JPH059073A - 温度補償用磁器組成物 - Google Patents
温度補償用磁器組成物Info
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- JPH059073A JPH059073A JP3185677A JP18567791A JPH059073A JP H059073 A JPH059073 A JP H059073A JP 3185677 A JP3185677 A JP 3185677A JP 18567791 A JP18567791 A JP 18567791A JP H059073 A JPH059073 A JP H059073A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成温度を１０５０℃以下にすることができ
る誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 ｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1-x Ｔｉ2 ）Ｏ2 ｝
（但しＭｅＯはＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内の少なくと
も１種の金属酸化物）で表わされる主成分に対してＬｉ
2 ＳｉＯ3 （ケイ酸リチウム）とＭＦ2 （但しＭＦ2 は
ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＭｇＦ2 の内の少なく
とも１種のアルカリ土類フッ化物）とを添加する。
る誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 ｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1-x Ｔｉ2 ）Ｏ2 ｝
（但しＭｅＯはＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内の少なくと
も１種の金属酸化物）で表わされる主成分に対してＬｉ
2 ＳｉＯ3 （ケイ酸リチウム）とＭＦ2 （但しＭＦ2 は
ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＭｇＦ2 の内の少なく
とも１種のアルカリ土類フッ化物）とを添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｕ（銅）等の卑金属を
内部電極とする積層磁器コンデンサに好適な温度補償用
磁器組成物に関する。
内部電極とする積層磁器コンデンサに好適な温度補償用
磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサの内部電極と
してＰｄ（パラジウム）等の貴金属が主として用いられ
てきた。しかし、近年、電極のコストダウンのために内
部電極を安価なＮｉ等の卑金属で形成することが検討さ
れている。卑金属の使用を可能にするためには、磁器組
成物が卑金属の融点以下で焼結しなければならない。内
部電極としてＮｉ（ニッケル）を使用したＪＩＳ規格の
ＣＨ〜ＵＪ特性等の温度補償用磁器コンデンサは、特開
昭６２−１３１４１２公報、特開昭６２−１３１４１３
号公報、特開昭６２−１３１４１４号公報、特開昭６２
−１３１４１５号公報、特開昭６３−２５４６０２号公
報、特開昭６３−２５４６０３号公報、特開昭６３−２
８１３０９号公報、特開昭６３−２８１３０８号公報等
に開示されている。上記の公報に開示されている誘電体
磁器組成物は、１２００℃以下の還元性雰囲気で焼結可
能である。
してＰｄ（パラジウム）等の貴金属が主として用いられ
てきた。しかし、近年、電極のコストダウンのために内
部電極を安価なＮｉ等の卑金属で形成することが検討さ
れている。卑金属の使用を可能にするためには、磁器組
成物が卑金属の融点以下で焼結しなければならない。内
部電極としてＮｉ（ニッケル）を使用したＪＩＳ規格の
ＣＨ〜ＵＪ特性等の温度補償用磁器コンデンサは、特開
昭６２−１３１４１２公報、特開昭６２−１３１４１３
号公報、特開昭６２−１３１４１４号公報、特開昭６２
−１３１４１５号公報、特開昭６３−２５４６０２号公
報、特開昭６３−２５４６０３号公報、特開昭６３−２
８１３０９号公報、特開昭６３−２８１３０８号公報等
に開示されている。上記の公報に開示されている誘電体
磁器組成物は、１２００℃以下の還元性雰囲気で焼結可
能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年電子回
路の高周波化が著しく、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高
周波に適した磁器コンデンサの要求が非常に強い。しか
しながら、Ｎｉは抵抗率が大きいので、Ｎｉ電極の抵抗
値が必然的に高くなり、またＮｉは強磁性体であるため
に高周波領域において表皮効果によるＮｉ電極の実効抵
抗値が増大する。この結果、Ｎｉ電極の磁器コンデンサ
は高周波領域でＱ値が著しく低下するという問題があっ
た。
路の高周波化が著しく、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高
周波に適した磁器コンデンサの要求が非常に強い。しか
しながら、Ｎｉは抵抗率が大きいので、Ｎｉ電極の抵抗
値が必然的に高くなり、またＮｉは強磁性体であるため
に高周波領域において表皮効果によるＮｉ電極の実効抵
抗値が増大する。この結果、Ｎｉ電極の磁器コンデンサ
は高周波領域でＱ値が著しく低下するという問題があっ
た。
【０００４】上述の問題を解決するために、抵抗率が小
さく、非磁性体で高周波特性に優れたＣｕ（銅）を使用
することが考えられる。しかし、Ｃｕの融点は１０８３
℃である為、上記公報に開示されている誘電体磁器組成
物によって緻密化が十分な磁器を得ることは困難であ
る。
さく、非磁性体で高周波特性に優れたＣｕ（銅）を使用
することが考えられる。しかし、Ｃｕの融点は１０８３
℃である為、上記公報に開示されている誘電体磁器組成
物によって緻密化が十分な磁器を得ることは困難であ
る。
【０００５】そこで、本発明の目的は１０５０℃以下の
還元性雰囲気で焼成可能な誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。
還元性雰囲気で焼成可能な誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、（１−α−β）｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1- x
Ｔｉx ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 （但し、
ＭｅＯはＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内の少なくとも１種
の金属酸化物、ＭＦ2 はＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも１種のアルカリ土類フ
ッ化物、αは０．０１〜０．０５の範囲の数値、βは
０．０１〜０．０５の範囲の数値、ｋは０．８〜１．３
の範囲の数値、ｘは０．３以下の数値）から成る温度補
償用磁器組成物に係わるものである。
の本発明は、（１−α−β）｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1- x
Ｔｉx ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 （但し、
ＭｅＯはＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内の少なくとも１種
の金属酸化物、ＭＦ2 はＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも１種のアルカリ土類フ
ッ化物、αは０．０１〜０．０５の範囲の数値、βは
０．０１〜０．０５の範囲の数値、ｋは０．８〜１．３
の範囲の数値、ｘは０．３以下の数値）から成る温度補
償用磁器組成物に係わるものである。
【０００７】
【作用】Ｌｉ2 ＳｉＯ3 ( ケイ酸リチウム）とアルカリ
土類フッ化物であるＭＦ2 （ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 ）を添加することによって、焼成時に低
温で液相が生じ、１０５０℃以下の焼成で緻密化された
磁器を得ることができる。
土類フッ化物であるＭＦ2 （ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 ）を添加することによって、焼成時に低
温で液相が生じ、１０５０℃以下の焼成で緻密化された
磁器を得ることができる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例に係わる誘
電体磁器組成物及びこれを使用した温度補償用磁器コン
デンサを説明する。 （１−α−β）｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 の組成式に従う４１種類の誘電体磁器組成物を得るため
に表１及び表２に示すように組成の異なる４１の試料を
用意した。表１において１−α−βの欄は組成式におけ
る主成分｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1-x Ｔｉx）Ｏ2 ｝の割
合をモル比で示す。ＭｅＯの内容の欄は、この金属酸化
物としてＣａＯ（酸化カルシウム）、ＢａＯ（酸化バリ
ウム）、ＳｒＯ（酸化ストロンチウム）を使用すること
及びこれ等の割合をモル比で示す。１−ｘ、及びｘの欄
は組成式におけるＺｒ（ジルコニウム）とＴｉ（チタ
ン）の割合をモル比で示す。ｋは組成式における（Ｍｅ
Ｏ）の割合を示す値である。表２におけるαは組成式に
おける第１の添加成分であるＬｉ2 ＳｉＯ3 （ケイ酸リ
チウム）の割合をモル比で示す。ＭＦ2 の欄は組成式に
おけるアルカリ土類フッ化物の内容（ＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、ＢａＦ2 、ＳｒＦ2 ）とこれ等のβ値（組成物全体
に対するモル比）を示す。βの欄はＭＦ2 の全体のβ値
即ち組成式におけるβの値を示す。表１及び表２の各欄
の値が与えられれば、本発明に関係する組成式を特定す
ることができる。
電体磁器組成物及びこれを使用した温度補償用磁器コン
デンサを説明する。 （１−α−β）｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 の組成式に従う４１種類の誘電体磁器組成物を得るため
に表１及び表２に示すように組成の異なる４１の試料を
用意した。表１において１−α−βの欄は組成式におけ
る主成分｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ1-x Ｔｉx）Ｏ2 ｝の割
合をモル比で示す。ＭｅＯの内容の欄は、この金属酸化
物としてＣａＯ（酸化カルシウム）、ＢａＯ（酸化バリ
ウム）、ＳｒＯ（酸化ストロンチウム）を使用すること
及びこれ等の割合をモル比で示す。１−ｘ、及びｘの欄
は組成式におけるＺｒ（ジルコニウム）とＴｉ（チタ
ン）の割合をモル比で示す。ｋは組成式における（Ｍｅ
Ｏ）の割合を示す値である。表２におけるαは組成式に
おける第１の添加成分であるＬｉ2 ＳｉＯ3 （ケイ酸リ
チウム）の割合をモル比で示す。ＭＦ2 の欄は組成式に
おけるアルカリ土類フッ化物の内容（ＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、ＢａＦ2 、ＳｒＦ2 ）とこれ等のβ値（組成物全体
に対するモル比）を示す。βの欄はＭＦ2 の全体のβ値
即ち組成式におけるβの値を示す。表１及び表２の各欄
の値が与えられれば、本発明に関係する組成式を特定す
ることができる。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】次に、試料NO. １に係わる誘電体磁器組成
物及びこれを使用した磁器コンデンサの製造方法を説明
する。試料NO. １の誘電体磁器組成物は次式で示すこと
ができる。 ０．９４｛（ＣａＯ）1.00（Ｚｒ0.98Ｔｉ0.02）Ｏ2 ｝＋０．０３Ｌｉ2 Ｓｉ Ｏ3 ＋０．０３ＣａＦ2 まず、この組成物の主成分 ０．９４｛（ＣａＯ）1.00（Ｚｒ0.98Ｔｉ0.02）Ｏ2 ｝ を得ることができるように純度９９％以上のＣａＣＯ3
（炭酸カルシウム）、ＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）、
ＴｉＯ2 （酸化チタン）を秤量した。
物及びこれを使用した磁器コンデンサの製造方法を説明
する。試料NO. １の誘電体磁器組成物は次式で示すこと
ができる。 ０．９４｛（ＣａＯ）1.00（Ｚｒ0.98Ｔｉ0.02）Ｏ2 ｝＋０．０３Ｌｉ2 Ｓｉ Ｏ3 ＋０．０３ＣａＦ2 まず、この組成物の主成分 ０．９４｛（ＣａＯ）1.00（Ｚｒ0.98Ｔｉ0.02）Ｏ2 ｝ を得ることができるように純度９９％以上のＣａＣＯ3
（炭酸カルシウム）、ＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）、
ＴｉＯ2 （酸化チタン）を秤量した。
【００１２】次に、秤量した主成分の原料を水及びジル
コニアボールと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混
合した。次に、この混合で得られたスラリーを、ステン
レスバットに入れ、熱風乾燥機で１５０℃、４時間乾燥
し、この乾燥物をトンネル炉に入れて大気中で１２００
℃、２時間仮焼し、 （１−α−β）｛（ＭｅＯ）k ｛（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ2 ｝ に従う主成分を得た。
コニアボールと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混
合した。次に、この混合で得られたスラリーを、ステン
レスバットに入れ、熱風乾燥機で１５０℃、４時間乾燥
し、この乾燥物をトンネル炉に入れて大気中で１２００
℃、２時間仮焼し、 （１−α−β）｛（ＭｅＯ）k ｛（Ｚｒ1-x Ｔｉx ）Ｏ2 ｝ に従う主成分を得た。
【００１３】次に、純度９９％以上の第１の添加成分と
してのＬｉ2 ＳｉＯ3 と第２の添加成分としてのＣａＦ
2 とをα＝０．０３、β＝０．０３になる割合に秤量
し、主成分｛（ＣａＯ）1.00（Ｚｒ0.98Ｔｉ0.02）
Ｏ2 ｝の粉末に添加し、これ等を水及びジルコニアボー
ルと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混合し、得ら
れたスラリーをステンレスバットに入れて熱風乾燥し、
誘電体磁器組成物（原料混合物）を得た。
してのＬｉ2 ＳｉＯ3 と第２の添加成分としてのＣａＦ
2 とをα＝０．０３、β＝０．０３になる割合に秤量
し、主成分｛（ＣａＯ）1.00（Ｚｒ0.98Ｔｉ0.02）
Ｏ2 ｝の粉末に添加し、これ等を水及びジルコニアボー
ルと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混合し、得ら
れたスラリーをステンレスバットに入れて熱風乾燥し、
誘電体磁器組成物（原料混合物）を得た。
【００１４】次に、原料混合物粉末に有機バインダーと
してポリビニルアルコールを３重量％加えて造粒し、こ
れを型に入れ、油圧プレスで２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板に成形した。次
に、この円板（成形体）に大気中５００℃で５時間の加
熱処理（脱バインダー処理）を施して有機バインダーを
焼失させた後、Ｈ2 （０．１％）＋Ｎ2（９９．９％）
の弱還元性雰囲気中で９４０℃、２時間焼成した。
してポリビニルアルコールを３重量％加えて造粒し、こ
れを型に入れ、油圧プレスで２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板に成形した。次
に、この円板（成形体）に大気中５００℃で５時間の加
熱処理（脱バインダー処理）を施して有機バインダーを
焼失させた後、Ｈ2 （０．１％）＋Ｎ2（９９．９％）
の弱還元性雰囲気中で９４０℃、２時間焼成した。
【００１５】次に、焼結した誘電体磁器円板の両面にＩ
ｎ−Ｇａ（インジウム−ガリウム）合金の導電ペースト
を塗布することによって、図１に示すように磁器円板１
と一対の電極２、３とから成るコンデンサを完成させ
た。
ｎ−Ｇａ（インジウム−ガリウム）合金の導電ペースト
を塗布することによって、図１に示すように磁器円板１
と一対の電極２、３とから成るコンデンサを完成させ
た。
【００１６】次に、完成した磁器コンデンサの比誘電率
εs 、Ｑ値、静電容量の温度係数ＴＣ、抵抗率ρを測定
した。表３は各試料の電気的諸特性と焼成温度を示す。
なお、電気的特性は次の条件で測定した。 （Ａ） 比誘電率εs は温度２５℃、周波数１ＭＨｚ、
電圧（実効値）１Ｖの条件でコンデンサの静電容量を測
定し、この測定結果と磁器円板の厚み及び電極面積から
計算で求めた。 （Ｂ） Ｑ値はεs と同一の条件で測定した。 （Ｃ） 静電容量の温度係数ＴＣ（ｐｐｍ／℃）は、コ
ンデンサの２５℃の容量Ｃ25と１２５℃の容量Ｃ125 を
測定し、次式で算出した。 ＴＣ（ｐｐｍ／℃）＝｛（Ｃ125 −Ｃ25）／Ｃ25｝×｛１／（１２５−２５） ｝×１０6 （Ｄ） 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２５℃におい
てＤＣ１ｋＶをコンデンサに１分間印加した後に抵抗値
を測定し、この測定値と寸法に基づいて計算で求めた。
εs 、Ｑ値、静電容量の温度係数ＴＣ、抵抗率ρを測定
した。表３は各試料の電気的諸特性と焼成温度を示す。
なお、電気的特性は次の条件で測定した。 （Ａ） 比誘電率εs は温度２５℃、周波数１ＭＨｚ、
電圧（実効値）１Ｖの条件でコンデンサの静電容量を測
定し、この測定結果と磁器円板の厚み及び電極面積から
計算で求めた。 （Ｂ） Ｑ値はεs と同一の条件で測定した。 （Ｃ） 静電容量の温度係数ＴＣ（ｐｐｍ／℃）は、コ
ンデンサの２５℃の容量Ｃ25と１２５℃の容量Ｃ125 を
測定し、次式で算出した。 ＴＣ（ｐｐｍ／℃）＝｛（Ｃ125 −Ｃ25）／Ｃ25｝×｛１／（１２５−２５） ｝×１０6 （Ｄ） 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２５℃におい
てＤＣ１ｋＶをコンデンサに１分間印加した後に抵抗値
を測定し、この測定値と寸法に基づいて計算で求めた。
【００１７】試料NO. ２〜４１についても、誘電体磁器
組成物の組成を表１及び表２に示すように変え、且つ焼
成温度を表３に示す値にした他は試料NO. １と同一の方
法で誘電体磁器円板及びコンデンサを作り、同一の方法
で電気的特性を測定した。但し、ＢａＯを得るために出
発原料として純度９９％以上のＢａＣＯ3 （炭酸バリウ
ム）を使用し、ＳｒＯを得るために純度９９％以上のＳ
ｒＣＯ3 （炭酸ストロンチウム）を使用した。
組成物の組成を表１及び表２に示すように変え、且つ焼
成温度を表３に示す値にした他は試料NO. １と同一の方
法で誘電体磁器円板及びコンデンサを作り、同一の方法
で電気的特性を測定した。但し、ＢａＯを得るために出
発原料として純度９９％以上のＢａＣＯ3 （炭酸バリウ
ム）を使用し、ＳｒＯを得るために純度９９％以上のＳ
ｒＣＯ3 （炭酸ストロンチウム）を使用した。
【００１８】
【表３】
【００１９】表３から明らかなように、試料NO. １の磁
器コンデンサのεs は３２、Ｑは７６００、ＴＣは２０
ｐｐｍ／℃、ρは２．７７×１０7 である。
器コンデンサのεs は３２、Ｑは７６００、ＴＣは２０
ｐｐｍ／℃、ρは２．７７×１０7 である。
【００２０】本発明では、１０５０℃以下で焼結可能で
あり、且つεs が３０以上、ＴＣが−７５０〜＋８０ｐ
ｐｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ・ｃ
ｍ以上の電気的特性を得ることができる誘電体磁器組成
物を目標としている。多くの試料は目標特性即ち所望特
性を満足するが、試料NO. １５、１６、２３、２４、２
８、３５、４０、４１は所望特性を満足しないので、比
較例である。
あり、且つεs が３０以上、ＴＣが−７５０〜＋８０ｐ
ｐｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ・ｃ
ｍ以上の電気的特性を得ることができる誘電体磁器組成
物を目標としている。多くの試料は目標特性即ち所望特
性を満足するが、試料NO. １５、１６、２３、２４、２
８、３５、４０、４１は所望特性を満足しないので、比
較例である。
【００２１】４１の試料の内で、NO. １〜NO. ９はＭｅ
Ｏとして使用することができる金属酸化物を示すもので
あり、NO. １０〜NO. １５はＴｉの割合（ｘ値）の適正
範囲を示すためのものであり、NO. １６〜NO. ２３はｋ
の値の適正範囲を示すためのものであり、NO. ２４〜N
O. ２８はαの値の適正範囲を示すものであり、NO. ２
９〜NO. ３４はＭＦ2 の種類の変化を示すものであり、
NO. ３５〜NO. ４１はβの値の適正範囲を示すものであ
る。
Ｏとして使用することができる金属酸化物を示すもので
あり、NO. １０〜NO. １５はＴｉの割合（ｘ値）の適正
範囲を示すためのものであり、NO. １６〜NO. ２３はｋ
の値の適正範囲を示すためのものであり、NO. ２４〜N
O. ２８はαの値の適正範囲を示すものであり、NO. ２
９〜NO. ３４はＭＦ2 の種類の変化を示すものであり、
NO. ３５〜NO. ４１はβの値の適正範囲を示すものであ
る。
【００２２】次に、本発明に係わる誘電体磁器組成物の
組成の限定理由を説明する。試料NO. １〜９から明らか
なように、金属酸化物ＭｅＯとしてＣａＯ、ＢａＯ、Ｓ
ｒＯの内のいずれか１種又は複数種の組み合せであって
も所望特性を得ることができる。
組成の限定理由を説明する。試料NO. １〜９から明らか
なように、金属酸化物ＭｅＯとしてＣａＯ、ＢａＯ、Ｓ
ｒＯの内のいずれか１種又は複数種の組み合せであって
も所望特性を得ることができる。
【００２３】ＺｒとＴｉとの和に対するＴｉの比率を示
すｘの値が、試料NO. １５に示すように０．４０の場合
にはＴＣが−１１００ｐｐｍ／℃と悪化するが、試料N
O. １４に示すようにｘの値が０．３０の場合には所望
特性が得られる。従って、ｘの上限値は０．３０であ
る。ｘの値を変化させてＺｒとＴｉの割合を変えると、
ＴＣが連続的に変化するが、ｘが０．３０以下の範囲で
は所望特性が得られる。試料NO. １０に示すように、ｘ
を零にして１−ｘを１．００としても所望特性が得られ
る。従って、ｘの範囲は０〜０．３０である。なお、１
−ｘの範囲は、必然的に０．７０〜１．００になる。
すｘの値が、試料NO. １５に示すように０．４０の場合
にはＴＣが−１１００ｐｐｍ／℃と悪化するが、試料N
O. １４に示すようにｘの値が０．３０の場合には所望
特性が得られる。従って、ｘの上限値は０．３０であ
る。ｘの値を変化させてＺｒとＴｉの割合を変えると、
ＴＣが連続的に変化するが、ｘが０．３０以下の範囲で
は所望特性が得られる。試料NO. １０に示すように、ｘ
を零にして１−ｘを１．００としても所望特性が得られ
る。従って、ｘの範囲は０〜０．３０である。なお、１
−ｘの範囲は、必然的に０．７０〜１．００になる。
【００２４】ｋの値が試料NO. １７に示すように０．８
０の場合には、所望の電気的特性を得ることができる
が、試料NO. １６に示すように０．７０の場合には、Ｑ
の値が急激に低下し、抵抗率ρも１×１０6 ＭΩ・ｃｍ
未満となる。従って、ｋの値の下限値は０．８０であ
る。一方、ｋの値が試料NO. ２２に示すように１．３０
の場合には所望の電気的特性が得られるが、試料NO. ２
３に示すように１．４０の場合には、１１００℃で焼成
しても緻密な焼結体が得られない。従って、ｋの値の上
限値は１．３０である。
０の場合には、所望の電気的特性を得ることができる
が、試料NO. １６に示すように０．７０の場合には、Ｑ
の値が急激に低下し、抵抗率ρも１×１０6 ＭΩ・ｃｍ
未満となる。従って、ｋの値の下限値は０．８０であ
る。一方、ｋの値が試料NO. ２２に示すように１．３０
の場合には所望の電気的特性が得られるが、試料NO. ２
３に示すように１．４０の場合には、１１００℃で焼成
しても緻密な焼結体が得られない。従って、ｋの値の上
限値は１．３０である。
【００２５】Ｌｉ2 ＳｉＯ3 の割合を示すαの値が試料
NO. ２５に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. ２４に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、αの値の下限値は０．０
１である。一方、αの値が試料NO. ２７に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ２８に示すように０．０６の場合には
Ｑ値が２０００未満、比抵抗ρも１×１０7 ＭΩ・ｃｍ
未満となる。従って、αの値の上限値は０．０５であ
る。
NO. ２５に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. ２４に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、αの値の下限値は０．０
１である。一方、αの値が試料NO. ２７に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ２８に示すように０．０６の場合には
Ｑ値が２０００未満、比抵抗ρも１×１０7 ＭΩ・ｃｍ
未満となる。従って、αの値の上限値は０．０５であ
る。
【００２６】ＭＦ2 の割合を示すβの値が試料NO. ３
６、３７に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. ３５に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、βの値の下限値は０．０
１である。一方、βの値が試料NO. ３９に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ４０、４１に示すように０．０６の場
合には、Ｑが２０００未満、比抵抗ρも１×１０7 ＭΩ
・ｃｍ未満となる。従って、βの値の上限値は０．０５
である。また、試料NO. ２９〜３４に示すように、ＭＦ
2 の成分としてはＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓｒ
Ｆ2 はほぼ同様に働き、これ等から選択された１つを使
用しても又は複数を使用しても同様な効果が得られる。
６、３７に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. ３５に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、βの値の下限値は０．０
１である。一方、βの値が試料NO. ３９に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ４０、４１に示すように０．０６の場
合には、Ｑが２０００未満、比抵抗ρも１×１０7 ＭΩ
・ｃｍ未満となる。従って、βの値の上限値は０．０５
である。また、試料NO. ２９〜３４に示すように、ＭＦ
2 の成分としてはＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓｒ
Ｆ2 はほぼ同様に働き、これ等から選択された１つを使
用しても又は複数を使用しても同様な効果が得られる。
【００２７】上述の実施例では試料としての磁器コンデ
ンサの作製を容易にするために、Ｉｎ−Ｇａ合金電極の
単層コンデンサを作製したが、この代りに本発明に従う
磁器組成物のグリーンシート（未焼結磁器シート）にＣ
ｕ（銅）ペーストを塗布して乾燥したものを積層し、こ
の成形体の焼成と電極の焼付を還元性又は非酸化性雰囲
気、１０５０℃以下の条件で同時に行い、図２に示すよ
うに複数の誘電体磁器層１ａ、１ｂ、１ｃの中に、Ｃｕ
から成る内部電極４、５を設け、更にこれに接続された
外部電極６、７を設けた構造の温度補償用積層磁器コン
デンサとすることができる。内部電極４、５を構成する
Ｃｕは抵抗率が低く且つ非磁性体であるので、高周波特
性に優れたコンデンサが得られる。
ンサの作製を容易にするために、Ｉｎ−Ｇａ合金電極の
単層コンデンサを作製したが、この代りに本発明に従う
磁器組成物のグリーンシート（未焼結磁器シート）にＣ
ｕ（銅）ペーストを塗布して乾燥したものを積層し、こ
の成形体の焼成と電極の焼付を還元性又は非酸化性雰囲
気、１０５０℃以下の条件で同時に行い、図２に示すよ
うに複数の誘電体磁器層１ａ、１ｂ、１ｃの中に、Ｃｕ
から成る内部電極４、５を設け、更にこれに接続された
外部電極６、７を設けた構造の温度補償用積層磁器コン
デンサとすることができる。内部電極４、５を構成する
Ｃｕは抵抗率が低く且つ非磁性体であるので、高周波特
性に優れたコンデンサが得られる。
【００２８】なお、本発明の目的を阻害しない範囲で、
微量のＭｎＯ2 （好ましくは０．０５〜０．３重量％）
等の鉱化剤を添加すると、更に焼結性を向上させること
ができる。また（ＭｅＯ）k （Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ2 を
作製するための出発原料としては実施例で示した以外の
酸化物、水酸化物又はその他の化合物を使用してもよ
い。
微量のＭｎＯ2 （好ましくは０．０５〜０．３重量％）
等の鉱化剤を添加すると、更に焼結性を向上させること
ができる。また（ＭｅＯ）k （Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ2 を
作製するための出発原料としては実施例で示した以外の
酸化物、水酸化物又はその他の化合物を使用してもよ
い。
【００２９】
【発明の効果】上述から明らかなように、本発明によれ
ば、還元性雰囲気中で１０５０℃以下で焼結が可能であ
り、且つεs が３０以上、ＴＣが−７５０〜＋８０ｐｐ
ｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ・ｃｍ
以上の電気的特性を有する温度補償用磁器コンデンサを
提供することが可能になる。
ば、還元性雰囲気中で１０５０℃以下で焼結が可能であ
り、且つεs が３０以上、ＴＣが−７５０〜＋８０ｐｐ
ｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ・ｃｍ
以上の電気的特性を有する温度補償用磁器コンデンサを
提供することが可能になる。
【図１】本発明の実施例に従う磁器コンデンサを示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に従う積層磁器コンデンサを示す断面図
である。
である。
１ 誘電体磁器円板 ２ 電極 ３ 電極
【表４】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （１−α−β）｛（ＭｅＯ）k （Ｚｒ
1-x Ｔｉx ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 （但し、ＭｅＯはＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内の少なく
とも１種の金属酸化物、 ＭＦ2 はＣａＦ2 、Ｓｒ
Ｆ2 、ＢａＦ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも１種のアル
カリ土類フッ化物、 αは０．０１〜０．０５の範囲の数値、 βは０．０１〜０．０５の範囲の数値、 ｋは０．８〜１．３の範囲の数値、 ｘは０．３以下の数値） から成る温度補償用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185677A JP2531547B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185677A JP2531547B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059073A true JPH059073A (ja) | 1993-01-19 |
| JP2531547B2 JP2531547B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=16174939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3185677A Expired - Fee Related JP2531547B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531547B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396681B2 (en) | 2000-04-07 | 2002-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251566A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 旭化成株式会社 | 誘電体組成物 |
| JPS62131415A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3185677A patent/JP2531547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251566A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 旭化成株式会社 | 誘電体組成物 |
| JPS62131415A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396681B2 (en) | 2000-04-07 | 2002-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531547B2 (ja) | 1996-09-04 |
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