JPH06103550A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH06103550A JPH06103550A JP24974992A JP24974992A JPH06103550A JP H06103550 A JPH06103550 A JP H06103550A JP 24974992 A JP24974992 A JP 24974992A JP 24974992 A JP24974992 A JP 24974992A JP H06103550 A JPH06103550 A JP H06103550A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる垂直磁
気記録媒体に関し、生産性に優れたスパッタリング法等
により厚く形成された軟磁性裏打ち層上に、垂直磁気ヘ
ッドとのギャップ損失を生じさせることなく高保磁力
で、垂直配向性の優れた垂直記録層を設けて磁気記録再
生特性を向上させることを目的とする。 【構成】 非磁性基板21上に軟磁性裏打ち層と垂直記録
層23とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性裏打ち層を、該基板側より第１軟磁性膜22a
、垂直記録層23と同様な結晶構造と垂直方向の結晶配
向性を有する非磁性膜22b 及び第２軟磁性膜22c を積層
した三層構成にして、該第２軟磁性膜22c 上に配設した
垂直記録層23の成長初期層より垂直方向への結晶配向性
と保磁力を向上させた構成とする。
気記録媒体に関し、生産性に優れたスパッタリング法等
により厚く形成された軟磁性裏打ち層上に、垂直磁気ヘ
ッドとのギャップ損失を生じさせることなく高保磁力
で、垂直配向性の優れた垂直記録層を設けて磁気記録再
生特性を向上させることを目的とする。 【構成】 非磁性基板21上に軟磁性裏打ち層と垂直記録
層23とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性裏打ち層を、該基板側より第１軟磁性膜22a
、垂直記録層23と同様な結晶構造と垂直方向の結晶配
向性を有する非磁性膜22b 及び第２軟磁性膜22c を積層
した三層構成にして、該第２軟磁性膜22c 上に配設した
垂直記録層23の成長初期層より垂直方向への結晶配向性
と保磁力を向上させた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は垂直磁化記録方式の磁気
ディスク装置に用いられる垂直磁気記録媒体に係り、特
に高密度記録化に好適な垂直磁気記録媒体に関するもの
である。
ディスク装置に用いられる垂直磁気記録媒体に係り、特
に高密度記録化に好適な垂直磁気記録媒体に関するもの
である。
【０００２】近年、コンピュータシステムにおける情報
処理量の増大により、磁気ディスク装置の大容量化及び
小型化等が要求されている。それに伴って磁気記録媒体
においては、従来の水平磁化記録方式の記録媒体に比べ
てより高密度記録が可能とされる垂直磁化記録方式の記
録媒体、即ち、高透磁率な軟磁性裏打ち層上に垂直磁気
異方性を有する垂直記録層を積層した二層膜構造の垂直
磁気記録媒体が提案され、実用化が進められている。
処理量の増大により、磁気ディスク装置の大容量化及び
小型化等が要求されている。それに伴って磁気記録媒体
においては、従来の水平磁化記録方式の記録媒体に比べ
てより高密度記録が可能とされる垂直磁化記録方式の記
録媒体、即ち、高透磁率な軟磁性裏打ち層上に垂直磁気
異方性を有する垂直記録層を積層した二層膜構造の垂直
磁気記録媒体が提案され、実用化が進められている。
【０００３】そのような垂直磁気記録媒体は、生産性の
観点から軟磁性裏打ち層とその上に設ける垂直記録層を
スパッタリング法等の同一薄膜形成工程により形成する
ことが望ましいが、記録再生効率を向上させるために軟
磁性裏打ち層の膜厚を厚くすると垂直記録層の磁気特性
（保磁力）が低下する傾向にある。このため、そのよう
な垂直記録層の磁気特性の低下を抑制し、記録再生特性
を向上させる媒体構造が必要とされている。
観点から軟磁性裏打ち層とその上に設ける垂直記録層を
スパッタリング法等の同一薄膜形成工程により形成する
ことが望ましいが、記録再生効率を向上させるために軟
磁性裏打ち層の膜厚を厚くすると垂直記録層の磁気特性
（保磁力）が低下する傾向にある。このため、そのよう
な垂直記録層の磁気特性の低下を抑制し、記録再生特性
を向上させる媒体構造が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】従来の垂直磁気記録媒体は、図４の要部
断面図に示すようにNiＰめっき等の表面処理を施したア
ルミニウム基板、或いはガラス基板等からなる非磁性基
板11上に、スパッタリング法、或いはめっき法等によ
り、例えば１μｍ程度の膜厚のNiFe膜からなる高透磁率
な軟磁性裏打ち層12と、0.15μｍ程度の膜厚のCoCr膜か
らなる垂直記録層13とを順に積層した構成からなり、必
要に応じて該垂直記録層13の表面に潤滑保護膜を被覆し
ている。
断面図に示すようにNiＰめっき等の表面処理を施したア
ルミニウム基板、或いはガラス基板等からなる非磁性基
板11上に、スパッタリング法、或いはめっき法等によ
り、例えば１μｍ程度の膜厚のNiFe膜からなる高透磁率
な軟磁性裏打ち層12と、0.15μｍ程度の膜厚のCoCr膜か
らなる垂直記録層13とを順に積層した構成からなり、必
要に応じて該垂直記録層13の表面に潤滑保護膜を被覆し
ている。
【０００５】そしてこの構成の垂直磁気記録媒体に対し
て記録・再生を行う垂直磁気ヘッドからの記録磁界は前
記垂直記録層13を垂直に磁化して通過し、その直下の前
記軟磁性裏打ち層12を水平に通って再び該垂直記録層13
を垂直に通過して前記垂直磁気ヘッド側へ帰還する磁気
回路により情報記録が行われ、また、既に記録された前
記垂直記録層13からの記録磁界を受けた垂直磁気ヘッド
の主磁極が磁化され、その主磁極と鎖交するコイルに生
じる電圧を再生信号として取り出すことによって再生を
行っている。
て記録・再生を行う垂直磁気ヘッドからの記録磁界は前
記垂直記録層13を垂直に磁化して通過し、その直下の前
記軟磁性裏打ち層12を水平に通って再び該垂直記録層13
を垂直に通過して前記垂直磁気ヘッド側へ帰還する磁気
回路により情報記録が行われ、また、既に記録された前
記垂直記録層13からの記録磁界を受けた垂直磁気ヘッド
の主磁極が磁化され、その主磁極と鎖交するコイルに生
じる電圧を再生信号として取り出すことによって再生を
行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記した二層
膜構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち
層12はスパッタリング法、またはめっき法により成膜さ
れ、垂直記録層13はスパッタリング法により成膜してい
るが、そのような垂直磁気記録媒体、或いは小型化によ
る小径の垂直磁気記録媒体を生産性良く得るためには、
前記軟磁性裏打ち層と垂直記録層とを同一の薄膜形成工
程により形成することが望ましい。
膜構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち
層12はスパッタリング法、またはめっき法により成膜さ
れ、垂直記録層13はスパッタリング法により成膜してい
るが、そのような垂直磁気記録媒体、或いは小型化によ
る小径の垂直磁気記録媒体を生産性良く得るためには、
前記軟磁性裏打ち層と垂直記録層とを同一の薄膜形成工
程により形成することが望ましい。
【０００７】また、良好な高密度の記録再生特性 (再生
出力、分解能) を得るためには軟磁性裏打ち層と垂直記
録層の磁気特性の向上が不可欠であり、更に当該垂直磁
気記録媒体と垂直磁気ヘッドとの組み合わせにより構成
される磁気回路系での記録再生効率を向上させるために
は、前記軟磁性裏打ち層の膜厚を可能な限り厚くするこ
とが望ましい。
出力、分解能) を得るためには軟磁性裏打ち層と垂直記
録層の磁気特性の向上が不可欠であり、更に当該垂直磁
気記録媒体と垂直磁気ヘッドとの組み合わせにより構成
される磁気回路系での記録再生効率を向上させるために
は、前記軟磁性裏打ち層の膜厚を可能な限り厚くするこ
とが望ましい。
【０００８】しかしながら、該軟磁性裏打ち層をスパッ
タリング法により形成する場合、図３において白丸印で
示すようにその膜厚の増加に従ってその軟磁性裏打ち層
上に設けた垂直記録層の保磁力(Hc)が低下するという問
題が生じる。
タリング法により形成する場合、図３において白丸印で
示すようにその膜厚の増加に従ってその軟磁性裏打ち層
上に設けた垂直記録層の保磁力(Hc)が低下するという問
題が生じる。
【０００９】このような現象は、軟磁性裏打ち層の成膜
時においてその膜厚が増加するに従って、結晶粒が成長
し、該軟磁性裏打ち層の表面状態が悪くなり、その軟磁
性裏打ち層上に設けた垂直記録層の成長初期層の保持力
が小さくなることに起因するためと考えられる。更に、
該垂直記録層の磁気的な垂直配向性も悪いことから当該
磁気記録媒体の書込み性や再生出力が低下する等、記録
再生特性が劣化するといった問題があった。
時においてその膜厚が増加するに従って、結晶粒が成長
し、該軟磁性裏打ち層の表面状態が悪くなり、その軟磁
性裏打ち層上に設けた垂直記録層の成長初期層の保持力
が小さくなることに起因するためと考えられる。更に、
該垂直記録層の磁気的な垂直配向性も悪いことから当該
磁気記録媒体の書込み性や再生出力が低下する等、記録
再生特性が劣化するといった問題があった。
【００１０】一方、そのような問題を解決するため、軟
磁性裏打ち層と垂直記録層との間に該垂直記録層と同一
な結晶構造と垂直な結晶配向性を有する非磁性のTi層を
介在させた構成が提案されている。ところが、そのよう
な非磁性のTi層を介在させることは、記録・再生時の軟
磁性裏打ち層と垂直磁気ヘッドの磁極先端との間隔がそ
の膜厚分だけ拡がり、記録再生特性におけるギャップ損
失が大きくなり、また記録再生効率が低下するという問
題があった。
磁性裏打ち層と垂直記録層との間に該垂直記録層と同一
な結晶構造と垂直な結晶配向性を有する非磁性のTi層を
介在させた構成が提案されている。ところが、そのよう
な非磁性のTi層を介在させることは、記録・再生時の軟
磁性裏打ち層と垂直磁気ヘッドの磁極先端との間隔がそ
の膜厚分だけ拡がり、記録再生特性におけるギャップ損
失が大きくなり、また記録再生効率が低下するという問
題があった。
【００１１】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、生
産性に優れたスパッタリング法等により厚く形成された
軟磁性裏打ち層上に、垂直磁気ヘッドとのギャップ損失
を生じさせることなく高保磁力で、垂直配向性の優れた
垂直記録層を設けて磁気記録再生特性の向上を図った新
規な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするもの
である。
産性に優れたスパッタリング法等により厚く形成された
軟磁性裏打ち層上に、垂直磁気ヘッドとのギャップ損失
を生じさせることなく高保磁力で、垂直配向性の優れた
垂直記録層を設けて磁気記録再生特性の向上を図った新
規な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性基板上に軟磁性裏打ち層と垂直記
録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性裏打ち層を、該基板側より第１軟磁性膜、非
磁性膜及び第２軟磁性膜とを積層した三層構成とし、該
第２軟磁性膜の膜厚を0.3 μｍ以下とした構成とする。
達成するため、非磁性基板上に軟磁性裏打ち層と垂直記
録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性裏打ち層を、該基板側より第１軟磁性膜、非
磁性膜及び第２軟磁性膜とを積層した三層構成とし、該
第２軟磁性膜の膜厚を0.3 μｍ以下とした構成とする。
【００１３】また、前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁
性膜が、垂直記録層と同様な結晶構造と垂直方向の結晶
配向性を有し、その膜厚を0.04μｍ以下にした構成とす
る。更に、前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁性膜がア
モルファス状の非磁性膜、或いはその非磁性膜の代わり
に、酸素プラズマ処理により形成された第１軟磁性膜の
酸化物表面層を設けた構成とする。
性膜が、垂直記録層と同様な結晶構造と垂直方向の結晶
配向性を有し、その膜厚を0.04μｍ以下にした構成とす
る。更に、前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁性膜がア
モルファス状の非磁性膜、或いはその非磁性膜の代わり
に、酸素プラズマ処理により形成された第１軟磁性膜の
酸化物表面層を設けた構成とする。
【００１４】
【作用】本発明では、軟磁性裏打ち層を、該非磁性基板
側より 0.5〜2.0 μｍの従来と同様な膜厚のNiFe膜から
なる第１軟磁性膜と、0.04μｍ以下の膜厚で、かつ垂直
記録層と同様な結晶構造と垂直方向の結晶配向性を有す
るTi膜、またはアモルファス状のカーボン膜からなる非
磁性膜及び0.30μｍ以下の膜厚のNiFe膜からなる第２軟
磁性膜とを積層した三層構成とし、その三層構成の軟磁
性裏打ち層と垂直記録層とをスパッタリング法により順
に積層した構成とすることにより、垂直記録層と同様な
結晶構造と垂直方向の結晶配向性を有する前記非磁性膜
上に設けた第２軟磁性膜の結晶粒の粒成長が抑制され、
該第２軟磁性膜上に配設された垂直記録層は成長初期層
より良好な垂直方向の結晶配向性と高保磁力を有し、そ
の磁気特性が向上する。
側より 0.5〜2.0 μｍの従来と同様な膜厚のNiFe膜から
なる第１軟磁性膜と、0.04μｍ以下の膜厚で、かつ垂直
記録層と同様な結晶構造と垂直方向の結晶配向性を有す
るTi膜、またはアモルファス状のカーボン膜からなる非
磁性膜及び0.30μｍ以下の膜厚のNiFe膜からなる第２軟
磁性膜とを積層した三層構成とし、その三層構成の軟磁
性裏打ち層と垂直記録層とをスパッタリング法により順
に積層した構成とすることにより、垂直記録層と同様な
結晶構造と垂直方向の結晶配向性を有する前記非磁性膜
上に設けた第２軟磁性膜の結晶粒の粒成長が抑制され、
該第２軟磁性膜上に配設された垂直記録層は成長初期層
より良好な垂直方向の結晶配向性と高保磁力を有し、そ
の磁気特性が向上する。
【００１５】また、前記非磁性膜は極めて薄いため、第
１軟磁性膜と第２軟磁性膜との間で磁気的な相互作用が
働くことから三層構成の軟磁性裏打ち層全体の軟磁気特
性が低下することはなく、その非磁性膜の磁気抵抗も直
接的に直列抵抗として作用しないので、当該垂直磁気記
録媒体と垂直磁気ヘッドとの組み合わせにより構成され
る磁気回路系での記録再生効率も低下することがないこ
とから、磁気記録再生特性の向上した垂直磁気記録媒体
が得られる。
１軟磁性膜と第２軟磁性膜との間で磁気的な相互作用が
働くことから三層構成の軟磁性裏打ち層全体の軟磁気特
性が低下することはなく、その非磁性膜の磁気抵抗も直
接的に直列抵抗として作用しないので、当該垂直磁気記
録媒体と垂直磁気ヘッドとの組み合わせにより構成され
る磁気回路系での記録再生効率も低下することがないこ
とから、磁気記録再生特性の向上した垂直磁気記録媒体
が得られる。
【００１６】更に、前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁
性膜の代わりに、第１軟磁性膜の表面を酸素プラズマで
処理し、形成された該第１軟磁性膜の酸化物表面層を設
けた構成とすることによっても、同様に成長初期層より
良好な垂直方向の結晶配向性と高保磁力を有する磁気特
性の向上した垂直記録層が得られ、良好な記録再生効率
と磁気記録再生特性の向上した垂直磁気記録媒体を得る
ことができる。
性膜の代わりに、第１軟磁性膜の表面を酸素プラズマで
処理し、形成された該第１軟磁性膜の酸化物表面層を設
けた構成とすることによっても、同様に成長初期層より
良好な垂直方向の結晶配向性と高保磁力を有する磁気特
性の向上した垂直記録層が得られ、良好な記録再生効率
と磁気記録再生特性の向上した垂直磁気記録媒体を得る
ことができる。
【００１７】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
一実施例を示す要部断面図である。
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
一実施例を示す要部断面図である。
【００１８】図において、21は中心に支持孔が設けら
れ、NiＰめっき等の表面処理を施したアルミニウム基
板、或いはガラス基板等からなる非磁性基板であり、こ
の非磁性基板11上にスパッタリング法により、例えば0.
5 〜2.0 μｍの膜厚のNiFe膜からなる第１軟磁性膜22a
と0.005 〜0.03μｍの膜厚で、かつ後述する垂直記録層
23と同様な結晶構造とその垂直配向性を有するTi膜、ま
たはアモルファス状のカーボン膜からなる非磁性膜22b
と0.05〜0.30μｍの膜厚のNiFe膜からなる第２軟磁性膜
22c とを順に積層した三層構成の軟磁性裏打ち層を設
け、その軟磁性裏打ち層上、即ち、第２軟磁性膜22c 上
に更に0.1 〜0.2 μｍの膜厚のCoCrTa膜からなる垂直記
録層23を設けた構成としている。なお、必要に応じて垂
直記録層23の表面に潤滑保護膜24を被覆している。
れ、NiＰめっき等の表面処理を施したアルミニウム基
板、或いはガラス基板等からなる非磁性基板であり、こ
の非磁性基板11上にスパッタリング法により、例えば0.
5 〜2.0 μｍの膜厚のNiFe膜からなる第１軟磁性膜22a
と0.005 〜0.03μｍの膜厚で、かつ後述する垂直記録層
23と同様な結晶構造とその垂直配向性を有するTi膜、ま
たはアモルファス状のカーボン膜からなる非磁性膜22b
と0.05〜0.30μｍの膜厚のNiFe膜からなる第２軟磁性膜
22c とを順に積層した三層構成の軟磁性裏打ち層を設
け、その軟磁性裏打ち層上、即ち、第２軟磁性膜22c 上
に更に0.1 〜0.2 μｍの膜厚のCoCrTa膜からなる垂直記
録層23を設けた構成としている。なお、必要に応じて垂
直記録層23の表面に潤滑保護膜24を被覆している。
【００１９】このような構成の垂直磁気記録媒体では、
前記軟磁性裏打ち層中の垂直記録層23と同様な結晶構造
とその垂直配向性を有する薄い膜厚の非磁性膜22b の存
在により該軟磁性裏打ち層上の垂直記録層23はその成長
初期層から優れた垂直方向の結晶配向性と図３に三角印
で示すように高保磁力を有してなり、その磁気特性が向
上する。
前記軟磁性裏打ち層中の垂直記録層23と同様な結晶構造
とその垂直配向性を有する薄い膜厚の非磁性膜22b の存
在により該軟磁性裏打ち層上の垂直記録層23はその成長
初期層から優れた垂直方向の結晶配向性と図３に三角印
で示すように高保磁力を有してなり、その磁気特性が向
上する。
【００２０】また、前記非磁性膜22b は極めて薄く、第
１軟磁性膜22a と第２軟磁性膜22cとの間で磁気的な相
互作用が働くため、軟磁性裏打ち層全体の軟磁気特性も
低下することがなので、良好な磁気記録再生効率と磁気
記録再生特性の向上した垂直磁気記録媒体を得ることで
きる。
１軟磁性膜22a と第２軟磁性膜22cとの間で磁気的な相
互作用が働くため、軟磁性裏打ち層全体の軟磁気特性も
低下することがなので、良好な磁気記録再生効率と磁気
記録再生特性の向上した垂直磁気記録媒体を得ることで
きる。
【００２１】なお、上記した構成の垂直磁気記録媒体を
製造する方法としては、前記非磁性基板21上に、スパッ
タ用供給電力のパワー密度を４〜８Ｗ／cm2 、反応ガス
圧を５〜10mTorr 、基板温度を 150〜200 ℃とするスパ
ッタ条件によるスパッタリング法により0.5 〜2.0 μｍ
の膜厚のNiFe膜からなる第１軟磁性膜22a と、その第１
軟磁性膜22a 上にスパッタ用供給電力のパワー密度を２
〜５Ｗ／cm2 、反応ガス圧を５〜10mTorr 、基板温度を
150〜200 ℃とするスパッタ条件によるスパッタリング
法により0.005 〜0.03μｍの膜厚のTi膜からなる非磁性
膜22b と、その非磁性膜22b 上にスパッタ用供給電力の
パワー密度を２〜５Ｗ／cm2 、反応ガス圧を５〜10mTor
r 、基板温度を 150〜200 ℃とするスパッタ条件による
スパッタリング法により0.05〜0.30μｍの膜厚のNiFe膜
からなる第２軟磁性膜22c とを順に形成し、この三層構
成の軟磁性裏打ち層上にスパッタ用供給電力のパワー密
度を２〜６Ｗ／cm2 、反応ガス圧を５〜20mTorr 、基板
温度を 150〜250 ℃とするスパッタ条件によるスパッタ
リング法により0.1 〜0.2 μｍの膜厚のCoCrTa膜からな
る垂直記録層23を形成し、必要に応じて更に前記垂直記
録層23の表面にスパッタカーボン膜等の潤滑保護膜24を
被覆することによって図１に示す所望の垂直磁気記録媒
体を得ることができる。
製造する方法としては、前記非磁性基板21上に、スパッ
タ用供給電力のパワー密度を４〜８Ｗ／cm2 、反応ガス
圧を５〜10mTorr 、基板温度を 150〜200 ℃とするスパ
ッタ条件によるスパッタリング法により0.5 〜2.0 μｍ
の膜厚のNiFe膜からなる第１軟磁性膜22a と、その第１
軟磁性膜22a 上にスパッタ用供給電力のパワー密度を２
〜５Ｗ／cm2 、反応ガス圧を５〜10mTorr 、基板温度を
150〜200 ℃とするスパッタ条件によるスパッタリング
法により0.005 〜0.03μｍの膜厚のTi膜からなる非磁性
膜22b と、その非磁性膜22b 上にスパッタ用供給電力の
パワー密度を２〜５Ｗ／cm2 、反応ガス圧を５〜10mTor
r 、基板温度を 150〜200 ℃とするスパッタ条件による
スパッタリング法により0.05〜0.30μｍの膜厚のNiFe膜
からなる第２軟磁性膜22c とを順に形成し、この三層構
成の軟磁性裏打ち層上にスパッタ用供給電力のパワー密
度を２〜６Ｗ／cm2 、反応ガス圧を５〜20mTorr 、基板
温度を 150〜250 ℃とするスパッタ条件によるスパッタ
リング法により0.1 〜0.2 μｍの膜厚のCoCrTa膜からな
る垂直記録層23を形成し、必要に応じて更に前記垂直記
録層23の表面にスパッタカーボン膜等の潤滑保護膜24を
被覆することによって図１に示す所望の垂直磁気記録媒
体を得ることができる。
【００２２】図２は本発明に係る垂直磁気記録媒体の他
の実施例を示す要部断面図であり、図１と同等部分には
同一符号を付している。この図で示す実施例が図１で示
す実施例と異なる点は、軟磁性裏打ち層を構成する非磁
性膜を、第１軟磁性膜32a の表面を酸素プラズマで処理
して形成された該第１軟磁性膜32a の酸化物表面層32b
に代えた点にあり、この場合、該酸化物表面層32b の膜
厚を容易に数10Åから100 Å程度に極めて薄く形成する
ことができ、磁気記録再生効率の面から有利となる。
の実施例を示す要部断面図であり、図１と同等部分には
同一符号を付している。この図で示す実施例が図１で示
す実施例と異なる点は、軟磁性裏打ち層を構成する非磁
性膜を、第１軟磁性膜32a の表面を酸素プラズマで処理
して形成された該第１軟磁性膜32a の酸化物表面層32b
に代えた点にあり、この場合、該酸化物表面層32b の膜
厚を容易に数10Åから100 Å程度に極めて薄く形成する
ことができ、磁気記録再生効率の面から有利となる。
【００２３】この実施例の構成によっても前記図１によ
る実施例と同様に垂直記録層23はその成長初期層から優
れた垂直方向の結晶配向性と図３に四角印で示すように
高保磁力を有し、その磁気特性が向上する。また、軟磁
性裏打ち層全体の軟磁気特性も低下することがないの
で、良好な磁気記録再生効率と磁気記録再生特性の向上
した垂直磁気記録媒体を得ることできる。
る実施例と同様に垂直記録層23はその成長初期層から優
れた垂直方向の結晶配向性と図３に四角印で示すように
高保磁力を有し、その磁気特性が向上する。また、軟磁
性裏打ち層全体の軟磁気特性も低下することがないの
で、良好な磁気記録再生効率と磁気記録再生特性の向上
した垂直磁気記録媒体を得ることできる。
【００２４】なお、非磁性基板としては、アルミニウム
基板、或いはガラス基板の他にセラミック等の基板を用
いてもよく、また、第１軟磁性膜、第２軟磁性膜及び垂
直記録層等の各層の材料も、それぞれの機能を果たせる
ものであれば特に限定されるものではない。更に各層の
形成条件等についても実施例に限定されるものではな
い。
基板、或いはガラス基板の他にセラミック等の基板を用
いてもよく、また、第１軟磁性膜、第２軟磁性膜及び垂
直記録層等の各層の材料も、それぞれの機能を果たせる
ものであれば特に限定されるものではない。更に各層の
形成条件等についても実施例に限定されるものではな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体によれば、軟磁性裏打ち層を三
層構成とし、その第２層目に垂直記録層と同様な結晶構
造と垂直方向の結晶配向性を有し、かつ第１層目の第１
軟磁性膜及び第３層目の第２軟磁性膜と異なる材料の薄
膜を設けることにより、該第２層目の薄膜上に設けた第
２軟磁性膜の結晶粒の粒成長が抑制され、該第２軟磁性
膜上に配設された垂直記録層は成長初期層より良好な垂
直方向の結晶配向性と高保磁力を有し、その磁気特性が
向上する。
に係る垂直磁気記録媒体によれば、軟磁性裏打ち層を三
層構成とし、その第２層目に垂直記録層と同様な結晶構
造と垂直方向の結晶配向性を有し、かつ第１層目の第１
軟磁性膜及び第３層目の第２軟磁性膜と異なる材料の薄
膜を設けることにより、該第２層目の薄膜上に設けた第
２軟磁性膜の結晶粒の粒成長が抑制され、該第２軟磁性
膜上に配設された垂直記録層は成長初期層より良好な垂
直方向の結晶配向性と高保磁力を有し、その磁気特性が
向上する。
【００２６】また、前記第２層目の薄膜は極めて薄く、
第１軟磁性膜と第２軟磁性膜との間で磁気的な相互作用
が働くため、軟磁性裏打ち層全体の軟磁気特性も低下し
ないので、良好な磁気記録再生効率と磁気記録再生特性
の向上した垂直磁気記録媒体を容易に実現することがで
きる優れた利点を有する。
第１軟磁性膜と第２軟磁性膜との間で磁気的な相互作用
が働くため、軟磁性裏打ち層全体の軟磁気特性も低下し
ないので、良好な磁気記録再生効率と磁気記録再生特性
の向上した垂直磁気記録媒体を容易に実現することがで
きる優れた利点を有する。
【００２７】従って、各層をスパッタリング法等の同一
成膜手段により形成することができるので生産性が向上
し、特に小径の小型な垂直磁気記録媒体に適用して低コ
スト化が実現できるなど、実用上の効果は大きい。
成膜手段により形成することができるので生産性が向上
し、特に小径の小型な垂直磁気記録媒体に適用して低コ
スト化が実現できるなど、実用上の効果は大きい。
【図１】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の一実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図２】 本発明に係る垂直磁気記録媒体の他の実施例
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図３】 垂直記録層の保磁力(Hc)の軟磁性裏打ち層膜
厚依存性を示す図である。
厚依存性を示す図である。
【図４】 従来の垂直磁気記録媒体を説明するための要
部断面図である。
部断面図である。
２１ 非磁性基板 ２２ａ，３２ａ 第１軟磁性膜 ２２ｂ 非磁性膜 ２２ｃ 第２軟磁性膜 ２３ 垂直記録層 ２４ 潤滑保護膜 ３２ｂ 酸化物表面層
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板(21)上に軟磁性裏打ち層と垂
直記録層(23)とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体に
おいて、 前記軟磁性裏打ち層を、該基板側より第１軟磁性膜(22
a) 、非磁性膜(22b) 及び第２軟磁性膜(22c) を積層し
た三層構成とし、該第２軟磁性膜(22c) の膜厚を0.3 μ
ｍ以下にしたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁性膜
(22b) が、垂直記録層(23)と同様な結晶構造と垂直方向
の結晶配向を有し、その膜厚を0.04μｍ以下にしたこと
を特徴とする請求項１の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁性膜
(22b) が、アモルファス状の非磁性膜からなることを特
徴とする請求項１の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記軟磁性裏打ち層を構成する非磁性膜
(22b) の代わりに、酸素プラズマ処理により形成された
第１軟磁性膜(32a) の酸化物表面層(32b) を設けたこと
を特徴とする請求項１の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974992A JPH06103550A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974992A JPH06103550A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103550A true JPH06103550A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17197652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24974992A Withdrawn JPH06103550A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103550A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686070B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media, magnetic recording apparatus |
| US6926974B2 (en) | 2000-05-23 | 2005-08-09 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6942936B2 (en) | 2002-08-14 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproduction apparatus |
| KR100738108B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록매체 |
| JP2010176748A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24974992A patent/JPH06103550A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686070B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media, magnetic recording apparatus |
| US7147941B2 (en) | 1999-11-26 | 2006-12-12 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media, magnetic recording apparatus |
| US7399540B2 (en) | 1999-11-26 | 2008-07-15 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media, magnetic recording apparatus |
| US6926974B2 (en) | 2000-05-23 | 2005-08-09 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7348078B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-03-25 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6942936B2 (en) | 2002-08-14 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproduction apparatus |
| KR100738108B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록매체 |
| JP2010176748A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |