでは、図４及び図５に見られるように、前者はス
パイラルターンが３ターンの場合、後者は５ターンの場
合であり、いずれも端面に外部電極端子５を有し、円柱
状ロッド６上に施された銀メッキ層のレーザー加工の
際、スパイラルコイル８の巻数を変えることにより容易
にインダクタンスを変化させることができる。
【００１９】
【実施例１】図１（ａ）は本実施例に用いられた、セラ
ミック磁性体からなる円柱状ロッド、同図（ｂ）は該ロ
ッド表面の全面に施された銀メッキ層、同図（ｃ）は該
メッキ層にレーザー加工を施して形成されたスパイラル
コイルをそれぞれ示す斜視図、図２は本発明方法で得ら
れた円柱セラミックインダクタの斜視図、図３は本実施
例で用いられた押出し成形機を示す模式断面図であっ
て、これらの図を参照して以下説明する。
ミック磁性体からなる円柱状ロッド、同図（ｂ）は該ロ
ッド表面の全面に施された銀メッキ層、同図（ｃ）は該
メッキ層にレーザー加工を施して形成されたスパイラル
コイルをそれぞれ示す斜視図、図２は本発明方法で得ら
れた円柱セラミックインダクタの斜視図、図３は本実施
例で用いられた押出し成形機を示す模式断面図であっ
て、これらの図を参照して以下説明する。
【００２０】（１）低温焼結型のＮｉ−Ｚｎ系フェライ
ト磁性体粉末と樹脂を有機溶剤に溶解したバインダーと
を混合してセラミック原料を調製し、これを円柱状ロッ
ドに成形するに当っては、該ロッド径を、チップの大き
さに従って、例えば１６０８タイプ（長さ１．６mm、径
０．８mm）用には径を０．５〜０．６mmとし、２０１２
タイプ（長さ２．０mm、径１．２mm）にあっては１．０
〜１．１mmとした。
ト磁性体粉末と樹脂を有機溶剤に溶解したバインダーと
を混合してセラミック原料を調製し、これを円柱状ロッ
ドに成形するに当っては、該ロッド径を、チップの大き
さに従って、例えば１６０８タイプ（長さ１．６mm、径
０．８mm）用には径を０．５〜０．６mmとし、２０１２
タイプ（長さ２．０mm、径１．２mm）にあっては１．０
〜１．１mmとした。
【００２１】（２）得られた所定の径を有する、図１に
示すような円柱状ロッド６の表面全面に銅フラッシュメ
ッキを施した後、銀の電解メッキを施し、膜厚を約２５
μｍとした。
示すような円柱状ロッド６の表面全面に銅フラッシュメ
ッキを施した後、銀の電解メッキを施し、膜厚を約２５
μｍとした。
【００２２】（３）メッキ層７が形成された上記円柱状
ロッドの両端をクリンチした後、同図（ｃ）に示すよう
に、所要のコイル導体パターンが形成されるように前記
メッキ層７をレーザー加工によりトリミングしてスパイ
ラルコイル８（図では３ターンの場合を示す）を形成し
た。
ロッドの両端をクリンチした後、同図（ｃ）に示すよう
に、所要のコイル導体パターンが形成されるように前記
メッキ層７をレーザー加工によりトリミングしてスパイ
ラルコイル８（図では３ターンの場合を示す）を形成し
た。
【００２３】（４）一方、前記フェライト磁性体と同質
のセラミック原料とバインダーを用いてセラミック坏土
を調製した。
のセラミック原料とバインダーを用いてセラミック坏土
を調製した。
【００２４】（５）前記レーザー加工された円柱状ロッ
ドとセラミック坏土を準備した後、図３に示す成形機の
模式断面図に見られるように、成形機の容器１０に、前
記円柱状ロッド６の径よりやや大きめの径を有する円形
断面の第１ノズル１２を該容器１０の底部に取付けると
ともに、該容器１０の中央に設けたクロスヘッド１１の
先端に円柱状ロッドの形状に合わせた円形断面の第２ノ
ズル１３を装着した後、該容器１０に前記セラミック坏
土９を充填し、第２ノズル１３の部分に前記円柱状ロッ
ドを挿入した。
ドとセラミック坏土を準備した後、図３に示す成形機の
模式断面図に見られるように、成形機の容器１０に、前
記円柱状ロッド６の径よりやや大きめの径を有する円形
断面の第１ノズル１２を該容器１０の底部に取付けると
ともに、該容器１０の中央に設けたクロスヘッド１１の
先端に円柱状ロッドの形状に合わせた円形断面の第２ノ
ズル１３を装着した後、該容器１０に前記セラミック坏
土９を充填し、第２ノズル１３の部分に前記円柱状ロッ
ドを挿入した。
【００２５】（６）次いで、成形機の容器内をスクリュ
ーカム圧送手段により矢印の方向に加圧して、前記坏土
９を第１ノズル１２に圧送すると、第１ノズル１２から
セラミック坏土９が押出され、第２ノズル１３の先端に
突き出た円柱状ロッド６の周囲に付着し、該ロッド６の
周囲を覆うように、つまりロッド６が坏土９中に包含さ
れて円柱状成形体１４に成形されて押出された。これを
順次取り出し、乾燥した。
ーカム圧送手段により矢印の方向に加圧して、前記坏土
９を第１ノズル１２に圧送すると、第１ノズル１２から
セラミック坏土９が押出され、第２ノズル１３の先端に
突き出た円柱状ロッド６の周囲に付着し、該ロッド６の
周囲を覆うように、つまりロッド６が坏土９中に包含さ
れて円柱状成形体１４に成形されて押出された。これを
順次取り出し、乾燥した。
【００２６】（７）得られた乾燥体は、図１（ｃ）に見
られるように、隣接するスパイラルコイルの中間点に相
当する切断面１５の位置で円柱の軸に垂直に切断する
と、円柱状のチップが得られる。このチップを軽く共ズ
リして端部のバリを除去し、３００℃のＮ2 ガス中で熱
処理し、バインダを除去した。次いで両端面にＡｇペー
ストを塗布し，乾燥後、大気中で８６０℃〜９００℃の
温度で焼成し、図２の斜視図に示すように外部端子５を
有する円筒セラミックインダクタを得た。
られるように、隣接するスパイラルコイルの中間点に相
当する切断面１５の位置で円柱の軸に垂直に切断する
と、円柱状のチップが得られる。このチップを軽く共ズ
リして端部のバリを除去し、３００℃のＮ2 ガス中で熱
処理し、バインダを除去した。次いで両端面にＡｇペー
ストを塗布し，乾燥後、大気中で８６０℃〜９００℃の
温度で焼成し、図２の斜視図に示すように外部端子５を
有する円筒セラミックインダクタを得た。
【００２７】
【実施例２】図８の斜視図に示したように、両方向に被
圧入部をもつキャップ１６の一方に、実施例１で述べた
要領で作成された円柱セラミックインダクタ素子１８を
圧入し、他方には該インダクタ素子とほぼ外径が等しい
円柱セラミックコンデンサ素子１７を圧入し、両者を固
着することによって、直列のＬＣフィルタを容易に形成
することができた。
圧入部をもつキャップ１６の一方に、実施例１で述べた
要領で作成された円柱セラミックインダクタ素子１８を
圧入し、他方には該インダクタ素子とほぼ外径が等しい
円柱セラミックコンデンサ素子１７を圧入し、両者を固
着することによって、直列のＬＣフィルタを容易に形成
することができた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法で
は、コイル導体に導電ペーストを用いずにメッキ金属を
用いたことによって、抵抗値を低くし、かつそのメッキ
金属を厚く形成したので許容電流値を大きくできること
と、等価直列インダクタンスを小さくすることができる
という利点がある。また、磁性セラミックで被覆される
ので磁気シールド効果も大きく高密度実装に適してい
る。
は、コイル導体に導電ペーストを用いずにメッキ金属を
用いたことによって、抵抗値を低くし、かつそのメッキ
金属を厚く形成したので許容電流値を大きくできること
と、等価直列インダクタンスを小さくすることができる
という利点がある。また、磁性セラミックで被覆される
ので磁気シールド効果も大きく高密度実装に適してい
る。
【図１】同図（ａ）は本発明の一実施例で用いられたセ
ラミック磁性体からなる円柱状ロッド、同図（ｂ）は同
図（ａ）のロッド全面に施された銅メッキ層、同図
（ｃ）は同図（ｂ）のメッキ層にレーザー加工で形成さ
れたスパイラルコイルをそれぞれ示す斜視図である。
ラミック磁性体からなる円柱状ロッド、同図（ｂ）は同
図（ａ）のロッド全面に施された銅メッキ層、同図
（ｃ）は同図（ｂ）のメッキ層にレーザー加工で形成さ
れたスパイラルコイルをそれぞれ示す斜視図である。
【図２】本発明の方法で得られた、端面に外部電極端子
を有する円柱セラミックインダクタの外観を示す斜視図
である。
を有する円柱セラミックインダクタの外観を示す斜視図
である。
【図３】本発明の方法で使用される、円柱状ロッドにこ
れと同質のセラミック坏土を付着させて、円柱状成形体
に成形するための押出し成形機の模式断面図である。
れと同質のセラミック坏土を付着させて、円柱状成形体
に成形するための押出し成形機の模式断面図である。
【図４】本発明の方法で作成された、スパイラルコイル
が３ターンの場合の円柱セラミックインダクタの断面図
である。
が３ターンの場合の円柱セラミックインダクタの断面図
である。
【図５】本発明の方法で作成された、スパイラルコイル
が５ターンの場合の円柱セラミックインダクタの断面図
である。
が５ターンの場合の円柱セラミックインダクタの断面図
である。
【図６】従来の積層セラミックインダクタの積層工程に
おける積層分解斜視図である。
おける積層分解斜視図である。
【図７】積層セラミックインダクタの一部切欠き状態で
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図８】円柱セラミックコンデンサと本発明に係る円柱
セラミックインダクタとをキャップで直結して構成した
直列ＬＣフィルタを示す斜視図である。
セラミックインダクタとをキャップで直結して構成した
直列ＬＣフィルタを示す斜視図である。
１ セラミックグリーンシート ２ 導体パターン ３ スルーホール ４ 焼成体 ５ 外部電極端子 ６ 円柱状ロッド ７ 銅メッキ層 ８ スパイラルコイル ９ セラミック坏土 １０ 押出し成形機容器 １１ クロスヘッド １２ 第１ノズル １３ 第２ノズル １４ 円柱状成形体 １５ 切断面 １６ キャップ １７ 円柱セラミックコンデンサ素子 １８ 円柱セラミックインダクタ素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】 （イ）フェライト磁性体にバインダーを
加えて調製したセラミック原料を成形して所定の径を有
する円柱状ロッドとし、該ロッドの表面に所定の厚さを
有する金属メッキ層を形成し； （ロ）得られた金属メッキ層をレーザー加工によりトリ
ミングすることにより、表面に複数のスパイラルコイル
が一定の間隔で形成された円柱状ロッドを用意し； （ハ）前記磁性体と同質のセラミック坏土を収納するホ
ッパー状の容器を有し、該容器の下部排出端に、前記表
面にコイル導体が形成された円柱状ロッドの断面より若
干大きい円形の断面をもつセラミック坏土押出し用の第
１ノズルと、該第１ノズルの内側にあって、その端面も
第１ノズルの端面より若干内側にくるように配置され、
かつ前記セラミック坏土に圧力を加えて第１ノズルから
坏土を押出すための押圧手段とを有してなる成形機を用
意し； （ニ）成形機のクロスヘッド内を通して、第２ノズルか
ら円柱状ロッドを送り出しながら、押圧手段により第１
ノズルからセラミック坏土を押出し、これによって円柱
状ロッドの全周に前記坏土を付着させながら押出し成形
し、得られた所望の外径をもつ坏土被覆円柱状成形体
を、前記隣接するスパイラルコイルの中間点に相当する
切断面で切断して、焼成し、各焼成体の前記切断面に相
当する両端面に外部電極を形成することからなることを
特徴とする円柱セラミックインダクタの製造方法。 - 【請求項２】 前記フェライト磁性体が低温焼結型のＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライト磁性体であって、前記金属メッキ
層が銅メッキと銀メッキによるメッキ層である請求項１
記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29204592A JPH06120062A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 円柱セラミックインダクタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29204592A JPH06120062A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 円柱セラミックインダクタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120062A true JPH06120062A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17776828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29204592A Withdrawn JPH06120062A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 円柱セラミックインダクタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120062A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100280145B1 (ko) * | 1998-03-28 | 2001-02-01 | 박현식 | 필름형 인덕터 |
| KR100376221B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2003-03-15 | 주식회사 쎄라텍 | 표면 실장형 칩 인덕터 제조방법 |
| KR100381361B1 (ko) * | 2000-11-08 | 2003-04-26 | 주식회사 쎄라텍 | 표면 실장형 칩 인덕터 제조방법 |
| KR100386308B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-02 | 주식회사 쎄라텍 | 칩 형태의 커먼 모드 초크 코일 제조 방법 |
| KR100386309B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-02 | 주식회사 쎄라텍 | 칩 형태의 커먼 모드 초크 코일 제조방법 |
| KR100433188B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2004-05-28 | 주식회사 쎄라텍 | 표면실장형 파워 인덕터 및 그 제조방법 |
| WO2005009219A3 (en) * | 2003-07-21 | 2005-09-09 | Biosense Webster Inc | Method for making a spiral array ultrasound transducer |
| US7670335B2 (en) | 2003-07-21 | 2010-03-02 | Biosense Webster, Inc. | Ablation device with spiral array ultrasound transducer |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP29204592A patent/JPH06120062A/ja not_active Withdrawn
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| US7670335B2 (en) | 2003-07-21 | 2010-03-02 | Biosense Webster, Inc. | Ablation device with spiral array ultrasound transducer |
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