JPH0590403A - Cutting apparatus - Google Patents

Cutting apparatus

Info

Publication number
JPH0590403A
JPH0590403A JP33556891A JP33556891A JPH0590403A JP H0590403 A JPH0590403 A JP H0590403A JP 33556891 A JP33556891 A JP 33556891A JP 33556891 A JP33556891 A JP 33556891A JP H0590403 A JPH0590403 A JP H0590403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
liquid
cleaning liquid
rotary blade
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33556891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Narutoshi Ozawa
小澤成俊
Takayuki Kitano
北野孝之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Publication of JPH0590403A publication Critical patent/JPH0590403A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To discharge contaminant contained in cutting liquid entirely to the outside so that the contaminant is wrapped up together with the cutting liquid by providing a cleaning-liquid jetting nozzle in the vicinity of a rotary blade at a specified angle in such a way that the cleaning liquid is splashed back in the substantially same direction as the scattering cutting liquid. CONSTITUTION:A cleaning-liquid jetting nozzle 11 is arranged in the vicinity of a rotary blade 4 in order to immediately remove cutting liquid 20, which is scattering by the rotation of the rotary blade 4. Cleaning liquid 12 (e.g. pure water), which is jetted through the cleaning-liquid jetting nozzle 11, is made to hit on the surface of a semiconductor wafer 3 and splashed back. The cleaning-liquid jetting nozzle 11 is attached at a specified angle so that the direction of the splashed-back liquid becomes the substantially same direction as the scattering direction of the cutting liquid 20. Since the rotary blade 4 is rotated counterclockwise, the blade 4 is attached at the specified angle on the left side of a blade cover 10 by an adequate means. The rotation follows the index sending of the rotary blade together with the blade cover 10.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハのよう
な被加工物を回転ブレードによって切削する際に、切削
液と洗浄液とを供給しながら切削する切削装置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cutting device for cutting a workpiece such as a semiconductor wafer with a rotary blade while supplying a cutting liquid and a cleaning liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の切削装置としては、特公昭61
−12373号公報に開示されたダイシング装置が従来
例として知られている。このダイシング装置は、被加工
物である半導体ウェーハを保持する保持手段と、それに
保持された半導体ウェーハをサイの目状に切削する回転
ブレードと、半導体ウェーハと回転ブレードとに切削液
を供給する切削液供給手段と、半導体ウェーハの表面に
洗浄水の流れを形成する洗浄水供給管とを具備し、切削
液と洗浄水とを供給しながら半導体ウェーハを切削する
切削装置である。
2. Description of the Related Art As a cutting device of this type, Japanese Patent Publication Sho 61
The dicing device disclosed in Japanese Patent No. 12373 is known as a conventional example. This dicing device is a holding means for holding a semiconductor wafer which is a workpiece, a rotary blade for cutting the semiconductor wafer held therein in a dice pattern, and a cutting device for supplying cutting fluid to the semiconductor wafer and the rotary blade. A cutting device that includes a liquid supply unit and a cleaning water supply pipe that forms a flow of cleaning water on the surface of a semiconductor wafer, and that cuts the semiconductor wafer while supplying the cutting liquid and the cleaning water.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記従来例の切削装置
においては、半導体ウェーハの表面に洗浄水の流れを形
成しながら切削を行うものであるが、回転ブレードによ
って切削された切削屑、即ちコンタミの比重は水よりも
重く、洗浄水の流れだけでは半導体ウェーハの表面から
コンタミを完全に除去できない。半導体ウェーハの表面
には多数のリードフレーム接続用ボンディングパットや
CCD等が形成されており、このボンディングパットや
CCD等により比重の重いコンタミの流れが阻害され、
その結果一部のコンタミが半導体ウェーハの表面に付着
することになる。
In the conventional cutting device described above, the cutting is performed while forming the flow of the cleaning water on the surface of the semiconductor wafer. The specific gravity of is larger than that of water, and the flow of cleaning water alone cannot completely remove the contaminants from the surface of the semiconductor wafer. A large number of bonding pads for connecting lead frames, CCDs, etc. are formed on the surface of a semiconductor wafer, and these bonding pads, CCDs, etc. block the flow of contaminants with a high specific gravity,
As a result, some of the contaminants adhere to the surface of the semiconductor wafer.

【0004】このように、半導体ウェーハの表面に洗浄
水の流れを形成し切削液を供給しながら切削しても、一
部のコンタミが流出除去されないでボンディングパット
やCCD等に付着してしまい、切削終了後に純水等で洗
浄しても付着したコンタミは除去しきれず、その後のワ
イヤーボンディング等の加工の妨げになってしまう。従
って、従来においては、半導体ウェーハのボンディング
パットやCCD等にコンタミが付着しないように積極的
に除去すべき課題を有している。
As described above, even if the cleaning water is formed on the surface of the semiconductor wafer and cutting is performed while supplying the cutting liquid, some of the contaminants do not flow out and are removed and adhere to the bonding pad, the CCD or the like. Even if it is washed with pure water or the like after the completion of cutting, the adhered contaminants cannot be completely removed, which hinders the subsequent processing such as wire bonding. Therefore, conventionally, there is a problem that the semiconductor wafer should be positively removed so as to prevent the contamination from adhering to the bonding pad or the CCD of the semiconductor wafer.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
の具体的手段として、本発明は、少なくとも被加工物を
保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物
を切削する回転ブレードとを具備する切削装置であっ
て、前記被加工物の表面に対して洗浄液を噴射させ、且
つその噴射させた洗浄液が前記回転ブレードの回転に起
因して飛散する切削液の方向と実質的に同一方向に跳ね
返るように、所定の角度をもって洗浄液噴射ノズルを前
記回転ブレードの近傍に設けたことを要旨とするもので
ある。
As a concrete means for solving this problem, the present invention is to provide a holding means for holding at least a work piece, and a rotation for cutting the work piece held by the holding means. A cutting device comprising a blade, which sprays a cleaning liquid onto the surface of the workpiece, and the sprayed cleaning liquid has a direction substantially equal to the direction of the cutting liquid scattered due to the rotation of the rotary blade. The gist is that a cleaning liquid jet nozzle is provided in the vicinity of the rotary blade at a predetermined angle so as to bounce back in the same direction.

【0006】又、本発明は、回転ブレードと被加工物と
に切削液を供給する切削液供給ノズルを洗浄液噴射ノズ
ルとは別に設けるか、又は噴射ノズルから噴射される洗
浄液の一部を切削液として使用することで、切削液供給
ノズルを省略したことを要旨とするものである。更に、
本発明は、前記回転ブレードと一体となって移動するブ
レードカバーに、又は回転ブレードを挟むように少なく
とも二箇所に洗浄液噴射ノズルを設けると共に、切削液
が飛散する方向と実質的に同じ方向にエアーカーテンが
形成されるようにエアーカーテンノズルを設けるか、又
はウォーターカーテンが形成されるようにウォーターカ
ーテンノズルを設けたことを要旨とするものである。
Further, according to the present invention, a cutting fluid supply nozzle for supplying the cutting fluid to the rotary blade and the workpiece is provided separately from the cleaning fluid injection nozzle, or a part of the cleaning fluid ejected from the injection nozzle is used as the cutting fluid. The purpose is to omit the cutting fluid supply nozzle. Furthermore,
The present invention provides a cleaning liquid jet nozzle in at least two places so as to sandwich the rotating blade on the blade cover that moves integrally with the rotating blade, and also in the same direction as the direction in which the cutting liquid scatters. The gist is that an air curtain nozzle is provided so that a curtain is formed, or a water curtain nozzle is provided so that a water curtain is formed.

【0007】[0007]

【作 用】洗浄液噴射ノズルによって被加工物の表面に
対して洗浄液をぶつけるように噴射させ、且つその洗浄
液が表面で跳ね返って切削液の飛散する方向と実質的に
同一方向となるので、切削液の中に含まれるコンタミを
切削液と共に外側から包み込むようにして全面的に外部
に排出してしまい、比重が重いコンタミでも積極的に除
去されてボンディングパットやCCD等に付着しないの
である。
[Operation] The cleaning liquid is sprayed by the cleaning liquid spray nozzle so as to hit the surface of the work piece, and the cleaning liquid bounces on the surface and is substantially in the same direction as the scattering of the cutting liquid. The contaminants contained in the above are completely discharged together with the cutting fluid from the outside so that even the contaminants having a high specific gravity are positively removed and do not adhere to the bonding pad, CCD or the like.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図1及び図2に示した第1実施例において、
1は略示的に示した切削装置であり、被加工物である半
導体ウェーハ3を吸引保持して切削方向(図において左
右方向)に移動すると共に、水平面内で回転する保持手
段2を具備し、この保持手段2上に前記半導体ウェーハ
3を吸引保持して切削加工するようになっている。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. In the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2,
Numeral 1 is a cutting device schematically shown, which is equipped with a holding means 2 for sucking and holding a semiconductor wafer 3 as a workpiece to move in the cutting direction (left and right direction in the drawing) and rotating in a horizontal plane. The semiconductor wafer 3 is sucked and held on the holding means 2 for cutting.

【0009】4は回転ブレードであり、前記半導体ウェ
ーハ3の表面に形成された切削ライン(一般にはストリ
ートと称する)に沿って切削し、この回転ブレード4は
スピンドル5にナット等の適宜の固定手段で取り付けら
れ、上下動及び前記保持手段2に対して割り出し方向
に、つまり半導体ウェーハ3の各切削ラインに対応して
割り出し送りされる。
A rotary blade 4 is cut along a cutting line (generally called a street) formed on the surface of the semiconductor wafer 3, and the rotary blade 4 is fixed to the spindle 5 by a suitable fixing means such as a nut. And is moved up and down with respect to the holding means 2 in the indexing direction, that is, corresponding to each cutting line of the semiconductor wafer 3.

【0010】6は切削液供給手段であり、前記回転ブレ
ード4と半導体ウェーハ3の表面とに切削液20(例え
ば純水)を供給するものであり、ブレードカバー10に
装着され、回転ブレード4と共に移動するようになって
いる。
Reference numeral 6 denotes a cutting fluid supply means for supplying a cutting fluid 20 (for example, pure water) to the rotary blade 4 and the surface of the semiconductor wafer 3, which is mounted on the blade cover 10 and is provided together with the rotary blade 4. It is designed to move.

【0011】このような切削装置において、前記回転ブ
レード4の回転に起因して飛散する切削液20を直ちに
除去するために、回転ブレード4の近傍に洗浄液噴射ノ
ズル11が配設され、この洗浄液噴射ノズル11から噴
射された洗浄液12(例えば純水)は、前記半導体ウェ
ーハ3の表面に衝突して跳ね返り、その跳ね返った洗浄
液が前記飛散する切削液20の飛散方向と実質的に同一
方向となるように、前記洗浄液噴射ノズル11は所定の
角度をもって取り付けられている。
In such a cutting device, in order to immediately remove the cutting liquid 20 scattered due to the rotation of the rotary blade 4, a cleaning liquid jet nozzle 11 is arranged in the vicinity of the rotary blade 4, and the cleaning liquid jet nozzle 11 is provided. The cleaning liquid 12 (for example, pure water) sprayed from the nozzle 11 collides with the surface of the semiconductor wafer 3 and bounces back, and the bounced cleaning liquid is substantially in the same direction as the scattering direction of the scattering cutting liquid 20. Further, the cleaning liquid jet nozzle 11 is attached at a predetermined angle.

【0012】この洗浄液噴射ノズル11は、噴射した洗
浄液が前記回転ブレード4の回転に起因して切削液20
が飛散する方向と実質的に同一方向に跳ね返るように、
つまり図2に示した実施例においては回転ブレード4が
反時計回りなので、ブレードカバー10の左側に適宜の
手段で所定の角度をもって取り付けられ、そのブレード
カバー10と一緒に回転ブレード4の割り出し送りに追
従するようにしてある。
In the cleaning liquid jet nozzle 11, the jetted cleaning liquid is caused by the rotation of the rotary blade 4 to cause the cutting liquid 20.
So that it bounces in the same direction as the
That is, in the embodiment shown in FIG. 2, since the rotary blade 4 is counterclockwise, it is attached to the left side of the blade cover 10 by an appropriate means at a predetermined angle and used together with the blade cover 10 to index and feed the rotary blade 4. I am trying to follow.

【0013】この場合、洗浄液噴射ノズル11は前記回
転ブレード4を両側から挟むようにして二箇所に設けた
方が良い。その取り付け位置は、図示したようにブレー
ドカバー10の上方寄り又は下方寄りの何れでも良く、
要するに噴射された洗浄液12が半導体ウェーハ3の表
面にぶつかって跳ね返り、その跳ね返った洗浄液が回転
ブレード4の回転に起因して飛散する切削液20と実質
的に同一方向となるようにすれば良い。
In this case, it is preferable that the cleaning liquid jetting nozzles 11 are provided at two places so as to sandwich the rotary blade 4 from both sides. The mounting position may be either the upper side or the lower side of the blade cover 10 as shown in the figure,
In short, the sprayed cleaning liquid 12 hits the surface of the semiconductor wafer 3 and bounces back, and the bounced cleaning liquid 12 is in substantially the same direction as the cutting liquid 20 scattered due to the rotation of the rotary blade 4.

【0014】図3及び図4に示した第2実施例は、前記
洗浄液噴射ノズル11の他にエアーカーテン13を形成
するエアーカーテンノズル14と、ウォーターカーテン
15を形成するウォーターカーテンノズル16とを付加
した切削装置である。
In the second embodiment shown in FIGS. 3 and 4, an air curtain nozzle 14 for forming an air curtain 13 and a water curtain nozzle 16 for forming a water curtain 15 are added in addition to the cleaning liquid jet nozzle 11. It is a cutting device.

【0015】前記エアーカーテンノズル14又はウォー
ターカーテンノズル16の何れか一方が有れば足りる
が、双方を取り付けた方が効果の上から好ましい。これ
らノズルは前記洗浄液噴射ノズル11とほぼ同じ方向か
らエアー又はウォーターを噴射させ、エアーカーテン1
3又はウォーターカーテン15を形成して、前記洗浄液
12の噴射を付勢すると共に、半導体ウェーハ3の表面
で跳ね返った洗浄液及び切削液20の飛散を外側から包
み込んで効果的に排出させるようにしたものである。従
って、これらエアーカーテンノズル14又はウォーター
カーテンノズル16は、図示の実施例において前記洗浄
液噴射ノズル11の左側に位置させ、適宜の支持手段に
よって支持されている。
It is sufficient if either the air curtain nozzle 14 or the water curtain nozzle 16 is provided, but it is preferable to attach both of them for the effect. These nozzles inject air or water from almost the same direction as the cleaning liquid injection nozzle 11, and the air curtain 1
3 or a water curtain 15 is formed to energize the jetting of the cleaning liquid 12 and to wrap up the scattering of the cleaning liquid and the cutting liquid 20 rebounded on the surface of the semiconductor wafer 3 from the outside and effectively discharge them. Is. Therefore, the air curtain nozzle 14 or the water curtain nozzle 16 is located on the left side of the cleaning liquid jet nozzle 11 in the illustrated embodiment, and is supported by an appropriate supporting means.

【0016】図11及び図12に示す第3実施例は、実
質的には前記第1実施例と同じであるが、切削液供給手
段6が省略されている点が異なる。即ち、洗浄液噴射ノ
ズル11から噴射される洗浄液12の一部が回転ブレー
ド4と半導体ウェーハ3とに供給される切削液として使
用される。図11に示すように、洗浄液噴射ノズル11
はノズルブラケット11′に回転ブレード4を挟むよう
に一対取り付けられており、ノズルブラケット11′は
ブレードカバーブラケット10′にボルト30によって
角度調整可能に装着されている。
The third embodiment shown in FIGS. 11 and 12 is substantially the same as the first embodiment, except that the cutting fluid supply means 6 is omitted. That is, a part of the cleaning liquid 12 sprayed from the cleaning liquid spray nozzle 11 is used as the cutting liquid supplied to the rotary blade 4 and the semiconductor wafer 3. As shown in FIG. 11, the cleaning liquid injection nozzle 11
Are attached to the nozzle bracket 11 'so as to sandwich the rotary blade 4, and the nozzle bracket 11' is attached to the blade cover bracket 10 'by bolts 30 so that the angle can be adjusted.

【0017】適宜の角度に調整された洗浄液噴射ノズル
11から、例えば1.2リットル/分、水圧2.0Kg/
cm2 の洗浄液12(純水)が噴射されると、回転ブレー
ド4と半導体ウェーハ3との接触点を含む領域に洗浄液
が充分供給され、切削液としての機能を果たすと共にそ
の他の洗浄液によってコンタミを含む切削液が包み込ま
れるようにして半導体ウェーハ3上から切削液が飛散す
る方向へ排出される。このように構成された切削装置
は、洗浄液が切削液を兼ねるのでこれらの液である純水
を節約することができる。
From the cleaning liquid jetting nozzle 11 adjusted to an appropriate angle, for example, 1.2 liters / minute, water pressure 2.0 kg /
When the cleaning liquid 12 (pure water) of cm 2 is sprayed, the cleaning liquid is sufficiently supplied to the region including the contact point between the rotating blade 4 and the semiconductor wafer 3 to serve as a cutting liquid and to be contaminated by other cleaning liquids. The cutting fluid contained therein is wrapped in and discharged from above the semiconductor wafer 3 in a scattering direction. In the cutting device configured as described above, the cleaning liquid also serves as the cutting liquid, and thus it is possible to save pure water, which is the cleaning liquid.

【0018】洗浄液噴射ノズル11は、これに限定され
るものではないが、図12に示すように噴射孔11aか
ら噴射される洗浄液12が回転ブレード4を包み込むよ
うな円弧となるように曲面案内11bを有していること
が好ましい。前記第1、第2実施例において使用される
洗浄液噴射ノズル11も同様に曲面案内11bを有して
いることが好ましい。
The cleaning liquid jetting nozzle 11 is not limited to this, but as shown in FIG. 12, the curved surface guide 11b is formed so that the cleaning liquid 12 jetted from the jetting hole 11a forms an arc so as to enclose the rotary blade 4. It is preferable to have It is preferable that the cleaning liquid jet nozzle 11 used in the first and second embodiments also has a curved surface guide 11b.

【0019】何れにしても本発明は、回転ブレード4の
回転に起因して飛散するコンタミの混在している切削液
20を半導体ウェーハ3の表面から速やかに除去するた
めに、洗浄液噴射ノズル11を設けて洗浄液12を半導
体ウェーハ3の表面に噴射して衝突させ、且つ跳ね返っ
た洗浄液が切削液を全面的に包み込むようにして外部に
排出されるよう構成したことに本質的特徴を有するもの
で、前記第1乃至第3実施例に限定されるものではな
い。例えば、半導体ウェーハ3の上面に洗浄液を垂直に
供給するような供給手段を付加する等も自由である。
In any case, according to the present invention, in order to quickly remove the cutting fluid 20 mixed with the contamination scattered due to the rotation of the rotary blade 4 from the surface of the semiconductor wafer 3, the cleaning fluid injection nozzle 11 is used. The cleaning liquid 12 is provided and jetted onto the surface of the semiconductor wafer 3 to cause the cleaning liquid 12 to collide therewith, and the cleaning liquid that has bounced back is discharged to the outside so as to completely enclose the cutting liquid. The invention is not limited to the first to third embodiments. For example, it is also possible to add a supply means for supplying the cleaning liquid vertically to the upper surface of the semiconductor wafer 3.

【0020】(試験例)本発明に係る切削装置を実機に
配備して、実際にダイシングを行って試験をした。図5
は前記第2実施例の装置により、エアーカーテン及びウ
ォーターカーテンの両方を形成して半導体ウェーハを切
削した時のボンディングパット部を拡大したものである
が、コンタミの付着は殆ど見られなかった。
(Test Example) The cutting device according to the present invention was installed in an actual machine, and dicing was actually performed for a test. Figure 5
Shows an enlarged bonding pad portion when a semiconductor wafer is cut by forming both an air curtain and a water curtain by the apparatus of the second embodiment, but almost no contamination is observed.

【0021】図6は同じく第2実施例の装置により、エ
アーカーテンのみを形成して半導体ウェーハを切削した
時のボンディングパット部を拡大したものであるが、こ
の場合は僅かなコンタミの付着が見られた。
FIG. 6 is an enlarged view of the bonding pad portion when only the air curtain is formed and the semiconductor wafer is cut by the apparatus of the second embodiment. In this case, a slight contamination is observed. Was given.

【0022】図7も第2実施例の装置であって、ウォー
ターカーテンのみを形成して半導体ウェーハを切削した
時のボンディングパット部を拡大したものであり、これ
も僅かなコンタミの付着が見られた。
FIG. 7 also shows the apparatus of the second embodiment, which is an enlarged view of the bonding pad portion when only the water curtain is formed and the semiconductor wafer is cut, and this also shows slight adhesion of contamination. It was

【0023】図8は第1実施例の装置により、図13は
第3実施例の装置により、何れも洗浄水噴射ノズルを回
転ブレードを挟むようにして二箇所に配設して半導体ウ
ェーハを切削した時のボンディングパット部を拡大した
ものであり、これらの場合も僅かなコンタミの付着が見
られた。
FIG. 8 shows the apparatus according to the first embodiment, and FIG. 13 shows the apparatus according to the third embodiment. In both cases, the cleaning water jet nozzles are arranged at two positions with the rotary blade sandwiched therebetween to cut a semiconductor wafer. This is an enlarged view of the bonding pad part of No. 3, and in these cases, a slight amount of contamination was observed.

【0024】図9は第1実施例の装置で、洗浄水噴射ノ
ズルを回転ブレードの手前に一箇所配設して半導体ウェ
ーハを切削した時のボンディングパット部を拡大して示
したものであり、ある程度のコンタミの付着は見られた
が、ワイヤーボンディングの妨げとなる程多くはなかっ
た。
FIG. 9 is an enlarged view of a bonding pad portion when a semiconductor wafer is cut by arranging a cleaning water jet nozzle at one location in front of a rotary blade in the apparatus of the first embodiment. Although some contamination was observed, it was not so large as to hinder wire bonding.

【0025】図10は従来装置において、切削液を供給
しながら切削した後に洗浄した時のボンディングパット
部を拡大したものであるが、この場合にはワイヤーボン
ディングの妨げになる程多くのコンタミが付着している
のが見られた。
FIG. 10 is an enlarged view of the bonding pad portion when the cleaning is performed after cutting while supplying the cutting fluid in the conventional apparatus, but in this case, many contaminants are attached so as to hinder the wire bonding. I was seen doing.

【0026】これらの結果を見ると明らかなように、本
発明による切削装置を用いると半導体ウェーハのボンデ
ィングパット上にコンタミの付着が殆ど目立たないが、
従来装置ではボンディングパット上の特に周辺部に多く
のコンタミの付着が目立っていた。
As is clear from these results, when the cutting device according to the present invention is used, the adhesion of contaminants on the bonding pad of the semiconductor wafer is hardly noticeable.
In the conventional device, many contaminants were conspicuous on the bonding pad, especially in the peripheral area.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る切削
装置は少なくとも被加工物を保持する保持手段と、該保
持手段に保持された被加工物を切削する回転ブレードと
を具備する切削装置であって、前記被加工物の表面に対
して洗浄液を噴射させ、且つその噴射させた洗浄液が前
記回転ブレードの回転に起因して飛散する切削液の方向
と実質的に同一方向に跳ね返るように、所定の角度をも
って洗浄液噴射ノズルを前記回転ブレードの近傍に設け
たので、回転ブレードによって切削した際に飛散するコ
ンタミを混在した切削液が、洗浄液噴射ノズルから噴射
された洗浄液により外側から包み込まれるようにして除
去され、被加工物である半導体ウェーハにおけるICチ
ップ等のボンディングパット上に及びCCDの表面等に
コンタミが殆ど付着せず、その後の加工作業及び品質等
に悪影響を及ぼさない等の優れた効果を奏する。
As described above, the cutting device according to the present invention comprises at least a holding means for holding a workpiece and a rotary blade for cutting the workpiece held by the holding means. That is, the cleaning liquid is sprayed onto the surface of the workpiece, and the sprayed cleaning liquid rebounds in substantially the same direction as the direction of the cutting liquid scattered due to the rotation of the rotary blade. Since the cleaning liquid jet nozzle is provided in the vicinity of the rotary blade at a predetermined angle, the cutting liquid mixed with the contaminants scattered when cutting by the rotary blade is wrapped from the outside by the cleaning liquid jetted from the cleaning liquid jet nozzle. Almost no contamination is left on the bonding pads such as IC chips on the semiconductor wafer which is the workpiece and on the surface of the CCD. Without the excellent effects such as not adversely affect the subsequent processing operations and quality, and the like.

【0028】又、本発明においては、洗浄液噴射ノズル
と共に切削液が飛散する方向と実質的に同じ方向にエア
ーカーテンを形成するエアーカーテンノズル又は(及
び)ウォーターカーテンが形成されるようにウォーター
カーテンノズルを設ける構成により、コンタミを含む切
削液及び洗浄液を全面的に外部から包み込むようにして
更に効果的に外部に排出すると云った効果が得られる。
Further, in the present invention, an air curtain nozzle or (and) a water curtain nozzle that forms an air curtain in a direction substantially the same as the direction in which the cutting fluid scatters together with the cleaning fluid injection nozzle is formed. By providing the structure, the effect that the cutting fluid containing the contamination and the cleaning fluid are completely covered from the outside to be more effectively discharged to the outside can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る第1実施例の切削装置を略示し
た平面図である。
FIG. 1 is a plan view schematically showing a cutting device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 同、略示の側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the same.

【図3】 本発明に係る第2実施例の切削装置を略示し
た平面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a cutting device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 同、略示の側面図である。FIG. 4 is a schematic side view of the same.

【図5】 本発明に係る第2実施例の切削装置により、
エアーカーテンとウォーターカーテンとの両方を形成し
て切削した時の半導体ウェーハのボンディングパット部
の拡大平面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a cutting device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an enlarged plan view of a bonding pad portion of a semiconductor wafer when both an air curtain and a water curtain are formed and cut.

【図6】 本発明に係る第2実施例の切削装置により、
エアーカーテンのみを形成して切削した時の半導体ウェ
ーハのボンディングパット部の拡大平面図である。
FIG. 6 shows a cutting device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an enlarged plan view of a bonding pad portion of a semiconductor wafer when only an air curtain is formed and cut.

【図7】 本発明に係る第2実施例の切削装置により、
ウォーターカーテンのみを形成して切削した時の半導体
ウェーハのボンディングパット部の拡大平面図である。
FIG. 7 is a diagram showing a cutting device according to a second embodiment of the present invention.
It is an enlarged plan view of a bonding pad portion of a semiconductor wafer when only a water curtain is formed and cut.

【図8】 本発明に係る第1実施例の切削装置により、
切削した時の半導体ウェーハのボンディングパット部の
拡大平面図である。
FIG. 8 is a diagram showing the cutting device according to the first embodiment of the present invention.
It is an enlarged plan view of a bonding pad portion of a semiconductor wafer when cut.

【図9】 従来装置により、半導体ウェーハ上に洗浄水
の流れを形成しながら切削した時のボンディングパット
部の拡大平面図である。
FIG. 9 is an enlarged plan view of a bonding pad portion when cutting is performed while forming a flow of cleaning water on a semiconductor wafer by a conventional device.

【図10】従来装置により、切削液を供給して半導体ウ
ェーハを切削した後に洗浄した時のボンディングパット
部の拡大平面図である。
FIG. 10 is an enlarged plan view of a bonding pad portion when the semiconductor wafer is cut and then washed by a conventional apparatus.

【図11】本発明に係る第3実施例の切削装置を略示し
た平面図である。
FIG. 11 is a plan view schematically showing a cutting device according to a third embodiment of the present invention.

【図12】同、略示の正面図である。FIG. 12 is a schematic front view of the same.

【図13】本発明に係る第3実施例の切削装置により、
切削した時の半導体ウェーハのボンディングパット部の
拡大平面図である。
FIG. 13 is a diagram showing a cutting device according to a third embodiment of the present invention.
It is an enlarged plan view of a bonding pad portion of a semiconductor wafer when cut.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ダイシング装置 2…保持手段 3…半導体ウ
ェーハ 4…回転ブレード 5…スピンドル 6
…切削液供給手段 10…ブレードカバー 10′…ブレードカバーブラケット 11…洗浄液噴
射ノズル 11a…噴射孔 11b…曲面案内
11′…ノズルブラケット 12…洗浄液 20…切削液 30…ボルト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dicing apparatus 2 ... Holding means 3 ... Semiconductor wafer 4 ... Rotating blade 5 ... Spindle 6
Cutting fluid supply means 10 Blade cover 10 'Blade cover bracket 11 Cleaning fluid injection nozzle 11a Injection hole 11b Curved surface guide
11 '... Nozzle bracket 12 ... Cleaning liquid 20 ... Cutting liquid 30 ... Bolt

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも被加工物を保持する保持手段
と、該保持手段に保持された被加工物を切削する回転ブ
レードとを具備する切削装置であって、前記被加工物の
表面に対して洗浄液を噴射させ、且つその噴射させた洗
浄液が前記回転ブレードの回転に起因して飛散する切削
液の方向と実質的に同一方向に跳ね返るように、所定の
角度をもって洗浄液噴射ノズルを前記回転ブレードの近
傍に設けたことを特徴とする切削装置。
1. A cutting device comprising at least a holding means for holding a work piece and a rotary blade for cutting the work piece held by the holding means, the cutting device comprising: The cleaning liquid is sprayed, and the sprayed cleaning liquid bounces back in substantially the same direction as the direction of the cutting liquid scattered due to the rotation of the rotary blade, so that the cleaning liquid spray nozzle has a predetermined angle. A cutting device provided in the vicinity.
【請求項2】 回転ブレードと被加工物とに切削液を供
給する切削液供給ノズルを洗浄液噴射ノズルとは別に設
けた、請求項1記載の切削装置。
2. The cutting device according to claim 1, wherein a cutting liquid supply nozzle for supplying cutting liquid to the rotary blade and the workpiece is provided separately from the cleaning liquid jet nozzle.
【請求項3】 洗浄液噴射ノズルから噴射される洗浄液
の一部が切削液として回転ブレードと被加工物とに供給
され、洗浄液噴射ノズルが切削液供給ノズルを兼ねてい
る、請求項1記載の切削装置。
3. The cutting according to claim 1, wherein a part of the cleaning liquid sprayed from the cleaning liquid spraying nozzle is supplied as cutting liquid to the rotary blade and the workpiece, and the cleaning liquid spraying nozzle also serves as a cutting liquid supply nozzle. apparatus.
【請求項4】 回転ブレードと一体となって移動するブ
レードカバーに洗浄液噴射ノズルを設けた、請求項1乃
至3記載の切削装置。
4. The cutting device according to claim 1, wherein a cleaning liquid jet nozzle is provided on a blade cover that moves integrally with the rotary blade.
【請求項5】 回転ブレードを挟むように少なくとも二
箇所に洗浄液噴射ノズルを設けた、請求項1乃至4記載
の切削装置。
5. The cutting device according to claim 1, wherein cleaning liquid injection nozzles are provided at at least two positions so as to sandwich the rotary blade.
【請求項6】 切削液が飛散する方向と実質的に同じ方
向にエアーカーテンが形成されるようにエアーカーテン
ノズルを設けた、請求項1乃至5記載の切削装置。
6. The cutting device according to claim 1, wherein the air curtain nozzle is provided so that the air curtain is formed in a direction substantially the same as a direction in which the cutting fluid is scattered.
【請求項7】 切削液が飛散する方向と実質的に同じ方
向にウォーターカーテンが形成されるようにウォーター
カーテンノズルを設けた、請求項1乃至6記載の切削装
置。
7. The cutting device according to claim 1, wherein the water curtain nozzle is provided so that the water curtain is formed in a direction substantially the same as a direction in which the cutting fluid is scattered.
JP33556891A 1991-08-01 1991-11-26 Cutting apparatus Pending JPH0590403A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21420391 1991-08-01
JP3-214203 1991-08-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0590403A true JPH0590403A (en) 1993-04-09

Family

ID=16651941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33556891A Pending JPH0590403A (en) 1991-08-01 1991-11-26 Cutting apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0590403A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059864A (en) * 2001-08-20 2003-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd Dicing device
JP2006080220A (en) * 2004-09-08 2006-03-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP2006086202A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JP2013225612A (en) * 2012-04-23 2013-10-31 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
JP2015041652A (en) * 2013-08-21 2015-03-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 Cutting method of wafer laminate for image sensor
KR20150037476A (en) 2013-09-30 2015-04-08 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method and apparatus of cutting wafer laminated body for image sensor
JP2015208796A (en) * 2014-04-24 2015-11-24 株式会社ディスコ Cutting tool device
JP2017217754A (en) * 2017-09-07 2017-12-14 株式会社東京精密 Liquid curtain formation device
CN108922866A (en) * 2018-09-13 2018-11-30 环维电子(上海)有限公司 Chopping disk and cutting machine

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059864A (en) * 2001-08-20 2003-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd Dicing device
JP4740488B2 (en) * 2001-08-20 2011-08-03 株式会社ディスコ Dicing machine
JP2006080220A (en) * 2004-09-08 2006-03-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP4649917B2 (en) * 2004-09-08 2011-03-16 株式会社東京精密 Dicing machine
JP2006086202A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JP4595458B2 (en) * 2004-09-14 2010-12-08 株式会社東京精密 Dicing machine
JP2013225612A (en) * 2012-04-23 2013-10-31 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
JP2015041652A (en) * 2013-08-21 2015-03-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 Cutting method of wafer laminate for image sensor
KR20150021878A (en) 2013-08-21 2015-03-03 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method of cutting wafer laminated body for image sensor
KR20150037476A (en) 2013-09-30 2015-04-08 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method and apparatus of cutting wafer laminated body for image sensor
JP2015208796A (en) * 2014-04-24 2015-11-24 株式会社ディスコ Cutting tool device
JP2017217754A (en) * 2017-09-07 2017-12-14 株式会社東京精密 Liquid curtain formation device
CN108922866A (en) * 2018-09-13 2018-11-30 环维电子(上海)有限公司 Chopping disk and cutting machine
CN108922866B (en) * 2018-09-13 2023-10-13 环维电子(上海)有限公司 Cutting disc and cutting machine

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100225909B1 (en) Wafer sawing apparatus
JP3410385B2 (en) Cleaning equipment and cutting equipment
JP5446027B2 (en) Dicing machine
JP2009285769A (en) Cutting device
JPH0590403A (en) Cutting apparatus
TW201709259A (en) Cutting apparatus
WO2008004365A1 (en) Dicing apparatus and dicing method
JP7169061B2 (en) Cutting method
JP2010114251A (en) Cutting device
JPH1170456A (en) Wire cleaning device for fixed abrasive grain wire saw
JP2002224929A (en) Device for cutting plate-like workpiece
JP4880244B2 (en) Cutting equipment
JP5389473B2 (en) Spinner cleaning device
JP2009285799A (en) Cutting device
JP4292329B2 (en) Electronic component cutting device
JP2011200785A (en) Cleaning device
JP4243364B2 (en) Cutting method
JPH0697278A (en) Contaminant preventing dicing device
JPH08139065A (en) Wafer cleaning apparatus
JP4783568B2 (en) Cutting device and method for cutting workpiece
JPH03181148A (en) Dicing method
JP2015208796A (en) Cutting tool device
KR102631705B1 (en) Blade cover
JP2694931B2 (en) Dicing equipment
JP7161415B2 (en) processing equipment