JP3887180B2 - 発光ダイオードアレイ、半導体装置及び製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイ、半導体装置及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3887180B2 JP3887180B2 JP2001138567A JP2001138567A JP3887180B2 JP 3887180 B2 JP3887180 B2 JP 3887180B2 JP 2001138567 A JP2001138567 A JP 2001138567A JP 2001138567 A JP2001138567 A JP 2001138567A JP 3887180 B2 JP3887180 B2 JP 3887180B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- electrode
- etching
- diffusion mask
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードアレイ、半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の発光ダイオードアレイの製造工程を図5、図6に従って説明する。ここではN型エピタキシャルウェハー(半導体基板)にP型の不純物を拡散し、発光ダイオードアレイを製造する工程について説明する。図5は従来例の発光ダイオードアレイを示す平面図、図6は図5のA−A端面矢視図である。
【0003】
図5、図6において、始めにN型エピタキシャルウェハー1(以下ウェハー1とする)に拡散マスク2を該ウェハー1全面に膜付けし、次に拡散マスク開口部2aを形成し、更に亜鉛を拡散しP層3を形成する。なお、この拡散は深さ方向とほぼ同等に横にも広がる。またこれにより発光部が形成される。
【0004】
次にリーク防止絶縁膜4をウェハー1全面に膜付けし、その後フォトリソグラフィーによりパターニングを行う。なお、このときリーク防止絶縁膜4を拡散マスク開口部2aよりも広く取ることにより階段構造とする。これは後の工程で電極フォトリソグラフィー(エッチング)での電極切れを低減するためである。
【0005】
次に電流の通り路であるAl系のP電極層5(以下P電極5とする)を拡散マスク2及びリーク防止絶縁膜4を覆う状態でウェハー1全面に膜付けし、その後、P電極5の上に図示せぬレジストを膜付けする。次にレジストを露光、現像する。これにより現像された部分のレジストが取れ、P電極5の表面が露出される。次にP電極5をウエットエッチングでエッチングし、電極パターンを形成する。その後、シンターをし、接触抵抗を下げる。次に、ウェハー1の厚みを調整し、そしてウェハー1の裏面にN電極9を付け、Nシンターを行う。
【0006】
以上の工程により発光ダイオードアレイ8が製造される。
【0007】
なお、P電極5の電極パターンはウエットエッチングで形成されるが、拡散マスク2とリーク防止絶縁膜4とを階段構造にすることで、上記ウエットエッチング時にアンダーカット部(表面から横方向に向かってエッチング部が広がった場所)のP電極5へのエッチャント(P電極5をエッチングするときに使用される液体)の染み込みを減らすことができ、その結果、P電極5が切れてしまうことを減らすことができた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の発光ダイオードアレイの製造工程において、ウェハー1と拡散マスク2との段差の部分、及び拡散マスク2とリーク防止絶縁膜4との段差の部分を横切ってP電極5をウェハー1に付けるときに、上記段差の部分にわずかな隙間ができることがある。この状態でP電極5のウエットエッチングを行うと、上記隙間にエッチャントが染み込むことがあった。
【0009】
わずかなエッチャントの染み込みでもエッチング後の水洗い時、エッチャントを完全に除去することができない場合がある。そしてこの除去できなかったエッチャントは徐々にP電極5のエッチングしてはいけない箇所をエッチングしてしまう。
【0010】
発光パターンの高密度化に伴い、電極パターン幅を細くする必要があり、上記のようにわずかなエッチャントの残りによる電極のエッチングであってもP電極5に図7、図8に示すように電極切れ部10が発生してしまうという問題点があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明で設けた解決手段は、半導体基板と、上記半導体基板上に設けられ、上記半導体基板の所定領域を露出する開口部を有する拡散マスクと、上記開口部下に設けられた発光部と、上記発光部上から上記拡散マスク上に延在して設けられた第1の電極層と、上記第1の電極層の上に設けられた第2の電極層とを備え、上記拡散マスクは、上記第2の電極層として使用される物質を含有し、上記第1の電極層は、上記拡散マスクや上記第2の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされず、上記拡散マスクや第2の電極層は、上記第1の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされないことを特徴とするものである。
【0012】
上記構成によれば、半導体基板と第1の電極層との間に隙間が形成されても、第1の電極層が隙間を覆っているので、第2の電極層のエッチングを行うときに上記隙間に第2の電極層をエッチングするエッチング剤が入り込むことはない。またたとえ隙間にエッチング剤が染み込むことがあっても、上記隙間に入り込んだ、第2の電極層をエッチングするエッチング剤と第2の電極層との間には第1の電極層が存在するので、エッチング剤と第2の電極層とが接触することがない。従って、第2の電極層のエッチングしてはいけない箇所がエッチングされてしまうことがない。その結果、電極が切れてしまうことを防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に従って説明する。なお各図面に共通する要素には同一の符号を付す。
【0014】
実施の形態の、半導体装置である発光ダイオードアレイの製造工程を図1、図2、図3に従って説明する。ここではN型エピタキシャルウェハー(半導体基板)にP型の不純物を拡散し、発光ダイオードアレイを製造する工程について説明する。図1、図2、図3は実施の形態の発光ダイオードアレイの製造工程を示す説明図、図4は実施の形態の発光ダイオードアレイを示す端面図である。なお、図1、図2、図3において、平面図と端面図を示しているが、端面図は平面図のC−C端面矢視図である。
【0015】
図1(a)N型エピタキシャルウェハー11(以下ウェハー11とする)にAl系酸化物又はAl窒化物で形成された拡散マスク12を、該ウェハー11全面に膜付けする。なお、ウェハー11はGa系(GaAlAs、GaAaP、GaAs、AlINGaP等)で形成された半導体基板である。
【0016】
図1(b)フォトリソグラフィーにより、拡散マスク12に拡散マスク開口部12aを形成する。これにより、拡散マスク開口部12aの部分はウェハー11が露出する。なお、拡散マスク12はAl系酸化物又はAl窒化物(Al2O3、AlN、AlON等)で形成されている。
【0017】
図1(c)不純物である亜鉛を拡散し、ウェハー11にP層13を形成する。なお、この拡散は深さ方向とほぼ同等に横にも広がる。またこれにより発光部が形成される。
【0018】
図1(d)リーク防止絶縁膜14をウェハー11全面に膜付けし、その後フォトリソグラフィーによりパターニングを行う。なお、このときリーク防止絶縁膜14を拡散マスク開口部12aよりも広く取ることにより階段構造とする。これは後の工程で電極フォトリソグラフィー(エッチング)での電極切れを低減するためである。
【0019】
図2(e)第1の電極層であるエッチング防止電極16(塩素系ドライエッチングあるいはリン酸系ウエットエッチングでエッチングされない金属)をウェハー11全面に例えば500Å(オングストローム)の厚みで膜付けする。そしてその後エッチング防止電極16の上に電流の通り路であるAl系の第2の電極層であるP電極層15(以下P電極15とする)を、該エッチング防止電極16全面に例えば1.25μmの厚みで膜付けする。なお、このP電極15に所定の電極パターンが形成される。
【0020】
また、上記エッチング防止電極16は、塩素系のドライエッチングあるいはリン酸系のウエットエッチングではエッチングされず、他のエッチングではエッチングされる金属を選択する。例えばTiが用いられる。Tiならば塩素系のドライエッチングあるいはリン酸系のウエットエッチングではエッチングされず、HF系ウエットエッチングやCF4系のドライエッチングでエッチングされる。またウエットエッチングで利用されるエッチャントは水洗いで除去されやすい粘性の低いものが望ましい。
【0021】
すなわち、P電極15とエッチング防止電極16とは異なるエッチング剤でエッチングされる。従ってP電極15をエッチングするガスあるいはエッチャントがエッチング防止電極16をエッチングすることはない。
【0022】
なお、エッチング防止電極16は、P電極15をエッチングしたときにウェハー11、拡散マスク12、リーク防止絶縁膜14をブロックすることができる厚みがあれば良い。そしてP電極15は厚みが薄い程エッチング時のばらつきが減りP電極15の異常エッチングを減らすことができる。ただし、後の工程で不具合の生じない程度の厚みは備える必要がある。
【0023】
図2(f)P電極15の上にレジスト17を、該P電極15全面に膜付けする。これにより、ウェハー11の全面に、エッチング防止電極16、P電極15、レジスト17の順序で積層される。
【0024】
図2(g)フォトリソグラフィーを行う。すなわち、所望の配線パターンの領域が切り取られた図示せぬマスクをレジスト17の上に載せ、露光する。ネガ形レジストを使用する場合、図示せぬホトリソマスク(ホトリソグラフィ用のマスク)のパターンは、エッチングしたい部分が影になって露光時の光を通さないようになっている。現像すると、エッチングしたい部分のレジスト17が取れ(いわゆるパターニング)、P電極15の表面が露出される。
【0025】
図2(h)P電極15を塩素系ドライエッチングでエッチングし、電極パターンを形成する。これにより、レジスト17で覆われた箇所を除いて、P電極15がウェハー11上から除去される。なお、エッチング防止電極16が拡散マスク12とウェハー11とリーク防止絶縁膜14とを覆っているので、ウェハー11と拡散マスク12との段差の部分、及び拡散マスク12とリーク防止絶縁膜14との段差の部分を横切ってエッチング防止電極16をウェハー11に付けるときに、上記段差の部分に図4に示すわずかな隙間20が形成されても、この隙間20にガスが入り込むことはない。
【0026】
図3(i)エッチング防止電極16を適切なエッチング方法でエッチングする。これによりレジスト17で覆われた箇所を除いてエッチング防止電極16がウェハー11上から除去される。なお、この適切なエッチング方法とは、エッチング防止電極16がTiであって、P電極15を塩素系ドライエッチングでエッチングした場合、CF4系ドライエッチン等でエッチングを行うことである。
【0027】
図3(j)所定の処理によってレジスト17をウェハー11上から除去する。そしてウェハー11の厚みを、ウェハー11の裏面側を研磨することにより調整する。その後、ウェハー11の裏面にN電極19を付け、Nシンターを行う。
【0028】
なお、上記工程において、エッチング後はどの工程においても発光ダイオードアレイ18の水洗いが行われる。
【0029】
以上の工程により発光ダイオードアレイ18が製造される。
【0030】
またP電極15をエッチャントとしてリン酸を用いたウエットエッチングでエッチングを行い、一方エッチング防止電極16をHF系ウエットエッチングでエッチングを行ってもよい。このようにP電極15をリン酸系のウエットエッチングでエッチングを行った場合、リン酸は粘性が高いので水洗いで除去されにくい。しかしながら、エッチング防止電極16が拡散マスク12とウェハー11とリーク防止絶縁膜14とを覆っているので、図4に示すような隙間20があってもこの隙間20にリン酸系のエッチャントが染み込むことはない。
【0031】
またたとえリン酸系のエッチャントが図4に示す隙間20にわずかに染み込んでも、該エッチャントとP電極15との間にはエッチング防止電極16が存在するので、P電極15をエッチングするエッチャントとP電極15とが接触することがない。従って、ウエットエッチングであってもP電極15がエッチングされてしまうことがない。
【0032】
以上本実施の形態においては、エッチング防止電極16が拡散マスク12とウェハー11とリーク防止絶縁膜14とを覆っているので、図4に示す隙間20にP電極15をエッチングするエッチング剤が入り込むことはない。従って、電流の通り路であるP電極15のエッチングしてはいけない箇所がエッチングされてしまうことがない。その結果、P電極15が切れてしまうことを防止することができる。
【0033】
なお、P電極15の塩素系ドライエッチングを行い、図4に示す隙間20に塩素系ガスが入り込むことがあっても、ガスなのでエッチング後の排気工程で速やかに隙間20内から排気される。また、わずかにガスが隙間20に残っても、エッチング防止電極16が存在するので、このガスはP電極15と接触することがない。従って、電流の通り路であるP電極15のエッチングしてはいけない箇所がエッチングされてしまうことがない。その結果、P電極15が切れてしまうことを防止することができる。
【0034】
またP電極15をリン酸系ウエットエッチングでエッチングを行い、図4に示す隙間20にリン酸系のエッチャントがわずかに染み込んでも、該エッチャントとP電極15との間にはエッチング防止電極16が存在するので、P電極15をエッチングするエッチャントとP電極15とが接触することがない。従って、ウエットエッチングであってもP電極15のエッチングしてはいけない箇所がエッチングされてしまうことがない。その結果、P電極15が切れてしまうことを防止することができる。
【0035】
更にP電極15をエッチングするエッチング剤は、Al系酸化物又はAl窒化物である拡散マスク12やGa系の基板であるウェハー11もまたエッチングする。それ故、P電極15をエッチングすると、拡散マスク12やウェハー11もまたエッチングされてしまう。しかしながら、P電極15を塩素系ドライエッチングでエッチングしている間(あるいはリン酸系ウエットエッチングでエッチングしている間)、エッチング防止電極16が拡散マスク12及びウェハー11を覆っているので、拡散マスク12やウェハー11が塩素系ドライエッチング(あるいはリン酸系ウエットエッチング)によりエッチングされてしまうことを防止することができる。
【0036】
更に塩素系ドライエッチンググレード又はP電極15の厚みのばらつきにより、P電極15のエッチングが早く終わる場所がある。その場所においてP電極15の下に存在するエッチング防止電極16により、P電極15よりも下に配置されている、拡散マスク12やウェハー11がエッチングされてしまうことを防止することができる。
【0037】
なお、エッチング防止電極16のエッチング時にHF系のウエットエッチングが行われた場合、ウエットなので図4に示す隙間20にHF系のエッチャントが染み込むことが懸念されるが、このHF系のエッチャントは通常Al系エッチングで使用されるリン酸に比べて粘性が低く、エッチング後の純水による水洗いの工程でほとんど除去されるので、隙間20に残ってしまうことがない。従って、エッチング防止電極16がエッチングされてしまうことを防止することができる。当然エッチング防止電極16をドライでエッチングすれば隙間20へガスの入り込みによるエッチング防止電極16がエッチングされてしまうことを更に防止することができる。
【0038】
なお、塩素系ドライエッチングにおいて、このドライエッチングはCDE(CHEMICAL DRY ETCHING)よりもアンダーカット(表面から横方向に向かって、エッチング部が広がる現象)の少ないRIE(REACTIVE ION ETCHING)で行うことで更にP電極15が切れてしまうことを防止することができる。なお、スパッタエッチングやイオンビームエッチングはアンダーカットが少ないが、下地との選択性が無く損傷も大きいのでプロセス上注意を要する。
【0039】
更に本実施の形態においては半導体装置として発光ダイオードアレイで説明してきたが、本発明は他の半導体装置にも応用することができる。
【0040】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、半導体基板と、上記半導体基板上に設けられ、上記半導体基板の所定領域を露出する開口部を有する拡散マスクと、上記開口部下に設けられた発光部と、上記発光部上から上記拡散マスク上に延在して設けられた第1の電極層と、上記第1の電極層の上に設けられた第2の電極層とを備え、上記拡散マスクは、上記第2の電極層として使用される物質を含有し、上記第1の電極層は、上記拡散マスクや上記第2の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされず、上記拡散マスクや第2の電極層は、上記第1の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされないことを特徴とすることにより、第2の電極層のエッチングしてはいけない箇所がエッチングされてしまうことがない。その結果、電極が切れてしまうことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態の発光ダイオードアレイの製造工程を示す説明図である。
【図2】実施の形態の発光ダイオードアレイの製造工程を示す説明図である。
【図3】実施の形態の発光ダイオードアレイの製造工程を示す説明図である。
【図4】実施の形態の発光ダイオードアレイを示す端面図である。
【図5】従来例の発光ダイオードアレイを示す平面図である。
【図6】図5のA−A端面矢視図である。
【図7】従来例の発光ダイオードアレイを示す平面図である。
【図8】図7のB−B端面矢視図である。
【符号の説明】
11 N型エピタキシャルウェハー
12 拡散マスク
14 リーク防止絶縁膜
15 P電極
16 エッチング防止電極
18 発光ダイオードアレイ
Claims (3)
- 半導体基板と、
上記半導体基板上に設けられ、上記半導体基板の所定領域を露出する開口部を有する拡散マスクと、
上記開口部下に設けられた発光部と、
上記発光部上から上記拡散マスク上に延在して設けられた第1の電極層と、
上記第1の電極層の上に設けられた第2の電極層とを備え、
上記拡散マスクは、上記第2の電極層として使用される物質を含有し、
上記第1の電極層は、上記拡散マスクや上記第2の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされず、
上記拡散マスクや第2の電極層は、上記第1の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされないことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に所定の物質を含有した化合物により拡散マスクを設ける工程と、
上記拡散マスクに上記半導体基板の所定領域を露出する開口部を形成する工程と、
上記開口部下に発光部を形成する工程と、
上記発光部上から上記拡散マスク上に延在して第1の電極層を設ける工程と、
上記第1の電極層上に上記所定の物質からなる第2の電極層を設ける工程と、
上記第1の電極層をエッチングしないが上記拡散マスクはエッチング可能な第1のエッチング剤で、上記第2の電極層を所定の形状にエッチングする工程と、
上記第2の電極層や上記拡散マスクはエッチングしない第2のエッチング剤で、上記第1の電極層を所定の形状にエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板と、
上記半導体基板上に設けられ、上記半導体基板の複数の所定領域を露出する複数の開口部を有する拡散マスクと、
上記各開口部下に設けられた複数の発光部と、
上記各発光部上から上記拡散マスク上に延在して設けられた複数の第1の電極層と、
上記各第1の電極層の上に設けられた第2の電極層とを備え、
上記拡散マスクは、上記第2の電極層として使用される物質を含有し、
上記第1の電極層は、上記拡散マスクや上記第2の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされず、
上記拡散マスクや第2の電極層は、上記第1の電極層をエッチングするエッチング剤でエッチングされないことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001138567A JP3887180B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 発光ダイオードアレイ、半導体装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001138567A JP3887180B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 発光ダイオードアレイ、半導体装置及び製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002334849A JP2002334849A (ja) | 2002-11-22 |
JP3887180B2 true JP3887180B2 (ja) | 2007-02-28 |
Family
ID=18985481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001138567A Expired - Fee Related JP3887180B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 発光ダイオードアレイ、半導体装置及び製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3887180B2 (ja) |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001138567A patent/JP3887180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002334849A (ja) | 2002-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3887180B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ、半導体装置及び製造方法 | |
US6194257B1 (en) | Fabrication method of gate electrode having dual gate insulating film | |
KR100215842B1 (ko) | 반도체 장치의 배선구조 및 방법 | |
EP0470258A1 (en) | Method of producing a mesa embedded type optical semiconductor device | |
JP3362650B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
EP0061700A2 (en) | Method for forming schottky-barrier diodes | |
KR100187676B1 (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
KR100426490B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
KR0138065B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
JP3563142B2 (ja) | pn接合素子の製造方法 | |
JPS647509B2 (ja) | ||
JP3945345B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100190371B1 (ko) | 반도체소자의소자분리산화막형성방법 | |
JP4678208B2 (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 | |
KR0166835B1 (ko) | 반도체 소자 격리형성 방법 | |
KR0135048B1 (ko) | 멀티스텝구조를 갖는 콘택부 및 그 형성방법 | |
KR100249167B1 (ko) | 격리막 형성 방법 | |
KR100338095B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
KR100297098B1 (ko) | 반도체소자의필드산화막형상방법 | |
KR0141106B1 (ko) | 반도체소자의제조방법 | |
JPH0595134A (ja) | Led素子の製造方法 | |
KR100237013B1 (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성 방법 | |
KR20000063964A (ko) | 반도체 소자 분리 공정을 위한 얕은 트렌치 형성 | |
KR100220236B1 (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
JP3850933B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061018 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20061018 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20061025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3887180 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091201 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101201 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101201 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131201 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |