JPH0590705A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH0590705A JPH0590705A JP27338891A JP27338891A JPH0590705A JP H0590705 A JPH0590705 A JP H0590705A JP 27338891 A JP27338891 A JP 27338891A JP 27338891 A JP27338891 A JP 27338891A JP H0590705 A JPH0590705 A JP H0590705A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】精度安定性良く微細な周期の回折格子が形成さ
れた光半導体装置である。 【構成】微細な周期を持つ回折格子を含むリッジ型ＤＢ
Ｒ半導体レーザのこの回折格子は次の如く形成される。
所望の周期より大きい周期の第１の回折格子を形成す
る。その上に全面に亙って格子形成材とは異なる異種材
料を塗布する。次に、この異種材料と格子形成材を同時
にエッチングして行き、異種材料と格子形成材の境でエ
ッチングレートの律速が起こるのを利用して第１の回折
格子の周期より小さい周期の回折格子１０を形成する。
れた光半導体装置である。 【構成】微細な周期を持つ回折格子を含むリッジ型ＤＢ
Ｒ半導体レーザのこの回折格子は次の如く形成される。
所望の周期より大きい周期の第１の回折格子を形成す
る。その上に全面に亙って格子形成材とは異なる異種材
料を塗布する。次に、この異種材料と格子形成材を同時
にエッチングして行き、異種材料と格子形成材の境でエ
ッチングレートの律速が起こるのを利用して第１の回折
格子の周期より小さい周期の回折格子１０を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回折格子構造を有する
半導体装置の特性改善に関し、特に光通信や、光計測分
野における０．８μｍ帯等の短波長帯光源やフィルタな
どの光半導体装置に関するものである。
半導体装置の特性改善に関し、特に光通信や、光計測分
野における０．８μｍ帯等の短波長帯光源やフィルタな
どの光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回折格子は、光エレクトロニクスの分野
において、フィルタ、光結合器、分布帰還型（ＤＦＢ）
レ−ザ、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レ−ザなどの種
々の光回路素子に用いられている。特に、ＤＦＢ、ＤＢ
Ｒレ−ザに代表される波長制御用ないし波長可変半導体
レ−ザに形成された回折格子は、レ−ザの共振器として
用いられる為、回折格子の周期、形状、深さはレ−ザ特
性（発振閾値、結合係数など）を決定する重要な因子で
あり、高精度の回折格子をこうしたレ−ザ中に制御性良
く作成することは重要な課題となっている。
において、フィルタ、光結合器、分布帰還型（ＤＦＢ）
レ−ザ、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レ−ザなどの種
々の光回路素子に用いられている。特に、ＤＦＢ、ＤＢ
Ｒレ−ザに代表される波長制御用ないし波長可変半導体
レ−ザに形成された回折格子は、レ−ザの共振器として
用いられる為、回折格子の周期、形状、深さはレ−ザ特
性（発振閾値、結合係数など）を決定する重要な因子で
あり、高精度の回折格子をこうしたレ−ザ中に制御性良
く作成することは重要な課題となっている。
【０００３】従来、回折格子の作成は、格子状ホトレジ
ストマスクの作成とエッチングとの２段階の方法で行わ
れている。ここで、光エレクトロニクス分野の回折格子
の周期は０. １〜１. ０μｍ程度と微細な為、ホトレジ
ストマスクの作成に従来の光リソグラフィ−技術を適用
することはできない。この為、ホログラフィックな露光
法が一般に用いられてきた。これはレ−ザ光の干渉を用
いた露光法であり、その工程を図６で説明する。
ストマスクの作成とエッチングとの２段階の方法で行わ
れている。ここで、光エレクトロニクス分野の回折格子
の周期は０. １〜１. ０μｍ程度と微細な為、ホトレジ
ストマスクの作成に従来の光リソグラフィ−技術を適用
することはできない。この為、ホログラフィックな露光
法が一般に用いられてきた。これはレ−ザ光の干渉を用
いた露光法であり、その工程を図６で説明する。
【０００４】この方法では、まず図６（ａ）の如く基板
５５にホトレジスト５６を塗布し、ここに十分に平行光
線とされた２つのレ−ザビ−ム５７、５８を２方向（図
示例では、垂線に対してθの角度をなす２方向）から照
射して干渉縞を作ってホトレジスト５６を周期的に露光
し、これを現像、ベ−クすることで図６（ｂ）のような
格子状のホトレジストマスク５９を作成する。次に、上
記ホトレジストマスク５９をエッチングマスクとして図
６（ｃ）のようにエッチング（ウエットまたはドライ）
し、その後エッチングマスクを剥離することにより図６
（ｄ）の如く基板５５に周期構造（回折格子）６０を転
写する。
５５にホトレジスト５６を塗布し、ここに十分に平行光
線とされた２つのレ−ザビ−ム５７、５８を２方向（図
示例では、垂線に対してθの角度をなす２方向）から照
射して干渉縞を作ってホトレジスト５６を周期的に露光
し、これを現像、ベ−クすることで図６（ｂ）のような
格子状のホトレジストマスク５９を作成する。次に、上
記ホトレジストマスク５９をエッチングマスクとして図
６（ｃ）のようにエッチング（ウエットまたはドライ）
し、その後エッチングマスクを剥離することにより図６
（ｄ）の如く基板５５に周期構造（回折格子）６０を転
写する。
【０００５】ホログラフィックな干渉露光法において
は、２つのレ−ザビ−ムの入射角度をθ、レ−ザビ−ム
の波長をλとすると、作成できる格子間隔Λ（図６
（ｂ）参照）は、Λ＝λ／２ｓｉｎθと表わせる。露光
用レ−ザとしては、Ａｒレ−ザ（λ＝３５１ｎｍ）また
はＨｅ−Ｃｄレ−ザ（λ＝３２５ｎｍ）が適している。
Λ≦０．２５μｍ程度のマスクを作るにはＨｅ−Ｃｄレ
−ザを用いる。
は、２つのレ−ザビ−ムの入射角度をθ、レ−ザビ−ム
の波長をλとすると、作成できる格子間隔Λ（図６
（ｂ）参照）は、Λ＝λ／２ｓｉｎθと表わせる。露光
用レ−ザとしては、Ａｒレ−ザ（λ＝３５１ｎｍ）また
はＨｅ−Ｃｄレ−ザ（λ＝３２５ｎｍ）が適している。
Λ≦０．２５μｍ程度のマスクを作るにはＨｅ−Ｃｄレ
−ザを用いる。
【０００６】一方、ＤＦＢ、ＤＢＲ半導体レ−ザの発振
波長λは、λ＝λ0／Ｎeff＝２Λ／ｍ（ｍ＝１，２，・
・・）で表わすことができる。ここで、λ0／Ｎeffは媒
質内でのブラッグ波長、Ｎeffは媒質の等価屈折率、Λ
はこの半導体レ−ザ中の回折格子の周期である。整数ｍ
＝１の場合が１次回折、ｍ＝２の場合が２次回折を意味
する。
波長λは、λ＝λ0／Ｎeff＝２Λ／ｍ（ｍ＝１，２，・
・・）で表わすことができる。ここで、λ0／Ｎeffは媒
質内でのブラッグ波長、Ｎeffは媒質の等価屈折率、Λ
はこの半導体レ−ザ中の回折格子の周期である。整数ｍ
＝１の場合が１次回折、ｍ＝２の場合が２次回折を意味
する。
【０００７】こうした半導体レ−ザにおいて、例えば、
ＧａＡｓを活性層とする短波長のものでは、回折格子の
周期Λは、発振波長を０．８μｍとすると上述の式から
（１次回折を利用する場合とする）約１１５０Å（０．
１１５μｍ ）にまで小さくなる。ｍ次回折を利用する
時でも、１１５０Åのｍ倍程度にしか大きくならない。
よって、回折格子作成の際に露光用レ−ザビ−ムの波長
を小さくすべく、Ｈｅ−Ｃｄレ−ザの波長λ＝３２５０
Å（３２５ｎｍ）を用いたとしても、空気中では１次回
折用の格子を作成することはできない。
ＧａＡｓを活性層とする短波長のものでは、回折格子の
周期Λは、発振波長を０．８μｍとすると上述の式から
（１次回折を利用する場合とする）約１１５０Å（０．
１１５μｍ ）にまで小さくなる。ｍ次回折を利用する
時でも、１１５０Åのｍ倍程度にしか大きくならない。
よって、回折格子作成の際に露光用レ−ザビ−ムの波長
を小さくすべく、Ｈｅ−Ｃｄレ−ザの波長λ＝３２５０
Å（３２５ｎｍ）を用いたとしても、空気中では１次回
折用の格子を作成することはできない。
【０００８】そこで、ＧａＡｓ系短波長ＤＦＢ、ＤＢＲ
半導体レ−ザの１次回折格子（周期Λ＝１３００Å以
下）の作成方法として、別のものが提案されており、代
表的なものとして、次の３つのものが上げられる。
半導体レ−ザの１次回折格子（周期Λ＝１３００Å以
下）の作成方法として、別のものが提案されており、代
表的なものとして、次の３つのものが上げられる。
【０００９】第１の方法として、試料を高屈折率媒質中
に浸して、その中で干渉露光を行って媒質の屈折率分だ
け回折格子の周期を短くする方法がある。
に浸して、その中で干渉露光を行って媒質の屈折率分だ
け回折格子の周期を短くする方法がある。
【００１０】第２の方法は、２光束干渉露光によって得
られた回折格子の周期を更に処理して半分にする。
られた回折格子の周期を更に処理して半分にする。
【００１１】第３の方法では、２光束干渉露光によっ
て、ホトレジストマスクを基板に形成しその上にＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）−ＣＶＤによりＳｉＮx膜
を成長させ、エッチング時間を調整することでレジスト
とＳｉＮx膜によるエッチングマスクを作成し、最初に
形成したホトレジストマスクの半分の回折格子を作成す
る方法がある。
て、ホトレジストマスクを基板に形成しその上にＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）−ＣＶＤによりＳｉＮx膜
を成長させ、エッチング時間を調整することでレジスト
とＳｉＮx膜によるエッチングマスクを作成し、最初に
形成したホトレジストマスクの半分の回折格子を作成す
る方法がある。
【００１２】従来の短波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、
ＤＢＲ半導体レ−ザ用の１次回折格子（周期Λ＝１３０
０Å以下）は、上述した３つの方法により作成したり、
若しくは、やむなく２次若しくは３次の回折格子を用い
ていた。
ＤＢＲ半導体レ−ザ用の１次回折格子（周期Λ＝１３０
０Å以下）は、上述した３つの方法により作成したり、
若しくは、やむなく２次若しくは３次の回折格子を用い
ていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上述べた短
波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、ＤＢＲ半導体レ−ザで
は、１次回折格子を用いた場合、次のような問題があっ
た。
波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、ＤＢＲ半導体レ−ザで
は、１次回折格子を用いた場合、次のような問題があっ
た。
【００１４】すなわち、第１の方法では、液体やその容
器等に起因する散乱や多重反射のために露光用ビ−ムの
光波面が乱れたり、装置の振動や空気の揺らぎの影響を
受け易くて回折格子の精度が悪くなると言う欠点があ
る。第２の方法では、エッチングマスクとしてホトレジ
スト膜を全面に形成した後の露光／現像条件の制御が厳
しく、面内でバラツキが生じて回折格子の精度が悪くな
る。また、第２のエッチング時に、ウエットエッチング
を用いるならば、基板の面方位が限定される及び回折格
子形状の不整が生じるという欠点が生じる。
器等に起因する散乱や多重反射のために露光用ビ−ムの
光波面が乱れたり、装置の振動や空気の揺らぎの影響を
受け易くて回折格子の精度が悪くなると言う欠点があ
る。第２の方法では、エッチングマスクとしてホトレジ
スト膜を全面に形成した後の露光／現像条件の制御が厳
しく、面内でバラツキが生じて回折格子の精度が悪くな
る。また、第２のエッチング時に、ウエットエッチング
を用いるならば、基板の面方位が限定される及び回折格
子形状の不整が生じるという欠点が生じる。
【００１５】第３の方法では、レジスト上のＳｉＮx膜
と基板上のＳｉＮx膜のエッチング条件の制御が難し
い。また、エッチング時、ウエットエッチングならば基
板の面方位が限定され、ドライエッチングならば、エッ
チングマスクがレジストとＳｉＮx膜との２種類の材料
で形成されている為、エッチングガスに対する耐性に差
が生じ回折格子形状の不整、深さや寸法の精度が悪くな
るという欠点がある。
と基板上のＳｉＮx膜のエッチング条件の制御が難し
い。また、エッチング時、ウエットエッチングならば基
板の面方位が限定され、ドライエッチングならば、エッ
チングマスクがレジストとＳｉＮx膜との２種類の材料
で形成されている為、エッチングガスに対する耐性に差
が生じ回折格子形状の不整、深さや寸法の精度が悪くな
るという欠点がある。
【００１６】以上のように、１次回折格子を作成する上
での形状の不整、深さや寸法精度が悪くなるという欠点
は、半導体レ−ザの特性に影響を及ぼし、レ−ザ光と回
折格子の結合係数の値が小さくなる、閾値電流の増加を
招く、量子効率の低下をきたす等の悪影響がある。ま
た、２次、３次の回折格子を用いた場合では、１次回折
格子と比較すると、レ−ザ光と回折格子の結合係数の値
が小さい、２次以上の高次回折による光の放射損失が大
きい。また、閾値電流の低下、量子効率の特性向上が困
難であるという欠点もある。
での形状の不整、深さや寸法精度が悪くなるという欠点
は、半導体レ−ザの特性に影響を及ぼし、レ−ザ光と回
折格子の結合係数の値が小さくなる、閾値電流の増加を
招く、量子効率の低下をきたす等の悪影響がある。ま
た、２次、３次の回折格子を用いた場合では、１次回折
格子と比較すると、レ−ザ光と回折格子の結合係数の値
が小さい、２次以上の高次回折による光の放射損失が大
きい。また、閾値電流の低下、量子効率の特性向上が困
難であるという欠点もある。
【００１７】従って、本発明は、上記問題点に鑑み、短
波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、ＤＢＲレ−ザ等の、１
次回折を利用した１次回折格子を有する半導体装置を提
供することを目的とする。
波長（λ＝０．８μｍ）ＤＦＢ、ＤＢＲレ−ザ等の、１
次回折を利用した１次回折格子を有する半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、第１の
周期の回折格子を形成するステップ、該回折格子を格子
部分と異種材料で被覆するステップ、該異種材料と該回
折格子の格子形成材とを同時にエッチングすることを含
むエッチングにより前記第１の周期と異なる第２の周期
の回折格子を形成するステップを有した回折格子の作成
方法を用いて作成した回折格子を具備した半導体装置に
よって達成される。
周期の回折格子を形成するステップ、該回折格子を格子
部分と異種材料で被覆するステップ、該異種材料と該回
折格子の格子形成材とを同時にエッチングすることを含
むエッチングにより前記第１の周期と異なる第２の周期
の回折格子を形成するステップを有した回折格子の作成
方法を用いて作成した回折格子を具備した半導体装置に
よって達成される。
【００１９】
【実施例】実施例１ 以下、本発明の第１実施例について説明する。図１は、
本発明をリッジ型ＤＢＲ半導体レ−ザに適用した時の作
製方法を示す説明図である。
本発明をリッジ型ＤＢＲ半導体レ−ザに適用した時の作
製方法を示す説明図である。
【００２０】例えば、ＭＢＥ装置等で、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２（厚さ、０５μ
ｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３（厚さ、１．５μ
ｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４（厚さ、０．１５
μｍ）、活性層５（ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）、ＡｌＧａＡｓ単一量子井戸（ＳＱＷ）、ＡｌＧａ
Ａｓバルク、ＧａＡｓバルク等：厚さ、〜０．１μ
ｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層６（厚さ、０．２５
μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７（厚さ、１．５
μｍ）、Ｐ型ＧａＡｓキャップ層８（厚さ、０．５μ
ｍ）を、順次、エピタキシャル成長させる。
板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２（厚さ、０５μ
ｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３（厚さ、１．５μ
ｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４（厚さ、０．１５
μｍ）、活性層５（ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）、ＡｌＧａＡｓ単一量子井戸（ＳＱＷ）、ＡｌＧａ
Ａｓバルク、ＧａＡｓバルク等：厚さ、〜０．１μ
ｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層６（厚さ、０．２５
μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７（厚さ、１．５
μｍ）、Ｐ型ＧａＡｓキャップ層８（厚さ、０．５μ
ｍ）を、順次、エピタキシャル成長させる。
【００２１】次に、フォトリソグラフィ−によりリッジ
のパタ−ニングを行った後、リアクティブイオンビ−ム
エッチング（以下ＲＩＢＥ）により１．９〜２．０μｍ
の深さを得る為のエッチングを行う。
のパタ−ニングを行った後、リアクティブイオンビ−ム
エッチング（以下ＲＩＢＥ）により１．９〜２．０μｍ
の深さを得る為のエッチングを行う。
【００２２】続いて、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部光ガイド層
６の手前まで除去する為に、例えば、塩酸＋過酸化水素
による選択エッチングを行う。こうしてリッジのパタ−
ンを得る。
６の手前まで除去する為に、例えば、塩酸＋過酸化水素
による選択エッチングを行う。こうしてリッジのパタ−
ンを得る。
【００２３】次に、ＤＢＲ領域（Ａ部）を形成するた
め、電流注入領域（Ｂ部）を保護する為のフォトリソグ
ラフィ−によるパタ−ニングを行う。この時、ＤＢＲ領
域（Ａ部）での光を閉じ込めるため、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ
上部光ガイド層６に〜０．１μｍ程度、ＲＩＢＥによる
エッチングを行う。続いて、ＤＢＲ領域（Ａ部）に残存
しているＰ型ＧａＡｓキャップ層８とＰ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層７のリッジ部を、例えば、沸騰塩酸による選
択エッチングにより除去する。こうしてＤＢＲ領域（Ａ
部）は、Ｐ型ＡｌＧａＡＳ上部光ガイド層６の〜０．１
μｍステップが残る面となる。
め、電流注入領域（Ｂ部）を保護する為のフォトリソグ
ラフィ−によるパタ−ニングを行う。この時、ＤＢＲ領
域（Ａ部）での光を閉じ込めるため、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ
上部光ガイド層６に〜０．１μｍ程度、ＲＩＢＥによる
エッチングを行う。続いて、ＤＢＲ領域（Ａ部）に残存
しているＰ型ＧａＡｓキャップ層８とＰ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層７のリッジ部を、例えば、沸騰塩酸による選
択エッチングにより除去する。こうしてＤＢＲ領域（Ａ
部）は、Ｐ型ＡｌＧａＡＳ上部光ガイド層６の〜０．１
μｍステップが残る面となる。
【００２４】続いて、電流注入領域Ｂのレジストマスク
を除去して、絶縁膜としてポリイミド９を全面にスピン
塗布する。次に、電流注入領域Ｂ以外のポリイミド９の
除去及び電流注入領域Ｂの注入域を形成するため、Ｏ2
プラズマエッチバック法によるアッシング（灰化）を行
った。ここで、ポリイミド９は、単に絶縁膜としてだけ
でなく、電極形成時の段切れを防ぐ層でもある。
を除去して、絶縁膜としてポリイミド９を全面にスピン
塗布する。次に、電流注入領域Ｂ以外のポリイミド９の
除去及び電流注入領域Ｂの注入域を形成するため、Ｏ2
プラズマエッチバック法によるアッシング（灰化）を行
った。ここで、ポリイミド９は、単に絶縁膜としてだけ
でなく、電極形成時の段切れを防ぐ層でもある。
【００２５】次に、１次回折格子の作成方法につき説明
する。この作成方法は、本発明者が特許願平成２年第４
０９７９４号で提案した作成方法を用いる。すなわち、
図２に示すように、まず初めに、所望の回折格子周期の
２倍となるような周期を持つ第１の回折格子１４を半導
体基板１５上に、図６で説明した従来のホログラフィッ
ク干渉法で作成する（図６（ａ））。詳細には以下の通
りである。
する。この作成方法は、本発明者が特許願平成２年第４
０９７９４号で提案した作成方法を用いる。すなわち、
図２に示すように、まず初めに、所望の回折格子周期の
２倍となるような周期を持つ第１の回折格子１４を半導
体基板１５上に、図６で説明した従来のホログラフィッ
ク干渉法で作成する（図６（ａ））。詳細には以下の通
りである。
【００２６】半導体基板１５を界面活性剤で洗浄し、次
に有機溶剤による超音波洗浄を２〜３回繰り返した後、
Ｎ2ブロ−で乾燥して２００℃、３０分の熱処理を基板
１５に行う。続いて、２光束干渉露光用のホトレジスト
層（商品ＡＺ−１３５０Ｊ：ヘキスト社製を所望な程度
希釈したもの）を基板１５全面に塗布形成し、８０℃の
乾燥をこれに行う。ホトレジスト層の厚さは６００Å〜
８００Å程度が適当である。
に有機溶剤による超音波洗浄を２〜３回繰り返した後、
Ｎ2ブロ−で乾燥して２００℃、３０分の熱処理を基板
１５に行う。続いて、２光束干渉露光用のホトレジスト
層（商品ＡＺ−１３５０Ｊ：ヘキスト社製を所望な程度
希釈したもの）を基板１５全面に塗布形成し、８０℃の
乾燥をこれに行う。ホトレジスト層の厚さは６００Å〜
８００Å程度が適当である。
【００２７】次に、Ｈｅ−Ｃｄレ−ザ（波長λ＝３２５
ｎｍ）による２光束干渉露光法で、上記ホトレジスト層
を所望の周期Λに対応する入射角度θで露光する。その
後、ホトレジスト層をＡＺ系の現像液で現像し、干渉露
光により生じた干渉縞の強度分布に応じた感光度合いに
対応したレジストパタ−ン（回折格子）を形成する。
ｎｍ）による２光束干渉露光法で、上記ホトレジスト層
を所望の周期Λに対応する入射角度θで露光する。その
後、ホトレジスト層をＡＺ系の現像液で現像し、干渉露
光により生じた干渉縞の強度分布に応じた感光度合いに
対応したレジストパタ−ン（回折格子）を形成する。
【００２８】続いて、上記レジストパタ−ンをエッチン
グマスクとして、半導体基板１５を、ウエットエッチン
グならば例えばＨ3ＰＯ4系やＮＨ4ＯＨ系のエッチング
液を用いて、ドライエッチングならばＣ１2系のガスを
用いてエッチングを行い、そしてエッチングマスク層を
除去することにより第１の回折格子１４を基板１５上に
得る（図２（ａ））。
グマスクとして、半導体基板１５を、ウエットエッチン
グならば例えばＨ3ＰＯ4系やＮＨ4ＯＨ系のエッチング
液を用いて、ドライエッチングならばＣ１2系のガスを
用いてエッチングを行い、そしてエッチングマスク層を
除去することにより第１の回折格子１４を基板１５上に
得る（図２（ａ））。
【００２９】次は、第１の回折格子１４の周期の半分の
周期を持つ第２の回折格子１７の作成工程である。初め
に、第１の回折格子１４のある半導体基板１５に有機溶
剤による超音波洗浄を２〜３回繰り返し施した後、Ｎ2
ブロ−で乾燥し９０℃、３０分の熱処理をこれに行う。
続いて、エッチングマスク層１６として、ホトレジスト
（商品名ＡＺ−１３５０Ｊ：ヘキスト社製）を所望の値
に希釈したものを半導体基板１５全面に塗布形成し、こ
れに対して８０℃、２０分の乾燥を施す（図２
（ｂ））。
周期を持つ第２の回折格子１７の作成工程である。初め
に、第１の回折格子１４のある半導体基板１５に有機溶
剤による超音波洗浄を２〜３回繰り返し施した後、Ｎ2
ブロ−で乾燥し９０℃、３０分の熱処理をこれに行う。
続いて、エッチングマスク層１６として、ホトレジスト
（商品名ＡＺ−１３５０Ｊ：ヘキスト社製）を所望の値
に希釈したものを半導体基板１５全面に塗布形成し、こ
れに対して８０℃、２０分の乾燥を施す（図２
（ｂ））。
【００３０】次に、Ｃ１2ガスによるリアクテイ ブイオ
ンビ−ムエッチング（ＲＩＢＥ）を用いて、適正時間エ
ッチングを行う。この時の条件は、到達真空度２×１０
-6Ｔｏｒｒ、Ｃ１2流量１５ＳＣＣＭ以下、エッチング
圧力７．５×１０-4Ｔｏｒｒ〜１．５×１０-3Ｔｏｒ
ｒ、イオン引出電圧４００Ｖであり、このエッチング条
件での半導体基板１５のエッチレ−トは１６００Å／ｍ
ｉｎであり、レジストマスク（エッチングマスク）１６
との選択比はほぼ４：１であった。
ンビ−ムエッチング（ＲＩＢＥ）を用いて、適正時間エ
ッチングを行う。この時の条件は、到達真空度２×１０
-6Ｔｏｒｒ、Ｃ１2流量１５ＳＣＣＭ以下、エッチング
圧力７．５×１０-4Ｔｏｒｒ〜１．５×１０-3Ｔｏｒ
ｒ、イオン引出電圧４００Ｖであり、このエッチング条
件での半導体基板１５のエッチレ−トは１６００Å／ｍ
ｉｎであり、レジストマスク（エッチングマスク）１６
との選択比はほぼ４：１であった。
【００３１】上記のエッチングにおいては、エッチング
過程で、全面に塗布形成されたエッチングマスク層１６
が最初にエッチングされて減っていき（図２（ｂ）、
（ｃ）参照）、下の半導体基板１５が露出したところ
で、エッチングマスク層１６と半導体基板１５との選択
比の差によりこのエッチングマスク層１６と半導体基板
１５の境でエッチングレ−トの律速が起こり、独特のエ
ッチングが進行する（図２（ｃ）、（ｄ）参照）。こう
して、初めに作成した第１の回折格子１４の周期の半分
の周期を持つ第２の回折格子１７が形成される。
過程で、全面に塗布形成されたエッチングマスク層１６
が最初にエッチングされて減っていき（図２（ｂ）、
（ｃ）参照）、下の半導体基板１５が露出したところ
で、エッチングマスク層１６と半導体基板１５との選択
比の差によりこのエッチングマスク層１６と半導体基板
１５の境でエッチングレ−トの律速が起こり、独特のエ
ッチングが進行する（図２（ｃ）、（ｄ）参照）。こう
して、初めに作成した第１の回折格子１４の周期の半分
の周期を持つ第２の回折格子１７が形成される。
【００３２】最後に、残存しているエッチングマスク層
１６を除去して、半導体基板１５に所望の周期の回折格
子１７を得る（図２（ｅ））。
１６を除去して、半導体基板１５に所望の周期の回折格
子１７を得る（図２（ｅ））。
【００３３】以上の如く、本実施例では、従来技術のホ
ログラフィック干渉法で得た回折格子１４にホトレジス
トを全面塗布し、これに露光、現像することなくそのま
まドライエッチングを施すという簡単な方法で、微細な
周期（初めの回折格子の周期の１／２の周期）の回折格
子を精度良く安定して得ることができる。
ログラフィック干渉法で得た回折格子１４にホトレジス
トを全面塗布し、これに露光、現像することなくそのま
まドライエッチングを施すという簡単な方法で、微細な
周期（初めの回折格子の周期の１／２の周期）の回折格
子を精度良く安定して得ることができる。
【００３４】こうして、ＤＢＲ領域（Ａ部）のＰ型Ａｌ
ＧａＡｓ上部光ガイド６上に１次回折格子１０を得る。
ＧａＡｓ上部光ガイド６上に１次回折格子１０を得る。
【００３５】次に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコ
ン膜１１を基板１全面（ＤＢＲ領域Ａ、電流注入領域
Ｂ）に形成し、電流注入領域Ｂのリッジの頂き部のみを
エッチングして注入域を形成した。続いて、ｎ型電極１
２及びＰ型電極１３を蒸着形成し、へき開により共振器
面を形成する。
ン膜１１を基板１全面（ＤＢＲ領域Ａ、電流注入領域
Ｂ）に形成し、電流注入領域Ｂのリッジの頂き部のみを
エッチングして注入域を形成した。続いて、ｎ型電極１
２及びＰ型電極１３を蒸着形成し、へき開により共振器
面を形成する。
【００３６】こうして、１次回折格子構造を有するリッ
ジ型ＤＢＲ半導体レ−ザを得る。
ジ型ＤＢＲ半導体レ−ザを得る。
【００３７】本第１実施例による１次回折格子構造を有
するリッジ型ＤＢＲ半導体レ−ザは、２次回折格子構造
を有するリッジ型ＤＢＲ半導体レ−ザに比べて、２次以
上の高次回折による放射損失をなくし、結合係数を大き
く取ることができ、閾値電流の低減、量子効率の向上等
を可能にした。
するリッジ型ＤＢＲ半導体レ−ザは、２次回折格子構造
を有するリッジ型ＤＢＲ半導体レ−ザに比べて、２次以
上の高次回折による放射損失をなくし、結合係数を大き
く取ることができ、閾値電流の低減、量子効率の向上等
を可能にした。
【００３８】実施例２ 以下、本発明の第２実施例について説明する。図３は本
発明をリッジ型ＤＦＢ半導体フィルタに適用した時の作
成方法を示す説明図である。
発明をリッジ型ＤＦＢ半導体フィルタに適用した時の作
成方法を示す説明図である。
【００３９】例えば、ＭＢＥ装置等でｎ型ＧａＡｓ基板
１８上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１９（厚さ、０．５
μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２０（厚さ、１．
５μｍ）、活性層２１（ＡｌＧａＡｓＭＱＷ、ＡｌＧａ
Ａｓバルク、ＧａＡｓバルク等 ：厚さ、０．１μ
ｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層２２（厚さ、０．１μ
ｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層２３（厚さ、０．２
μｍ）の順にエピタキシャル成長する。
１８上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１９（厚さ、０．５
μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２０（厚さ、１．
５μｍ）、活性層２１（ＡｌＧａＡｓＭＱＷ、ＡｌＧａ
Ａｓバルク、ＧａＡｓバルク等 ：厚さ、０．１μ
ｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層２２（厚さ、０．１μ
ｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層２３（厚さ、０．２
μｍ）の順にエピタキシャル成長する。
【００４０】次に、このＰ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層２
３上に、図２（ａ）〜（ｅ）の工程に従い所望の周期の
１次回折格子２４を形成する。続いて、例えば、液相成
長法により、１次回折格子２４を形成したＰ型ＡｌＧａ
Ａｓ光ガイド層２３上に、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
２５（厚さ、１．５μｍ）、Ｐ型ＧａＡｓキャップ層２
６（厚さ、０．３μｍ）の順に再度エピタキシャル成長
する。
３上に、図２（ａ）〜（ｅ）の工程に従い所望の周期の
１次回折格子２４を形成する。続いて、例えば、液相成
長法により、１次回折格子２４を形成したＰ型ＡｌＧａ
Ａｓ光ガイド層２３上に、Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
２５（厚さ、１．５μｍ）、Ｐ型ＧａＡｓキャップ層２
６（厚さ、０．３μｍ）の順に再度エピタキシャル成長
する。
【００４１】次にフォトリソグラフィ−によりリッジの
パタ−ニングを行った後、エッチングを行い、プラズマ
ＣＶＤ法により窒化シリコン膜２７を形成し、リッジの
頂き部のみをエッチングして注入域とした。リッジの
幅、すなわち注入域は３．０μｍである。続いて、Ｐ型
電極２８を蒸着形成し、ドライエッチングにより、電気
的に分離する溝を形成するため、Ｐ型ＧａＡｓキャップ
層２６の一部をエッチングして分離溝２９を得る。さら
に、ｎ型電極３０を蒸着形成し、ヘキ開により共振器面
を形成する。
パタ−ニングを行った後、エッチングを行い、プラズマ
ＣＶＤ法により窒化シリコン膜２７を形成し、リッジの
頂き部のみをエッチングして注入域とした。リッジの
幅、すなわち注入域は３．０μｍである。続いて、Ｐ型
電極２８を蒸着形成し、ドライエッチングにより、電気
的に分離する溝を形成するため、Ｐ型ＧａＡｓキャップ
層２６の一部をエッチングして分離溝２９を得る。さら
に、ｎ型電極３０を蒸着形成し、ヘキ開により共振器面
を形成する。
【００４２】更に、両共振器面に無反射コ−トを施し
て、１次回折格子構造を有するリッジ型ＤＦＢフィルタ
を得る。
て、１次回折格子構造を有するリッジ型ＤＦＢフィルタ
を得る。
【００４３】本第２実施例による１次回折格子構造を有
するリッジ型ＤＦＢフィルタは、２次回折格子構造を有
するリッジ型ＤＦＢフィルタに比べて、放射損失をなく
し結合係数を大きくとることができ、閾値電流の低減、
量子効率の向上、更には、飽和出力の増加が可能となっ
た。
するリッジ型ＤＦＢフィルタは、２次回折格子構造を有
するリッジ型ＤＦＢフィルタに比べて、放射損失をなく
し結合係数を大きくとることができ、閾値電流の低減、
量子効率の向上、更には、飽和出力の増加が可能となっ
た。
【００４４】実施例３ 以下、本発明の第３実施例について説明する。図４は本
発明をリッジ型ＤＦＢ半導体レ−ザに適用した時の作成
方法示す説明図である。
発明をリッジ型ＤＦＢ半導体レ−ザに適用した時の作成
方法示す説明図である。
【００４５】例えば、ＭＢＥ装置等で、ｎ型ＧａＡｓ基
板３１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３２（厚さ、０．
５μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３３（厚さ、
１．５μｍ）、活性層３４（ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸
（ＭＱＷ）、ＡｌＧａＡｓバルク、ＧａＡｓバルク等：
厚さ、〜０．１μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層３５
（厚さ、０．１μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３
６（厚さ、０．２μｍ）の順にエピタキシャル成長させ
る。
板３１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３２（厚さ、０．
５μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３３（厚さ、
１．５μｍ）、活性層３４（ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸
（ＭＱＷ）、ＡｌＧａＡｓバルク、ＧａＡｓバルク等：
厚さ、〜０．１μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓバリア層３５
（厚さ、０．１μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３
６（厚さ、０．２μｍ）の順にエピタキシャル成長させ
る。
【００４６】次に、このＰ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層３
６上に図２（ａ）〜（ｅ）に工程に従い所望のピッチの
１次回折格子３７を形成する。
６上に図２（ａ）〜（ｅ）に工程に従い所望のピッチの
１次回折格子３７を形成する。
【００４７】続いて、例えば、液相成長法により位相シ
フト型回折格子３７を形成したＰ型ＡｌＧａＡｓ光ガイ
ド層３６上にＰ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３８（厚さ、
１．５μｍ）、Ｐ型ＧａＡｓキャップ型３９（厚さ、
０．３μｍ）の順に再度エピタキシヤル成長する。
フト型回折格子３７を形成したＰ型ＡｌＧａＡｓ光ガイ
ド層３６上にＰ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３８（厚さ、
１．５μｍ）、Ｐ型ＧａＡｓキャップ型３９（厚さ、
０．３μｍ）の順に再度エピタキシヤル成長する。
【００４８】次に、フォトリソグラフィ−によりリッジ
パタ−ニングを行った後、エッチングを行い、プラズマ
ＣＶＤ法により窒化シリコン膜４０を形成し、リッジの
頂き部のみをエッチングして注入域とした。リッジの
幅、すなわち注入域は３．０μｍである。続いて、ｎ型
電極４１及びＰ型電極４２を蒸着形成し、ヘキ開により
共振器面を形成する。さらに、両共振器面に無反射コ−
トを施して、１次回折格子構造を有するリッジ型ＤＦＢ
レ−ザを得る。
パタ−ニングを行った後、エッチングを行い、プラズマ
ＣＶＤ法により窒化シリコン膜４０を形成し、リッジの
頂き部のみをエッチングして注入域とした。リッジの
幅、すなわち注入域は３．０μｍである。続いて、ｎ型
電極４１及びＰ型電極４２を蒸着形成し、ヘキ開により
共振器面を形成する。さらに、両共振器面に無反射コ−
トを施して、１次回折格子構造を有するリッジ型ＤＦＢ
レ−ザを得る。
【００４９】本第３実施例による１次回折格子構造を有
するリッジ型ＤＦＢレ−ザは、２次回折格子構造を有す
るリッジ型ＤＦＢレ−ザに比べて放射損失をなくし、結
合係数を大きくとることができ、閾値電流の低減、量子
効率の向上が可能となった。
するリッジ型ＤＦＢレ−ザは、２次回折格子構造を有す
るリッジ型ＤＦＢレ−ザに比べて放射損失をなくし、結
合係数を大きくとることができ、閾値電流の低減、量子
効率の向上が可能となった。
【００５０】実施例４ 以下、本発明の第４実施例について説明する。図５は、
本発明をＢＨ型ＤＦＢ半導体レ−ザに適用した時の作成
方法を示す説明図である。
本発明をＢＨ型ＤＦＢ半導体レ−ザに適用した時の作成
方法を示す説明図である。
【００５１】例えば、ＭＢＥ装置等で、ｎ型ＧａＡｓ基
板４３上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４４（厚さ、
１．５μｍ）、活性層４５（ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸
（ＭＱＷ）、ＡｌＧａＡｓバルク、ＧａＡｓバルク等：
厚さ、〜０．１μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓキャリアブロ
ック層４６（厚さ、０．０５μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ
光ガイド層４７（厚さ、０．２μｍ）の順にエピタキシ
ャル成長させる。
板４３上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４４（厚さ、
１．５μｍ）、活性層４５（ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸
（ＭＱＷ）、ＡｌＧａＡｓバルク、ＧａＡｓバルク等：
厚さ、〜０．１μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓキャリアブロ
ック層４６（厚さ、０．０５μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ
光ガイド層４７（厚さ、０．２μｍ）の順にエピタキシ
ャル成長させる。
【００５２】次に、上記Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４
７上に本発明の図２（ａ）〜（ｅ）の工程に従い、所望
のピッチの１次回折格子４８を形成する。
７上に本発明の図２（ａ）〜（ｅ）の工程に従い、所望
のピッチの１次回折格子４８を形成する。
【００５３】続いて、例えば、液相成長法により、１次
回折格子４８を形成したＰ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４
７上にＰ型ＡｌＧａＡｓ光クラッド層４９（厚さ、１．
５μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光キャップ層５０（厚さ、
０．３μｍ）の順にエピタキシャル成長させる。
回折格子４８を形成したＰ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４
７上にＰ型ＡｌＧａＡｓ光クラッド層４９（厚さ、１．
５μｍ）、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ光キャップ層５０（厚さ、
０．３μｍ）の順にエピタキシャル成長させる。
【００５４】次に、フォトリソグラフィ−により、中央
部で幅２．０μｍ程度のストライプをパタ−ニングし、
ｎ−ＧａＡｓ基板４３までエッチングを行いストライプ
状のエピタキシャル成長層を残し、他の部分を完全に除
去する。
部で幅２．０μｍ程度のストライプをパタ−ニングし、
ｎ−ＧａＡｓ基板４３までエッチングを行いストライプ
状のエピタキシャル成長層を残し、他の部分を完全に除
去する。
【００５５】続いて、再度、選択エピタキシャル成長法
でエピタキシャル成長層を除去した部分にＰ型ＡｌＧａ
Ａｓ埋め込み層５１（厚さ、２．０μｍ）、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ埋め込み層５２（厚さ、２．０μｍ）の順に成長
する。続いて、ｎ型電極５３およびＰ型電極５４を蒸着
形成し、ヘキ開により共振器面を形成する。さらに、両
共振器面に無反射コ−トを施して、１次回折格子構造を
有する埋め込み型ＤＦＢレ−ザを得る。
でエピタキシャル成長層を除去した部分にＰ型ＡｌＧａ
Ａｓ埋め込み層５１（厚さ、２．０μｍ）、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ埋め込み層５２（厚さ、２．０μｍ）の順に成長
する。続いて、ｎ型電極５３およびＰ型電極５４を蒸着
形成し、ヘキ開により共振器面を形成する。さらに、両
共振器面に無反射コ−トを施して、１次回折格子構造を
有する埋め込み型ＤＦＢレ−ザを得る。
【００５６】本第４実施例による１次回折格子構造を有
する埋め込み型ＤＦＢレ−ザは、２次回折格子構造を有
する埋め込み型ＤＦＢレ−ザに比べて、放射損失をなく
し、結合係数を大きくとることができ、閾値電流の低
減、量子効率の向上が可能となった。
する埋め込み型ＤＦＢレ−ザは、２次回折格子構造を有
する埋め込み型ＤＦＢレ−ザに比べて、放射損失をなく
し、結合係数を大きくとることができ、閾値電流の低
減、量子効率の向上が可能となった。
【００５７】他の実施例 以上、本発明を実施例に基づき説明したが、本発明は第
１〜第４実施例のみに限定されるものではなく、例え
ば、本実施例中、回折格子１４の形状は三角形を用いた
が、矩形、台形などでも良く最終的に求められる仕様に
応じて定めれば良く、形成方法も本質的に同じである。
また、上記実施例中の１次回折格子１７形成のためのマ
スク材は、ホトレジストに限定されず、ドライエッチン
グ時のエッチング条件に応じて材料を決めれば良い。
１〜第４実施例のみに限定されるものではなく、例え
ば、本実施例中、回折格子１４の形状は三角形を用いた
が、矩形、台形などでも良く最終的に求められる仕様に
応じて定めれば良く、形成方法も本質的に同じである。
また、上記実施例中の１次回折格子１７形成のためのマ
スク材は、ホトレジストに限定されず、ドライエッチン
グ時のエッチング条件に応じて材料を決めれば良い。
【００５８】さらに、エッチング法も、本実施例ではリ
アクティブイオンビ−ムエッチング法を用いたが、これ
に限定されず材料とエッチングの諸条件に合わせて選べ
ば、スパッタ、イオンミリング、リアクティブイオンエ
ッチング等を用いても良い。エッチングガスもＣｌ2に
限定されず、材料とエッチングの諸条件に合わせて選べ
ば良い。加えて、本実施例では、本発明をＤＢＲレ−
ザ、ＤＦＢレ−ザ、ＤＦＢフィルタに適用しているが、
これに限定されることはなく、その他の光素子、例え
ば、結合器等に広く適用可能である。
アクティブイオンビ−ムエッチング法を用いたが、これ
に限定されず材料とエッチングの諸条件に合わせて選べ
ば、スパッタ、イオンミリング、リアクティブイオンエ
ッチング等を用いても良い。エッチングガスもＣｌ2に
限定されず、材料とエッチングの諸条件に合わせて選べ
ば良い。加えて、本実施例では、本発明をＤＢＲレ−
ザ、ＤＦＢレ−ザ、ＤＦＢフィルタに適用しているが、
これに限定されることはなく、その他の光素子、例え
ば、結合器等に広く適用可能である。
【００５９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来の方法で形成された周期Λの回折格子を形成し
た後、これにホトレジスト等の異種材料を全面塗布し、
これをそのままドライエッチング等でエッチングして周
期Λ／２の微細な回折格子を形成するので、工程を短縮
できると共に、パタ−ン精度の安定性が向上でき、歩留
まりも向上して、短波長（λ＝０．８μｍ）帯の１次回
折格子が作成できる。よって、本発明の上記作製方法で
作製した１次回折格子を具備した光半導体装置、例え
ば、ＤＢＲ／ＤＦＢ半導体レ−ザでは、レ−ザ光と回折
格子との結合効率の向上が図られ放射損失が防止される
ため、 （１）閾値電流の低下 （２）量子効率の増加 を実現でき、短波長（λ＝０．８μｍ）帯の１次回折格
子を必要とされる光素子の特性を向上させることができ
る。
ば、従来の方法で形成された周期Λの回折格子を形成し
た後、これにホトレジスト等の異種材料を全面塗布し、
これをそのままドライエッチング等でエッチングして周
期Λ／２の微細な回折格子を形成するので、工程を短縮
できると共に、パタ−ン精度の安定性が向上でき、歩留
まりも向上して、短波長（λ＝０．８μｍ）帯の１次回
折格子が作成できる。よって、本発明の上記作製方法で
作製した１次回折格子を具備した光半導体装置、例え
ば、ＤＢＲ／ＤＦＢ半導体レ−ザでは、レ−ザ光と回折
格子との結合効率の向上が図られ放射損失が防止される
ため、 （１）閾値電流の低下 （２）量子効率の増加 を実現でき、短波長（λ＝０．８μｍ）帯の１次回折格
子を必要とされる光素子の特性を向上させることができ
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体レ−ザの作成
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図２】図１に示す回折格子の作成方法を示す工程断面
図。
図。
【図３】本発明第２実施例を示す半導体フィルタの作成
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図４】本発明の第３実施例を示す半導体レ−ザの作成
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図５】本発明の第３実施例を示す半導体レ−ザの作成
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図６】従来の回折格子の作成方法を示す工程断面図。
１，１５，１８，３１，４３：基板 ２，１９，３２：バッファ層 ３，７，２０，２５，３３，３８，４４，４９：クラッ
ド層 ４，６，２３，３６，４７：光ガイド層 ５，２１，３４，４５：活性層 ８，２６，３９，５０：キャップ層 ９：ポリイミド １０，２４，３７，４８：１次回折格子 １１，２７，４０：窒化シリコン膜 １２，３０，４１，５３：ｎ型電極 １３，２８，４２，５４：Ｐ型電極 １４：第１の回折格子 １６：エッチングマスク層 １７：第２の回折格子 ２２，３５：バリア層 ２９：分離溝 ４６：キャリアブロック層 ５１，５２：埋め込み層
ド層 ４，６，２３，３６，４７：光ガイド層 ５，２１，３４，４５：活性層 ８，２６，３９，５０：キャップ層 ９：ポリイミド １０，２４，３７，４８：１次回折格子 １１，２７，４０：窒化シリコン膜 １２，３０，４１，５３：ｎ型電極 １３，２８，４２，５４：Ｐ型電極 １４：第１の回折格子 １６：エッチングマスク層 １７：第２の回折格子 ２２，３５：バリア層 ２９：分離溝 ４６：キャリアブロック層 ５１，５２：埋め込み層
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の周期の回折格子を形成するステッ
プ、該回折格子を格子部分と異種の材料で被覆するステ
ップ、該異種材料と該回折格子の格子形成材とを同時に
エッチングすることを含むエッチングにより前記第１の
周期と異なる第２の周期の回折格子を形成するステップ
を有することを特徴とする回折格子の作成方法で作成し
た回折格子構造を有する光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27338891A JPH0590705A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27338891A JPH0590705A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590705A true JPH0590705A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17527204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27338891A Pending JPH0590705A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008048401A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-04-24 | The Regents Of The University Of California | Apparatus and process for aqueous cleaning of diffraction gratings with minimization of cleaning chemicals |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP27338891A patent/JPH0590705A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008048401A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-04-24 | The Regents Of The University Of California | Apparatus and process for aqueous cleaning of diffraction gratings with minimization of cleaning chemicals |
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