JPH06107769A - エポキシ樹脂、その組成物および樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂、その組成物および樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06107769A JPH06107769A JP26357792A JP26357792A JPH06107769A JP H06107769 A JPH06107769 A JP H06107769A JP 26357792 A JP26357792 A JP 26357792A JP 26357792 A JP26357792 A JP 26357792A JP H06107769 A JPH06107769 A JP H06107769A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】その硬化物が高い水準の耐熱性を有し、かつ低
吸湿性および密着性がバランスよくすぐれており、それ
を用いて封止した半導体のハンダクラック性がすぐれて
いるエポキシ樹脂を提供すること。 【構成】 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以
下のアルキル基またはシクロアルキル基を示し、Ｒ3 は
炭素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示
す。ｎ、ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５
の整数を示す。）で表されるエポキシ樹脂、その硬化性
樹脂組成物およびそれを用いて封止した半導体装置。
吸湿性および密着性がバランスよくすぐれており、それ
を用いて封止した半導体のハンダクラック性がすぐれて
いるエポキシ樹脂を提供すること。 【構成】 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以
下のアルキル基またはシクロアルキル基を示し、Ｒ3 は
炭素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示
す。ｎ、ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５
の整数を示す。）で表されるエポキシ樹脂、その硬化性
樹脂組成物およびそれを用いて封止した半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、電子部品の封止
用として有用なエポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およ
びそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
用として有用なエポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およ
びそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタ等、
半導体の封止には、経済的に有用なエポキシ樹脂組成物
のトランスファーモールドが行われている。特に、最近
では、ＬＳＩの表面実装が行われており、ハンダ浴中に
直接浸漬される場合が増えてきている。その際封止材
は、２００℃以上の高温にさらされるため、封止材中に
吸湿していた水分が膨張し、クラックが入ったり、ダイ
パットとの界面に剥離を生ずる問題が発生する。
半導体の封止には、経済的に有用なエポキシ樹脂組成物
のトランスファーモールドが行われている。特に、最近
では、ＬＳＩの表面実装が行われており、ハンダ浴中に
直接浸漬される場合が増えてきている。その際封止材
は、２００℃以上の高温にさらされるため、封止材中に
吸湿していた水分が膨張し、クラックが入ったり、ダイ
パットとの界面に剥離を生ずる問題が発生する。
【０００３】このクラック発生を抑制するため、エポキ
シ樹脂封止材には、高耐熱性、低吸湿性および密着性の
改良が求められている。現状では、エポキシ樹脂として
ｏ−クレゾールノボラックのグリシジルエーテルを用
い、硬化剤としてはフェノールノボラックを用いた封止
材が主流であるが、上記の問題があり、実用上は防湿梱
包をして使用されている。
シ樹脂封止材には、高耐熱性、低吸湿性および密着性の
改良が求められている。現状では、エポキシ樹脂として
ｏ−クレゾールノボラックのグリシジルエーテルを用
い、硬化剤としてはフェノールノボラックを用いた封止
材が主流であるが、上記の問題があり、実用上は防湿梱
包をして使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ｏ−クレゾールノボラ
ックのグリシジルエーテルを主とする封止材は、耐熱性
と低吸湿性の点では一応のバランスがとれているが、前
述のような高い水準での高耐熱性が求められる用途にお
いては必ずしも充分ではないためハンダクラック性にお
いて問題がある。本発明の目的は、その硬化物が高い水
準の耐熱性を有し、かつ低吸湿性および密着性がバラン
スよくすぐれており、それを用いて封止した半導体のハ
ンダクラック性がすぐれているエポキシ樹脂を提供する
ことである。
ックのグリシジルエーテルを主とする封止材は、耐熱性
と低吸湿性の点では一応のバランスがとれているが、前
述のような高い水準での高耐熱性が求められる用途にお
いては必ずしも充分ではないためハンダクラック性にお
いて問題がある。本発明の目的は、その硬化物が高い水
準の耐熱性を有し、かつ低吸湿性および密着性がバラン
スよくすぐれており、それを用いて封止した半導体のハ
ンダクラック性がすぐれているエポキシ樹脂を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような事情に鑑み本
発明者らは、ハンダ高耐熱性の高いエポキシ樹脂につい
て鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂が上記目的に
合うことを見いだし本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、一般式（１）
発明者らは、ハンダ高耐熱性の高いエポキシ樹脂につい
て鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂が上記目的に
合うことを見いだし本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、一般式（１）
【０００６】
【化２】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合、互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表されるエポキシ樹脂、その硬化性樹脂組成
物およびそれを用いて封止した半導体装置に関する。
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合、互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表されるエポキシ樹脂、その硬化性樹脂組成
物およびそれを用いて封止した半導体装置に関する。
【０００７】一般式（１）で表されるエポキシ樹脂にお
いて、Ｒ1 の炭素数１０以下のアルキル基およびシクロ
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルまたはデシ
ルの直鎖状または分岐状のアルキル基およびシクロヘキ
シル、メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基があ
げられる。また炭素数１５以下のアリール基としては、
フェニル、２，３，４，５または６−低級アルキル置換
フェニル、ナフチル、１，２，３，４，５，６，７また
は８−低級アルキル置換ナフチル等があげられる。また
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が
あげられる。Ｒ2 の炭素数１０以下のアルキル基または
シクロアルキル基としては、前記Ｒ 1 と同じものが例示
される。Ｒ3 の炭素数１０以下のアルキル基およびハロ
ゲン原子としては、前記Ｒ1 と同じものが例示される。
本発明のエポキシ樹脂は、一般式（２）
いて、Ｒ1 の炭素数１０以下のアルキル基およびシクロ
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルまたはデシ
ルの直鎖状または分岐状のアルキル基およびシクロヘキ
シル、メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基があ
げられる。また炭素数１５以下のアリール基としては、
フェニル、２，３，４，５または６−低級アルキル置換
フェニル、ナフチル、１，２，３，４，５，６，７また
は８−低級アルキル置換ナフチル等があげられる。また
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が
あげられる。Ｒ2 の炭素数１０以下のアルキル基または
シクロアルキル基としては、前記Ｒ 1 と同じものが例示
される。Ｒ3 の炭素数１０以下のアルキル基およびハロ
ゲン原子としては、前記Ｒ1 と同じものが例示される。
本発明のエポキシ樹脂は、一般式（２）
【０００８】
【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、ｋ、ｍ、ｎの意義は一般式
（１）のそれと同じである。）で表される多価フェノー
ルをエポキシ化することにより得られる。エポキシ化
は、フェノール類をグリシジルエーテル化する周知の方
法によって行うことができる。例えば、フェノール類と
エピハロヒドリンとを、苛性ソーダ等のアルカリの存在
下で脱水縮合反応させる方法である。特に、高純度品を
得る場合には、特開昭６０−３１５１７公報に記載され
た方法の様に、非プロトン性溶媒下の反応が好適であ
る。
（１）のそれと同じである。）で表される多価フェノー
ルをエポキシ化することにより得られる。エポキシ化
は、フェノール類をグリシジルエーテル化する周知の方
法によって行うことができる。例えば、フェノール類と
エピハロヒドリンとを、苛性ソーダ等のアルカリの存在
下で脱水縮合反応させる方法である。特に、高純度品を
得る場合には、特開昭６０−３１５１７公報に記載され
た方法の様に、非プロトン性溶媒下の反応が好適であ
る。
【０００９】また、本発明のエポキシ樹脂の中間体であ
る上記一般式（２）で表される多価フェノールは、特開
昭４９−２５０公報に記載されているように公知の方法
で得ることができる。すなわち、フェノール類と２，２
−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパンに代表さ
れるビスシクロヘキサノン類との酸触媒による脱水縮合
反応を用いる方法である。
る上記一般式（２）で表される多価フェノールは、特開
昭４９−２５０公報に記載されているように公知の方法
で得ることができる。すなわち、フェノール類と２，２
−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパンに代表さ
れるビスシクロヘキサノン類との酸触媒による脱水縮合
反応を用いる方法である。
【００１０】該多価フェノールの原料となるフェノール
類を具体的に例示すると、フェノール、クレゾール、キ
シレノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフ
ェノール、ｎ−ブチルフェノール、イソブチルフェノー
ル、ｔ−ブチルフェノール、アミルフェノール、ヘキシ
ルフェノール、シクロヘキシルフェノール、メチル-シ
クロヘキシルフェノール、メチルブチルフェノール、フ
ェニルフェノール、ナフチルフェノールに代表される一
価フェノールがあげられる。また、カテコール、レゾル
シノール、メチルレゾルシノール、ハイドロキノン等に
代表される二価フェノール及びピロガロールに代表され
る三価フェノールも含まれる。これらのフェノール類に
異性体が存在する場合はその異性体すべてが含まれる。
さらに、上記フェノール類に難燃性を付与する目的で、
塩素、臭素等のハロゲンを置換したものも含まれる。こ
れらのフェノール類は、単独のみならず、二種以上の混
合物でもよい。
類を具体的に例示すると、フェノール、クレゾール、キ
シレノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフ
ェノール、ｎ−ブチルフェノール、イソブチルフェノー
ル、ｔ−ブチルフェノール、アミルフェノール、ヘキシ
ルフェノール、シクロヘキシルフェノール、メチル-シ
クロヘキシルフェノール、メチルブチルフェノール、フ
ェニルフェノール、ナフチルフェノールに代表される一
価フェノールがあげられる。また、カテコール、レゾル
シノール、メチルレゾルシノール、ハイドロキノン等に
代表される二価フェノール及びピロガロールに代表され
る三価フェノールも含まれる。これらのフェノール類に
異性体が存在する場合はその異性体すべてが含まれる。
さらに、上記フェノール類に難燃性を付与する目的で、
塩素、臭素等のハロゲンを置換したものも含まれる。こ
れらのフェノール類は、単独のみならず、二種以上の混
合物でもよい。
【００１１】また、この際、ナフトール、ジヒドロキシ
ナフタレン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
多環式フェノール類を本発明の効果を損なわない程度に
混合してもよい。
ナフタレン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の
多環式フェノール類を本発明の効果を損なわない程度に
混合してもよい。
【００１２】また、該多価フェノールのもう一方の原料
であるビスシクロヘキサノン類とは、具体的には、２，
２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン、２，
２−ビス（３，５−ジメチル−４−オキソシクロヘキシ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−
オキソシクロヘキシル）プロパン、ビス（４−オキソシ
クロヘキシル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−
オキソシクロヘキシル）メタン、１，１−ビス（４−オ
キソシクロヘキシル）エタン、１，１−ビス（４−オキ
ソシクロヘキシル）シクロヘキサンである。これらのビ
スシクロヘキサノン類は単独のみならず、二種以上の混
合物として用いることもできる。
であるビスシクロヘキサノン類とは、具体的には、２，
２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン、２，
２−ビス（３，５−ジメチル−４−オキソシクロヘキシ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−
オキソシクロヘキシル）プロパン、ビス（４−オキソシ
クロヘキシル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−
オキソシクロヘキシル）メタン、１，１−ビス（４−オ
キソシクロヘキシル）エタン、１，１−ビス（４−オキ
ソシクロヘキシル）シクロヘキサンである。これらのビ
スシクロヘキサノン類は単独のみならず、二種以上の混
合物として用いることもできる。
【００１３】本発明のエポキシ樹脂の低粘度化を図る目
的で、ジヒドロキシナフタレン、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、ビスフェノールシクロヘキサン等のグ
リシジルエーテルである二官能エポキシ類を本発明の効
果を損なわない程度に混合してもよい。
的で、ジヒドロキシナフタレン、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、ビスフェノールシクロヘキサン等のグ
リシジルエーテルである二官能エポキシ類を本発明の効
果を損なわない程度に混合してもよい。
【００１４】本発明に用いられる硬化剤としては、公知
の物を使用することができる。これらについて例示する
と、フェノールノボラック等の多価フェノール類、ジシ
アンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルスルフォン等のアミン系硬化剤、無水ピロメリ
ット酸、無水トリメリット酸、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸等の酸無水物硬化剤等があげられるが、なかで
も多価フェノール類が好ましい。これらの硬化剤の使用
量は、通常エポキシ基に対して、０．７〜１．２当量が
好ましい。エポキシ基に対して０．７当量に満たない場
合、もしくは、１．２当量を超える場合、いずれも硬化
が不完全となる。
の物を使用することができる。これらについて例示する
と、フェノールノボラック等の多価フェノール類、ジシ
アンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルスルフォン等のアミン系硬化剤、無水ピロメリ
ット酸、無水トリメリット酸、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸等の酸無水物硬化剤等があげられるが、なかで
も多価フェノール類が好ましい。これらの硬化剤の使用
量は、通常エポキシ基に対して、０．７〜１．２当量が
好ましい。エポキシ基に対して０．７当量に満たない場
合、もしくは、１．２当量を超える場合、いずれも硬化
が不完全となる。
【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化させる
場合、公知の硬化促進剤を用いてもよい。特に半導体封
止材料用途においては速硬化性を得るために用いること
が望ましい。このような硬化促進剤について例示する
と、トリフェニルホスフィン、トリ−４−メチルフェニ
ルホスフィン、トリ−４−メトキシフェニルホスフィ
ン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、
トリ−２−シアノエチルホスフィン等の有機ホスフィン
化合物、トリブチルアミン、トリエチルアミン、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリ
アミルアミン等の三級アミン、塩化ベンジルトリメチル
アンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウ
ム、トリエチルアンモニウムテトラフェニルボレート等
の四級アンモニウム塩、イミダゾール類等が例示される
が、これらに限定されるものではない。これらの中で
も、有機ホスフィン化合物、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレートが耐湿性及び硬化性の点から
好ましく、中でもトリフェニルホスフィンが特に好まし
い。
場合、公知の硬化促進剤を用いてもよい。特に半導体封
止材料用途においては速硬化性を得るために用いること
が望ましい。このような硬化促進剤について例示する
と、トリフェニルホスフィン、トリ−４−メチルフェニ
ルホスフィン、トリ−４−メトキシフェニルホスフィ
ン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、
トリ−２−シアノエチルホスフィン等の有機ホスフィン
化合物、トリブチルアミン、トリエチルアミン、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリ
アミルアミン等の三級アミン、塩化ベンジルトリメチル
アンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウ
ム、トリエチルアンモニウムテトラフェニルボレート等
の四級アンモニウム塩、イミダゾール類等が例示される
が、これらに限定されるものではない。これらの中で
も、有機ホスフィン化合物、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレートが耐湿性及び硬化性の点から
好ましく、中でもトリフェニルホスフィンが特に好まし
い。
【００１６】また、使途により組成物中に充填剤、難燃
剤、離型剤、表面処理剤等の公知の添加剤を添加するこ
とができる。
剤、離型剤、表面処理剤等の公知の添加剤を添加するこ
とができる。
【００１７】充填剤としては、シリカ、アルミナ、チタ
ンホワイト、タルク、クレー、ガラス繊維等があげら
れ、特にシリカ及びアルミナが好ましい。これらは、そ
の形状( 球状あるいは破砕型) 、または大きさの異なる
ものを混合して充填量を増して使用することもできる。
半導体の封止に用いる場合の充填材の配合割合は、樹脂
組成物全量中の２５〜９５重量％であり、好ましくは６
０〜９０重量％である。充填材量が２５重量％より少な
い場合は耐湿性に劣り、また９５重量％を超える場合は
成形性に問題を生ずる。
ンホワイト、タルク、クレー、ガラス繊維等があげら
れ、特にシリカ及びアルミナが好ましい。これらは、そ
の形状( 球状あるいは破砕型) 、または大きさの異なる
ものを混合して充填量を増して使用することもできる。
半導体の封止に用いる場合の充填材の配合割合は、樹脂
組成物全量中の２５〜９５重量％であり、好ましくは６
０〜９０重量％である。充填材量が２５重量％より少な
い場合は耐湿性に劣り、また９５重量％を超える場合は
成形性に問題を生ずる。
【００１８】難燃剤としては、リン化合物、ブロム化エ
ポキシ樹脂、三酸化アンチモン等をあげることができ、
離型剤としては、天然ワックス、合成ワックス、高級脂
肪酸及びその金属塩類を、さらに、表面処理剤として
は、シランカップリング剤等をあげることができる。ま
た、低応力化するには、各種エラストマーを添加または
あらかじめ反応して用いてもよい。具体的には、ポリブ
タジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シ
リコーンゴム、シリコーンオイル等の添加型あるいは反
応型のエラストマー等があげられる。本発明による樹脂
組成物を用いて半導体等、電子部品を封止し、樹脂封止
型半導体装置を製作するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来から公知の成形法により硬化成形すればよ
い。
ポキシ樹脂、三酸化アンチモン等をあげることができ、
離型剤としては、天然ワックス、合成ワックス、高級脂
肪酸及びその金属塩類を、さらに、表面処理剤として
は、シランカップリング剤等をあげることができる。ま
た、低応力化するには、各種エラストマーを添加または
あらかじめ反応して用いてもよい。具体的には、ポリブ
タジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シ
リコーンゴム、シリコーンオイル等の添加型あるいは反
応型のエラストマー等があげられる。本発明による樹脂
組成物を用いて半導体等、電子部品を封止し、樹脂封止
型半導体装置を製作するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来から公知の成形法により硬化成形すればよ
い。
【００１９】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂およびエポキシ樹
脂組成物は、その硬化物が極めて高い耐熱性を有し、吸
湿性と密着性がバランスがとれて良好である。また、こ
の樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装置はハンダク
ラック性に優れている。
脂組成物は、その硬化物が極めて高い耐熱性を有し、吸
湿性と密着性がバランスがとれて良好である。また、こ
の樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装置はハンダク
ラック性に優れている。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例中、エポキシ当量と
は、エポキシ基１個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定
義される。また、加水分解性塩素とは、エポキシ樹脂を
ジオキサンに溶解し、水酸化カリウムのアルコール溶液
を加え、還流状態で３０分加熱したときに脱離する塩素
イオンを、硝酸銀水溶液で逆滴定し、該化合物中の重量
百分率で表したものである。樹脂物性及び混練物、硬化
成形物の評価方法は、以下のとおりである。
れに限定されるものではない。例中、エポキシ当量と
は、エポキシ基１個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定
義される。また、加水分解性塩素とは、エポキシ樹脂を
ジオキサンに溶解し、水酸化カリウムのアルコール溶液
を加え、還流状態で３０分加熱したときに脱離する塩素
イオンを、硝酸銀水溶液で逆滴定し、該化合物中の重量
百分率で表したものである。樹脂物性及び混練物、硬化
成形物の評価方法は、以下のとおりである。
【００２１】・ガラス転移温度：熱機械的分析装置（Ｓ
ＨＩＭＡＺＵ ＤＴ−３０）を用いて測定した。 ・曲げ強度、曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ−６９１１に従
い、引っ張り試験機（ＳＨＩＭＡＺＵ ＩＳ−１０Ｔ）
で測定した。 ・吸水率：恒温恒湿槽（ＴＡＢＡＩ ＰＲ−２）を用
い、８５℃／８５％ＲＨの条件で重量変化を測定した。 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じて１７
５℃／７０ｋｇ／ｃｍ2の条件でおこなった。 ・接着性：アルミ箔上に成形物をトランスファー成形
し、その引きはがし強さにて評価をおこなった。 ・ハンダクラック性：模擬ＩＣ（５２ピンＱＦＲパッケ
ージ：パッケージ厚さ２．０５ｍｍ）を８５℃／８５％
／７２時間の条件にて吸湿させた後、直ちに２４０℃の
ハンダ浴に３０秒浸漬した後の、クラックの発生したＩ
Ｃの個数。試験個体数８個。
ＨＩＭＡＺＵ ＤＴ−３０）を用いて測定した。 ・曲げ強度、曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ−６９１１に従
い、引っ張り試験機（ＳＨＩＭＡＺＵ ＩＳ−１０Ｔ）
で測定した。 ・吸水率：恒温恒湿槽（ＴＡＢＡＩ ＰＲ−２）を用
い、８５℃／８５％ＲＨの条件で重量変化を測定した。 ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じて１７
５℃／７０ｋｇ／ｃｍ2の条件でおこなった。 ・接着性：アルミ箔上に成形物をトランスファー成形
し、その引きはがし強さにて評価をおこなった。 ・ハンダクラック性：模擬ＩＣ（５２ピンＱＦＲパッケ
ージ：パッケージ厚さ２．０５ｍｍ）を８５℃／８５％
／７２時間の条件にて吸湿させた後、直ちに２４０℃の
ハンダ浴に３０秒浸漬した後の、クラックの発生したＩ
Ｃの個数。試験個体数８個。
【００２２】参考例１ ２，２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン
（新日鉄化学株式会社製）４９．１ｇ、オルソクレゾー
ル４３２．０ｇ、メルカプトプロピオン酸３．９８ｇと
濃塩酸２０５．５ｇを、温度計、撹拌機及びコンデンサ
ーの付いた反応容器に仕込み、６０℃で１．５時間反応
させた。中和及び水洗の後にトルエンを加え沈澱を濾取
し、２，２−ビス−〔４，４−ビス−（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕プロパン１９
５．５ｇを得た。
（新日鉄化学株式会社製）４９．１ｇ、オルソクレゾー
ル４３２．０ｇ、メルカプトプロピオン酸３．９８ｇと
濃塩酸２０５．５ｇを、温度計、撹拌機及びコンデンサ
ーの付いた反応容器に仕込み、６０℃で１．５時間反応
させた。中和及び水洗の後にトルエンを加え沈澱を濾取
し、２，２−ビス−〔４，４−ビス−（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕プロパン１９
５．５ｇを得た。
【００２３】参考例２ ２，２−ビス（４−オキソシクロヘキシル）プロパン４
９．１ｇ、２，６−キシレノール４８８．０ｇ、メルカ
プトプロピオン酸３．９８ｇと濃塩酸２０５．５ｇを、
温度計、撹拌機及びコンデンサーの付いた反応容器に仕
込み、６０℃で１．５時間反応させた。中和及び水洗の
後にトルエンを加え沈澱を濾取し、２，２−ビス−
〔４，４−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキシル〕プロパン２３０．０ｇを得
た。
９．１ｇ、２，６−キシレノール４８８．０ｇ、メルカ
プトプロピオン酸３．９８ｇと濃塩酸２０５．５ｇを、
温度計、撹拌機及びコンデンサーの付いた反応容器に仕
込み、６０℃で１．５時間反応させた。中和及び水洗の
後にトルエンを加え沈澱を濾取し、２，２−ビス−
〔４，４−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキシル〕プロパン２３０．０ｇを得
た。
【００２４】実施例１ 参考例１で得た２，２−ビス−〔４，４−ビス−（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル〕シクロヘキシル）プ
ロパン１１０．７ｇを、温度計、撹拌機、滴下漏斗、分
離管付きコンデンサーの付いた反応容器に仕込み、エピ
クロルヒドリン４５３．３ｇ、ジメチルスルホキシド２
２６．６ｇに溶解した。反応系内を４２ｔｏｒｒに保ち
ながら、温度４８℃で、４８．６％苛性ソーダ５７．６
１ｇを５時間で連続的に滴下した。この間、温度は、４
８℃に保ちながら、共沸するエピクロルヒドリンと水を
冷却液化し、有機層を反応系内に戻しながら反応させ
た。反応終了後は、未反応エピクロルヒドリンを減圧濃
縮により除去し、副生塩とジメチルスルホキシドを含む
グリシジルエーテルをメチルイソブチルケトンに溶解さ
せ、副生塩とジメチルスルホキシドを水洗により除去し
た。このようにして得られたグリシジルエーテルのエポ
キシ当量および加水分解性塩素は、各々、２２４ｇ／当
量、１５０ｐｐｍであった。また、このもののＮＭＲス
ペクトルおよびＩＲチャートを図１及び図２に示す。
メチル−４−ヒドロキシフェニル〕シクロヘキシル）プ
ロパン１１０．７ｇを、温度計、撹拌機、滴下漏斗、分
離管付きコンデンサーの付いた反応容器に仕込み、エピ
クロルヒドリン４５３．３ｇ、ジメチルスルホキシド２
２６．６ｇに溶解した。反応系内を４２ｔｏｒｒに保ち
ながら、温度４８℃で、４８．６％苛性ソーダ５７．６
１ｇを５時間で連続的に滴下した。この間、温度は、４
８℃に保ちながら、共沸するエピクロルヒドリンと水を
冷却液化し、有機層を反応系内に戻しながら反応させ
た。反応終了後は、未反応エピクロルヒドリンを減圧濃
縮により除去し、副生塩とジメチルスルホキシドを含む
グリシジルエーテルをメチルイソブチルケトンに溶解さ
せ、副生塩とジメチルスルホキシドを水洗により除去し
た。このようにして得られたグリシジルエーテルのエポ
キシ当量および加水分解性塩素は、各々、２２４ｇ／当
量、１５０ｐｐｍであった。また、このもののＮＭＲス
ペクトルおよびＩＲチャートを図１及び図２に示す。
【００２５】実施例２ 参考例２で得た２，２−ビス−〔４，４−ビス−（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ
ル〕プロパン１２０．５ｇを、温度計、撹拌機、滴下漏
斗、分離管付きコンデンサーの付いた反応容器に仕込
み、エピクロルヒドリン４５３．３ｇ、ジメチルスルホ
キシド２２６．６ｇに溶解した。反応系内を４２ｔｏｒ
ｒに保ちながら、温度４８℃で、４８．６％苛性ソーダ
５７．６１ｇを５時間で連続的に滴下した。この間、温
度は、４８℃に保ちながら、共沸するエピクロルヒドリ
ンと水を冷却液化し、有機層を反応系内に戻しながら反
応させた。以下、実施例１と同様に処理を行い、グリシ
ジルエーテルを得た。エポキシ当量および加水分解性塩
素は、各々、２３５ｇ／当量、１４０ｐｐｍであった。
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ
ル〕プロパン１２０．５ｇを、温度計、撹拌機、滴下漏
斗、分離管付きコンデンサーの付いた反応容器に仕込
み、エピクロルヒドリン４５３．３ｇ、ジメチルスルホ
キシド２２６．６ｇに溶解した。反応系内を４２ｔｏｒ
ｒに保ちながら、温度４８℃で、４８．６％苛性ソーダ
５７．６１ｇを５時間で連続的に滴下した。この間、温
度は、４８℃に保ちながら、共沸するエピクロルヒドリ
ンと水を冷却液化し、有機層を反応系内に戻しながら反
応させた。以下、実施例１と同様に処理を行い、グリシ
ジルエーテルを得た。エポキシ当量および加水分解性塩
素は、各々、２３５ｇ／当量、１４０ｐｐｍであった。
【００２６】実施例３〜４および比較例１ 実施例３および４は、実施例１および２で得たグリシジ
ルエーテル、硬化剤としてフェノールノボラック（商品
名タマノル７５８荒川化学製）、硬化促進剤としてトリ
フェニルホスフィン、充填剤として溶融シリカ（商品名
ＦＳ−８９１電気化学工業製）、球状シリカ（商品名Ｆ
Ｂ−７４ 電気化学工業製）、離型剤としてカルナバワ
ックス、カップリング剤（商品名ＳＨ−６０４０ 東レ
ダウコーニングシリコーン製）を表１に示した量（ｇ）
で配合し、ロールで加熱混練後トランスファー成形を行
った。比較例１は、グリシジルエーテルとしてｏ−クレ
ゾールノボラックのグリシジルエーテル（商品名 スミ
エポキシＥＳＣＮ−１９５、住友化学工業製）を用いた
以外は上記実施例と同様に行った。さらに、１８０℃オ
ーブン中で、５時間ポストキュアーを行い、硬化成形物
（模擬ＩＣ等）を得た。配合物のスパイラルフローおよ
びその硬化成形物のガラス転移温度、吸水率、曲げ強
度、曲げ弾性率、接着力、パッケージクラック数を測定
し、結果を表２に示す。
ルエーテル、硬化剤としてフェノールノボラック（商品
名タマノル７５８荒川化学製）、硬化促進剤としてトリ
フェニルホスフィン、充填剤として溶融シリカ（商品名
ＦＳ−８９１電気化学工業製）、球状シリカ（商品名Ｆ
Ｂ−７４ 電気化学工業製）、離型剤としてカルナバワ
ックス、カップリング剤（商品名ＳＨ−６０４０ 東レ
ダウコーニングシリコーン製）を表１に示した量（ｇ）
で配合し、ロールで加熱混練後トランスファー成形を行
った。比較例１は、グリシジルエーテルとしてｏ−クレ
ゾールノボラックのグリシジルエーテル（商品名 スミ
エポキシＥＳＣＮ−１９５、住友化学工業製）を用いた
以外は上記実施例と同様に行った。さらに、１８０℃オ
ーブン中で、５時間ポストキュアーを行い、硬化成形物
（模擬ＩＣ等）を得た。配合物のスパイラルフローおよ
びその硬化成形物のガラス転移温度、吸水率、曲げ強
度、曲げ弾性率、接着力、パッケージクラック数を測定
し、結果を表２に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【図１】実施例１で得られたグリシジルエーテルのＮＭ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
【図２】実施例１で得られたグリシジルエーテルのＩＲ
スペクトル図である。
スペクトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金川 修一 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１０以下のアルキル基もしくはシ
クロアルキル基、炭素数１５以下のアリール基またはハ
ロゲン原子を示し、かつＲ1 は同一環内でまたは異なる
環内で複数存在する場合は互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。Ｒ2 は水素原子または炭素数１０以下の
アルキル基もしくはシクロアルキル基を示し、かつ２つ
のＲ2 は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ3 は炭
素数１０以下のアルキル基またはハロゲン原子を示し、
かつＲ3 は同一環内でまたは異なる環内で複数存在する
場合互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎ、
ｍ、ｋは、それぞれ、０〜４、０〜９、１〜５の整数を
示す。）で表されるエポキシ樹脂。 - 【請求項２】請求項１記載のエポキシ樹脂と硬化剤を主
成分として含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項３】硬化剤が多価フェノール類である請求項２
記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】請求項２または３記載のエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26357792A JPH06107769A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | エポキシ樹脂、その組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26357792A JPH06107769A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | エポキシ樹脂、その組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06107769A true JPH06107769A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17391490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26357792A Pending JPH06107769A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | エポキシ樹脂、その組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06107769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012118551A (ja) * | 2005-06-06 | 2012-06-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト用化合物およびレジスト組成物 |
| WO2017043353A1 (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社Adeka | 新規化合物、潜在性添加剤及び該添加剤を含有する組成物 |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP26357792A patent/JPH06107769A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012118551A (ja) * | 2005-06-06 | 2012-06-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト用化合物およびレジスト組成物 |
| WO2017043353A1 (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社Adeka | 新規化合物、潜在性添加剤及び該添加剤を含有する組成物 |
| CN107614477A (zh) * | 2015-09-11 | 2018-01-19 | 株式会社艾迪科 | 新型化合物、潜伏性添加剂和含有该添加剂的组合物 |
| JPWO2017043353A1 (ja) * | 2015-09-11 | 2018-07-05 | 株式会社Adeka | 新規化合物、潜在性添加剤及び該添加剤を含有する組成物 |
| TWI723043B (zh) * | 2015-09-11 | 2021-04-01 | 日商艾迪科股份有限公司 | 新穎化合物、潛在性添加劑及含該添加劑之組合物 |
| CN107614477B (zh) * | 2015-09-11 | 2021-08-24 | 株式会社艾迪科 | 化合物、潜伏性添加剂和含有该添加剂的组合物 |
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