JPH0610707Y2 - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPH0610707Y2 JPH0610707Y2 JP1985151012U JP15101285U JPH0610707Y2 JP H0610707 Y2 JPH0610707 Y2 JP H0610707Y2 JP 1985151012 U JP1985151012 U JP 1985151012U JP 15101285 U JP15101285 U JP 15101285U JP H0610707 Y2 JPH0610707 Y2 JP H0610707Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- insulating film
- emitting diode
- emitting region
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は光プリンタヘッド用モノリシック発光ダイオー
ド等に好適な発光ダイオードに関する。
ド等に好適な発光ダイオードに関する。
(ロ)従来の技術 従来よりモノリシック型の発光ダイオードにおいては特
開昭５８−２２３３８２号公報にみられるように選択拡
散によって発光領域を得ている。即ち第２図に示すよう
に絶縁膜(13)をマスクとして拡散を行い、その拡散領域
(12′)のために電極(14)を設ける。ところが絶縁膜には
異物等のためにピンホールが発生し、拡散層が形成され
やすく、これは不所望の発光をしたり電流洩れの原因と
なって好ましくない。
開昭５８−２２３３８２号公報にみられるように選択拡
散によって発光領域を得ている。即ち第２図に示すよう
に絶縁膜(13)をマスクとして拡散を行い、その拡散領域
(12′)のために電極(14)を設ける。ところが絶縁膜には
異物等のためにピンホールが発生し、拡散層が形成され
やすく、これは不所望の発光をしたり電流洩れの原因と
なって好ましくない。
そこで絶縁膜を２層にしたところ斯る不所望の拡散層は
なくなったが、拡散領域において次のような欠点が生じ
た。即ち、拡散領域においては露出させて電極とのオー
ミック接触をとらなくてはならないが、上側の絶縁層の
パターニングにおいてはエッチングのマスク合せが困難
な作業となる。そのための位置ずれが生じると電極が拡
散領域と接する部分が少なくなって充分な電流供給が得
られなかったり、拡散領域外まで絶縁膜がとれて電流洩
れが発生するなど好ましくない。特にプラズマエッチン
グ法によると絶縁膜のエッチング量制御が困難となって
上記の不都合が多く発生する他、発光領域が小さい角形
の場合には円形状になるなどのエッチングムラも生じ不
都合であった。また絶縁層の全体的な厚みが厚くなる
と、端縁で電極膜が薄くなり、電流が集中したりパター
ン切れが生じやすく、不都合である。電極切れを効果的
に防ぐ方法としては絶縁膜で形成された透孔全体を電極
材料で埋めてしまう事が考えられるが、光プリントヘッ
ドでは光の効率取り出しのためオーミック領域のみを露
出しているとは限らず、また透孔を埋めるほど厚い電極
は端縁の肩くずれが生じやすく発光形状が変形しやすい
ので、これを透孔を全て埋め尽くすのは好ましくない。
なくなったが、拡散領域において次のような欠点が生じ
た。即ち、拡散領域においては露出させて電極とのオー
ミック接触をとらなくてはならないが、上側の絶縁層の
パターニングにおいてはエッチングのマスク合せが困難
な作業となる。そのための位置ずれが生じると電極が拡
散領域と接する部分が少なくなって充分な電流供給が得
られなかったり、拡散領域外まで絶縁膜がとれて電流洩
れが発生するなど好ましくない。特にプラズマエッチン
グ法によると絶縁膜のエッチング量制御が困難となって
上記の不都合が多く発生する他、発光領域が小さい角形
の場合には円形状になるなどのエッチングムラも生じ不
都合であった。また絶縁層の全体的な厚みが厚くなる
と、端縁で電極膜が薄くなり、電流が集中したりパター
ン切れが生じやすく、不都合である。電極切れを効果的
に防ぐ方法としては絶縁膜で形成された透孔全体を電極
材料で埋めてしまう事が考えられるが、光プリントヘッ
ドでは光の効率取り出しのためオーミック領域のみを露
出しているとは限らず、また透孔を埋めるほど厚い電極
は端縁の肩くずれが生じやすく発光形状が変形しやすい
ので、これを透孔を全て埋め尽くすのは好ましくない。
(ハ)考案が解決しようとする問題点 本考案は上述の点を考慮してなされたもので、電気的特
性がよく歩留もよい発光ダイオードを提供するものであ
る。
性がよく歩留もよい発光ダイオードを提供するものであ
る。
(ニ)問題点を解決するための手段 本考案は上述した絶縁膜を２層とし、かつ発光領域の上
層は下層より広い開口とすることで絶縁膜を階段状と
し、その階段状部分を含む絶縁膜上に電極を設けるもの
である。
層は下層より広い開口とすることで絶縁膜を階段状と
し、その階段状部分を含む絶縁膜上に電極を設けるもの
である。
(ホ)作用 これにより不所望発光や電流もれがなく、オーミック不
良もなく、さらに電極のパターン切れなどもない。
良もなく、さらに電極のパターン切れなどもない。
(ヘ)実施例 第１図は本考案の実施例の発光ダイオードの平面図(a)
と要部断面図(b)である。(1)は化合物半導体の基台で、
GaAsをベースとし、GaAsPをエピタキシャル成長させた
ものからなる。(2)(2)…は基台(1)の主面（GaAsP上）に
選択的に形成された発光領域で、亜鉛拡散による拡散領
域(2′)の表面部で形成されている。(3)は基台(1)の主
面上に設けられ発光領域(2)の周辺では階段状の透孔を
有する積層絶縁膜である。このような絶縁膜による階段
形状は、例えば１段の長さが１〜１０μｍ、段の高さが
０．０５〜０．３０μｍの如く段の高さの１０倍以上の
長さの段部を持った緩やかな階段状とし、電極膜の厚み
（概ね１〜６μｍ）によりこの段差が吸収できるように
なされている。(4)(4)…は積層絶縁膜(3)の上に設けら
れ発光領域(2)にオーミック接触された電極で、アルミ
ニウム等からなる。
と要部断面図(b)である。(1)は化合物半導体の基台で、
GaAsをベースとし、GaAsPをエピタキシャル成長させた
ものからなる。(2)(2)…は基台(1)の主面（GaAsP上）に
選択的に形成された発光領域で、亜鉛拡散による拡散領
域(2′)の表面部で形成されている。(3)は基台(1)の主
面上に設けられ発光領域(2)の周辺では階段状の透孔を
有する積層絶縁膜である。このような絶縁膜による階段
形状は、例えば１段の長さが１〜１０μｍ、段の高さが
０．０５〜０．３０μｍの如く段の高さの１０倍以上の
長さの段部を持った緩やかな階段状とし、電極膜の厚み
（概ね１〜６μｍ）によりこの段差が吸収できるように
なされている。(4)(4)…は積層絶縁膜(3)の上に設けら
れ発光領域(2)にオーミック接触された電極で、アルミ
ニウム等からなる。
上述した積層絶縁膜(3)の下層は拡散マスクを兼用して
おり、上層は電極形成直前に設けられている。積層絶縁
膜(3)は上層も下層も窒化硅素（Si3N4）等からなるが、
絶縁膜(3)は温度覆歴によってフッ酸に対するエッチン
グ速度が異なる事を利用してパターニングされる。即ち
水１：フッ酸５のエッチング液に対し、拡散工程を経た
下層絶縁膜は５μｍ／分であるが、加熱工程を受けてい
ない上層絶縁膜は50μｍ／分であるから、このエッチン
グ速度の差を利用してパターニングすればよい。
おり、上層は電極形成直前に設けられている。積層絶縁
膜(3)は上層も下層も窒化硅素（Si3N4）等からなるが、
絶縁膜(3)は温度覆歴によってフッ酸に対するエッチン
グ速度が異なる事を利用してパターニングされる。即ち
水１：フッ酸５のエッチング液に対し、拡散工程を経た
下層絶縁膜は５μｍ／分であるが、加熱工程を受けてい
ない上層絶縁膜は50μｍ／分であるから、このエッチン
グ速度の差を利用してパターニングすればよい。
(ト)考案の効果 以上の如くにより、絶縁膜が多層構造になっているので
不所望の拡散領域には給電路がなく、またオーミックは
所定の面積でとれる。さらに電極は絶縁膜が何層あって
も段階的に延在し急な落差を有する平面には設けられな
いから、パターン切れ等は生じない。これらの結果によ
り、従来の２層の絶縁膜における歩留が約８０％であっ
たのが、本考案においては９５％以上になった。
不所望の拡散領域には給電路がなく、またオーミックは
所定の面積でとれる。さらに電極は絶縁膜が何層あって
も段階的に延在し急な落差を有する平面には設けられな
いから、パターン切れ等は生じない。これらの結果によ
り、従来の２層の絶縁膜における歩留が約８０％であっ
たのが、本考案においては９５％以上になった。
第１図は本考案実施例の発光ダイオードの平面図(a)と
要部断面図(b)で、第２図は従来の発光ダイオードの要
部断面図である。 (1)……（化合物半導体の）基台、(2)(2)……発光領
域、(3)……積層絶縁膜、(4)(4)……電極。
要部断面図(b)で、第２図は従来の発光ダイオードの要
部断面図である。 (1)……（化合物半導体の）基台、(2)(2)……発光領
域、(3)……積層絶縁膜、(4)(4)……電極。
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体の基台と、基台の主面に選択
的に形成された発光領域と、基台の主面上に設けられ端
縁部が異なる位置に配置された多層構造とすることによ
り発光領域周辺で緩やかな階段状の透孔を有する積層絶
縁膜と、前記階段状部分を含む積層絶縁膜上に設けられ
絶縁被膜の透孔から露出した発光領域の一部分において
オーミック接触された電極とを具備したことを特徴とす
る発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985151012U JPH0610707Y2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985151012U JPH0610707Y2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 発光ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260053U JPS6260053U (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0610707Y2 true JPH0610707Y2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=31067680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985151012U Expired - Lifetime JPH0610707Y2 (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610707Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2777442B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1998-07-16 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオードアレイ |
| JP2009147352A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-07-02 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5334715A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-31 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Preparation of amino-polyacetic acid alkali salt |
| JPS59165473A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP1985151012U patent/JPH0610707Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260053U (ja) | 1987-04-14 |
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