JPH06119636A - 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気特性のすぐれた磁気記録媒体を比較的容
易に製造できるようにする。 【構成】 ガラス基板１の上に第Ｉ層２及び第ＩＩ層３
を順次形成する。この第Ｉ層２及び第ＩＩ層３の形成過
程又は形成後にこれらの層を構成する物質を相互に熱拡
散その他の方法によって拡散させ、所定の組成を有する
磁性膜３０を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク、磁気テ
ープ等の磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、基体に磁性膜を形成した磁気記録
媒体が多方面で用いられている。とりわけその中で、非
磁性基板上にスパッタリングあるいは真空蒸着等により
形成した金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体が注
目されている。金属磁性薄膜が磁気記録媒体として注目
されている大きな理由は、周知の如く従来の磁性粉の塗
布型に比べ高い記録密度が実現できるためである。この
様な金属磁性薄膜を構成する磁性材料として、Ｃｏ含有
合金が良好な保磁力と角形比を示すものとして知られて
いる。例えば、ＣｏＰｔ系合金薄膜が高保磁力に加え、
高い残留磁束密度を有する材料として磁気記録の高密度
化に対して工業的に大きな注目を集めている。この場
合、Ｃｏ含有合金の磁性層の下地層としてＣｒを用いる
ことにより高い保磁力が得られ（例えば、IEEE TRANSAC
TION MAGNETICS VOL.MAG-3,NO.3(1967)pp205-207参照)
、また、Ｃｏ系合金薄膜における磁性結晶粒間の磁気
的孤立性を向上させることで記録再生時に発生する媒体
ノイズを減少させることができ（例えば、IEEE TRANSAC
TION ON MAGNETICS VOL.24,NO.6(1988)pp2727-2729、同
VOL.26.NO.1(1990)pp322-327参照 )、さらに磁性層とし
てＣｏＰｔ系合金を用いれば、より良好な磁気記録再生
特性を実現できる（例えば、IEEE TRANSACTION ONMAGNE
TICS VOL.26,NO.5(1990)pp1578-1580参照) こと等の報
告もなされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣｏＰ
ｔ系合金スパッタリングターゲットはＰｔを含むためそ
れ自身価格が高く、しかもＰｔが高融点金属でありＣｏ
との融点差も大きいため、焼結、真空溶解、熱間圧延等
の工程が困難であり、量産レベルにおける一様性を保っ
た高品質なスパッタリングターゲットの供給に問題があ
る。

【０００４】さらに、１種のターゲット組成に対して作
成できるＣｏＰｔ系磁性膜の組成も１種類に規定される
ため、組成を変化させて磁性膜を作成するような場合
に、各膜組成に対応するようなターゲットをそれぞれ用
いなければならないという問題がある。

【０００５】このような問題は、他の金属磁性膜あるい
は金属磁性膜以外においても同様である。

【０００６】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、磁気特性のすぐれた磁気記録媒体を比較的容
易に製造できる磁気記録媒体の製造法及磁気記録媒体を
提供することを目的としたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、（１）
基板上に磁性層を有する磁気記録媒体を製造する磁気記
録媒体の製造方法において、前記磁性層を形成する工程
には、基板上に複数の薄膜を積層させる薄膜形成工程
と、これら複数の薄膜に含まれる物質を他の薄膜中に拡
散させる拡散工程とを含むことを特徴とした構成とし
た。

【０００８】この構成１の態様として、（２） 構成１
の磁気記録媒体の製造法において、前記拡散工程は、前
記複数の薄膜を加熱する処理を含むものであることを特
徴とした構成とした。

【０００９】また、構成１または２の態様として、
（３） 構成１または２の磁気記録媒体の製造法におい
て、前記拡散工程は、前記複数の薄膜中に電界を形成さ
せつつ行うものであることを特徴とした構成とした。

【００１０】（４） 請求項１ないし３のいずれかに記
載の磁気記録媒体の製造法において、前記薄膜形成工程
と、前記拡散工程とを同時に行うことを特徴とした磁気
記録媒体の製造方法。

【００１１】さらに、構成１ないし４のいずれかの態様
として、（５） 構成１ないし４のいずれかの磁気記録
媒体の製造法において、前記複数の薄膜の少なくとも１
つがＣｏ単体またはＣｏを主成分とする合金を含む材料
から構成され、他の少なくとも１つがＰｔ単体またはＰ
ｔを主成分とする合金を含む材料から構成されているも
のであることを特徴とした構成とした。そして、本発明
に係る磁気記録媒体は、（６） 基板と、この基板上に
形成された磁性層とを有する磁気記録媒体であって、請
求項１ないし５のいずれかに記載の製造方法によって製
造したことを特徴とする構成とした。

【００１２】

【作用】構成１によれば、磁性層を形成する工程に、基
板上に複数の薄膜を積層させる薄膜形成工程と、これら
複数の薄膜に含まれる物質を他の薄膜中に拡散させる拡
散工程とを含ませることにより、薄膜形成工程によって
得られる各薄膜に、他の薄膜に含まれる物質を含ませて
異なった組成の薄膜とすることができる。

【００１３】これにより、薄膜形成工程では形成が容易
な薄膜を形成するようにし、拡散工程によって磁気特性
のすぐれた所望の組成の薄膜とすることも可能となる。

【００１４】この場合、構成２〜４によれば、拡散を効
率的に行うことができる。

【００１５】また、構成５によれば、例えば、磁気特性
のすぐれたＣｏＰｔ系合金からなる磁性膜をスパッタリ
ングによって得る場合、スパッタリングターゲットとし
て、高価で入手が困難なＣｏＰｔ系合金ターゲットを用
いることなく、比較的安価で入手が容易なＰｔ単体ある
いはＰｔを主成分とする合金、並びに、Ｃｏ単体あるい
はＣｏを主成分とする合金をスパッタリングターゲット
に用いてそれぞれの薄膜を成膜し、相互に拡散させるこ
とによってＣｏＰｔ系合金膜を得ることができる。この
場合、ＣｏとＰｔはほぼ全率固溶する合金であるため、
Ｐｔ単体あるいはＰｔを主成分とする合金薄膜上にＣｏ
単体あるいはＣｏを主成分とする合金をスパッタリング
で成膜すれば、スパッタリング成膜中にＣｏとＰｔが相
互拡散することにより、部分的あるいは全面的にＣｏＰ
ｔ系合金組織が形成される。なお、Ｃｏ単体あるいはＣ
ｏを主成分とする合金薄膜上にＰｔ単体あるいはＰｔを
主成分とする合金をスパッタリングで成膜しても同様な
相互拡散により部分的あるいは全面的にＣｏＰｔ系合金
組織が形成される。構成６によれば、製造が容易で磁気
特性にすぐれた磁気記録媒体が得られる。

【００１６】

【実施例】実施例１ 図１は本発明の実施例１に係る磁気記録媒体の製造方法
によって製造した磁気記録媒体の断面図である。以下、
図１を参照にしながら実施例１の磁気記録媒体の製造方
法及び磁気記録媒体を説明する。

【００１７】図１において、符号１はシリケートガラス
等からなるガラス基板である。このガラス基板１の表面
にはＰｔとＣｏとの合金からなる第Ｉ層２及び第ＩＩ層
３が順次形成されている。この場合、第Ｉ層２はＰｔを
母材としてこれにＣｏが拡散したもの（膜厚；５０〜２
３０オングストローム）であり、一方、第ＩＩ層３はＣ
ｏを母材としてこれにＰｔを拡散させたもの（膜厚；２
７０〜４５０オングストローム）であるが、双方共にＰ
ｔとＣｏとの組成割合がほぼ同じ組成を有しており、両
者合わせた総膜厚が約５００オングストロームのＣｏＰ
ｔ系の磁性層３０を構成しているものである。

【００１８】この構成の磁気記録媒体は、次のようにし
て製造したものである。

【００１９】まず、ガラス基板１をあらかじめ所定の温
度に加熱しておくか、あるいは、加熱した状態で、該ガ
ラス基板Ｉ上に、スパッタリング法によって第Ｉ層２の
母材を構成するＰｔ層を形成する。次に、このＰｔ層の
上に第ＩＩ層３の母材を構成するＣｏ層を同様のスパッ
タリング法によって形成する。この場合、このＣｏ層形
成過程において該Ｃｏ層と前記Ｐｔ層との間で相互拡散
を行わせ、ＰｔとＣｏとの組成割合がほぼ同じ組成を有
する第Ｉ層２及び第ＩＩ層３を形成し、磁性層３０を形
成したものである。

【００２０】磁性層３０の組成及び磁気特性は、上記第
Ｉ層２及び第ＩＩ層３を形成する際のスパッタリング条
件（背圧、スパッタガス圧、ＲＦ（高周波）電力あるい
はＤＣ（直流）等の投入パワー）、基板加熱温度、第Ｉ
層２の膜厚と第ＩＩ層３の膜厚とを加え合わせた総膜厚
（Ｐｔ膜厚＋Ｃｏ膜厚）、並びに、第Ｉ層２（Ｐｔ母材
層）の膜厚と第ＩＩ層３（Ｃｏ母材層）の膜厚との比
（Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚）の諸条件によって決まる。

【００２１】図２は上述の実施例１において、スパッタ
リング条件、基板加熱温度及び総膜厚の各条件を一定に
保持した場合の「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対する「Ｃｏ
Ｐｔ磁性膜中のＰｔ濃度」の関係を示したグラフであ
る。また、図３は上述の実施例１においてスパッタリン
グ条件、基板加熱温度及び総膜厚の各条件を一定に保持
した場合の「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対する「保磁力Ｈ
ｃ」及び「残留磁化Ｍｒ」の関係を示したグラフであ
る。なお、図２においては、横軸が「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜
厚」（無単位）であり、縦軸が「ＣｏＰｔ磁性膜中のＰ
ｔ濃度」（単位；原子％（ａｔ％））である。また、図
３においては、横軸が「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」（無単
位）、右縦軸が保磁力Ｈｃ（単位；Ｏｅ）、左縦軸が残
留磁化Ｍｒ（単位；ｅｍｕ／ｃｃ）であり、○印のプロ
ット点が保磁力を示し、●印のプロット点が残留磁化を
示している。さらに、図２及び図３のいずれの場合も、
条件を以下の通りとした。

【００２２】スパッタリング条件 背圧 ；１．０×１０^-6（Torr） スパッタガス圧 ；５．０×１０^-3（Torr） ＲＦ（高周波）電力 ；２００Ｗ 基板加熱温度 ；４００°Ｃ 総膜厚（Ｐｔ膜厚＋Ｃｏ膜厚）；５００オングストロー
ム 組成測定；Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）による測定 図２のグラフから明らかなように、磁性層３０の組成
は、Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚の値を変えることにより、容易
にＣｏとＰｔとの組成を制御することができ、また、図
３から明らかなように、Ｐｔ厚／Ｃｏ膜厚＝０．３〜
０．４の範囲内になるように制御することにより、保磁
力Ｈｃ＝２０００（Ｏｅ）以上、残留磁化Ｍｒ＝７００
（ｅｍｕ／ｃｃ）以上、残留磁化・膜厚積；Ｍｒ・δ＝
３．５×１０^-3（ｅｍｕ／ｃｍ² ）（δは総膜厚＝磁性
層３０の膜厚）以上の高密度磁気記録に好適な磁性層が
得られることがわかる。

【００２３】なお、上述の実施例ではあらかじめガラス
基板を加熱しておくかあるいは加熱した状態で、Ｐｔ層
及びＣｏ磁性層を順にスパッタリングする方法を用いた
が、これは、スパッタリング後に加熱して熱拡散させる
ようにしてもよい。

【００２４】また、ガラス基板１の加熱温度は、９０℃
未満では効率的な相互拡散が起こらず、また、５００℃
以上ではガラス基板の変形が起こるため、９０〜５００
°Ｃの範囲内に設定することが望ましい。

【００２５】さらに、Ｐｔ層とＣｏ磁性層の膜厚は、両
層の膜厚の和が１００〜１００００オングストロームと
なる範囲内でもよい。

【００２６】また、第Ｉ層２の母材を構成するＰｔ層、
第ＩＩ層３の母材を構成するＣｏ層を形成する方法は、
スパッタリングの他、真空蒸着法等を用いることもでき
る。さらに、第ＩＩ層３はＣｏ単体のかわりとして、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ、その他の合金を用いることができる。

【００２７】また、基体として上記実施例では、シリケ
ートガラスからなるガラス基板１を用いたが、これは、
他のガラス、例えば、アルミノシリケートガラス、ボレ
ートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス等で構
成してもよいし、ガラスに限らず、Ａｌ、Ｔｉ等の金属
やこれらの合金、あるいは、カーボン、シリコン、プラ
スチック（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネイト等）等を用いることもできる。

【００２８】実施例２ この実施例は、上述の実施例１では、第Ｉ層２の母材を
構成するＰｔ層と第ＩＩ層３の母材を構成するＣｏ層と
の相互拡散を行うのにガラス基板１を加熱する方法を用
いたが、このガラス基板１を加熱するかわりに、成膜中
に母材薄膜に電界を形成させるようにしたもので、その
外は実施例１と全く同一の構成を有するものである。し
たがって、以下では同一の構成についての説明は省略
し、母材薄膜に電界を形成させる方法を中心に説明す
る。

【００２９】図４は母材薄膜に電界を形成させる方法の
説明図である。図４において、スパッタ用ＲＦ電源Ａか
らＲＦスパッタ電力（１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ）を
コンデンサＣを通じてターゲット（カソード）の側から
印加する点は、通常のスパッタ法と同じであり、実施例
１においてもこの方法を採用している。この実施例が通
常のスパッタ法と異なる点は、ガラス基板１（アノー
ド）の側からコンデンサＤを介してバイアス用ＲＦ電源
ＢからＲＦバイアス電力（１３．５６ＭＨｚ、５００
Ｗ）を印加する点である。図４に示されるように、ガラ
ス基板１にコンデンサＤを介してＲＦバイアス電力を印
加することによって、基板１が負の電位となる。これに
よって、このガラス基板１上に形成された母材薄膜に電
界が形成され、母材間における相互拡散が促進されるこ
とになる。なお、ガラス基板１（アノード）の電位は、
ＲＦバイアス電力とコンデンサＤの容量とで決定され
る。この場合、印加するＲＦバイアス電力が１００Ｗ未
満では効率的な相互拡散を得ることができず、一方、５
００Ｗをこえると、それ以上電力を大きくしても拡散効
率が上がらないので、ＲＦバイアス電力は、１００〜５
００Ｗ程度に設定すればよい。

【００３０】この実施例によっても上述の実施例１と同
様の磁気特性を有する磁性層３０を備えた磁気記録媒体
を得ることができた。

【００３１】なお、この実施例では、基体としてガラス
基板１（絶縁体）を用いてＲＦバイアスを加える例を示
したが、基体として金属等の導電体を用いた場合には、
ＲＦバイアスのかわりにＤＣ（直流）バイアスを加えれ
ばよい。

【００３２】実施例３ この実施例は、上述の実施例１と実施例２の方法を組み
合わせたもので、第Ｉ層２の母材を構成するＰｔ層と第
ＩＩ層３の母材を構成するＣｏ層との相互拡散を行うの
に、ガラス基板１を加熱すると同時に、実施例２と同じ
方法によって成膜中に母材薄膜に電界を形成させるよう
にしたもので、その外は全く同一の構成を有するので、
その詳細説明は省略する。

【００３３】この実施例ではガラス基板の温度を３００
°Ｃ（実施例１では４００°Ｃ）とし、ＲＦバイアス電
力を３００Ｗ（実施例２では５００Ｗ）とした。この実
施例によっても上述の実施例１及び実施例２と同様の磁
気特性を有する磁性層３０を備えた磁気記録媒体を得る
ことができた。この実施例では、実施例１の場合に比較
してガラス基板１の加熱温度を低くすることができ、ま
た、実施例２に比較してＲＦバイアス電力を小さく設定
することができる。

【００３４】実施例４ 図５は本発明の実施例４に係る磁気記録媒体の製造方法
によって製造した磁気記録媒体の断面図である。以下、
図５を参照にしながら実施例４の磁気記録媒体の製造方
法及び磁気記録媒体を説明する。

【００３５】図５において、符号４はシリケートガラス
等からなるガラス基板である。このガラス基板４の表面
にはＣｒを母材としてその一部にＰｔ及びＣｏが僅かに
拡散された合金からなる第Ｉ層５（膜厚；３０００オン
グストローム）、並びに、Ｃｒ、Ｐｔ及びＣｏが相互に
所定の組成比で拡散された第ＩＩ層６及び第ＩＩＩ層７
が順次形成されている。この場合、第ＩＩ層６はＰｔを
母材としてこれにＣｒ及びＣｏを拡散したもの（膜厚；
５０〜２３０オングストローム）であり、また、第ＩＩ
Ｉ層７はＣｏを母材としてこれにＰｔ及びＣｒを拡散し
たもの（膜厚；２７０〜４５０オングストローム）であ
り、第ＩＩ層６と第ＩＩＩ層７とは、両者合わせた総膜
厚が約５００オングストロームである。これら第Ｉ層
５、第ＩＩ層６及び第ＩＩＩ層７は一体となってＣｏＰ
ｔＣｒ系の磁性層７０を構成しているものである。

【００３６】この構成の磁気記録媒体は、次のようにし
て製造したものである。

【００３７】まず、ガラス基板４をあらかじめ所定の温
度に加熱しておくか、あるいは、加熱した状態で、該ガ
ラス基板４上に、スパッタリング法によって第Ｉ層５の
母材を構成するＣｒ層を形成する。次に、第ＩＩ層６の
母材を構成するＰｔ層を同様にスパッタリング法によっ
て形成する。次に、このＰｔ層の上に第ＩＩＩ層７の母
材を構成するＣｏ層を同様のスパッタリング法によって
形成する。この場合、このＰｔ層及びＣｏ層形成過程に
おいてＣｒ層、Ｐｔ層及びＣｏ層の間で相互拡散を行わ
せる。これによって、Ｃｒ、Ｐｔ及びＣｏが相互に所定
の組成比で拡散された第ＩＩ層６及び第ＩＩＩ層７を形
成し、磁性層７０を形成したものである。

【００３８】磁性層７０の組成及び磁気特性は、上記第
ＩＩ層６及び第ＩＩＩ層７を形成する際のスパッタリン
グ条件（背圧、スパッタガス圧、ＲＦ（高周波）電力あ
るいはＤＣ（直流）等の投入パワー）、基板加熱温度、
第ＩＩ層６の膜厚と第ＩＩＩ層７の膜厚とを加え合わせ
た膜厚（Ｐｔ膜厚＋Ｃｏ膜厚）、並びに、第ＩＩ層６
（Ｐｔ母材層）の膜厚と第ＩＩＩ層７（Ｃｏ母材層）の
膜厚との比（Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚）の諸条件によって決
まる。

【００３９】図６は上述の実施例４において、スパッタ
リング条件、基板加熱温度及び膜厚（Ｐｔ膜厚＋Ｃｏ膜
厚）の各条件を一定に保持した場合の「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ
膜厚」に対する「ＣｏＰｔ磁性膜中のＰｔ濃度（ａｔ
％）」の関係を示したグラフである。また、図７は上述
の実施例４においてスパッタリング条件、基板加熱温度
及び膜厚（Ｐｔ膜厚＋Ｃｏ膜厚）の各条件を一定に保持
した場合の「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対する「保磁力Ｈ
ｃ」及び「残留磁化Ｍｒ」の関係を示したグラフであ
る。なお、図６においては、横軸が「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜
厚」（無単位）であり、縦軸が「ＣｏＰｔ磁性膜中のＰ
ｔ濃度」（単位；原子％（ａｔ％））である。また、図
７においては、横軸が「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」（無単
位）、右縦軸が保磁力Ｈｃ（単位；Ｏｅ）、左縦軸が残
留磁化Ｍｒ（単位；ｅｍｕ／ｃｃ）であり、○印のプロ
ット点が保磁力を示し、●印のプロット点が残留磁化を
示している。さらに、図６及び図７のいずれの場合も、
条件を以下の通りとした。

【００４０】スパッタリング条件 背圧 ；１．０×１０^-6（Torr） スパッタガス圧 ；５．０×１０^-3（Torr） ＲＦ（高周波）電力 ；２００Ｗ 基板加熱温度 ；４００°Ｃ 膜厚（Ｐｔ膜厚＋Ｃｏ膜厚）；５００オングストローム 組成測定；Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）による測定 図７のグラフから明らかなように、磁性層７０における
第ＩＩ層６及び第ＩＩＩ層７の組成は、Ｐｔ膜厚／Ｃｏ
膜厚の値を変えることにより、容易にＣｏとＰｔとの組
成を制御することができ、また、図３から明らかなよう
に、Ｐｔ厚／Ｃｏ膜厚＝０．１〜０．２の範囲内になる
ように制御することにより、保磁力Ｈｃ＝２２００（Ｏ
ｅ）以上、残留磁化Ｍｒ＝７００（ｅｍｕ／ｃｃ）以
上、残留磁化・膜厚積；Ｍｒ・δ＝３．５×１０^-3（ｅ
ｍｕ／ｃｍ² ）（δは第ＩＩ層６の膜厚と第ＩＩＩ層７
の膜厚と加えた膜厚）以上の高密度磁気記録に好適な磁
性層が得られることがわかる。

【００４１】なお、上述の実施例ではあらかじめガラス
基板を加熱しておくかあるいは加熱した状態で、Ｐｔ層
及びＣｏ磁性層を順にスパッタリングする方法を用いた
が、これは、スパッタリング後に加熱して熱拡散させる
ようにしてもよい。

【００４２】また、ガラス基板１の加熱温度は、９０℃
未満では効率的な相互拡散が起こらず、また、５００℃
以上ではガラス基板の変形が起こるため、９０〜５００
°Ｃの範囲内に設定することが望ましい。

【００４３】実施例５ この実施例は、上述の実施例４では、第Ｉ層５の母材を
構成するＣｒ層、第ＩＩ層６の母材を構成するＰｔ層及
び第ＩＩＩ層７の母材を構成するＣｏ層との相互拡散を
行うのにガラス基板１を加熱する方法を用いたが、この
ガラス基板１を加熱するかわりに、成膜中に母材薄膜に
電界を形成させるようにしたもので、その外は実施例４
と全く同一の構成を有し、また、母材薄膜に電界を形成
させる方法は実施例２と全く同一であるのでその説明は
省略する。

【００４４】この実施例によっても上述の実施例４と同
様の磁気特性を有する磁性層７０を備えた磁気記録媒体
を得ることができた。

【００４５】実施例６ この実施例は、上述の実施例４と実施例５の方法を組み
合わせたもので、第Ｉ層５の母材を構成するＣｒ層、第
ＩＩ層６の母材を構成するＰｔ層及び第ＩＩＩ層７の母
材を構成するＣｏ層との相互拡散を行うのにガラス基板
１を加熱すると同時に、実施例２と同じ方法によって成
膜中に母材薄膜に電界を形成させるようにしたもので、
その外は全く同一の構成を有するので、その詳細説明は
省略する。

【００４６】この実施例ではガラス基板の温度を３００
°Ｃ（実施例４では４００°Ｃ）とし、ＲＦバイアス電
力を３００Ｗ（実施例５では５００Ｗ）とした。この実
施例によっても上述の実施例４及び実施例５と同様の磁
気特性を有する磁性層７０を備えた磁気記録媒体を得る
ことができた。この実施例では、実施例４の場合に比較
してガラス基板１の加熱温度を低くすることができ、ま
た、実施例５に比較してＲＦバイアス電力を小さく設定
することができる。

【００４７】なお、上述の実施例１〜３における第Ｉ層
２及び実施例４〜６の第ＩＩ層６を構成する物質として
は、Ｐｔ単体の替わりとして、Ｐｔに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓ
ｍを添加したＰｔ２元系合金、ＰｔＢに、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを
添加したＰｔ３元系合金、ＰｔＣｒに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｂ，Ｃ，
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加
したＰｔ３元系合金、ＰｔＦｅに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｂ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＰｔ３元系合金、ＰｔＺｒに、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＰｔ３元系合金、 ＰｔＮｉにＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｂ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＰｔ３元系合金、ＰｔＰｄ、にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＰｔ３元系合金、ＰｔＲｅに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＣｏ３元系合金、ＰｔＳｍに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄを添加し
たＣｏ３元系合金、ＰｔＳｍに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄを添加し
たＣｏ３元系合金等を用いることができる。

【００４８】また、上述の実施例１〜３における第ＩＩ
層３及び実施例４〜６の第ＩＩＩ層７を構成する物質と
しては、Ｃｏ単体の替わりとして、Ｃｏに、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎ
ｄ，Ｓｍを添加したＣｏ２元系合金、Ｃｏ単体およびＣ
ｏ２元系合金の替わりとして、ＣｏＢに、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを
添加したＣｏ３元系合金、ＣｏＣｒに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｂ，Ｃ，
Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加
したＣｏ３元系合金、ＣｏＦｅにＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｂ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＣｏ３元系合金、ＣｏＺｒに、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＣｏ３元系合金、ＣｏＮｉに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｂ，Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＣｏ３元系合金、ＣｏＰｄに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＣｏ３元系合金、ＣｏＲｅに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄ，Ｓｍを添加し
たＣｏ３元系合金、ＣｏＳｍに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄを添加し
たＣｏ３元系合金、ＣｏＳｍに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｂ，
Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｐ，Ｎｄを添加し
たＣｏ３元系合金等を用いることができる。

【００４９】さらに、上述の実施例４〜６における第Ｉ
層７を構成する物質としては、Ｃｒのかわりに、Ｔｉ，
Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃ
ｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，
Ａｕ，Ｔｌ，Ｂｉ，ＣｒＴｉ，ＣｒＷ，ＣｒＺｎ，Ｔｉ
Ｖ，ＴｉＺｒ，ＣａＷ等を用いてもよい。

【００５０】また、上述の実施例１〜３における第Ｉ層
２と第ＩＩ層３との形成順序、並びに実施例４〜６の第
ＩＩ層６と第ＩＩＩ層７との形成順序は入れかえて作製
してもよい。

【００５１】さらに、本発明の磁性層を構成する薄膜と
しては、金属以外であっても相互に拡散が可能な物質か
らなるものであれば、その種類を限定されるものではな
い。

【００５２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、基板上
に磁性層を有する磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体
の製造方法において、磁性層を形成する工程には、基板
上に複数の薄膜を積層させる薄膜形成工程と、これら複
数の薄膜に含まれる物質を他の薄膜中に拡散させる拡散
工程とを含むことを特徴としたもので、これにより、磁
気特性のすぐれた磁気記録媒体を比較的容易に製造でき
る磁気記録媒体の製造法及び磁気記録媒体を得ているも
のである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る磁気記録媒体の製造方
法によって製造した磁気記録媒体の断面図である。であ
る。

【図２】実施例１における「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対
する「ＣｏＰｔ磁性膜中のＰｔ濃度（ａｔ％）」の関係
を示したグラフである。

【図３】実施例１における「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対
する「保磁力Ｈｃ」及び「残留磁化Ｍｒ」の関係を示し
たグラフである。

【図４】母材薄膜に電界を形成させる方法の説明図であ
る。

【図５】本発明の実施例４に係る磁気記録媒体の製造方
法によって製造した磁気記録媒体の断面図である。であ
る。

【図６】実施例４における「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対
する「ＣｏＰｔ磁性膜中のＰｔ濃度（ａｔ％）」の関係
を示したグラフである。

【図７】実施例４における「Ｐｔ膜厚／Ｃｏ膜厚」に対
する「保磁力Ｈｃ」及び「残留磁化Ｍｒ」の関係を示し
たグラフである。

【符号の説明】

１，４…ガラス基板、２，５…第Ｉ層、３，６…第ＩＩ
層、３０，７０…磁性層。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に磁性層を有する磁気記録媒体を
   製造する磁気記録媒体の製造方法において、 前記磁性層を形成する工程には、基板上に複数の薄膜を
   積層させる薄膜形成工程と、これら複数の薄膜に含まれ
   る物質を他の薄膜中に拡散させる拡散工程とを含むこと
   を特徴とした磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
   法において、 前記拡散工程は、前記複数の薄膜を加熱する処理を含む
   ものであることを特徴とした磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２のいずれかに記載の磁
   気記録媒体の製造法において、 前記拡散工程は、前記複数の薄膜中に電界を形成させつ
   つ行うものであることを特徴とした磁気記録媒体の製造
   方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の磁
   気記録媒体の製造法において、 前記薄膜形成工程と、前記拡散工程とを同時に行うこと
   を特徴とした磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の磁
   気記録媒体の製造法において、 前記複数の薄膜の少なくとも１つがＣｏ単体またはＣｏ
   を主成分とする合金を含む材料から構成され、他の少な
   くとも１つがＰｔ単体またはＰｔを主成分とする合金を
   含む材料から構成されているものであることを特徴とし
   た磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 基板と、この基板上に形成された磁性層
   とを有する磁気記録媒体であって、請求項１ないし５の
   いずれかに記載の製造方法によって製造したことを特徴
   とする磁気記録媒体。