JPH0611474A - 湿度センサ - Google Patents

湿度センサ

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Publication number
JPH0611474A
JPH0611474A JP17032792A JP17032792A JPH0611474A JP H0611474 A JPH0611474 A JP H0611474A JP 17032792 A JP17032792 A JP 17032792A JP 17032792 A JP17032792 A JP 17032792A JP H0611474 A JPH0611474 A JP H0611474A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
humidity sensor
moisture sensitive
sensitive film
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17032792A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahisa Ikejiri
昌久 池尻
Satoshi Chiba
悟志 千葉
Tatsuo Hama
辰男 濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP17032792A priority Critical patent/JPH0611474A/ja
Publication of JPH0611474A publication Critical patent/JPH0611474A/ja
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 シリコン基板に、スクリーン印刷により感湿
膜を形成し、この感湿膜の周囲にSiO2をスパッタし
て絶縁膜を形成し、この感湿膜および絶縁膜上に、C
r、Auを蒸着することにより電極を形成し、湿度セン
サとする。シリコン基板は電極の一部として用いる 【効果】 工程が単純で、大量生産に適したプロセスが
使えるため、量産性がよく、応答性が速く、信頼性も高
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、湿度に対応して素子の
電気的特性が変化することにより湿度を検出する湿度セ
ンサに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、湿度計測、湿度制御を必要とする
分野が増加し、湿度センサの重要性が認められるように
なった。
【0003】湿度に対応して素子の電気的特性が変化す
ることにより湿度を検出する湿度センサには、電解質
系、金属系、高分子系、セラミックス系等があり、それ
ぞれいろいろな系が研究されているが、現在実用化され
ているものは、高分子系およびセラミックス系の湿度セ
ンサである。いずれも、素子に対する水の吸脱着によ
り、素子の抵抗値または静電容量が変化する性質を利用
したものである。
【0004】基板にはアルミナ、ガラス等の絶縁体が用
いられ、この基板上に櫛形電極、感湿膜を形成するか、
基板上に下部電極、感湿膜、上部電極を形成したサンド
ウィッチ形構造にするのが一般的である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の湿度セ
ンサは、前記サンドウィッチ形構造にする場合、電極を
二度形成しなければならず、工程が複雑になり、コスト
が高くなる、という問題点があった。櫛形電極も小型で
精度の良いものを作ろうとすると、コストが高くなる、
という問題点があった。また、絶縁体は導電体に比べ、
熱伝導率が小さいため、湿度センサの熱応答が遅くな
る、という問題点もあった。
【0006】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは、量産性が良く、熱
応答が良く、信頼性の高い湿度センサを提供するところ
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の湿度センサは、
導電性基板上に感湿膜が形成され、導電性基板を電極の
一部として用いることを特徴とする。本発明の湿度セン
サは、導電性基板上に感湿膜が形成され、この感湿膜上
に少なくとも1個の電極が形成され、導電性基板を電極
の一部として用いることを特徴とする。本発明の湿度セ
ンサは、導電性基板上に感湿膜が形成され、導電性基板
上の感湿膜の周囲の一部または全部に絶縁膜が形成さ
れ、この感湿膜および絶縁膜上に少なくとも1個の電極
が形成され、導電性基板を電極の一部として用いること
を特徴とする。
【0008】導電性基板はステンレス、銅、アルミ等の
金属板または、導電性のセラミックスでよい。絶縁性基
板の表面に、導電性物質をコーティングしたものでもよ
い。導電性基板にシリコンを用いると、大量生産に適し
たシリコンプロセスが使え、量産性、信頼性の両面から
好ましい。
【0009】少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われる
ように、含フッ素高分子膜を形成すると、電界質溶液に
浸漬しても特性が変化しない、信頼性の非常に高い湿度
センサを得ることができる。
【0010】
【実施例】
(実施例1)水100mlに、エタノール100ml、
酢酸マンガン80g、酢酸鉛20g、酢酸カリウム10
gを加え、1時間攪拌し、感湿膜用コーティング液を作
製した。
【0011】ステンレス板に、このコーティング液をデ
ィップコーティングし、500℃で1時間熱処理し、感
湿膜を形成した。ステンレス板および感湿膜にAgペー
ストを用いてリード線を取り付け、図1に示す湿度セン
サを作製した。図1において、1は感湿膜、2はステン
レス板、3はAgペースト、4はリード線である。な
お、ステンレス板から取り出すリード線は、図2のよう
に、感湿膜と反対側の面でもよい。本湿度センサの感湿
特性を図3に示す。
【0012】(実施例2)シリコン基板に、実施例1で
用いたコーティング液をスピンコーティングし、700
℃で1時間熱処理し、感湿膜を形成した。この感湿膜上
に、Ptをスパッタし、電極を形成し、図4に示す湿度
センサを作製した。図4において、1は感湿膜、5は電
極、6は基板である。本湿度センサの感湿特性を図5に
示す。
【0013】(実施例3)シリコン基板に、実施例1で
用いたコーティング液をスクリーン印刷し、700℃で
1時間熱処理し、感湿膜を形成した。この感湿膜の周囲
にSiO2 をスパッタし、絶縁膜を形成した。この感湿
膜および絶縁膜上に、Cr、Auを蒸着し、電極を形成
した。このようにして作製した湿度センサの断面図を図
6、平面図を図7に示す。図6、図7において、1は感
湿膜、5は電極、6は基板、7は絶縁膜である。なお、
絶縁膜は、図8のように、感湿膜の一部にかかってもよ
い。
【0014】本湿度センサの感湿特性を図9に示す。図
9より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、抵抗値
の変化幅が適当であり、しかも温度によって特性が変化
しないので、使いやすいことがわかる。本湿度センサを
60℃90%の恒温恒湿槽中に1000時間放置後、特
性を測定したところ、図9と測定誤差の範囲内で同様で
あった。したがって、本湿度センサは、耐久性、信頼性
が高いことがわかる。
【0015】また、温度変化に対する応答は10秒以
内、湿度変化に対する応答は5秒以内と十分に速かっ
た。さらに、本湿度センサは、製造工程が単純であるた
め、量産性がよく、安価に製造できることがわかる。
【0016】(実施例4)実施例3で作製した湿度セン
サに、溶媒可溶性含フッ素高分子をパーフルオロ溶媒に
溶解した溶液(7重量%)を、少なくとも感湿膜の部分
はすべて覆われるように、スクリーン印刷し、180℃
で1時間熱処理し、含フッ素高分子膜を形成した。この
ようにして作製した湿度センサの断面図を図10に示
す。図10において、1は感湿膜、5は電極、6は基
板、7は絶縁膜、8は含フッ素高分子膜である。本湿度
センサの特性は、実施例3で作製した湿度センサと同様
であった。本湿度センサを60℃の飽和食塩水に100
時間浸漬後、特性を測定したところ、図9と測定誤差の
範囲内で同様であった。したがって、本湿度センサは、
極めて耐久性、信頼性が高いことがわかる。
【0017】(実施例5)シリコン基板の感湿膜が形成
される部分以外にSiO2をスパッタし、絶縁膜を形成
し、実施例1で用いたコーティング液をロールコーティ
ングし、700℃で1時間熱処理し、感湿膜を形成し
た。この感湿膜および絶縁膜上に、RuO2をスクリー
ン印刷し、一対の電極を形成した。このようにして作製
した湿度センサの断面図を図11、平面図を図12に示
す。図11、図12において、1は感湿膜、5は電極、
6は基板、7は絶縁膜である。なお、感湿膜は、図13
のように、絶縁膜の一部にかかってもよい。本湿度セン
サの感湿特性を図14に示す。
【0018】なお、本実施例ではセラミックス系の感湿
膜を用いたが、他の成分のセラミックス系感湿膜、高分
子系の感湿膜でもよい。また、本実施例では湿度を抵抗
値で検出しているが、静電容量で検出してもよい。
【0019】
【発明の効果】以上述べたように本発明の湿度センサ
は、導電性基板上に感湿膜が形成され、導電性基板を電
極の一部として用いるので、製造工程が簡単になり、熱
応答が速くなる。また、導電性基板にシリコンを用いる
と、量産性、信頼性の高い湿度センサが得られる。さら
に、少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われるように、
含フッ素高分子膜を形成すると、電界質溶液に浸漬して
も特性が変化しない、信頼性の非常に高い湿度センサを
得ることができる。したがって、湿度計測、湿度制御を
必要とする分野、特に低価格、高信頼性を要求される分
野、携帯機器等に広く応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図2】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図3】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図4】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図5】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図6】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図7】 本発明の湿度センサの平面図である。
【図8】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図9】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【図10】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図11】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図12】 本発明の湿度センサの平面図である。
【図13】 本発明の湿度センサの断面図である。
【図14】 本発明の湿度センサの感湿特性図である。
【符号の説明】
1 感湿膜 2 ステンレス板 3 Agペースト 4 リード線 5 電極 6 基板 7 絶縁膜 8 含フッ素高分子膜

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性基板上に感湿膜が形成され、導電
    性基板を電極の一部として用いることを特徴とする湿度
    センサ。
  2. 【請求項2】 導電性基板上に感湿膜が形成され、この
    感湿膜上に少なくとも1個の電極が形成され、導電性基
    板を電極の一部として用いることを特徴とする湿度セン
    サ。
  3. 【請求項3】 導電性基板上に感湿膜が形成され、導電
    性基板上の感湿膜の周囲の一部または全部に絶縁膜が形
    成され、この感湿膜および絶縁膜上に少なくとも1個の
    電極が形成され、導電性基板を電極の一部として用いる
    ことを特徴とする湿度センサ。
  4. 【請求項4】 導電性基板としてシリコンを用いること
    を特徴とする請求項1ないし3記載の湿度センサ。
  5. 【請求項5】 少なくとも感湿膜の部分はすべて覆われ
    るように、含フッ素高分子膜が形成されていることを特
    徴とする請求項1ないし4記載の湿度センサ。
JP17032792A 1992-06-29 1992-06-29 湿度センサ Pending JPH0611474A (ja)

Priority Applications (1)

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JP17032792A JPH0611474A (ja) 1992-06-29 1992-06-29 湿度センサ

Applications Claiming Priority (1)

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JP17032792A JPH0611474A (ja) 1992-06-29 1992-06-29 湿度センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0611474A true JPH0611474A (ja) 1994-01-21

Family

ID=15902899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17032792A Pending JPH0611474A (ja) 1992-06-29 1992-06-29 湿度センサ

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JP (1) JPH0611474A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008196955A (ja) * 2007-02-13 2008-08-28 Seiko Instruments Inc 容量式湿度センサ及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008196955A (ja) * 2007-02-13 2008-08-28 Seiko Instruments Inc 容量式湿度センサ及びその製造方法

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