JPH06116364A - エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06116364A JPH06116364A JP26476392A JP26476392A JPH06116364A JP H06116364 A JPH06116364 A JP H06116364A JP 26476392 A JP26476392 A JP 26476392A JP 26476392 A JP26476392 A JP 26476392A JP H06116364 A JPH06116364 A JP H06116364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- alkyl
- composition
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】その硬化物が高い水準の耐熱性を有し、かつ低
吸湿性および密着性がバランスよくすぐれており、それ
を用いて封止した半導体のハンダクラック性がすぐれて
いるエポキシ樹脂組成物を提供することである。 【構成】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合は互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表される多価フェノールとエポキシ樹脂とを
必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物およびそれ
を用いて封止した半導体装置。
吸湿性および密着性がバランスよくすぐれており、それ
を用いて封止した半導体のハンダクラック性がすぐれて
いるエポキシ樹脂組成物を提供することである。 【構成】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合は互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表される多価フェノールとエポキシ樹脂とを
必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物およびそれ
を用いて封止した半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、電子部品の封止
用として有用なエポキシ樹脂組成物およびそれを用いた
樹脂封止型半導体装置に関する。
用として有用なエポキシ樹脂組成物およびそれを用いた
樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタ等、
半導体の封止には、経済的に有用なエポキシ樹脂組成物
のトランスファーモールドが行われている。特に、最近
では、ＬＳＩの表面実装が行われており、ハンダ浴中に
直接浸漬される場合が増えてきている。その際封止材
は、２００℃以上の高温にさらされるため、封止材中に
吸湿していた水分が膨張し、クラックが入ったり、ダイ
パットとの界面に剥離を生ずる問題が発生する。
半導体の封止には、経済的に有用なエポキシ樹脂組成物
のトランスファーモールドが行われている。特に、最近
では、ＬＳＩの表面実装が行われており、ハンダ浴中に
直接浸漬される場合が増えてきている。その際封止材
は、２００℃以上の高温にさらされるため、封止材中に
吸湿していた水分が膨張し、クラックが入ったり、ダイ
パットとの界面に剥離を生ずる問題が発生する。
【０００３】このクラック発生を抑制するため、エポキ
シ樹脂封止材には、高耐熱性、低吸湿性および密着性の
改良が求められている。現状では、エポキシ樹脂として
ｏ−クレゾールノボラックのグリシジルエーテルを用
い、硬化剤としてはフェノールノボラックを用いた封止
材が主流であるが、上記の問題があり、実用上は防湿梱
包をして使用されている。
シ樹脂封止材には、高耐熱性、低吸湿性および密着性の
改良が求められている。現状では、エポキシ樹脂として
ｏ−クレゾールノボラックのグリシジルエーテルを用
い、硬化剤としてはフェノールノボラックを用いた封止
材が主流であるが、上記の問題があり、実用上は防湿梱
包をして使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ｏ−クレゾールノボラ
ックのグリシジルエーテルとフェノールノボラックを主
とする封止材は、耐熱性と低吸湿性の点では一応のバラ
ンスがとれているが、前述のような高い水準での高耐熱
性が求められる用途においては必ずしも充分ではないた
めハンダクラック性において問題がある。本発明の目的
は、その硬化物が高い水準の耐熱性を有し、かつ低吸湿
性および密着性がバランスよくすぐれており、それを用
いて封止した半導体のハンダクラック性がすぐれている
エポキシ樹脂組成物を提供することである。
ックのグリシジルエーテルとフェノールノボラックを主
とする封止材は、耐熱性と低吸湿性の点では一応のバラ
ンスがとれているが、前述のような高い水準での高耐熱
性が求められる用途においては必ずしも充分ではないた
めハンダクラック性において問題がある。本発明の目的
は、その硬化物が高い水準の耐熱性を有し、かつ低吸湿
性および密着性がバランスよくすぐれており、それを用
いて封止した半導体のハンダクラック性がすぐれている
エポキシ樹脂組成物を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような事情に鑑み本
発明者らは、ハンダ耐熱性の高いエポキシ樹脂組成物に
ついて鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂硬化剤を
用いた組成物が上記目的に合うことを見いだし本発明を
完成するに至った。すなわち、本発明は、一般式（１）
発明者らは、ハンダ耐熱性の高いエポキシ樹脂組成物に
ついて鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂硬化剤を
用いた組成物が上記目的に合うことを見いだし本発明を
完成するに至った。すなわち、本発明は、一般式（１）
【０００６】
【化２】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合、互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表される多価フェノールとエポキシ樹脂とを
必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物およびそれ
を用いて封止した半導体装置に関する。
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合、互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表される多価フェノールとエポキシ樹脂とを
必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物およびそれ
を用いて封止した半導体装置に関する。
【０００７】一般式（１）で表される多価フェノールに
おいて、Ｒ1 の炭素数１０以下のアルキル基およびシク
ロアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルまたはデ
シルの直鎖状または分岐状のアルキル基およびシクロヘ
キシル、メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基が
あげられる。また炭素数１５以下のアリール基として
は、フェニル、２，３，４，５または６−低級アルキル
置換フェニル、ナフチル、１，２，３，４，５，６，７
または８−低級アルキル置換ナフチル等があげられる。
またハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素があげられる。Ｒ2 の炭素数１０以下のアルキル基ま
たはシクロアルキル基としては、前記Ｒ 1 と同じものが
例示される。Ｒ3 の炭素数１０以下のアルキル基および
ハロゲン原子としては、前記Ｒ1 と同じものが例示され
る。また、本発明のエポキシ樹脂組成物において使われ
る一般式（１）で表される多価フェノールは、特開昭４
９−２５０公報に記載されているように公知の方法で得
ることができる。すなわち、フェノール類と２，２−ビ
ス（４−オキソシクロヘキシル）プロパンに代表される
ビスシクロヘキサノン類との酸触媒による脱水縮合反応
を用いる方法である。
おいて、Ｒ1 の炭素数１０以下のアルキル基およびシク
ロアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルまたはデ
シルの直鎖状または分岐状のアルキル基およびシクロヘ
キシル、メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基が
あげられる。また炭素数１５以下のアリール基として
は、フェニル、２，３，４，５または６−低級アルキル
置換フェニル、ナフチル、１，２，３，４，５，６，７
または８−低級アルキル置換ナフチル等があげられる。
またハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素があげられる。Ｒ2 の炭素数１０以下のアルキル基ま
たはシクロアルキル基としては、前記Ｒ 1 と同じものが
例示される。Ｒ3 の炭素数１０以下のアルキル基および
ハロゲン原子としては、前記Ｒ1 と同じものが例示され
る。また、本発明のエポキシ樹脂組成物において使われ
る一般式（１）で表される多価フェノールは、特開昭４
９−２５０公報に記載されているように公知の方法で得
ることができる。すなわち、フェノール類と２，２−ビ
ス（４−オキソシクロヘキシル）プロパンに代表される
ビスシクロヘキサノン類との酸触媒による脱水縮合反応
を用いる方法である。
【０００８】該多価フェノールの原料となるフェノール
類を具体的に例示すると、フェノール、クレゾール、キ
シレノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフ
ェノール、ｎ−ブチルフェノール、イソブチルフェノー
ル、ｔ−ブチルフェノール、アミルフェノール、ヘキシ
ルフェノール、シクロヘキシルフェノール、メチル-シ
クロヘキシルフェノール、メチルブチルフェノール、フ
ェニルフェノール、ナフチルフェノールに代表される一
価フェノールがあげられる。また、カテコール、レゾル
シノール、メチルレゾルシノール、ハイドロキノン等に
代表される二価フェノール及びピロガロールに代表され
る三価フェノールも含まれる。これらのフェノール類に
異性体が存在する場合はその異性体すべてが含まれる。
さらに、上記フェノール類に難燃性を付与する目的で、
塩素、臭素等のハロゲンを置換したものも含まれる。こ
れらのフェノール類は、単独のみならず、二種以上の混
合物でもよい。
類を具体的に例示すると、フェノール、クレゾール、キ
シレノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフ
ェノール、ｎ−ブチルフェノール、イソブチルフェノー
ル、ｔ−ブチルフェノール、アミルフェノール、ヘキシ
ルフェノール、シクロヘキシルフェノール、メチル-シ
クロヘキシルフェノール、メチルブチルフェノール、フ
ェニルフェノール、ナフチルフェノールに代表される一
価フェノールがあげられる。また、カテコール、レゾル
シノール、メチルレゾルシノール、ハイドロキノン等に
代表される二価フェノール及びピロガロールに代表され
る三価フェノールも含まれる。これらのフェノール類に
異性体が存在する場合はその異性体すべてが含まれる。
さらに、上記フェノール類に難燃性を付与する目的で、
塩素、臭素等のハロゲンを置換したものも含まれる。こ
れらのフェノール類は、単独のみならず、二種以上の混
合物でもよい。
【０００９】また、この際、ナフトール、ジヒドロキシ
ナフタレン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
多環式フェノール類を本発明の効果を損なわない程度に
混合してもよい。
ナフタレン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
多環式フェノール類を本発明の効果を損なわない程度に
混合してもよい。
【００１０】また、該多価フェノールのもう一方の原料
であるビスシクロヘキサノン類とは、具体的には、２，
２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン、２，
２−ビス（３，５−ジメチル−４−オキソシクロヘキシ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−
オキソシクロヘキシル）プロパン、ビス（４−オキソシ
クロヘキシル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−
オキソシクロヘキシル）メタン、１，１−ビス（４−オ
キソシクロヘキシル）エタン、１，１−ビス（４−オキ
ソシクロヘキシル）シクロヘキサンである。これらのビ
スシクロヘキサノン類は単独のみならず、二種以上の混
合物として用いることもできる。
であるビスシクロヘキサノン類とは、具体的には、２，
２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン、２，
２−ビス（３，５−ジメチル−４−オキソシクロヘキシ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−
オキソシクロヘキシル）プロパン、ビス（４−オキソシ
クロヘキシル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−
オキソシクロヘキシル）メタン、１，１−ビス（４−オ
キソシクロヘキシル）エタン、１，１−ビス（４−オキ
ソシクロヘキシル）シクロヘキサンである。これらのビ
スシクロヘキサノン類は単独のみならず、二種以上の混
合物として用いることもできる。
【００１１】本発明の組成物に用いられるエポキシ樹脂
としては、公知の物を使用することができる。これらに
ついて例示すると、フェノール、ｏ−クレゾール等のア
ルキルフェノール、ナフトールなどのフェノール類とホ
ルムアルデヒドの反応生成物のグリシジルエーテルであ
るノボラック系エポキシ樹脂、フロログリシン、トリス
−（４−ヒドロキシフェニル）−メタン、１，１，２，
２，−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等
の三価以上のフェノール類から誘導されるグリシジルエ
ーテル化合物、ビスフェノールＡ、水添ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、テトラメチルビフェノール、ハ
イドロキノン、レゾルシン等の二価のフェノール類また
はテトラブロムビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフ
ェノール類から誘導されるジグリシジルエーテル化合
物、フェノール類と芳香族カルボニル化合物との縮合反
応により得られる多価フェノール類のグリシジルエーテ
ル化合物、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノー
ル、４−アミノメタクレゾール、６−アミノメタクレゾ
ール、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’
−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス
（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ト
ルエンジアミン、２，６−トルエンジアミン、ｐ−キシ
リレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、１，４−シ
クロヘキサンビス（メチルアミン）、１，３−シクロヘ
キサンビス（メチルアミン）等から誘導されるアミン系
エポキシ樹脂、ｐ−オキシ安息香酸、ｍ−オキシ安息香
酸、テレフタル酸、イソフタル酸等の芳香族カルボン酸
から誘導されるグリシジルエステル系化合物、５，５−
ジメチルヒダントイン等から誘導されるヒダントイン系
エポキシ化合物、２，２−ビス（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）プロパン、２，２−ビス〔４−（２，３−
エポキシプロピル）シクロヘキシル〕プロパン、ビニル
シクロヘキセンジオキサイド、３，４−エポキシシクロ
ヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカル
ボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリ
シジルアニリン等があり、これらのエポキシ樹脂の一種
または二種以上が使用される。
としては、公知の物を使用することができる。これらに
ついて例示すると、フェノール、ｏ−クレゾール等のア
ルキルフェノール、ナフトールなどのフェノール類とホ
ルムアルデヒドの反応生成物のグリシジルエーテルであ
るノボラック系エポキシ樹脂、フロログリシン、トリス
−（４−ヒドロキシフェニル）−メタン、１，１，２，
２，−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等
の三価以上のフェノール類から誘導されるグリシジルエ
ーテル化合物、ビスフェノールＡ、水添ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、テトラメチルビフェノール、ハ
イドロキノン、レゾルシン等の二価のフェノール類また
はテトラブロムビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフ
ェノール類から誘導されるジグリシジルエーテル化合
物、フェノール類と芳香族カルボニル化合物との縮合反
応により得られる多価フェノール類のグリシジルエーテ
ル化合物、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノー
ル、４−アミノメタクレゾール、６−アミノメタクレゾ
ール、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’
−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス
（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ト
ルエンジアミン、２，６−トルエンジアミン、ｐ−キシ
リレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、１，４−シ
クロヘキサンビス（メチルアミン）、１，３−シクロヘ
キサンビス（メチルアミン）等から誘導されるアミン系
エポキシ樹脂、ｐ−オキシ安息香酸、ｍ−オキシ安息香
酸、テレフタル酸、イソフタル酸等の芳香族カルボン酸
から誘導されるグリシジルエステル系化合物、５，５−
ジメチルヒダントイン等から誘導されるヒダントイン系
エポキシ化合物、２，２−ビス（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）プロパン、２，２−ビス〔４−（２，３−
エポキシプロピル）シクロヘキシル〕プロパン、ビニル
シクロヘキセンジオキサイド、３，４−エポキシシクロ
ヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカル
ボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリ
シジルアニリン等があり、これらのエポキシ樹脂の一種
または二種以上が使用される。
【００１２】また、本発明の組成物には通常のエポキシ
樹脂用硬化剤を一般式（１）で表される多価フェノール
類と併用してもよい。これらの硬化剤について例示する
と、ビスフェノールＡ、テトラブロモビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，３，３−トリメチル−１
−ｍ−ヒドロキシフェニルインダン−５または７−オー
ル、１，３，３−トリメチル−１−ｐ−ヒドロキシフェ
ニルインダン−６−オール、レゾルシン、ハイドロキノ
ン、カテコールおよびフェノール、ｏ−クレゾール等の
フェノール類とホルムアルデヒドの反応生成物であるフ
ェノール類ノボラック樹脂等のポリフェノール化合物、
マレイン酸、フタル酸、ナジク酸、メチル−テトラヒド
ロフタル酸、メチルナジク酸等のポリカルボン酸および
その無水物、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフ
ェニルスルホン、ジアミノジフェニルエーテル、フェニ
レンジアミン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、キシ
リレンジアミン、トルエンジアミン、ジクロロ−ジアミ
ノジフェニルメタン（それぞれ異性体を含む）、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のポリアミン化
合物、さらにはジシアンジアミド、テトラメチルグアニ
ジン等、エポキシ基と反応可能な活性水素含有化合物が
例示できる。なかでも、フェノール類ノボラック樹脂が
硬化性の面から好ましい。
樹脂用硬化剤を一般式（１）で表される多価フェノール
類と併用してもよい。これらの硬化剤について例示する
と、ビスフェノールＡ、テトラブロモビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，３，３−トリメチル−１
−ｍ−ヒドロキシフェニルインダン−５または７−オー
ル、１，３，３−トリメチル−１−ｐ−ヒドロキシフェ
ニルインダン−６−オール、レゾルシン、ハイドロキノ
ン、カテコールおよびフェノール、ｏ−クレゾール等の
フェノール類とホルムアルデヒドの反応生成物であるフ
ェノール類ノボラック樹脂等のポリフェノール化合物、
マレイン酸、フタル酸、ナジク酸、メチル−テトラヒド
ロフタル酸、メチルナジク酸等のポリカルボン酸および
その無水物、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフ
ェニルスルホン、ジアミノジフェニルエーテル、フェニ
レンジアミン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、キシ
リレンジアミン、トルエンジアミン、ジクロロ−ジアミ
ノジフェニルメタン（それぞれ異性体を含む）、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のポリアミン化
合物、さらにはジシアンジアミド、テトラメチルグアニ
ジン等、エポキシ基と反応可能な活性水素含有化合物が
例示できる。なかでも、フェノール類ノボラック樹脂が
硬化性の面から好ましい。
【００１３】本発明の組成物のエポキシ樹脂と多価フェ
ノール類の配合割合について述べると、多価フェノール
類の使用量は、エポキシ基に対して０．７〜１．２当量
である。エポキシ基に対して０．７当量に満たない場
合、もしくは、１．２当量を超える場合、いずれも硬化
が不完全であり、低吸湿性とならない。
ノール類の配合割合について述べると、多価フェノール
類の使用量は、エポキシ基に対して０．７〜１．２当量
である。エポキシ基に対して０．７当量に満たない場
合、もしくは、１．２当量を超える場合、いずれも硬化
が不完全であり、低吸湿性とならない。
【００１４】本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化させる
場合、公知の硬化促進剤を用いてもよい。特に半導体封
止材料用途においては速硬化性を得るために用いること
が望ましい。このような硬化促進剤について例示する
と、トリフェニルホスフィン、トリス−（４−メチルフ
ェニル）ホスフィン、トリス−（４−メトキシフェニ
ル）ホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチル
ホスフィン、トリス−（２−シアノエチル）ホスフィン
等の有機ホスフィン化合物、トリブチルアミン、トリエ
チルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７、トリアミルアミン等の三級アミン、塩化
ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、トリエチルアンモニウムテトラフ
ェニルボレート等の四級アンモニウム塩、イミダゾール
類等が例示されるが、これらに限定されるものではな
い。これらの中でも、有機ホスフィン化合物、１，８−
ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエ
チルアンモニウムテトラフェニルボレートが耐湿性及び
硬化性の点から好ましく、中でもトリフェニルホスフィ
ンが特に好ましい。
場合、公知の硬化促進剤を用いてもよい。特に半導体封
止材料用途においては速硬化性を得るために用いること
が望ましい。このような硬化促進剤について例示する
と、トリフェニルホスフィン、トリス−（４−メチルフ
ェニル）ホスフィン、トリス−（４−メトキシフェニ
ル）ホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチル
ホスフィン、トリス−（２−シアノエチル）ホスフィン
等の有機ホスフィン化合物、トリブチルアミン、トリエ
チルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７、トリアミルアミン等の三級アミン、塩化
ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、トリエチルアンモニウムテトラフ
ェニルボレート等の四級アンモニウム塩、イミダゾール
類等が例示されるが、これらに限定されるものではな
い。これらの中でも、有機ホスフィン化合物、１，８−
ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエ
チルアンモニウムテトラフェニルボレートが耐湿性及び
硬化性の点から好ましく、中でもトリフェニルホスフィ
ンが特に好ましい。
【００１５】また、使途により組成物中に充填剤、難燃
剤、離型剤、表面処理剤等の公知の添加剤を添加するこ
とができる。
剤、離型剤、表面処理剤等の公知の添加剤を添加するこ
とができる。
【００１６】充填剤としては、シリカ、アルミナ、チタ
ンホワイト、タルク、クレー、ガラス繊維等があげら
れ、特にシリカ及びアルミナが好ましい。これらは、そ
の形状( 球状あるいは破砕型) 、または大きさの異なる
ものを混合して充填量を増して使用することもできる。
半導体の封止に用いる場合の充填材の配合割合は、樹脂
組成物全量中の２５〜９５重量％であり、好ましくは６
０〜９０重量％である。充填材量が２５重量％より少な
い場合は耐湿性に劣り、また９５重量％を超える場合は
成形性に問題を生ずる。
ンホワイト、タルク、クレー、ガラス繊維等があげら
れ、特にシリカ及びアルミナが好ましい。これらは、そ
の形状( 球状あるいは破砕型) 、または大きさの異なる
ものを混合して充填量を増して使用することもできる。
半導体の封止に用いる場合の充填材の配合割合は、樹脂
組成物全量中の２５〜９５重量％であり、好ましくは６
０〜９０重量％である。充填材量が２５重量％より少な
い場合は耐湿性に劣り、また９５重量％を超える場合は
成形性に問題を生ずる。
【００１７】難燃剤としては、リン化合物、ブロム化エ
ポキシ樹脂、三酸化アンチモン等をあげることができ、
離型剤としては、天然ワックス、合成ワックス、高級脂
肪酸及びその金属塩類を、さらに、表面処理剤として
は、シランカップリング剤等をあげることができる。ま
た、低応力化するには、各種エラストマーを添加または
あらかじめ反応して用いてもよい。具体的には、ポリブ
タジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シ
リコーンゴム、シリコーンオイル等の添加型あるいは反
応型のエラストマー等があげられる。本発明による樹脂
組成物を用いて半導体等、電子部品を封止し、樹脂封止
型半導体装置を製作するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来から公知の成形法により硬化成形すればよ
い。
ポキシ樹脂、三酸化アンチモン等をあげることができ、
離型剤としては、天然ワックス、合成ワックス、高級脂
肪酸及びその金属塩類を、さらに、表面処理剤として
は、シランカップリング剤等をあげることができる。ま
た、低応力化するには、各種エラストマーを添加または
あらかじめ反応して用いてもよい。具体的には、ポリブ
タジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シ
リコーンゴム、シリコーンオイル等の添加型あるいは反
応型のエラストマー等があげられる。本発明による樹脂
組成物を用いて半導体等、電子部品を封止し、樹脂封止
型半導体装置を製作するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来から公知の成形法により硬化成形すればよ
い。
【００１８】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、その硬
化物が極めて高い耐熱性を有し、吸湿性と密着性がバラ
ンスがとれて良好である。また、この樹脂組成物を用い
た樹脂封止型半導体装置はハンダクラック性に優れてい
る。
化物が極めて高い耐熱性を有し、吸湿性と密着性がバラ
ンスがとれて良好である。また、この樹脂組成物を用い
た樹脂封止型半導体装置はハンダクラック性に優れてい
る。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。樹脂物性及び混練物、硬
化成形物の評価方法は、以下のとおりである。
れに限定されるものではない。樹脂物性及び混練物、硬
化成形物の評価方法は、以下のとおりである。
【００２０】・ガラス転移温度：熱機械的分析装置（Ｓ
ＨＩＭＡＤＺＵ ＤＴ−３０）を用いて測定した。 ・曲げ強度、曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ−６９１１に従
い、引っ張り試験機（ＳＨＩＭＡＤＺＵ ＩＳ−１０
Ｔ）で測定した。 ・吸水率：恒温恒湿槽（ＴＡＢＡＩ ＰＲ−２）を用
い、８５℃／８５％ＲＨの条件で重量変化を測定した。 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じて１７
５℃／７０ｋｇ／ｃｍ2の条件でおこなった。 ・接着性：アルミ箔上に成形物をトランスファー成形
し、その引きはがし強さにて評価をおこなった。 ・ハンダクラック性：模擬ＩＣ（５２ピンＱＦＲパッケ
ージ：パッケージ厚さ２．０５ｍｍ）を８５℃／８５％
／７２時間の条件にて吸湿させた後、直ちに２４０℃の
ハンダ浴に３０秒浸漬した後の、クラックの発生したＩ
Ｃの個数。試験個体数８個。
ＨＩＭＡＤＺＵ ＤＴ−３０）を用いて測定した。 ・曲げ強度、曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ−６９１１に従
い、引っ張り試験機（ＳＨＩＭＡＤＺＵ ＩＳ−１０
Ｔ）で測定した。 ・吸水率：恒温恒湿槽（ＴＡＢＡＩ ＰＲ−２）を用
い、８５℃／８５％ＲＨの条件で重量変化を測定した。 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じて１７
５℃／７０ｋｇ／ｃｍ2の条件でおこなった。 ・接着性：アルミ箔上に成形物をトランスファー成形
し、その引きはがし強さにて評価をおこなった。 ・ハンダクラック性：模擬ＩＣ（５２ピンＱＦＲパッケ
ージ：パッケージ厚さ２．０５ｍｍ）を８５℃／８５％
／７２時間の条件にて吸湿させた後、直ちに２４０℃の
ハンダ浴に３０秒浸漬した後の、クラックの発生したＩ
Ｃの個数。試験個体数８個。
【００２１】参考例１ ２，２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン
（新日鉄化学株式会社製）４９．１ｇ、オルソクレゾー
ル４３２．０ｇ、メルカプトプロピオン酸３．９８ｇと
濃塩酸２０５．５ｇを、温度計、撹拌機及びコンデンサ
ーの付いた反応容器に仕込み、６０℃で１．５時間反応
させた。中和及び水洗の後にトルエンを加え沈澱を濾取
し、２，２−ビス−〔４，４−ビス−（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕プロパン１９
５．５ｇを得た。
（新日鉄化学株式会社製）４９．１ｇ、オルソクレゾー
ル４３２．０ｇ、メルカプトプロピオン酸３．９８ｇと
濃塩酸２０５．５ｇを、温度計、撹拌機及びコンデンサ
ーの付いた反応容器に仕込み、６０℃で１．５時間反応
させた。中和及び水洗の後にトルエンを加え沈澱を濾取
し、２，２−ビス−〔４，４−ビス−（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕プロパン１９
５．５ｇを得た。
【００２２】実施例１および比較例１ 実施例１は、ｏ−クレゾールノボラックのグリシジルエ
ーテル（商品名スミエポキシＥＳＣＮ−１９５、住友化
学工業製）、硬化剤として参考例１で得た多価フェノー
ル、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン、充填剤
として溶融シリカ（商品名ＦＳ−８９１、電気化学工業
製）、球状シリカ（商品名ＦＢ−７４、電気化学工業
製）、離型剤としてカルナバワックス、カップリング剤
（商品名ＳＨ−６０４０、東レダウコーニングシリコー
ン製）を表１に示した量（ｇ）で配合し、ロールで加熱
混練後トランスファー成形を行った。比較例１は、硬化
剤としてフェノールノボラック（商品名タマノール７５
８、荒川化学工業製）を用いた以外は上記実施例と同様
に行った。これらをさらに、１８０℃オーブン中で、５
時間ポストキュアーを行い、硬化成形物（模擬ＩＣ等）
を得た。配合物のスパイラルフローおよびその硬化成形
物のガラス転移温度、吸水率、曲げ強度、曲げ弾性率、
接着力、パッケージクラック数を測定し、結果を表２に
示す。
ーテル（商品名スミエポキシＥＳＣＮ−１９５、住友化
学工業製）、硬化剤として参考例１で得た多価フェノー
ル、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン、充填剤
として溶融シリカ（商品名ＦＳ−８９１、電気化学工業
製）、球状シリカ（商品名ＦＢ−７４、電気化学工業
製）、離型剤としてカルナバワックス、カップリング剤
（商品名ＳＨ−６０４０、東レダウコーニングシリコー
ン製）を表１に示した量（ｇ）で配合し、ロールで加熱
混練後トランスファー成形を行った。比較例１は、硬化
剤としてフェノールノボラック（商品名タマノール７５
８、荒川化学工業製）を用いた以外は上記実施例と同様
に行った。これらをさらに、１８０℃オーブン中で、５
時間ポストキュアーを行い、硬化成形物（模擬ＩＣ等）
を得た。配合物のスパイラルフローおよびその硬化成形
物のガラス転移温度、吸水率、曲げ強度、曲げ弾性率、
接着力、パッケージクラック数を測定し、結果を表２に
示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金川 修一 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合は互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表される多価フェノールとエポキシ樹脂とを
必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用い
て半導体素子を封止してなることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26476392A JPH06116364A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26476392A JPH06116364A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116364A true JPH06116364A (ja) | 1994-04-26 |
Family
ID=17407854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26476392A Pending JPH06116364A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016069468A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂組成物、フィルム、偏光板保護フィルム、偏光板及び液晶表示装置、ビス型脂環カルドフェノール化合物 |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP26476392A patent/JPH06116364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016069468A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂組成物、フィルム、偏光板保護フィルム、偏光板及び液晶表示装置、ビス型脂環カルドフェノール化合物 |
| US9822237B2 (en) | 2014-09-29 | 2017-11-21 | Fujifilm Corporation | Resin composition, film, polarizing plate protective film, polarizing plate, liquid crystal display device, and bis type alicyclic cardo phenol compound |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI554538B (zh) | 密封用環氧樹脂組成物及電子零件裝置 | |
| JP2007262398A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| KR100225166B1 (ko) | 폴리히드릭 페놀 및 그것을 사용하여 수득한 에폭시수지 | |
| JP2002047391A (ja) | 封止用熱硬化性樹脂組成物および電子部品装置 | |
| KR100539729B1 (ko) | 에폭시수지조성물및수지-봉입된반도체장치 | |
| JPH06116364A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH07316399A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および電子部品 | |
| JP2015007147A (ja) | 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP3508289B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09100339A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3161022B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0873564A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2004137397A (ja) | 樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JPH08134329A (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造方法 | |
| JPH069753A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3214756B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、その硬化物および半導体装置 | |
| JPH08165329A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| KR102669548B1 (ko) | 봉지용 수지 조성물 및 이것을 이용한 전자 장치 | |
| JP3223012B2 (ja) | フェノール樹脂、その製造方法および用途 | |
| JPH06107769A (ja) | エポキシ樹脂、その組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2002167416A (ja) | フェノール樹脂、これを用いた樹脂組成物及び封止用樹脂成形材料並びに電子部品装置 | |
| JPH04189816A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| TW202035558A (zh) | 硬化性樹脂組成物及電子零件裝置 | |
| JPH08269169A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06239974A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |