JPH06118457A - 半導体光導波路部品 - Google Patents
半導体光導波路部品Info
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- JPH06118457A JPH06118457A JP27151392A JP27151392A JPH06118457A JP H06118457 A JPH06118457 A JP H06118457A JP 27151392 A JP27151392 A JP 27151392A JP 27151392 A JP27151392 A JP 27151392A JP H06118457 A JPH06118457 A JP H06118457A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い光増幅を可能とする構造の光増幅部を備
えた半導体光導波路部品を提供する。 【構成】 この半導体光導波路部品は、光増幅部Ｂ
1 （Ｂ2 ）の活性層１１の上下に層厚が互いに同じであ
る下部導波層６ａ，上部導波層６ｂを設け、下部導波層
６ａと下部クラッド層５との境界面を光導波路部の導波
層と下部クラッド層との境界面と同一水準にし、上部導
波層６ｂと上部クラッド層７との境界面を光導波路部の
導波層と上部クラッど層との境界面と同一水準にした光
増幅部を光導波路部に介装して構成される。
えた半導体光導波路部品を提供する。 【構成】 この半導体光導波路部品は、光増幅部Ｂ
1 （Ｂ2 ）の活性層１１の上下に層厚が互いに同じであ
る下部導波層６ａ，上部導波層６ｂを設け、下部導波層
６ａと下部クラッド層５との境界面を光導波路部の導波
層と下部クラッド層との境界面と同一水準にし、上部導
波層６ｂと上部クラッド層７との境界面を光導波路部の
導波層と上部クラッど層との境界面と同一水準にした光
増幅部を光導波路部に介装して構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光増幅部を有する半導体
光導波路部品に関し、更に詳しくは、光増幅部における
光の増幅度を高めることができる構造の半導体光導波路
部品に関する。
光導波路部品に関し、更に詳しくは、光増幅部における
光の増幅度を高めることができる構造の半導体光導波路
部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体光導波路部品の１例として、図１
に、光増幅部と光スイッチを集積したものを示す。この
部品Ａでは、１枚の半導体基板の上に後述する半導体の
薄層を積層して例えばＸ字型交差する光導波路１，２を
形成し、それら光導波路１，２の一部にそれぞれ光増幅
部Ｂ1 ，Ｂ2 を介装し、更に、光導波路１，２の交差部
３にはスイッチ部Ｃが形成されている。これらの光増幅
部Ｂ1 ，Ｂ2 とスイッチ部Ｃは、いずれも、これらの上
に装荷されている上部電極と半導体基板の下面に装荷さ
れている下部電極との間に所定値の電流を注入すること
によって作動する。
に、光増幅部と光スイッチを集積したものを示す。この
部品Ａでは、１枚の半導体基板の上に後述する半導体の
薄層を積層して例えばＸ字型交差する光導波路１，２を
形成し、それら光導波路１，２の一部にそれぞれ光増幅
部Ｂ1 ，Ｂ2 を介装し、更に、光導波路１，２の交差部
３にはスイッチ部Ｃが形成されている。これらの光増幅
部Ｂ1 ，Ｂ2 とスイッチ部Ｃは、いずれも、これらの上
に装荷されている上部電極と半導体基板の下面に装荷さ
れている下部電極との間に所定値の電流を注入すること
によって作動する。
【０００３】この部品において、光を例えば入射ポート
２ａから光導波路２に入射し、かつ、スイッチ部Ｃを作
動させない場合は、光は交差部３を直進して光導波路２
の出射ポート２ｂから出射する。そして、スイッチ部Ｃ
を作動させると、光は交差部３に形成される反射面で反
射して、光導波路１の出射ポート１ｂから出射するの
で、ここにスイッチング動作が発現する。
２ａから光導波路２に入射し、かつ、スイッチ部Ｃを作
動させない場合は、光は交差部３を直進して光導波路２
の出射ポート２ｂから出射する。そして、スイッチ部Ｃ
を作動させると、光は交差部３に形成される反射面で反
射して、光導波路１の出射ポート１ｂから出射するの
で、ここにスイッチング動作が発現する。
【０００４】スイッチ部Ｃを作動させない状態で光増幅
部Ｂ1 のみを作動させると、入射ポート２ａから入射し
た光は、この光増幅部Ｂ1 を通過する過程で増幅され、
高出力の光となって出射ポート２ｂから出射する。ま
た、スイッチ部Ｃを作動した状態で、かつ光増幅部Ｂ2
のみを作動させると、入射ポート２ａから入射した光
は、交差部３で反射し、光増幅部Ｂ2 を通過する過程で
増幅されて出射ポート１ｂから出射していく。
部Ｂ1 のみを作動させると、入射ポート２ａから入射し
た光は、この光増幅部Ｂ1 を通過する過程で増幅され、
高出力の光となって出射ポート２ｂから出射する。ま
た、スイッチ部Ｃを作動した状態で、かつ光増幅部Ｂ2
のみを作動させると、入射ポート２ａから入射した光
は、交差部３で反射し、光増幅部Ｂ2 を通過する過程で
増幅されて出射ポート１ｂから出射していく。
【０００５】この部品Ａにおける光導波路部と光増幅部
Ｂ1 （Ｂ2 ）の断面構造の例を、それぞれ、図１のII−
II線に沿う断面図である図２，図１の III−III 線に沿
う断面図である図３として示す。光導波路部では、図２
で示すように、半導体基板４の上に、所定の半導体の薄
膜を順次積層して下部クラッド層５，導波層６，上部ク
ラッド層７，キャップ層８がこの順序で形成されてい
る。そして、キャップ層８の全体表面は絶縁膜９で被覆
され、基板４の下面には下部電極１０が装荷されてい
る。なお、スイッチ部Ｃにおいては、絶縁膜９をスリッ
ト状に取り除いて窓（図示しない）を形成し、ここに上
部電極が装荷される。
Ｂ1 （Ｂ2 ）の断面構造の例を、それぞれ、図１のII−
II線に沿う断面図である図２，図１の III−III 線に沿
う断面図である図３として示す。光導波路部では、図２
で示すように、半導体基板４の上に、所定の半導体の薄
膜を順次積層して下部クラッド層５，導波層６，上部ク
ラッド層７，キャップ層８がこの順序で形成されてい
る。そして、キャップ層８の全体表面は絶縁膜９で被覆
され、基板４の下面には下部電極１０が装荷されてい
る。なお、スイッチ部Ｃにおいては、絶縁膜９をスリッ
ト状に取り除いて窓（図示しない）を形成し、ここに上
部電極が装荷される。
【０００６】一方、光増幅部Ｂ1 （Ｂ2 ）では、上記し
た光導波路部における導波層６と上部クラッド層７の間
に所定の半導体から成る活性層１１を介在させ、また、
絶縁膜９の一部を除去してここに上部電極１２を装荷し
た構造になっている。これら光導波路部と光増幅部は、
いずれも、下部電極１０，基板４，下部クラッド層５，
導波層１１を共通にしている。すなわち、光導波路部の
基板４と下部クラッド層５との境界面は光増幅部の基板
４と下部クラッド層５との境界面と同一水準にあり、光
導波路部の下部クラッド層５と導波層６との境界面は光
増幅部の下部クラッド層と導波層６との境界面と同一水
準にあり、また、光導波路部の導波層６と上部クラッド
層７との境界面は光増幅部の導波層６と活性層１１との
境界面と同一水準にある。
た光導波路部における導波層６と上部クラッド層７の間
に所定の半導体から成る活性層１１を介在させ、また、
絶縁膜９の一部を除去してここに上部電極１２を装荷し
た構造になっている。これら光導波路部と光増幅部は、
いずれも、下部電極１０，基板４，下部クラッド層５，
導波層１１を共通にしている。すなわち、光導波路部の
基板４と下部クラッド層５との境界面は光増幅部の基板
４と下部クラッド層５との境界面と同一水準にあり、光
導波路部の下部クラッド層５と導波層６との境界面は光
増幅部の下部クラッド層と導波層６との境界面と同一水
準にあり、また、光導波路部の導波層６と上部クラッド
層７との境界面は光増幅部の導波層６と活性層１１との
境界面と同一水準にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した構造の部品に
おいて、光増幅部を作動させると、光導波路部の導波層
５を伝搬してきた光は、垂直方向の分布を変化させて光
増幅部の導波層５と結合する。そのとき、光は分布のす
そ野が活性層１１と重なり合う。その結果、その増幅効
果が発現する。
おいて、光増幅部を作動させると、光導波路部の導波層
５を伝搬してきた光は、垂直方向の分布を変化させて光
増幅部の導波層５と結合する。そのとき、光は分布のす
そ野が活性層１１と重なり合う。その結果、その増幅効
果が発現する。
【０００８】したがって、上記した従来構造において
は、活性層１１と重なり合って増幅される光の割合は全
体の光に対して少なく、そのため、高い増幅度が得にく
いという問題がある。本発明は、上記した問題を解決
し、高い増幅度が得られる構造の光増幅部を有する半導
体光導波路部品の提供を目的とする。
は、活性層１１と重なり合って増幅される光の割合は全
体の光に対して少なく、そのため、高い増幅度が得にく
いという問題がある。本発明は、上記した問題を解決
し、高い増幅度が得られる構造の光増幅部を有する半導
体光導波路部品の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、基板の上に下部クラッド
層，導波層，上部クラッド層，およびキャップ層がこの
順序で積層されて成る半導体光導波路部と、前記半導体
光導波路部の一部に介装され、基板と下部クラッド層が
前記半導体光導波路の基板および下部クラッド層と共通
し、その下部クラッド層の上に導波層，活性層，上部ク
ラッド層，キャップ層がこの順序で積層されて成る半導
体光増幅部とを有する半導体光導波路部品において、前
記半導体光増幅部の前記活性層の上下に、層厚は互いに
等しく、屈折率は前記活性層の屈折率より小さくかつ前
記半導体光導波路部の前記導波層の屈折率より大きい上
部導波層と下部導波層が形成され、前記半導体光増幅部
の下部導波層と下部クラッド層との境界面が前記光導波
路部の導波層と下部クラッド層との境界面と同一水準に
設定され、更に、前記半導体光増幅部の上部導波層と上
部クラッド層との境界面が前記光導波路部の導波層と上
部クラッド層との境界面と同一水準に設定されているこ
とを特徴とする半導体光導波路部品が提供される。
ために、本発明においては、基板の上に下部クラッド
層，導波層，上部クラッド層，およびキャップ層がこの
順序で積層されて成る半導体光導波路部と、前記半導体
光導波路部の一部に介装され、基板と下部クラッド層が
前記半導体光導波路の基板および下部クラッド層と共通
し、その下部クラッド層の上に導波層，活性層，上部ク
ラッド層，キャップ層がこの順序で積層されて成る半導
体光増幅部とを有する半導体光導波路部品において、前
記半導体光増幅部の前記活性層の上下に、層厚は互いに
等しく、屈折率は前記活性層の屈折率より小さくかつ前
記半導体光導波路部の前記導波層の屈折率より大きい上
部導波層と下部導波層が形成され、前記半導体光増幅部
の下部導波層と下部クラッド層との境界面が前記光導波
路部の導波層と下部クラッド層との境界面と同一水準に
設定され、更に、前記半導体光増幅部の上部導波層と上
部クラッド層との境界面が前記光導波路部の導波層と上
部クラッド層との境界面と同一水準に設定されているこ
とを特徴とする半導体光導波路部品が提供される。
【００１０】本発明の半導体光導波路部品における光増
幅部と光導波路部の断面構造を、それぞれ、図４，図５
に示す。光増幅部においては、図４で示したように、下
部クラッド層５の上に、下部導波層６ａ，活性層１１，
上部導波層６ｂが順次形成され、この上部導波層６ｂの
上に上部クラッド層７，キャップ層８，絶縁膜９を介し
て上部電極１２が装荷されている。
幅部と光導波路部の断面構造を、それぞれ、図４，図５
に示す。光増幅部においては、図４で示したように、下
部クラッド層５の上に、下部導波層６ａ，活性層１１，
上部導波層６ｂが順次形成され、この上部導波層６ｂの
上に上部クラッド層７，キャップ層８，絶縁膜９を介し
て上部電極１２が装荷されている。
【００１１】ここで、下部クラッド層６ａと上部クラッ
ド層６ｂの厚みは同一とし、その屈折率は活性層１１の
屈折率より小さく、かつ、後述する光導波路部の導波層
の屈折率よりも大きくして、光導波路部の導波層から伝
搬してきた光を可能な限り活性層１１に閉じ込めるよう
にする。この光増幅部が介装される光導波路部は、図５
で示したように、その導波層６と下部クラッド層５との
境界面が光増幅部における下部導波層６ａと下部クラッ
ド層５との境界面と同一水準に設定され、かつ、導波層
６の厚みは、光増幅部における下部導波層６ａと活性層
１１と上部導波層６ｂの全体の厚みと同一の厚みに設定
される。したがって、光導波路部における導波層６と上
部クラッド層７との境界面は、光増幅部における上部導
波層６ｂと上部クラッド層７との境界面と同一水準にな
っている。
ド層６ｂの厚みは同一とし、その屈折率は活性層１１の
屈折率より小さく、かつ、後述する光導波路部の導波層
の屈折率よりも大きくして、光導波路部の導波層から伝
搬してきた光を可能な限り活性層１１に閉じ込めるよう
にする。この光増幅部が介装される光導波路部は、図５
で示したように、その導波層６と下部クラッド層５との
境界面が光増幅部における下部導波層６ａと下部クラッ
ド層５との境界面と同一水準に設定され、かつ、導波層
６の厚みは、光増幅部における下部導波層６ａと活性層
１１と上部導波層６ｂの全体の厚みと同一の厚みに設定
される。したがって、光導波路部における導波層６と上
部クラッド層７との境界面は、光増幅部における上部導
波層６ｂと上部クラッド層７との境界面と同一水準にな
っている。
【００１２】
【作用】本発明の半導体光導波路部品の光増幅部におい
ては、活性層が同じ厚みの上部導波層と下部導波層に挟
まれて位置し、そして、上部導波層と上部クラッド層と
の境界面、下部導波層と下部クラッド層との境界面は、
それぞれ、光導波路部における導波層と上部クラッド層
との境界面、導波層と下部クラッド層との境界面と同一
水準にあるので、光の分布の中心は、光導波路部と光増
幅部とで一致する。
ては、活性層が同じ厚みの上部導波層と下部導波層に挟
まれて位置し、そして、上部導波層と上部クラッド層と
の境界面、下部導波層と下部クラッド層との境界面は、
それぞれ、光導波路部における導波層と上部クラッド層
との境界面、導波層と下部クラッド層との境界面と同一
水準にあるので、光の分布の中心は、光導波路部と光増
幅部とで一致する。
【００１３】そのため、光導波路部を伝搬してきた光
は、光増幅部の活性層と多く重なり合うようになり、増
幅される光の割合が増大する。その結果、高い増幅度が
得られるようになる。
は、光増幅部の活性層と多く重なり合うようになり、増
幅される光の割合が増大する。その結果、高い増幅度が
得られるようになる。
【００１４】
【実施例】以下のようにして、本発明の光増幅器付き光
スイッチを製造した。まず、図６で示したように、ＭＯ
ＣＶＤ法で、ｎ−ＩｎＰから成る基板４の上に、ｎドー
プＩｎＰから成り厚みが1.０μｍの下部クラッド層５，
ｎドープＩｎＧａＡｓＰから成り厚みが0.１５μｍの下
部導波層（λｇ＝1.０５μｍ）６ａ，ノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰから成り厚みが0.１５μｍの活性層（λｇ＝1.
０５μｍ）１１，ｐドープＩｎＧａＡｓＰから成り厚み
が0.１５μｍの上部導波層（λｇ＝1.０５μｍ）６ｂ，
ｐドープＩｎＰから成り厚みが1.１５μｍの上部クラッ
ド層７，および、ｐドープＩｎＧａＡＳから成り厚みが
0.２μｍのキャップ層８を順次積層する。
スイッチを製造した。まず、図６で示したように、ＭＯ
ＣＶＤ法で、ｎ−ＩｎＰから成る基板４の上に、ｎドー
プＩｎＰから成り厚みが1.０μｍの下部クラッド層５，
ｎドープＩｎＧａＡｓＰから成り厚みが0.１５μｍの下
部導波層（λｇ＝1.０５μｍ）６ａ，ノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰから成り厚みが0.１５μｍの活性層（λｇ＝1.
０５μｍ）１１，ｐドープＩｎＧａＡｓＰから成り厚み
が0.１５μｍの上部導波層（λｇ＝1.０５μｍ）６ｂ，
ｐドープＩｎＰから成り厚みが1.１５μｍの上部クラッ
ド層７，および、ｐドープＩｎＧａＡＳから成り厚みが
0.２μｍのキャップ層８を順次積層する。
【００１５】ついで、図７で示したように、光増幅部を
形成すべき個所に相当するキャップ層８の表面にＳｉＯ
2 マスク１３を形成し、他の部分のキャップ層８を硫酸
系エッチャントでエッチング除去し、つづいてその下に
位置する上部クラッド層７を塩酸系エッチャントでエッ
チング除去し、更にその下に位置する上部導波層６ｂ，
活性層１１，下部導波層６ａを硫酸系エッチャントでエ
ッチング除去して下部クラッド層５の表面を露出させ
る。
形成すべき個所に相当するキャップ層８の表面にＳｉＯ
2 マスク１３を形成し、他の部分のキャップ層８を硫酸
系エッチャントでエッチング除去し、つづいてその下に
位置する上部クラッド層７を塩酸系エッチャントでエッ
チング除去し、更にその下に位置する上部導波層６ｂ，
活性層１１，下部導波層６ａを硫酸系エッチャントでエ
ッチング除去して下部クラッド層５の表面を露出させ
る。
【００１６】図７で示した下部クラッド層５の表面に、
同じくＭＯＣＶＤ法で、ノンドープＩｎＧａＡｓＰから
成り厚みが0.４５μｍの光導波路部の導波層（λｇ＝1.
１５μｍ），および、ノンドープＩｎＰから成り厚みが
0.６μｍの層、ノンドープＩｎＧａＡｓＰから成り厚み
が0.００５μｍの層，ノンドープＩｎＰから成り厚みが
0.５μｍの層から成る光導波路部の上部クラッド層，ノ
ンドープＩｎＧａＡｓから成り厚みが0.２μｍの光導波
路部のキャップ層を順次積層した。光増幅部におけるキ
ャップ層８と光導波路部のキャップ層とは同一平面を形
成した。
同じくＭＯＣＶＤ法で、ノンドープＩｎＧａＡｓＰから
成り厚みが0.４５μｍの光導波路部の導波層（λｇ＝1.
１５μｍ），および、ノンドープＩｎＰから成り厚みが
0.６μｍの層、ノンドープＩｎＧａＡｓＰから成り厚み
が0.００５μｍの層，ノンドープＩｎＰから成り厚みが
0.５μｍの層から成る光導波路部の上部クラッド層，ノ
ンドープＩｎＧａＡｓから成り厚みが0.２μｍの光導波
路部のキャップ層を順次積層した。光増幅部におけるキ
ャップ層８と光導波路部のキャップ層とは同一平面を形
成した。
【００１７】ついで、ＳｉＯ2 マスク１３を除去し、ス
イッチ部Ｃの電流注入部にＺｎを拡散してスイッチ部Ｃ
におけるｐｎ接合を形成したのち、選択性エッチャント
を用いることにより、キャップ層と上部クラッド層の一
部をエッチング除去して光増幅部Ｂ1 ，Ｂ2 では幅４μ
ｍ，スイッチ部Ｃでは幅８μｍの光導波路を形成し、更
に、基板４の下面全面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着して
下部電極１０を装荷し、また、光増幅部の上面およびス
イッチ部の上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して上部電極
１２を装荷することにより、図１の平面図、および図
４，図５の断面図で示すような光増幅器付き光スイッチ
を製造した。
イッチ部Ｃの電流注入部にＺｎを拡散してスイッチ部Ｃ
におけるｐｎ接合を形成したのち、選択性エッチャント
を用いることにより、キャップ層と上部クラッド層の一
部をエッチング除去して光増幅部Ｂ1 ，Ｂ2 では幅４μ
ｍ，スイッチ部Ｃでは幅８μｍの光導波路を形成し、更
に、基板４の下面全面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着して
下部電極１０を装荷し、また、光増幅部の上面およびス
イッチ部の上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して上部電極
１２を装荷することにより、図１の平面図、および図
４，図５の断面図で示すような光増幅器付き光スイッチ
を製造した。
【００１８】この光増幅器付き光スイッチの挿入損失
は、光を入射ポート２ａから入射して、スイッチ部Ｃを
作動させない場合は光増幅部Ｂ1 に２４０ｍＡを注入
し、またスイッチ部Ｃを作動させた場合は光増幅部Ｂ2
に２６０ｍＡを注入すると、いずれも０ｄＢになった。
また、そのときの消光比はそれぞれ３０ｄＢ，３６ｄＢ
であった。
は、光を入射ポート２ａから入射して、スイッチ部Ｃを
作動させない場合は光増幅部Ｂ1 に２４０ｍＡを注入
し、またスイッチ部Ｃを作動させた場合は光増幅部Ｂ2
に２６０ｍＡを注入すると、いずれも０ｄＢになった。
また、そのときの消光比はそれぞれ３０ｄＢ，３６ｄＢ
であった。
【００１９】なお、実施例では、光導波路がＸ字型交差
する場合について説明したが、本発明の部品はこの態様
に限定されるものではなく、例えば図８の平面図で示し
たように、光導波路部をＹ分岐とし、各分岐光導波路部
に図４で示した構造の光増幅部Ｂ1 ，Ｂ2 を介装し、こ
こに注入する電流値を変化させることにより光スイッチ
として機能させることができる。
する場合について説明したが、本発明の部品はこの態様
に限定されるものではなく、例えば図８の平面図で示し
たように、光導波路部をＹ分岐とし、各分岐光導波路部
に図４で示した構造の光増幅部Ｂ1 ，Ｂ2 を介装し、こ
こに注入する電流値を変化させることにより光スイッチ
として機能させることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
半導体光導波路部品は、光導波路部と光増幅部の各導波
層において、光分布の中心を一致させるような断面構造
にしたので、光増幅部における活性層への光が重なる割
合を大きくすることができ、その結果、高い増幅度を得
ることができる。
半導体光導波路部品は、光導波路部と光増幅部の各導波
層において、光分布の中心を一致させるような断面構造
にしたので、光増幅部における活性層への光が重なる割
合を大きくすることができ、その結果、高い増幅度を得
ることができる。
【図１】光増幅器付き光スイッチを示す概略平面図であ
る。
る。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１の III−III 線に沿う断面図である。
【図４】本発明の光増幅部の断面構造を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の光導波路部の断面構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】半導体基板上に光増幅部の層構成を形成した状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図７】形成すべき光増幅部以外の個所を除去した状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の半導体光導波路部品の他の例を示す概
略平面図である。
略平面図である。
１，２ 光導波路 １ａ，２ａ 入射ポート １ｂ，２ｂ 出射ポート ３ 交差部 ４ 半導体基板 ５ 下部クラッド層 ６ 導波層 ６ａ 下部導波層 ６ｂ 上部導波層 ７ 上部クラッド層 ８ キャップ層 ９ 絶縁膜 １０ 下部電極 １１ 活性層 １２ 上部電極 １３ ＳｉＯ2 マスク Ａ 光増幅器付き光スイッチ Ｂ1 ，Ｂ2 光増幅部 Ｃ スイッチ部
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の上に下部クラッド層，導波層，上
部クラッド層，およびキャップ層がこの順序で積層され
て成る半導体光導波路部と、前記半導体光導波路部の一
部に介装され、基板と下部クラッド層が前記半導体光導
波路の基板および下部クラッド層と共通し、その下部ク
ラッド層の上に導波層，活性層，上部クラッド層，キャ
ップ層がこの順序で積層されて成る半導体光増幅部とを
有する半導体光導波路部品において、 前記半導体光増幅部の前記活性層の上下に、層厚は互い
に等しく、屈折率は前記活性層の屈折率より小さくかつ
前記半導体光導波路部の前記導波層の屈折率より大きい
上部導波層と下部導波層が形成され、前記半導体光増幅
部の下部導波層と下部クラッド層との境界面が前記光導
波路部の導波層と下部クラッド層との境界面と同一水準
に設定され、更に、前記半導体光増幅部の上部導波層と
上部クラッド層との境界面が前記光導波路部の導波層と
上部クラッド層との境界面と同一水準に設定されている
ことを特徴とする半導体光導波路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27151392A JPH06118457A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体光導波路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27151392A JPH06118457A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体光導波路部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06118457A true JPH06118457A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17501119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27151392A Pending JPH06118457A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体光導波路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06118457A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19918311A1 (de) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Hengst Walter Gmbh & Co Kg | Verfahren zur Entölung von Kurbelgehäuseentlüftungsgasen und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27151392A patent/JPH06118457A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19918311A1 (de) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Hengst Walter Gmbh & Co Kg | Verfahren zur Entölung von Kurbelgehäuseentlüftungsgasen und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens |
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