JPH06109780A - Comparator circuit - Google Patents
Comparator circuitInfo
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- JPH06109780A JPH06109780A JP4260944A JP26094492A JPH06109780A JP H06109780 A JPH06109780 A JP H06109780A JP 4260944 A JP4260944 A JP 4260944A JP 26094492 A JP26094492 A JP 26094492A JP H06109780 A JPH06109780 A JP H06109780A
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- transistors
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ヒステリシスを持つ比
較回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a comparator circuit having hysteresis.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の比較回路の一例を図2に示す。Q
11,Q12,Q13,Q14,Q15,Q16はトラ
ンジスタ、R11,R12,R13,R14,R15,
R16は抵抗、I11は電流源、V11は電圧源、IN
11は反転入力端子、IN12は非反転入力端子、OU
T11は出力端子、GND11は接地端子である。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows an example of a conventional comparison circuit. Q
11, Q12, Q13, Q14, Q15, Q16 are transistors, R11, R12, R13, R14, R15,
R16 is a resistor, I11 is a current source, V11 is a voltage source, IN
11 is an inverting input terminal, IN12 is a non-inverting input terminal, OU
T11 is an output terminal, and GND11 is a ground terminal.
【0003】図2の回路について動作を簡単に説明す
る。トランジスタQ11とQ12ならびにトランジスタ
Q13とQ14とQ15とQ16は素子特性が同一であ
るとすると、トランジスタQ11,Q12,Q13,Q
14で差動増幅回路が構成されている。このため、トラ
ンジスタQ11のベース電位VB11がトランジスタQ
12のベース電位VB12より低電位となれば、トラン
ジスタQ15,Q16はしゃ断され、出力端子OUT1
1はハイ状態となる。The operation of the circuit shown in FIG. 2 will be briefly described. Assuming that the transistors Q11 and Q12 and the transistors Q13, Q14, Q15 and Q16 have the same element characteristics, the transistors Q11, Q12, Q13, Q
A differential amplifier circuit is configured by 14. Therefore, the base potential VB11 of the transistor Q11 is
12 becomes lower than the base potential VB12, the transistors Q15 and Q16 are cut off and the output terminal OUT1
1 goes high.
【0004】一方、トランジスタQ11のベース電位V
B11がトランジスタQ12のベース電位VB12より
高電位となれば、トランジスタQ15,Q16は導通
し、出力端子OUT11はロー状態となる。On the other hand, the base potential V of the transistor Q11
When B11 becomes higher than the base potential VB12 of the transistor Q12, the transistors Q15 and Q16 become conductive and the output terminal OUT11 becomes low.
【0005】トランジスタQ11のベース電位VB11
がトランジスタQ12のベース電位VB12より低電位
の場合におけるスレッショルド電圧条件は、反転入力端
子IN11の電圧をVIN11、非反転入力端子IN1
2の電圧をVIN12で表わすと次式(1)となる。Base potential VB11 of transistor Q11
Is lower than the base potential VB12 of the transistor Q12, the threshold voltage condition is that the voltage of the inverting input terminal IN11 is VIN11 and the non-inverting input terminal IN1 is
When the voltage of 2 is represented by VIN12, the following equation (1) is obtained.
【0006】 VIN11×R16/(R15+R16) =VIN12×R12/(R11+R12) …式(1) トランジスタQ11のベース電位VB11がトランジス
タQ12のベース電位VB12より高電位の場合におけ
るスレッショルド電圧条件は、次式(2)で表わされ
る。VIN11 × R16 / (R15 + R16) = VIN12 × R12 / (R11 + R12) Equation (1) The threshold voltage condition when the base potential VB11 of the transistor Q11 is higher than the base potential VB12 of the transistor Q12 is as follows: It is represented by 2).
【0007】 VIN11×R16/(R15+R16) =(VIN12−IC16×R11)×R12/(R11+R12) …式(2) (但し、IC16:トランジスタQ16のコレクタ電
流)式(1)、式(2)よりスレッショルド電圧の差V
H11を次式(3)で表わす。VIN11 × R16 / (R15 + R16) = (VIN12−IC16 × R11) × R12 / (R11 + R12) Equation (2) (where IC16: collector current of the transistor Q16) From Equation (1) and Equation (2) Threshold voltage difference V
H11 is represented by the following equation (3).
【0008】 VH11=IC16×R11×R12/(R11+R12) …式(3) 式(1)、式(2)、式(3)より、出力端子OUT1
1がハイ状態よりロー状態となるスレッショルド電圧条
件は式(1)で決定され、出力端子OUT11がロー状
態よりハイ状態となるスレッショルド電圧条件は式
(2)で決定され、ヒステリシス幅は式(3)のスレッ
ショルド電圧の差VH11で決定される比較回路が構成
できる。VH11 = IC16 × R11 × R12 / (R11 + R12) Equation (3) From the equation (1), the equation (2), and the equation (3), the output terminal OUT1
The threshold voltage condition that 1 is in the low state from the high state is determined by the equation (1), the threshold voltage condition that the output terminal OUT11 is in the high state from the low state is determined by the equation (2), and the hysteresis width is expressed by the equation (3). ), It is possible to configure a comparison circuit determined by the threshold voltage difference VH11.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の比較回路では、集積回路で構成した場合など、トラ
ンジスタのコレクタに寄生容量Cが発生し、トランジス
タQ16のコレクタ電位VC16の立ち上がり時間が、
抵抗R11,R12,R13と前記寄生容量Cとの時定
数により制限されるため、出力端子OUT11がロー状
態よりハイ状態に変化した直後にトランジスタQ16の
コレクタ電位VC16が立ち上がっていない場合、充分
なヒステリシス幅が得られないという問題点があった。However, in this conventional comparison circuit, parasitic capacitance C is generated in the collector of the transistor when the circuit is formed of an integrated circuit, and the rise time of the collector potential VC16 of the transistor Q16 is
When the collector potential VC16 of the transistor Q16 does not rise immediately after the output terminal OUT11 changes from the low state to the high state, the hysteresis is sufficient because the time constant of the resistors R11, R12, R13 and the parasitic capacitance C limits the hysteresis. There was a problem that the width could not be obtained.
【0010】そこで、本発明の技術的課題は、上記欠点
に鑑み、トランジスタのコレクタ寄生容量によるコレク
タ電圧立ち上がり時間の遅れに対しても、充分なヒステ
リシスを確保できる比較回路を提供することである。Therefore, in view of the above-mentioned drawbacks, a technical object of the present invention is to provide a comparison circuit capable of ensuring a sufficient hysteresis even with respect to a delay in collector voltage rise time due to a collector parasitic capacitance of a transistor.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、反転入
力及び非反転入力のどちらか一方に正帰還をかけヒステ
リシスを作る比較回路において、他方の入力に対しても
出力と逆位相で正帰還をかけヒステリシスを作ることを
特徴とする比較回路が得られる。即ち、本発明の比較回
路は、反転入力端子、非反転入力端子の両方に対して逆
相の帰還回路を設けることを特徴とする。According to the present invention, in a comparator circuit which produces a hysteresis by applying positive feedback to either one of an inverting input and a non-inverting input, the other input is also positive in phase opposite to the output. A comparison circuit is obtained which is characterized by applying feedback to create hysteresis. That is, the comparison circuit of the present invention is characterized in that a feedback circuit of opposite phase is provided for both the inverting input terminal and the non-inverting input terminal.
【0012】[0012]
【実施例】次に本発明の1実施例を図面に基いて説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0013】図1は本発明の1実施例を示す回路図であ
る。図1に示すように、トランジスタQ1のエミッタは
トランジスタQ2のエミッタと接続されている。トラン
ジスタQ1のコレクタは、トランジスタQ3のコレクタ
に接続されていると共にトランジスタQ3,Q4,Q7
のベースに接続されている。トランジスタQ2のコレク
タは、トランジスタQ4のコレクタに接続されていると
共にトランジスタQ5,Q6のベースに接続されてい
る。トランジスタQ3,Q4,Q5,Q6,Q7ののエ
ミッタは接地端子GND1に接続されている。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the emitter of the transistor Q1 is connected to the emitter of the transistor Q2. The collector of the transistor Q1 is connected to the collector of the transistor Q3, and also the transistors Q3, Q4, Q7.
Connected to the base of. The collector of the transistor Q2 is connected to the collector of the transistor Q4 and the bases of the transistors Q5 and Q6. The emitters of the transistors Q3, Q4, Q5, Q6, Q7 are connected to the ground terminal GND1.
【0014】前記トランジスタQ1のベースには、反転
入力端子IN1が抵抗R5を介して接続されている。ま
た、トランジスタQ1のベースは、抵抗R6を介して接
地端子GND1に接続されていると共に抵抗R7を介し
てトランジスタQ7のコレクタに接続されている。前記
トランジスタQ2のベースには、非反転入力端子IN1
が抵抗R1を介して接続されている。また、トランジス
タQ2のベースは、抵抗R2を介して接地端子GND1
に接続されていると共に抵抗R3を介してトランジスタ
Q6のコレクタに接続されている。An inverting input terminal IN1 is connected to the base of the transistor Q1 via a resistor R5. The base of the transistor Q1 is connected to the ground terminal GND1 via the resistor R6 and is also connected to the collector of the transistor Q7 via the resistor R7. The base of the transistor Q2 has a non-inverting input terminal IN1.
Are connected via a resistor R1. The base of the transistor Q2 is connected to the ground terminal GND1 via the resistor R2.
Is also connected to the collector of the transistor Q6 via the resistor R3.
【0015】前記トランジスタQ1,Q2のベースと接
地端子GND1との間には、電流源I1と電圧源V1と
が直列に接続されている。前記電流源I1と電圧源V1
との接続点は抵抗R5を介してトランジスタQ5のコレ
クタに接続されている。抵抗R4とトランジスタQ5の
コレクタの接続点は出力端子OUT1に接続されてい
る。A current source I1 and a voltage source V1 are connected in series between the bases of the transistors Q1 and Q2 and the ground terminal GND1. The current source I1 and the voltage source V1
The connection point between and is connected to the collector of the transistor Q5 via the resistor R5. The connection point between the resistor R4 and the collector of the transistor Q5 is connected to the output terminal OUT1.
【0016】次に、図1の実施例の動作を説明する。ト
ランジスタQ1とQ2ならびにトランジスタQ3とQ4
とQ5とQ6とQ7は素子特性が同一であるとすると、
トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4で差動増幅回路が
構成されているため、トランジスタQ1のベース電位V
B1がトランジスタQ2のベース電位VB2より低電位
となればトランジスタQ5,Q6はしゃ断、トランジス
タQ7は導通し、出力端子OUT1はハイ状態となる。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be described. Transistors Q1 and Q2 and transistors Q3 and Q4
And Q5, Q6 and Q7 have the same element characteristics,
Since the differential amplifier circuit is composed of the transistors Q1, Q2, Q3 and Q4, the base potential V of the transistor Q1 is
When B1 becomes lower than the base potential VB2 of the transistor Q2, the transistors Q5 and Q6 are cut off, the transistor Q7 becomes conductive, and the output terminal OUT1 becomes high.
【0017】トランジスタQ1のベース電位VB1がト
ランジスタQ2のベース電位VB2より高電位となれ
ば、トランジスタQ5,Q6は導通、トランジスタQ7
はしゃ断し、出力端子OUT1はロー状態となる。When the base potential VB1 of the transistor Q1 becomes higher than the base potential VB2 of the transistor Q2, the transistors Q5 and Q6 become conductive and the transistor Q7.
The output is cut off and the output terminal OUT1 becomes low.
【0018】トランジスタQ1のベース電位VB1がト
ランジスタQ2のベース電位VB2より低電位の場合に
おけるスレッショルド電圧条件は反転入力端子IN1の
電圧VIN1、非反転入力端子IN2の電圧VIN2で
表わすと次式(4)となる。The threshold voltage condition when the base potential VB1 of the transistor Q1 is lower than the base potential VB2 of the transistor Q2 is expressed by the following equation (4) when the voltage VIN1 of the inverting input terminal IN1 and the voltage VIN2 of the non-inverting input terminal IN2 are used. Becomes
【0019】 (VIN1−IC7×R5)×R6/(R5+R6) =VIN2×R2/(R1+R2) …式(4) 但し、IC7:トランジスタQ7のコレクタ電流 トランジスタQ1のベース電位VB1がトランジスタQ
2のベース電位VB2より高電位の場合におけるスレッ
ショルド電圧条件は次式(5)で表わされる。(VIN1-IC7 × R5) × R6 / (R5 + R6) = VIN2 × R2 / (R1 + R2) Equation (4) However, IC7: collector current of transistor Q7 base potential VB1 of transistor Q1 is transistor Q1
The threshold voltage condition when the potential is higher than the base potential VB2 of 2 is represented by the following equation (5).
【0020】 VI N1×R6/(R5+R6) =(VIN2−IC6×R1)×R2/(R1+R2) …式(5) 但し、IC6:トランジスタQ6のコレクタ電流 式(4)、式(5)よりスレッショルド電圧の差VH1
を次式(6)で表わす。VI N1 × R6 / (R5 + R6) = (VIN2-IC6 × R1) × R2 / (R1 + R2) Equation (5) where IC6 is the threshold current from the collector current equation (4) and equation (5) of the transistor Q6. Voltage difference VH1
Is expressed by the following equation (6).
【0021】 VH1= IC6×R1×R2/(R1+R2) +IC7×R5×R6/(R5+R6) …式(6) 式(4)、式(5)、式(6)より出力端子OUT1が
ハイ状態よりロー状態となるスレッショルド電圧条件は
式(4)で決定され、出力端子OUT1がロー状態より
ハイ状態となるスレッショルド電圧条件は式(5)で決
定され、ヒステリシス幅は式(6)のスレッショルド電
圧の差VH1で決定される比較回路が構成できる。VH1 = IC6 × R1 × R2 / (R1 + R2) + IC7 × R5 × R6 / (R5 + R6) Expression (6) From the expression (4), the expression (5), and the expression (6), the output terminal OUT1 is higher than the high state. The threshold voltage condition for the low state is determined by the equation (4), the threshold voltage condition for the output terminal OUT1 to be in the high state from the low state is determined by the equation (5), and the hysteresis width is the threshold voltage of the equation (6). A comparison circuit determined by the difference VH1 can be configured.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の比較回路
では、集積回路で構成した場合などトランジスタのコレ
クタに寄生容量Cが発生し、トランジスタQ6のコレク
タ電位VC6の立ち上がり時間が抵抗R1,R2,R3
と前記寄生容量Cの時定数により制限されても、トラン
ジスタQ6のしゃ断と同時にトランジスタQ7が導通
し、トランジスタQ1のベース電位VB1の立ち下がり
時間は制限されないため、出力端子OUT1がロー状態
よりハイ状態に変化した直後にトランジスタQ6のコレ
クタ電位VC6が立ち上がっていない場合でも、トラン
ジスタQ7により充分なヒステリシス幅が得られるとい
う効果を有する。As described above, in the comparison circuit of the present invention, the parasitic capacitance C is generated in the collector of the transistor, such as in the case of an integrated circuit, and the rise time of the collector potential VC6 of the transistor Q6 is set to the resistances R1 and R2. , R3
Even when limited by the time constant of the parasitic capacitance C, the transistor Q7 is turned on at the same time as the transistor Q6 is cut off, and the fall time of the base potential VB1 of the transistor Q1 is not limited. Therefore, the output terminal OUT1 is in a high state rather than a low state. Even if the collector potential VC6 of the transistor Q6 does not rise immediately after the change to, the transistor Q7 has an effect that a sufficient hysteresis width can be obtained.
【0023】また、図1のNPNトランジスタをPNP
トランジスタとし、PNPトランジスタをNPNトラン
ジスタとし、電流源、電圧源の極性をそれぞれ反転した
回路においても前記と同様の効果を有する。Further, the NPN transistor of FIG.
Even in a circuit in which the transistors are used, the PNP transistors are used as NPN transistors, and the polarities of the current source and the voltage source are inverted, the same effect as described above can be obtained.
【図1】本発明の1実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】従来の比較回路を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional comparison circuit.
Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q11,
Q12,Q13,Q14,Q15,Q16 トランジ
スタ R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R11,
R12,R13,R14,R15,R16 抵抗 I1,I11 電流源 V1,V11 電圧源 IN1,IN11 反転入力端子 IN2,IN12 非反転入力端子 OUT1,OUT11 出力端子 GND1,GND11 接地端子Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7, Q11,
Q12, Q13, Q14, Q15, Q16 Transistors R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R11,
R12, R13, R14, R15, R16 Resistors I1, I11 Current sources V1, V11 Voltage sources IN1, IN11 Inversion input terminals IN2, IN12 Non-inversion input terminals OUT1, OUT11 Output terminals GND1, GND11 Ground terminals
Claims (1)
に正帰還をかけヒステリシスを生成する比較回路におい
て、他方の入力に対しても出力と逆位相で正帰還をかけ
ヒステリシスを生成することを特徴とする比較回路。1. A comparator circuit for generating positive hysteresis by applying positive feedback to one of an inverting input and a non-inverting input, and generating positive hysteresis in the opposite phase to the output also for the other input. Characteristic comparison circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4260944A JPH06109780A (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Comparator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4260944A JPH06109780A (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Comparator circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06109780A true JPH06109780A (en) | 1994-04-22 |
Family
ID=17354947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4260944A Withdrawn JPH06109780A (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Comparator circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06109780A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990040007A (en) * | 1997-11-15 | 1999-06-05 | 윤종용 | Voltage controlled oscillator |
CN109495095A (en) * | 2018-11-27 | 2019-03-19 | 黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司 | Enhanced GaN power device gate drive circuit with defencive function |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4260944A patent/JPH06109780A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990040007A (en) * | 1997-11-15 | 1999-06-05 | 윤종용 | Voltage controlled oscillator |
CN109495095A (en) * | 2018-11-27 | 2019-03-19 | 黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司 | Enhanced GaN power device gate drive circuit with defencive function |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |